用于辐射探测的混合卤化物闪烁体相关申请的交叉引用
本申请要求2014年5月8日提交的名称为“MIXED HALIDE SCINTILLATORS FOR
RADIATION DETECTION”的美国临时申请序列号61/990,541的权益，通过引用将其公开内容
以其全文并入本文。
发明领域
本发明涉及用于探测辐射例如X-射线、γ射线和热中子辐射的闪烁材料。
背景
闪烁体是能够吸收高能颗粒并将这些颗粒转化为多个低能光子的材料。闪烁材料
与光电探测器结合来探测各种应用(包括医学成像、地质勘探、国土安全和高能物理)中的
高能光子、电子和其它颗粒是科学上和经济上重要的。为了使应用中的闪烁体的值最大化，
需要包括高闪烁光产额、快速闪烁衰减时间和上升时间、良好的能量分辨率、高程度的比
例、合适的发射波长以及在宽温度范围内的良好热响应的特性。为此，获得电子/空穴陷阱
和无缺陷的闪烁体是重要的。
包含一价或二价的外部活化剂的卤化物闪烁体是一类有前途的闪烁体。一价的外
部活化剂包括Tl+、Na+和In+。例如，在M.Gascón等人的“Scintillation Properties of
CsBa2I5 Activated with Monovalent Ions Tl+,Na+and In+”,Journal of Luminescence,
2014,156,63-68中制造了用Tl+、Na+和In+闪烁体掺杂的CsBaI5并且将其用作γ射线探测
器。Eu2+和Yb2+是二价的外部活化剂的实例。描述了几种Eu2+掺杂的卤化物闪烁体，其一致地
显示出高的光输出和熔化，允许采用Bridgman-Stockbarger技术生长闪烁体。例如，在
K.Yang等人的“Crystal Growth and Characterization of CsSr1-xEuxI3High Light
Yield Scintillators”，Rapid Research Letters，2011，5，43-45和K.Yang等人的
“Optical and Scintillation Properties of Single Crystal CsSrl-xEuxI3”,Nuclear
Science Symposium Conference Record(NSS/MIC),2010IEEE2010，1603-1606中制备了
Eu2+掺杂的CsSrI3闪烁体并且公开了它们的光物理性质。M.Zhuravleva等人的美国专利公
开号2012/0273726报道了掺杂有Eu2+的CsSrBr3的闪烁性质。另一个实例M.Zhuravleva等人
的“New Single Crystal Scintillators,CsCaCl3：Eu和CsCaI3：Eu”，Journal of Crystal
Growth，2012,352，115-119描述了掺杂有Eu2+的CsCaI3和CsCaCl3的闪烁性质。发现掺杂有
Eu2+的CsBaI3的闪烁体晶体具有优良的闪烁体性质，如公开在U.Shirwadkar等人的“New
Promising Scintillator for Gamma-Ray Spectroscopy:Cs(Ba，Sr)(Br，I)3”，IEEE
Nuclear Science Symposium Conference Record，2011，1583-1585中的那样。
已经提出使用混合卤化物闪烁体即含有两种或更多种不同的卤原子的闪烁体作
为增加闪烁体光输出的手段，如A.V.Gektin等人的“Scintillation Efficiency
Improvement by Mixed Crystal Use”，IEEE Transactions on Nuclear Science，2014，
61，262-270中所示。混合卤化物闪烁体在有限的上下文中已经举例。例如，在H.Wei等人的
“Two New Cerium-Doped Mixed-Anion Elpasolite Scintillators:Cs2NaYBr3I3and
Cs2NaLaBr3I3”，Optical Materials，2014，38，154-160中制作了掺杂有三价活化剂Ce3+的
Cs2NaYBr3I3和Cs2NaLaBr3I3的混合卤化物钾冰晶石闪烁体并且报道了其光学性质。在H.Wei
等人的“The Scintillation Properties of CeBr3-xClx Single Crystals”,Journal of
Luminescence，2014,156，175-179中报道了Ce3+基单晶混合卤化物闪烁体。在另一个实例
中，在“Scintillation and Optical Properties of BaBrI：Eu2+and CsBa2I5：Eu2+”,IEEE
Transactions on Nuclear Science，2011，58，3403-3410中G.Bizarri等人报道了BaBrI的
Eu2+掺杂的闪烁体。
附图简要说明
图1示出了示例性CsSrBrI2(Eu 7％)闪烁体、示例性CsSrClBr2(Eu 10％)闪烁体和
示例性CsCaBrI2(Eu 7％)闪烁体的差示扫描量热法热分析图。
图2A示出了在安瓿中示例性CsSrBrI2(Eu 7％)闪烁体的晶体生长。
图2B示出了示例性CsSrBrI2(Eu 7％)闪烁体的裸晶体(bare crystal)。
图2C示出了示例性CsSrBrI2(Eu 7％)闪烁体的5×5×5mm3的抛光样品。
图3A示出了在安瓿中示例性CsCaBrI2(Eu 7％)闪烁体的晶体生长。
图3B示出了示例性CsCaBrI2(Eu 7％)闪烁体的裸晶体。
图3C示出了示例性CsCaBrI2(Eu 7％)闪烁体的8×8×20mm3的抛光样品。
图4A示出了在安瓿中示例性CsSrClBr2(Eu 10％)闪烁体的晶体生长。
图4B示出了示例性CsSrClBr2(Eu 10％)闪烁体的6×5×13mm3的抛光样品。
图5示出了示例性CsSrBrI2(Eu 7％)闪烁体、示例性CsCaBrI2(Eu 10％)闪烁体和
示例性CsSrClBr2(Eu 10％)闪烁体的X-射线激发的辐射发光光谱。
图6示出了示例性KSrBrI2(Eu 3％)闪烁体的辐射发光光谱。
图7示出了示例性RbSrBrI2(Eu 3％)闪烁体的辐射发光光谱。
图8示出了示例性CsSrBrI2(Yb 1％)闪烁体的辐射发光光谱。
图9示出了示例性CsSrBrI2(In 0.5％)闪烁体的辐射发光光谱。
图10示出了示例性CsSrBrI2(Eu 7％)闪烁体、示例性CsCaBrI2(Eu 10％)闪烁体和
示例性CsSrClBr2(Eu 10％)闪烁体的闪烁衰减时间分布图。
图11示出了示例性KSrBrI2(Eu 3％)闪烁体的闪烁衰减分布图。
图12示出了示例性RbSrBrI2(Eu 3％)闪烁体的闪烁衰减分布图。
图13示出了示例性CsSrBrI2(Yb 1％)闪烁体的闪烁衰减分布图。
图14示出了作为示例性CsSrBr I2闪烁体、示例性CsSrClBr2闪烁体和示例性
CsCaBrI2闪烁体的铕浓度的函数的光产额。
图15A示出了示例性CsSrBrI2(Eu 7％)闪烁体的脉冲高度谱。
图15B示出了示例性CsCaBrI2(Eu 7％)闪烁体的脉冲高度谱。
图15C示出了示例性CsSrClBr2(Eu 10％)闪烁体的脉冲高度谱。
图16示出了示例性KSrBrI2(Eu 3％)闪烁体的脉冲高度谱。
图17示出了示例性RbSrBrI2(Eu 3％)闪烁体的脉冲高度谱。
图18示出了示例性CsSrBrI2(Eu 7％)闪烁体、示例性CsCaBrI2(Eu 7％)闪烁体和
示例性CsSrClBr2(Eu 10％)闪烁体的沉积的γ-射线能量的函数的每单位能量的闪烁光产
额。
图19示出了示例性CsSrBrI2(Eu 7％)闪烁体的光致发光光谱。
图20示出了示例性示例性CsSrI3(Eu 7％)、CsSrBrI2(Eu 7％)和CsSrBr0.5I2.5(Eu
7％)闪烁体的透射。
图21示出了示例性CsSrI3(Eu 7％)、CsSrBr0.25I2.75(Eu 7％)、CsSrBr0.5I2.5(Eu
7％)、CsSrBr0.75I2.25(Eu 7％)和CsSrBrI2(Eu 7％)闪烁体的光产额。
详细描述
本公开涉及一组新发现的混合卤化物闪烁体化合物。这些闪烁体具有优良的闪烁
体性质，例如高能量分辨率和高的光输出。
根据本发明的实施方案的混合卤化物闪烁体可包括具有以下一般的示例性式子
的两个族：
AB(1-y)MyX'wX"(3-w) (1)
和
A(1-y)BMyX'wX"(3-w) (2)
其中0≤y≤1，且
0.05≤w≤1。
这些式子的闪烁体可包括一价或二价的外部活化剂。在式(1)中，M可包括二价的
外部活化剂(例如Eu或Yb)；A可包括碱金属(例如Li、Na、K、Rb、Cs)、铟(In)或其任何组合；B
可包括碱土金属(例如Mg、Ca、Sr、Ba或其任何组合)；以及X′和X"是两种不同的卤素原子(例
如F、Cl、Br、I)或其任何组合。
式(2)的闪烁体包括一价的外部活化剂。在式(2)中，M可包括一价的外部活化剂，
例如In、Na或Tl；A可包括碱金属(例如Li、Na、K、Rb、Cs)、铟(In)或其任何组合；B可包括碱土
金属(例如Mg、Ca、Sr、Ba)或其任何组合；以及X′和X"是两种不同的卤素原子(例如F、Cl、Br、
I)或其任何组合。
式(1)和(2)的化合物能够形成优良的闪烁体。这些新的闪烁体可适用于辐射探测
应用，包括医学成像、国土安全、高能物理实验和地球物理勘探。这些闪烁体对于它们的高
光输出、优良的能量分辨率、同成分熔化和实用的晶体生长是特别值得注意的。
现在描述制备混合卤化物闪烁体的方法的实施方案。根据一个实施方案，以根据
各化合物的化学式的化学计量比手工混合来自Sigma-Aldrich的无水高纯度起始材料并且
将其装载到清洁的石英安瓿中。在具有水分和氧含量小于0.01ppm的干燥手套箱中进行该
混合和装载。
随后在石英安瓿中在10-6乇真空下在200℃下将起始材料干燥4小时，冷却降至室
温，并用氢/氧焰炬在真空下密封在石英安瓿内。可以使用单一区域炉来熔化和合成式(1)
和(2)的化合物，但是应该理解的是，还可以使用其它的炉，包括但不限于两区域透明炉和
三区域立式Bridgman炉。
在这个实施方案中，使熔体和合成温度升高至高于所使用的起始材料的最高熔化
温度20℃。保持该温度7小时，并且在7小时内冷却降至室温。翻转安瓿并重复上述的工序以
促进所有起始材料的完全混合和反应。这导致多晶样品。合成技术(包括但不限于Bridgman
法、电子动态梯度法、Czochralski法、微下拉法(micro-pulling down method)、薄膜沉积、
熔体冷冻和陶瓷热压)可用来生产多晶、单晶、薄膜和陶瓷形式的最终产品。
根据另一个实施方案，可以使用多个安瓿交替的(“MAA”)混合工艺来混合该起始
材料。MAA混合是多个熔体混合工艺，在该工艺中，一次或几次翻转竖炉中安瓿的方向，以便
促进用于化学反应的所有起始材料的均匀混合。MAA混合提供起始材料的更均匀分布和改
进的混合物透明性。在MAA混合工艺中采用的翻转数目可以由多种因素确定，包括例如特定
的起始材料、预期的化学反应、所得产物的形式、和温度。关于多个安瓿交替的混合方法的
额外细节在Wei等人的“Scintillation Properties of Cs3LaCl6：Ce3+和Cs3LaBr6：Ce3+,
IEEE Transactions on Nuclear Science，2014，61，390-396中呈现，通过引用将其公开内
容并入本文。
根据本公开的示例性混合卤化物闪烁体包括式(1)和(2)的晶体。这些示例性闪烁
体中的几种的闪烁性质呈现在下表I中。
表I示例性闪烁体的闪烁性质
示例性闪烁体的差示扫描量热法
使用Setaram Labsys Evo差示扫描量热仪(DSC)测量示例性闪烁体的熔点和结晶
点。在流动的超高纯氩气下在25℃与800℃之间以5°K/分钟加热和冷却样品。在图1中呈现
了来自几种示例性闪烁体的DSC数据。
图1呈现了对于示例性CsSrBrI2闪烁体(Eu 7％)、示例性CsSrCIBr2闪烁体(Eu
10％)和示例性CsCaBrI2闪烁体(Eu 7％)测量的DSC数据。如该图中所示，CsSrBrI2(Eu 7％)
闪烁体的DSC曲线表明熔化温度为611℃，CsSrClBr2(Eu 10％)闪烁体的DSC曲线表明熔化
温度为752℃，并且CsCaBrI2(Eu 7％)闪烁体的DSC曲线表明熔化温度为671℃。
示例性闪烁体的晶体生长
在图2A至2C中显示了示例性CsSrBrI2(Eu 7％)闪烁体的晶体生长。在图2A中显示
了在安瓿中CsSrBrI2闪烁体(Eu 7％)的晶体生长。图2B示出了示例性CsSrBrI2闪烁体(Eu
7％)的裸晶体。图2C示出了示例性CsSrBrI2闪烁体(Eu 7％)的5×5×5mm3抛光样品。
图3A-3C显示了示例性CsCaBrI2(Eu 7％)闪烁体的晶体生长。在图3A中显示了在
安瓿中示例性CsCaBrI2闪烁体(Eu 7％)的晶体生长。图3B示出了示例性CsCaBrI2闪烁体的
裸晶体。图3C示出了示例性CsCaBrI2闪烁体(Eu 7％)的8×8×20mm3抛光样品。
图4A和4B示出了示例性CsSrClBr2(Eu 10％)闪烁体的晶体生长。图4A示出了在安
瓿中示例性CsSrClBr2闪烁体(Eu 10％)的晶体生长，并且图4B示出了示例性CsSrClBr2闪烁
体(Eu 10％)的6×5×13mm3抛光样品。
示例性闪烁体的辐射发光
在室温下在来自X射线发生器模型CMX003(在35kV和0.1mA下)的连续辐射下测量
示例性闪烁体的辐射发光光谱。使用模型PI Acton Spectra Pro SP-2155单色仪来记录光
谱。图5示出了几种示例性闪烁体的辐射发光发射。这些数据显示归因于Eu2+5d-4f跃迁的特
征发射的单一峰值发射，这表明Eu2+以二价形式进入晶格。Eu2+5d-4f激发态的能量由
P.Dorenbos在“Energy of the First 4f7→4f65d Tansition of Eu2+in Inorganic
Compounds”,Journal of luminescence，2003，104，239-260中描述，并且来自这种激发态
的发光由D.H.Gahane等人在“Luminescence of Eu2+in Some Iodides”,Optical
Materials,2009，32，18-21中报道，并且通过引用将这些公开内容并入本文。
如图5中所呈现的辐射发光光谱所示，示例性CsSrBrI2闪烁体(Eu 7％)具有以
455nm为中心的单一峰值；示例性CsCaBrI2(Eu 10％)闪烁体具有以462nm为中心的单一峰
值；并且示例性CsSrClBr2闪烁体(Eu 10％)具有以445nm为中心的单一峰值。
图6-9呈现了另外的示例性闪烁体的辐射发光光谱。如图6所示，示例性KSrBrI2
(Eu 3％)闪烁体具有以460nm为中心的单一峰值。示例性RbSrBrI2(Eu 3％)闪烁体具有以
453nm为中心的单一峰值，如图7所示。图8示出了示例性CsSrBrI2(Yb 1％)闪烁体，该闪烁
体具有以453nm为中心的单一峰值。图9示出了示例性的CsSrBrI2(In 0.5％)闪烁体，该闪
烁体具有以530nm为中心的单一峰值。
示例性闪烁体的闪烁衰减
使用137Cs源和时间相关的单一光子计数技术来记录示例性闪烁体的闪烁衰减时
间，该时间相关的单一光子计数技术由L.M.Bollinger等人在“Measurement of Time
Dependence of Scintillation Intensity by a Delayed-Coincidence Method,”，The
Review of Scientific Instruments，1961，32，1044-1050中描述，并且通过引用将这篇公
开内容并入本文。在图10至13中示出了几种示例性闪烁体的闪烁衰减分布图。
图10示出了：示例性CsSrBrI2闪烁体(Eu 7％)的闪烁衰减分布图，其具有0.77μs
初级衰减分量(占总光输出的～89％)并且在3μs内收集剩余的光；示例性CsCaBrI2闪烁体
(Eu 10％)的闪烁衰减分布图，其显示双指数衰减响应，其中初级衰减分量为1.2μs(占总光
输出的～82％)并且在较长的分量内收集剩余的光；和示例性CsSrCIBr2闪烁体(Eu 10％)
的闪烁衰减分布图，其示出双指数衰减响应，其中初级分量为2.5μs并且0.38μs的较快分量
占总光输出的约～5％。采用双分量指数衰减函数对该图中呈现的闪烁衰减曲线进行拟合。
在图11至13中呈现了另外的示例性闪烁体的衰减分布图。图11显示了用单分量指
数衰减函数拟合的示例性KSrBrI2(Eu 3％)闪烁体的闪烁衰减分布图。图12显示了用双分
量指数衰减函数拟合的示例性RbSrBrI2(Eu 3％)闪烁体的衰减分布图。图13显示了用双分
量指数衰减函数拟合的示例性CsSrBrI2(Yb 1％)闪烁体的衰减分布图。
示例性闪烁体的闪烁光产额
使用Hamamatsu 3177-50或R6231-100光电倍增管(“PMT”)并且记录对γ射线(例
如来自137Cs(铯-137同位素)源)的响应来测量示例性闪烁体的闪烁光产额。使用矿物油来
保护样品闪烁体晶体免于劣化，以及提供样品闪烁体晶体与PMT之间的光学耦合，使得样品
闪烁体晶体中产生的闪烁光会透射到PMT用于测量。从662keV光峰的位置和来自单一光电
子的峰值计算光电子数目。用高斯函数对光峰进行拟合，以确定峰值中心。从所测量的光电
子数目到由该闪烁体所发射的光子数目/MeV即闪烁体的光产额的转换，通过采用样品的X
射线激发的发射光谱卷积作为波长(由Hamamatsu即PMT的制造商测量)的函数的PMT的量子
效率来实现。使用Spectralon的半球圆顶来改进进入PMT中的闪烁光收集并且使用10μs的
成形时间来确保光脉冲的完全集成。对于137Cs、57Co、109Cd、133Ba和241Am的γ射线响应和能量
分辨率，将样品置于填充有矿物油的石英容器中以保护它们免受测量期间的水分。
图14呈现了作为铕浓度的函数的示例性闪烁体的光产额。对于示例性CsSrBrI2和
CsCaBrI2闪烁体，7％的铕浓度给出最高的光产额，分别为60000和50000个光子/MeV，如图
14所示。对于示例性CsSrClBr2闪烁体，10％的铕浓度给出最高的光产额，35000个光子/
MeV。
在图15-17中显示了示例性闪烁体的脉冲高度谱。在图15A-15C中通过高斯函数对
全能峰(光峰)进行拟合。在图15A中，显示了示例性CsSrBrI2闪烁体(Eu 7％)晶体(晶体尺
寸：4×2×2mm3)在137Cs激励下的脉冲高度谱，并且在662KeV下展现了60000个光子/MeV的
光产额和3.5％的能量分辨率。在图15B中，显示了示例性CsCaBrI2闪烁体(Eu 7％)晶体(晶
体尺寸：8×8×20mm3)在137Cs激励下的脉冲高度谱，并且在662KeV下展现了50000个光子/
MeV的光产额和5.0％的能量分辨率。在图15C中，显示了示例性CsSrClBr2闪烁体(Eu 10％)
晶体(晶体尺寸：4×2×2mm3)在137Cs激励下的脉冲高度谱，并且在662KeV下展现了35000个
光子/MeV的光产额和5.0％的能量分辨率。
图16和17示出了在137Cs激励下测量的另外的示例性闪烁体的脉冲高度谱。在图16
中，显示了示例性KSrBrI2(Eu 3％)闪烁体的脉冲高度谱，其展现了36500个光子/MeV的光
产额。在图17中呈现了示例性RbSrBrI2(Eu 3％)闪烁体的脉冲高度谱，并且该示例性
RbSrBrI2(Eu 3％)闪烁体展现了37200个光子/MeV的光产额。
图18呈现了对于几种示例性闪烁体晶体的作为沉积的γ射线能量的函数的每单
位能量的闪烁光产额。通过用从14至662KeV的γ-射线激发能量辐射示例性闪烁体晶体(晶
体尺寸：4×3×3mm3)来获得这些数据。
如图18所示，示例性CsSrBrI2闪烁体(Eu 7％)展现了从20到662keV的比例响应并
且在14keV下降低了～6％。示例性CsCaBrI2(Eu 7％)和CsSrCIBr2(Eu 10％)闪烁体在较高
能量下开始展现非比例性。值得注意的是，示例性混合卤化物闪烁体的响应曲线缺少公知
的“卤化物驼峰(hump)”，即经常观察到的在中间能量下光产额的增大，如由S.A.Payne等人
在“Nonproportionality of Scintillator Detectors:Theory and Experiment”，IEEE
Transactions on Nuclear Science，2009，56，2506-2512中以及B.D.Rooney等人在
“Scintillator Light Yield Nonproportionality:Calculating Photon Response
Using Measured Electron Response”，IEEE Transactions on Nuclear Science，1997，
44，509-516中描述，并且通过引用将每个的公开内容并入本文。相反地，示例性闪烁体的响
应曲线类似于对于其中光产额对于高能量和中间能量是恒定的然后在低能量下单调降低
的氧化物闪烁体通常所观察到的响应。
示例性闪烁体的光致发光
图19呈现了示例性CsSrBrI2闪烁体(Eu 7％)的光致发光光谱特征。使用配有
Xenon灯的Hitachi荧光分光光度计在室温下获得这些数据。在图19中示出的光谱特征包括
4f-5d激发态且是二价铕发光的特性。
部分卤化物取代
式(1)和(2)的卤化物组分的部分取代可改进闪烁体性能。例如，图20示出了部分
卤化物取代对示例性CsSrI3(Eu 7％)、CsSrBrI2(Eu 7％)和CsSrBr0.5I2.5(Eu 7％)闪烁体的
透射的影响。通过采用MAA混合的Bridgman技术使用于测量该数据的这些示例性闪烁体的
样品生长至厚度为3mm。如图20所示，示例性CsSrI3(Eu 7％)闪烁体的透射改进约35％(对
于在示例性CsSrBrI2(Eu 7％)闪烁体中33％碘化物被溴化物卤化物的取代)，并且改进约
65％(对于在示例性CsSrBr0.5I2.5(Eu 7％)闪烁体中16.6％碘化物被溴化物卤化物的取
代)。
在图21中示出了部分卤化物取代对光产额的影响。用MAA混合来熔体冷冻合成示
例性CsSrI3(Eu 7％)、CsSrBr0.25I2.75(Eu 7％)、CsSrBr0.5I2.5(Eu 7％)、CsSrBr0.75I2.25(Eu
7％)和CsSrBrI2(Eu 7％)闪烁体的样品。如该图中所示，通过用溴化物取代碘化物，示例性
CsSrI3(Eu 7％)闪烁体的光产额增加，并且在8.33％碘化物被溴化物的取代下获得了最大
的光产额。
应该理解的是，本公开可不限于所描述的实施方案，并且可以解释清楚其中存在
冲突物件的任何数目的情况和实施方案。
尽管已经参照几个示例性实施方案描述了本公开，但是应当理解，所使用的词语
是描述性和说明性的词语，而不是限制性的词语。可以在所附权利要求的范围内(如目前所
述和如修改的)进行改变，而不脱离本公开在其各个方面的范围和精神。尽管已经参照特定
的实例描述了本公开，但是本公开可并不旨在限于所公开的细节；相反，本公开延伸至例如
在所附权利要求的范围内的所有功能等同的结构、方法和用途。
本文中描述的实例和实施方案的图示旨在提供各种实施方案的一般理解，并且许
多其它实例和实施方案对于本领域的技术人员在审阅本发明时可为明显的。其它实施方案
可得到利用并且衍生自本公开，使得可以做出结构和逻辑上的替换和改变而不背离本公开
的范围。此外，这些图示仅是代表性的并且可以不按比例绘制。在这些图示内的某些比例可
能被放大了，而其它比例可能被最小化。因此，本公开和附图应被认为是说明性的而不是限
制性的。
本公开的一个或多个实例或实施方案可在本文中提及，单独地和/或共同地由术
语“本公开”来表示，只是为了方便并且不是旨在将本申请的范围随意地限制于任何特定的
公开或发明概念。此外，尽管在本文中已经说明和描述了具体的实例和实施方案，但是应该
理解任何随后的经设计以用于实现相同或相似目的的装置可以代替所示的具体实例或实
施方案。本公开可旨在覆盖各种实例和实施方案的任何和所有后续改变和变体。上述实例
和实施方案、以及在本文中没有具体描述的其它实例和实施方案的组合对于本领域的技术
人员在审阅本说明书时将为清楚的。
另外，在前面的详细描述中，可将各种特征组合在一起或在单一实施方案中进行
描述，以用于简化本公开的目的。本公开可能不能被解释为反映了这样的意图：所要求保护
的实施方案需要的特征多于每个权利要求中所明确记载的。相反，如以下权利要求所反映
的那样，发明主题可以是针对少于任何所公开的实施方案的所有特征。因此，将以下的权利
要求并入详细描述中，其中每项权利要求自身独立地限定了分别要求保护的主题。
以上公开的主题应被认为是说明性的，而非限制性的，并且所附权利要求书旨在
覆盖所有这样的改变、增强和落入本公开的真实精神和范围内的其它实施方案。因此，在法
律允许的最大限度，本公开的范围将可由以下的权利要求和它们的等价物的可最宽泛允许
的解释所确定，而不应被以上的详细描述所限制或约束。