用于电子器件或其他物品上的涂层中的混合层.pdf

一种用于保护电子器件的方法，该电子器件包含一个有机的器件本体。该方法涉及使用通过化学气相沉积而沉积成的一种混合层。这种混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的混合物，其中聚合的与非聚合的材料的重量比是在95∶5至5∶95的范围内，并且其中该聚合的材料以及该非聚合的材料是用来自相同前体材料来源创造的。在此还披露了多种用于阻止环境污染物的侧向扩散的技术。

1.  一种用于保护电子器件的方法，该电子器件包括一个有机的器件本体，该有机的器件本体被置于充当该有机的器件本体的基础的一个表面上，该方法包括：
提供一个前体材料来源；
将该前体材料输送至邻近该电子器件的一个反应位置；
使用该前体材料来源通过化学气相沉积在该有机的器件本体上沉积一个第一混合层，其中该第一混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一种混合物，其中聚合的与非聚合的材料的重量比是在95∶5至5∶95的范围内，并且其中该聚合的材料以及该非聚合的材料是从同一个前体材料来源创造的；并且
在外围上邻近该有机的器件本体的一个或多个区域沉积一个边缘阻挡层。

2.  如权利要求1所述的方法，其中该边缘阻挡层包括一种干燥剂材料。

3.  如权利要求2所述的方法，其中该边缘阻挡层是通过在外围上邻近该有机器件本体的这个或这些区域处的该基础表面内形成一个或多个中断、并且通过在这些中断中沉积该干燥剂材料而创造的。

4.  如权利要求1所述的方法，其中该边缘阻挡层是沉积在该第一混合层上的一个阻挡涂层，并且其中该阻挡涂层延伸超过该第一混合层的这些边缘。

5.  如权利要求4所述的方法，其中该阻挡涂层不覆盖在该有机的器件本体上。

6.  如权利要求5所述的方法，其中该阻挡涂层是不透明的。

7.  如权利要求4所述的方法，其中该阻挡涂层是一个第二混合层，该第二混合层包括该聚合的材料与该非聚合的材料的一种混合物，并且其中该聚合的与非聚合的材料的重量比是在95∶5至5∶95的范围内。

8.  如权利要求7所述的方法，其中该第一混合层是在真空下沉积的，并且其中该真空在沉积该第二混合层之前被破坏。

9.  如权利要求4所述的方法，进一步包括在该第一混合层与该阻挡涂层之间沉积一个聚合物层。

10.  一种用于保护电子器件的方法，该电子器件包括被置于一个基底上的一个有机的器件本体，该方法包括：
提供一个前体材料来源；
将该前体材料输送至邻近该电子器件的一个反应位置；并且
使用该前体材料来源通过化学气相沉积在该有机的器件本体上沉积一个混合层，其中该混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一种混合物，其中聚合的与非聚合的材料的重量比是在95∶5至5∶95的范围内，并且其中该聚合的材料以及该非聚合的材料是从同一个前体材料来源创造的；
其中该电子器件包括一根互连引线，并且其中该混合层覆盖在该互连引线的侧向边缘上。

11.  如权利要求10所述的方法，其中，该互连引线不延伸至该基底的边缘。

12.  如权利要求11所述的方法，其中，互连引线包括穿过该混合层而伸出的一个伸出部分。

13.  一种用于保护电子器件的方法，该电子器件包括被置于一个基底上的一个有机的器件本体，该方法包括：
提供一个前体材料来源；
将该前体材料输送至邻近该电子器件的一个反应位置；并且
使用该前体材料来源通过化学气相沉积在该有机的器件本体上沉积一个混合层，其中该混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一种混合物，其中聚合的与非聚合的材料的重量比是在95∶5至5∶95的范围内，并且其中该聚合的材料以及该非聚合的材料是从同一个前体材料来源创造的；
其中一个插入层被置于该混合层与该基底之间，并且其中该插入层起到将该混合层粘附在该基底上的作用。

14.  一种用于保护电子器件的方法，该电子器件包括被置于一个基底上的一个有机的器件本体，该方法包括：
提供一个前体材料来源；
将该前体材料输送至邻近该电子器件的一个反应位置；并且
使用该前体材料来源通过化学气相沉积在该有机的器件本体上沉 积一个混合层，其中该混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一种混合物，其中聚合的与非聚合的材料的重量比是在95∶5至5∶95的范围内，并且其中该聚合的材料以及该非聚合的材料是从同一个前体材料来源创造的；
其中一个插入层被置于该混合层与该有机的器件本体的顶表面之间，并且其中该插入层起到将该混合层粘附至该有机的器件本体的顶表面上的作用。

15.  一种用于保护电子器件的方法，该电子器件包括被置于一个聚合物基底上的一个有机的器件本体，该方法包括：
提供一种前体材料来源；
将该前体材料输送至邻近该电子器件的一个反应位置；
使用该前体材料来源通过化学气相沉积在该有机的器件本体上沉积一个第一混合层，其中该第一混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一种混合物，其中聚合的与非聚合的材料的重量比是在95∶5至5∶95的范围内，并且其中该聚合的材料以及该非聚合的材料是从同一个前体材料来源创造的；
其中一个第二混合层被置于该聚合物基底的顶表面上，其中该有机的器件本体被置于该第二混合层上，其中该第二混合层包括该聚合的材料与该非聚合的材料的一种混合物，并且其中该聚合的与非聚合的材料的重量比是在95∶5至5∶95的范围内。

16.  如权利要求15所述的方法，其中该第二混合层的作用是作为用于该聚合物基底的一个钝化层。

17.  如权利要求15所述的方法，其中该聚合物基底的作用是作为一种干燥剂。

18.  如权利要求17所述的方法，其中该聚合物基底包括一种干燥剂材料。

19.  如权利要求17所述的方法，其中该聚合物基底是经过脱气的。

20.  如权利要求15所述的方法，其中该第二混合层还覆盖在该聚合物基底的底表面上。

21.  如权利要求15所述的方法，其中该第二混合层将该聚合物基底完全封装，这包括该聚合物基底的这些侧面。

22.  一种用于保护电子器件的方法，该电子器件包括被置于一个金属基底上的一个有机的器件本体，该方法包括：
提供一种前体材料来源；
将该前体材料输送至邻近该电子器件的一个反应位置；并且
使用该前体材料来源通过化学气相沉积在该有机的器件上沉积一个混合层，其中该混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一种混合物，其中聚合的与非聚合的材料的重量比是在95∶5至5∶95的范围内，并且其中该聚合的材料以及该非聚合的材料是从同一个前体材料来源创造的；
其中该电子器件包括在该金属基底的顶表面上的一个聚合物平面化层，并且其中该聚合物平面化层并不延伸至该金属基底的这些边缘。

23.  一种用于保护电子器件的方法，该电子器件包括多个有机的器件本体，这些有机的器件本体被置于用于分开该多个有机的器件本体的一个栅格上，该方法包括：
提供一种前体材料来源；
将该前体材料输送至邻近该电子器件的一个反应位置；并且
使用该前体材料来源通过化学气相沉积在该有机的器件本体上沉积一个混合层，其中该混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一种混合物，其中聚合的与非聚合的材料的重量比是在95∶5至5∶95的范围内，并且其中该聚合的材料以及该非聚合的材料是从同一个前体材料来源创造的。

24.  如权利要求23所述的方法，其中该栅格包括一种材料，该材料是抵抗湿气或氧气的传导的。

25.  如权利要求24所述的方法，其中该材料是一种无机材料。

26.  如权利要求23所述的方法，其中，该栅格具有多个中断，该混合层的多个部分穿透了这些中断。

27.  一种有机电子器件，包括：
一个基底；
被置于该基底上的一个功能性有机本体；
连接到该功能性有机本体上的一根互连引线；以及
置于该功能性有机本体上并且覆盖在该互连引线的侧向边缘上的 一个混合层，该混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一种混合物。

28.  如权利要求27所述的器件，其中，该互连引线并不延伸至该基底的边缘。

29.  如权利要求27所述的器件，其中，该互连引线包括穿过该混合层伸出的一个伸出部分。

30.  如权利要求29所述的器件，其中，该伸长部分进一步包括在该混合层外部的该伸长部分的一部分上的一个突节，该突节在该混合层的表面上侧向延伸。

31.  如权利要求27所述的器件，其中，该互连引线包括一个台阶部分。

32.  如权利要求27所述的器件，进一步包括被置于该混合层与该基底之间的一种干燥剂。

33.  如权利要求27所述的器件，其中，该混合层在至少的厚度上具有一种同质的组成。

34.  如权利要求27所述的器件，其中该聚合的材料是聚合的硅并且该非聚合的材料是无机的硅。

35.  一种有机电子器件，包括：
一个金属基底；
被置于该基底上的一个功能性有机本体；
置于该金属基底与该功能性有机本体之间的一个聚合物平面化层，其中该聚合物平面化层并不延伸至该金属基底的边缘；以及
覆盖在该聚合物平面化层的边缘上的一个混合层，该混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一种混合物。

36.  如权利要求35所述的器件，其中该混合层进一步覆盖在该功能性有机本体上，并且其中该器件进一步包括：
连接到该功能性有机本体上的一根互连引线，该互连引线横跨该聚合物平面化层的一个边缘并且具有一个台阶部分，在该台阶部分中该互连引线横跨在该聚合物平面化层的该边缘上。

37.  如权利要求36所述的器件，其中，该混合层覆盖在该互连引线的台阶部分上。

38.  如权利要求37所述的器件，其中，该互连引线并不延伸至该基底 的边缘。

39.  如权利要求38所述的器件，其中，该互连引线包括穿过该混合层而伸出的一个伸出部分。

40.  如权利要求35所述的器件，其中，该混合层是一个第一混合层，该第一混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一种第一混合物，并且其中该器件进一步包括：
连接到该功能性有机本体上的一根互连引线，该互连引线横跨在该第一混合层上并且具有一个台阶部分，在该台阶部分中该互连引线横跨在该第一混合层上；以及
一个第二混合层，该第二混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一种第二混合物，该第二混合层覆盖在该功能性有机本体上。

41.  如权利要求35所述的器件，其中，该混合层具有在至少的厚度上的一种同质的组成。

42.  如权利要求35所述的器件，其中该聚合的材料是聚合的硅并且该非聚合的材料是无机的硅。

43.  一种有机电子器件，包括：
一个聚合物基底；
置于该基底的顶表面上的一个第一混合层，该第一混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一种第一混合物；
置于该基底的下侧表面上的一个第二混合层，该第二混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一种第二混合物；
置于该第一混合层上的一个功能性有机本体；以及
置于该功能性有机本体上的一个第三混合层，该第三混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一种第三混合物。

44.  如权利要求43所述的器件，其中，该第一混合层、该第二混合层、或者该第三混合层中的至少一个具有在至少的厚度上的一种同质的组成。

45.  如权利要求43所述的器件，其中该聚合的材料是聚合的硅并且该非聚合的材料是无机的硅。

46.  一种有机电子器件，包括：
一个基底；
置于该基底上的一个功能性有机本体；以及
置于该功能性有机本体上并且侧向延伸而覆盖在该基底的一个侧面边缘上的一个混合层，该混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一种混合物。

47.  如权利要求46所述的器件，其中，该混合层进一步覆盖在该基底的下侧表面的至少一部分上。

48.  如权利要求46所述的器件，其中，该混合层覆盖在该基底的整个下侧表面上。

49.  如权利要求46所述的器件，其中，该混合层是一个第一混合层，该第一混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一种第一混合物，并且其中该器件进一步包括：
一个第二混合层，该第二混合层覆盖在该基底的下侧表面上并且在覆盖在该第一混合层的至少一部分上。

50.  如权利要求49所述的器件，其中，该第一以及第二混合层将该功能性有机本体以及该基底完全封装。

51.  如权利要求46所述的器件，进一步包括：
与该功能性有机本体相接触的一个电极；以及
连接到该电极上并且在该基底的边缘向外延伸的一根连接引线，其中该混合层涂覆在该连接引线的至少一部分上。

52.  如权利要求A1所述的器件，其中，该电极被定位在该功能性有机本体与该基底之间。

53.  如权利要求46所述的器件，其中，该混合层具有在至少的厚度上的一种同质的组成。

54.  如权利要求46所述的器件，其中该聚合的材料是聚合的硅并且该非聚合的材料是无机的硅。

55.  一种用于保护具有基底的有机电子器件的方法，该方法包括：
将该有机电子器件放置在一个沉积室内部，该有机电子器件由该基底固持在一个支持件上；
提供一种前体材料的一个来源；
将该前体材料输送至邻近该有机电子器件的一个反应位置；
使用该前体材料来源通过等离子体增强的化学气相沉积在该有机 电子器件上沉积一个混合层，该混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一种混合物，其中该聚合的材料与非聚合的材料是从同一个前体材料来源创造的；并且
继续该沉积过程直到该混合层覆盖在该基底的一个侧边缘上。

56.  如权利要求55所述的方法，其中，该支持件仅仅掩盖了该基底的一部分，并且其中使该沉积过程继续直到该混合层覆盖在该基底的下侧表面的至少一部分上。

57.  如权利要求55所述的方法，其中，该混合层是一个第一混合层，该第一混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一种第一混合物，并且其中该方法在沉积该第一混合层之后进一步包括：
将在该支持件上的有机电子器件翻转；
将该前体材料输送至邻近该有机电子器件的一个反应位置；
使用该前体材料来源通过等离子体增强的化学气相沉积在该有机电子器件上沉积一个第二混合层，该第二混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一种第二混合物，其中该聚合的材料与非聚合的材料是从同一个前体材料来源创造的；并且
继续该沉积过程直到该第二混合层覆盖在该第一混合层的至少一部分上。

58.  如权利要求55所述的方法，其中该混合层的至少的厚度是在相同的反应条件下沉积的。

59.  如权利要求55所述的方法，其中该前体材料是一种有机硅化合物。

60.  一种有机电子器件，包括：
一个基底；
置于该基底上的多个功能性有机本体；
将这些功能性有机本体分开成分离的像素区域的一个栅格，该栅格具有一种中断；以及
置于这些功能性有机本体以及该栅格上的一个混合层，其中该混合层穿透进入该中断，并且其中该混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一种混合物。

61.  如权利要求60所述的器件，其中，该混合层在至少的厚度上具有一种同质的组成。

62.  如权利要求60所述的器件，其中该聚合的材料是聚合的硅并且该非聚合的材料是无机的硅。

63.  一种有机电子器件，包括：
一个基底；
置于该基底上的一个功能性有机本体；
置于该功能性有机本体上的一个混合层，该混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一种混合物；以及
置于该混合层上并且延伸超过该混合层一个边缘的一个阻挡涂层。

64.  如权利要求63所述的器件，其中，该混合层是一个第一混合层，该第一混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一个第一混合物，并且其中该阻挡涂层是一个第二混合层，该第二混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一个第二混合物。

65.  如权利要求63所述的器件，其中该阻挡涂层不覆盖在该有机的器件本体的至少一部分上。

66.  如权利要求65所述的器件，其中该阻挡涂层是不透明的。

67.  如权利要求63所述的器件，进一步包括置于该基底的表面与该阻挡涂层之间的一个插入层，该插入层包括一种材料，该材料的作用是增大在该基底表面与该阻挡涂层之间的界面间的粘附力。

68.  如权利要求所述63的器件，进一步包括被置于该阻挡涂层与该混合层之间的一种干燥剂材料。

69.  如权利要求63所述的器件，其中，该混合层具有在至少的厚度上一种同质的组成。

70.  如权利要求63所述的器件，其中该聚合的材料是聚合的硅并且该非聚合的材料是无机的硅。

71.  一种用于保护具有基底以及金属电极的有机电子器件的方法，该方法包括：
将该金属电极连接至一个散热件上；并且
在该有机电子器件上沉积一个混合层，该混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一种混合物。

72.  如权利要求71所述的方法，其中该混合层是通过等离子体增强的化学气相沉积而沉积的。

73.  如权利要求72所述的方法，其中该混合层的至少的厚度是在相同的反应条件下沉积的。

74.  如权利要求71所述的方法，其中该聚合的材料是聚合的硅并且该非聚合的材料是无机的硅。

75.  一种制造有机电子器件的方法，该方法包括：
提供被置于一个基底上的多个功能性有机本体；
在这些功能性有机本体上施加一个阻挡涂层；
将该基底切割成多个单独的有机电子器件；并且
在一个单独有机电子器件的一个切割边缘上沉积一个混合层，该混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一种混合物。

76.  如权利要求75所述的方法，其中该基底是一种柔性基底，并且其中该方法进一步包括使用一种卷对卷方法在该基底上形成多个功能性有机本体。

77.  如权利要求75所述的方法，其中该混合层的至少的厚度是在相同的反应条件下沉积的。

78.  如权利要求75所述的方法，其中该聚合的材料是聚合的硅并且该非聚合的材料是无机的硅。

79.  一种用于保护有机电子器件的方法，该方法包括：
提供一种有机电子器件，该有机电子器件包括：
(a)一个基底；
(b)与功能性有机本体相接触的一个电极；以及
(c)连接到该电极上并且向外延伸超过该基底的边缘的一根连接引线；
将该有机电子器件放在一个沉积室内，该有机电子器件由该连接引线保持在该沉积室内；并且
在该功能性有机本体上并且在该连接引线上沉积一个混合层，该混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一种混合物。

80.  如权利要求79所述的方法，进一步包括继续该沉积过程直到该混合层覆盖在该基底的下侧表面的至少一部分上。

81.  如权利要求80所述的方法，进一步包括继续该沉积过程直到该混合层覆盖在该基底的整个下侧表面上。

82.  如权利要求79所述的方法，其中该混合层的至少的厚度是在相同的反应条件下沉积的。

83.  如权利要求79所述的方法，其中该聚合的材料是聚合的硅并且该非聚合的材料是无机的硅。

84.  如权利要求79所述的方法，其中该混合层是通过等离子体增强的化学气相沉积而沉积的，并且其中在该沉积工艺过程中该有机电子器件被浸没在一种等离子体内或被放置在两种或多种等离子体之间。

85.  一种制造有机电子器件的方法，该方法包括：
提供被置于一个基底上的多个功能性有机本体，其中该基底具有多个通孔，这些通孔被定位于这些功能性有机本体之间；
在这些功能性有机本体上沉积一个混合层，该混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一种混合物；
继续该沉积过程直到这些通孔的内部边缘覆盖有该混合层；并且
将该基底沿着这些通孔分开以提供多个单独的有机电子器件。

86.  如权利要求85所述的方法，其中该基底是一种柔性基底，并且其中该方法进一步包括使用一种卷对卷方法在该基底上形成多个功能性有机本体。

87.  如权利要求85所述的方法，进一步包括继续该沉积过程直到该基底的下侧的至少一部分覆盖有该混合层。

88.  如权利要求85所述的方法，其中这些通孔的宽度与该基底的厚度是相同的或更大。

89.  如权利要求85所述的方法，其中该混合层的至少的厚度是在相同的反应条件下沉积的。

90.  如权利要求85所述的方法，其中该聚合的材料是聚合的硅并且该非聚合的材料是无机的硅。

用于电子器件或其他物品上的涂层中的混合层
本申请是同名发明名称的中国专利申请第200980116331.9号的分案申请，原案国际申请号为PCT/US2009/042829，国际申请日为2009年5月5日。
相关申请
本申请要求美国临时申请序列号61/051,265(2008年5月7日提交)的权益，将其通过引用结合在此。
政府权利
使用37C.F.R.§401.14(f)(4)所要求的专门语言：本发明由政府支持，在美国陆军研究办公室授予的拨款号W911QX-06-C-0017下进行。政府在本发明中拥有某些权利。
共同研究协议
在此提出权利要求的这些发明是由以下联合大学公司研究协议中多方中的一方或多方完成的、代表它们中一方或多方、和/或与它们中一方或多方有关：普林斯顿大学、南部加利福尼亚大学、以及Universal Display Corporation公司。该协议在进行所提出权利要求的这些发明之日以及之前即生效，并且所提出权利要求的这些发明是在该协议范围内所进行的活动产生的结果。
技术领域
本发明涉及用于电子器件的阻挡涂层。
背景技术
有机电子器件如有机发光器件(OLED)在暴露于水蒸气或氧气中时易致降解。该OLED上一个减小其暴露于水蒸气或氧气中的保护性阻挡涂层 可以帮助改善该器件的寿命以及性能。已经考虑将成功地用于食品包装中的氧化硅、氮化硅、或氧气化铝的薄膜用作OLED的阻挡涂层。然而，这些无机薄膜易于含有某些微观缺陷，这些缺陷允许水蒸气和氧气的某种扩散穿过该薄膜。在某些情况下，这些缺陷在脆性薄膜中作为裂缝打开。虽然这个水平的水以及氧气的扩散可能对于食品是可接受的，但它对于OLED是不可接受的。为了着手解决这些问题，已经在OLED上测试了使用交替无机以及聚合物层的多层阻挡涂层，并且发现它们具有对水蒸气和氧气穿透的改善的阻力。但是这些多层涂层具有复杂性以及成本的缺点。因此，对形成适用于保护OLED的阻挡涂层的其他方法存在着一种需要。
附图简要说明
图1示出了可以用于实施本发明的某些实施方案的一个PE-CVD装置的示意图。
图2示出了根据一个实施方案的混合层的光学透射谱。
图3示出了薄膜上一个水滴的接触角是如何测量的。
图4示出了以不同O₂/HMDSO气体流量比所形成的几个混合层的接触角的曲线图。
图5示出了以PE-CVD法过程中施加的不同功率水平所形成的几个混合层的接触角的曲线图。
图6示出了使用较高的O₂流量和较低的O₂流量形成的混合层与纯S i O2(热氧化物)或纯聚合物相比较的红外吸收光谱。
图7示出了以不同O₂/HMDSO气体流量比所形成的不同混合层的纳米压痕硬度与一种纯SiO₂薄膜的硬度相比较的一个曲线图。
图8示出了以不同O₂/HMDSO气体流量比所形成的几个混合层的表面粗糙度的一个曲线图。
图9示出了在不同功率水平下形成的几个混合层的表面粗糙度的一个曲线图。
图10A和10B示出了沉积在一个50μm厚Kapton聚酰亚胺箔片上的一个4μm混合层的表面的光学显微照片。
图11示出了根据本发明的一个实施方案的一种被包囊的OLED的一部分的截面图。
图12示出了带有阻挡涂层的完整OLED的加速环境试验的结果。
图13示出了根据本发明另一个实施方案的一种被包囊的OLED。
图14示出了根据另一个实施方案的一种混合层的一个截面的扫描电子显微图像。
图15示出了根据本发明另一个实施方案的一种被包囊的OLED。
图16A和16B示出了根据另一个实施方案的一种混合层的一个截面的扫描电子显微图像。
图17A示出了在一组条件下沉积的一种混合层的截面的扫描电子显微图像。图17B示出了在另一组条件下沉积的一种混合层的一个截面的扫描电子显微图像。
图18A-C示出了聚酰亚胺基底与沉积其上的不同混合层之间的应力失配的曲线图。
图19示出了根据本发明另一个实施方案的一种被包囊的OLED。
图20示出了根据本发明另一个实施方案的一种被包囊的OLED。
图21示出了根据本发明另一个实施方案的一种被包囊的OLED。
图22示出了根据本发明另一个实施方案的一种被包囊的OLED。
图23示出了根据本发明另一个实施方案的一种被包囊的OLED。
图24示出了根据本发明另一个实施方案的一种被包囊的OLED。
图25示出了根据本发明另一个实施方案的一种被包囊的OLED。
图26示出了根据本发明另一个实施方案的一种被包囊的OLED。
图27示出了根据本发明另一个实施方案的一种被包囊的OLED。
图28示出了根据本发明另一个实施方案的一种被包囊的OLED。
图29示出了根据本发明另一个实施方案的一种被包囊的OLED。
图30示出了根据本发明另一个实施方案的一种被包囊的OLED。
图31示出了根据本发明另一个实施方案的一种被包囊的OLED。
图32示出了根据本发明另一个实施方案的一种被包囊的OLED。
图33示出了根据本发明另一个实施方案的一种被包囊的OLED。
图34示出了固持在一个基底支持件而同时涂覆有一个混合层的一种OLED。
图35A-35C示出了用一个混合层涂覆一个OLED的一种方法。
图36示出了用一个混合层涂覆一个OLED的另一种方法。
图37A-35C示出了在一个单一基底片上制造多个OLED的一种方法。
图38示出了涂覆一个OLED的切割边缘的一种方法。
图39示出了涂覆一个OLED的切割边缘的另一种方法。
图40A和B示出了在一个单一基底薄片上制造多个OLED的另一种方法。
图41示出了在一个混合层的沉积过程中从一个OLED中抽出热量的方法。
详细说明
一方面，本发明提供了在一个表面上形成一种涂层的方法。该方法包括在这个表面上沉积一个包含一种聚合的材料与一种非聚合的材料的混合物的混合层。该混合层可以具有一个单相或多个相。
如在此使用的，术语“非聚合的”是指用具有明确定义的化学式以及单一的明确限定的分子量的分子制成的一种材料。一种“非聚合的”分子可以具有显著大的分子量。在某些情形中，一种非聚合的分子可以包括多个重复单元。如在此使用的术语“聚合的”是指用具有共价连接的重复子单元、并且分子量可以从分子到分子变化(因为该聚合反应可能对每个分子产生不同数目的重复单元)的这些分子制造的一种材料。聚合物包括但不限于均聚物和共聚物如嵌段、接枝、无规的或交替的共聚物，连同它们的共混物或改性物(modificat ion)。聚合物包括但不限于碳或硅的聚合物。
如在此使用的，“一种聚合的材料与一种非聚合的材料的混合物”是指本领域的普通技术人员将理解为既不是纯粹聚合的也不是纯粹非聚合的一种组合物。术语“混合物”旨在排除任何包含偶然量值的非聚合材料(例如可能存在于聚合材料的间隙中，当然作为一种物质)但是本领域的普通技术人员尽管如此却视为纯粹聚合的那些聚合材料。同样，这旨在排除任何包含偶然量值的聚合材料但是本领域的普通技术人员尽管如此却视为纯粹非聚合的那些非聚合材料。在某些情况下，在该混合层中聚合的与非聚合的材料的重量比是在95∶5至5∶95的范围内、优选在90∶10至10∶90的范围内、并且更优选在25∶75至10∶90的范围内。
一个层的聚合的/非聚合的组成可以使用不同技术来确定，包括水滴 的润湿接触角、IR吸收、硬度、以及柔性。在某些情况下，该混合层具有的润湿接触角在30°至85°的范围内、并且优选在30°至60°范围内、更优选在36°至60°的范围内。注意润湿接触角如果在一个沉积态的薄膜表面上进行测定则是对组成的一种度量。因而润湿接触角可以通过后沉积处理而大大变化，此类处理之后所采取的措施可能并不精确地反映这个层的组成。相信这些润湿接触角适用于由有机硅前体形成的大范围的层。在某些情况下，该混合层具有的纳米压痕硬度在3至2GPa的范围内、并且优选在10至18GPa的范围内。在某些情况下，该混合层具有的表面粗糙度(均方根)在0.1nm至10nm的范围内、并且优选在0.2nm至0.35nm的范围内。在某些情况下，当该混合层作为一个4μm厚的层沉积在一个50μm厚的聚酰亚胺箔片基底上时是足够柔性的，以至于以0.2％的拉伸应变(ε)或可替代地以0.1％的拉伸应变(ε)于一个1英寸直径的辊上经过55，000个滚动循环之后没有观察到微结构的变化。在某些情况下，该混合层是足够柔性的以至于在至少0.35％拉伸应变(ε)(如本领域的普通技术人员所考虑的正常地会使一种4μm的纯氧化硅层开裂的一个拉伸应变水平)下没有出现裂缝。
术语“混合物”旨在包括具有一个单相的组合物以及具有多个相的组合物。因此，“混合物”排除了随后沉积的交替的聚合的以及非聚合的层。以另一种方式被视为一种“混合物”，一个层应该在相同的反应条件下和/或同时地被沉积。
该混合层是使用一种单一前体材料来源通过化学气相沉积形成的。如在此使用的“单一前体材料来源”是指，当该前体材料通过CVD使用或不使用一种反应物气体沉积时，提供了为形成该聚合的以及非聚合物的材料两者所必须的所有前体材料的一种来源。这旨在排除其中使用一种前体材料形成该聚合材料、并使用一种不同的前体材料形成该非聚合材料的方法。通过使用一种单一前体材料来源，简化了该沉积方法。例如，一种单一前体材料来源回避了对分开的前体材料流的需要以及伴随的供给并控制这些分开流的需要。
该前体材料可以是一种单一化合物或多种化合物的混合物。当该前体材料是多种化合物的混合物时，在某些情况下，该混合物中这些不同化合物的每种本身能够独立地充当一种前体材料。例如，该前体材料可以是六 甲基二硅氧烷(HMDSO)与二甲基硅氧烷(DMSO)的混合物。
在某些情况下，可以将等离子体增强的CVD(PE—CVD)用于该混合层的沉积。出于不同原因(包括低温沉积、均一的涂层形成、以及可控制的工艺参数)，PE—CVD可能是令人希望的。适用于本发明中的不同PE-CVD方法是本领域中已知的，包括使用RF能量产生等离子体的那些。
该前体材料是在通过化学气相沉积时能够形成一种聚合材料以及一种非聚合材料两者的一种材料。不同的这样的前体材料适合用于本发明中并且因为它们的不同特征进行选择。例如，可以因其化学元素的含量、这些化学元素的化学计量比、和/或在CVD下形成的该聚合的以及非聚合的材料而选择一种前体材料，例如，有机硅化合物如硅氧烷，是一类适合用作前体材料的化合物。硅氧烷化合物的代表性例子包括六甲基二硅氧烷(HMDSO)和二甲基硅氧烷(DMSO)。当通过CVD沉积时，这些硅氧烷化合物能够形成聚合的材料如硅氧烷聚合物、以及非聚合的材料如氧化硅。该前体材料还可以因为不同的其他特征如成本、无毒性、处理特性、在室温下维持液相的能力、挥发性、分子量等进行选择。
适合用作一种前体材料的其他有机硅化合物包括：甲基硅烷；二甲基硅烷；乙烯基三甲基硅烷；三甲基硅烷；四甲基硅烷；乙基硅烷；二硅烷甲烷(di s ilanome thane)；双(甲基硅烷)甲烷；1，2-二硅烷乙烷(disilanoethane)；1，2-双(甲基硅烷)乙烷；2，2-二硅烷丙烷；1，3，5-三硅烷-2，4，6-环丙烷，以及这些化合物的氟化衍生物。适合用作一种前体材料的含苯基的有机硅化合物包括：二甲基苯基硅烷和二苯基甲基硅烷。适合用作一种前体材料的含氧的有机硅化合物包括：二甲基二甲氧基硅烷；1，3，5，7-四甲基环四硅氧烷；1，3-二甲基二硅氧烷；1，1，3，3-四甲基二硅氧烷；1，3-双(硅烷亚甲基)二硅氧烷；双(1-甲基二硅氧烷基)甲烷；2，2-双(1-甲基二硅氧烷基)丙烷；2，4，6，8-四甲基环四硅氧烷；八甲基环四硅氧烷；2，4，6，8，10-五甲基环戊硅氧烷；1，3，5，7-四硅氧烷-2，6-二氧-4，8-二亚甲基；六甲基环三硅氧烷；1，3，5，7，9-五甲基环戊硅氧烷；六甲氧基二硅氧烷，以及这些化合物的氟化衍生物。适合用作一种前体材料的含氮的有机硅化合物包括：硅氮烷如六甲基二硅氮烷、二甲基硅氮烷、二乙烯基四甲基二硅氮烷、或六甲基环三硅氮烷；二甲基双(N-甲基乙酰胺基)硅烷；二甲基双(N-乙基乙酰胺基)硅烷；甲基乙烯基双(N-乙基乙酰 胺基)硅烷；甲基乙烯基双(N-丁基乙酰胺基)硅烷；甲基三(N-苯基乙酰胺基)硅烷；乙烯基三(N-乙基乙酰胺基)硅烷；四(N-甲基乙酰胺基)硅烷；二苯基双(二乙基氨氧基)硅烷；甲基三(二乙基氨氧基)硅烷；以及双(三甲基硅烷基)碳二亚胺。
当通过VCD沉积时，该前体材料可以形成不同量值的不同类型的聚合材料，这取决于前体材料的类型、任何反应物气体的存在、以及其他反应条件。该聚合材料可以是无机的或有机的。例如，在使用有机硅化合物作为该前体材料时，所沉积的混合层可以包括Si-O键、Si—C键、或Si-O-C的聚合物链从而形成聚硅氧烷、聚碳硅烷、以及聚硅烷，连同有机聚合物。
当通过CVD沉积时，该前体材料可以形成不同量值的不同类型的非聚合材料，这取决于前体材料的类型、任何反应物气体的存在、以及其他反应条件。该非聚合材料可以是无机的或有机的。例如，在使用有机硅化合物作为该前体材料与一种含氧的反应物气体相结合时，该非聚合材料可包括硅的氧化物，如SiO、SiO₂以及混合价的氧化物SiO_x。当使用一种含氮的反应物气体进行沉积时，该非聚合材料可以包括硅的氮化物(S iN_x)。可以形成的其他非聚合材料包括硅的碳氧化物以及硅的氧氮化物。
当使用PE-CVD时，该前体材料可以与一种反应物气体结合使用，该反应物气体在这个PE-CVD过程中与该前体材料进行反应。在PE-CVD中使用反应物气体是本领域中已知的，并且不同的反应物气体适合用于本发明中，包括含氧的气体(例如，O₂、臭氧、水)以及含氮的气体(例如，铵)。该反应物气体可以用于改变反应混合物中存在的化学元素的化学计量比。例如，当将一种硅氧烷前体材料与一种含氧或氮的反应物气体一起使用时，该反应物气体将改变该反应混合物中氧或氮相对于硅和碳的化学计量比。该反应混合物中这些不同化学元素(例如，硅、碳、氧、氮)之间的这个化学计量比能以几种方式进行改变。一种方式是改变反应中的前体材料或反应物气体的浓度。另一种方式是改变进入反应中的前体材料或反应物气体的流量。又一种方式是改变反应中所使用的前体材料或反应物气体的类型。
改变该反应混合物中的这些元素的化学计量比可以影响所沉积的混合层中聚合的和非聚合的材料的特性以及相对量值。例如，可以将一种硅氧烷气体与变化量值的氧相结合以调整混合层中非聚合材料相对于聚合 材料的量值。通过增大氧相对于硅或碳的化学计量比，可以增大非聚合材料如硅的氧化物的量。同样地，通过减小氧的化学计量比，可以增大含硅和碳的聚合材料的量。通过调节其他反应条件也可以改变该混合层的组成。例如，在PE—CVD的情况下，可以改变工艺参数如RF功率以及频率、沉积压力、沉积时间、以及气体流量。
因此，通过使用本发明的这些方法，有可能形成具有混合的聚合的/非聚合的特点并且具有适合用于不同应用中的特征的一种混合层。此类特征包括光学透明性(例如，在某些情况下，该混合层是光学上透明的)、不通透性、柔性、厚度、粘附性、以及其他机械性质。例如，可以通过改变该混合层中的聚合材料的重量％(其余是非聚合的材料)来调整这些特征中的一项或多项。例如，为了实现所希望水平的柔性以及不通透性，该wt％聚合材料可以优选是在5％至95％的范围内、更优选在10％至25％的范围内。然而，取决于应用，其他范围也是有可能的。
由纯粹非聚合的材料如氧化硅制成的阻挡层可以具有与光学透明性、良好的粘附性、以及良好的膜应力相关的不同优点。然而，这些非聚合的层易于含有某些微观缺陷，这些缺陷允许水蒸气和氧气扩散穿过这个层。为该非聚合的层提供某些聚合的特征可以减小该层的通透性，而不显著改变一种纯粹非聚合层的有利特性。不意欲受理论限制，诸位发明人认为具有混合的聚合的/非聚合的特征的一种层通过减小缺陷(特别是微裂缝)的大小和/或数目而减小了这个层的通透性。
在某些情况下，本发明的涂层可以具有多个混合层，其中每个混合层的组成可以独立地改变。在某些情况下，该涂层中一个混合层的重量比％与另一个混合层相差至少10wt％。每个混合层的厚度也可以独立地改变。这些不同的混合层可以通过顺序地调整在沉积该混合层中所使用的反应条件而创造。例如，在一个PE—CVD过程中，可以顺序地调节供给反应混合物的反应物气体的量来生产多个混合层，其中每个混合层是不连续的并且具有不同的组成。
当该涂层具有一个其组成在其中从一个高度向另一个依次连续变化的区域时，该区域内的一个混合层可以是非常薄的，甚至薄如该涂层内的最小的分子单位。例如，该涂层可以具有一个区域，该区域内聚合材料与非聚合材料的wt％比率连续地改变。这种连续变化可以是线性的(例如， 聚合材料与非聚合材料的wt％比率可以稳定地增大到更高的高度)或非线性的(例如，循环的增大或减小)。
当该多个混合层是在真空下沉积时，可以在这些混合层的沉积之间将真空破坏。这个步骤有益于增强这些分开沉积的层以这些层之间最小的中断而形成的能力。例如，在这种真空破坏过程中将所沉积的层暴露于大气的氧气中可以氧化这个层并改善其粘附性。
当使用多个混合层时，可以制造一个随后沉积的层来延伸超过一个下面混合层的边缘(即，这个随后沉积的混合层具有比下面的混合层更大的印迹)。这种构型可能有益于保护该混合层的边缘免于环境污染物(例如，湿气或氧气)的侧向进入。此外，在该多个混合层之间可以放置其他聚合物层。例如，参见图21中所示的实施方案，一种电子器件240包括一个OLED本体244(包括一堆有机的层)，该本体安装在一个基底242上。OLED本体244涂覆有一个第一混合层250，该第一混合层延伸超过OLED本体244的边缘。第一混合层250涂覆有一个聚合物层254，该聚合物层接着涂覆有一个第二混合层252，该第二混合层延伸超过聚合物层254以及OLED本体244的边缘，与基底242的表面相接触。通过覆盖第一混合层250的边缘，第二混合层252起到阻止环境污染物从第一混合层250的侧向进入的作用。
该混合层可以沉积在不同类型的物品上。在某些情况下，这个物品可以是一种有机的电子器件，如OLED。对于一个OLED，该混合层可以作为一个抵抗水蒸气和氧气透过的阻挡涂层起作用。例如，一种具有的水蒸气传输速率小于10^-6g/m²/天或氧气传输速率小于10^-3cm³/m²/天(或在某些情况下小于10^-3cm³/m²/天)的混合层对于保护OLED可以是合适的。在某些情况下，该混合层的厚度可以从0.1至10μm变化，但是取决于应用也可以使用其他的厚度。同样，具有的厚度以及材料组成给予光学透明性的混合层可以适合用于OLED。对于与柔性的OLED一起使用，该混合层可以设计为具有所希望量的柔性。在某些情况下，该混合层可以用在其他易于在暴露于环境中时降解的物品上，如药物制剂、医疗装置或移植物、生物制剂、生物样品、生物传感器、或敏感性测量设备。
在某些情况下，该混合层可以与一个未混合的层结合使用，该未混合的层也可以是通过使用同样的单一前体材料来源形成的，如一个未混合的 聚合的层或一个未混合的非聚合的层。该未混合的层可以在该混合层被沉积之前或之后进行沉积。
可以使用不同类型的CVD反应器中的任何一种来实施本发明的这些方法。作为一个例子，图1示出了可以用于实施本发明的某些实施方案的一种PE-CVD装置10。PE-CVD装置10包括一个反应室20，在该反应室中一个电子器件30被负载在一个支持件24上。将反应室20设计为包含一种真空，并且将一个真空泵70连接至反应室20上以创造和/或维持合适的压力。一个N₂气罐50提供N₂气用于清洗装置10。反应室20可以进一步包括一个冷却系统来减小反应产生的热量。
对于操控气体流量，装置10还包括不同的流量控制机构(如质量流量控制器80、关闭阀82以及止回阀84)，它们可以在手动或自动控制下。一种前体材料来源40提供一种前体材料(例如，液体形式的HMDSO)，该前体材料被汽化并进料到反应室20之中。在某些情况下，可以使用一种载气如氩气将该前体材料输送至反应时20。一个反应物气体罐60提供了反应物气体(例如，氧气)，该反应物气体也进料到反应室20之中。该前体材料与反应物气体流进反应室20中以创造一个反应混合物42。可以将该前体材料与该反应物气体分开流入反应室20中、或者在进入反应室20之前进行预混合。可以对反应室20内部的压力进行进一步调节以实现沉积压力。反应室20包括安装在电极支架(standoff)26上的一组电极22，这些支架可以是导体或绝缘体。器件30以及电极22的多种安排是有可能的。可以使用二极管或二极管电极或远程电极。器件30可以如图1所述的遥远地放置、或者可以安装在一种二极管构型的一个或两个电极上。
向电极22提供RF功率以在反应混合物42中创造等离子条件。该等离子体所创造的反应产物被沉积在电子器件30上。允许反应进行一段足以在电子器件30上沉积一个混合层的时间。这个反应时间取决于不同的因素，如器件30相对于电极22的位置、待沉积的混合层的类型、反应条件、该混合层的所希望厚度、该前体材料、以及该反应物气体。这个反应时间可以是5秒至5小时的一个时间段，但是取决于应用也可以使用更长或更短的时间。
下表1示出了用来制造三个示例性混合层的反应条件。实例1的混合 层近似包含7％的聚合材料以及93％的非聚合材料，如由水滴的润湿接触角所确定的。实例2的混合层近似包含94％的聚合材料以及6％的非聚合材料，如由水滴的润湿接触角所确定的。实例3的混合层近似包含25％的聚合材料以及75％的非聚合材料，如由水滴的润湿接触角所确定的。在实例1-3每个中，其中跨越该沉积过程反应条件被保持恒定，该混合层是一个具有各处同质的组成的单相。如实例1-3所证明的，该混合层可以是一个在至少的厚度范围内具有同质的组成的单相，并且在某些情况下是在至范围内的厚度内。然而，在其他实施方案中，通过以上面描述的方式改变反应条件，该混合层可以以多个不同子层(每个具有不同的组成)的形式具有多个相。
表1

图2示出了实例3的混合层的光学透射谱。这个混合层从近紫外到近红外光谱具有大于90％的透光率。图3示出了薄膜上一个水滴的接触角是如何测量的。图4是以不同O₂/HMDSO气体流量比所形成的几个混合层的接触角与一种纯SiO₂薄膜以及一种纯聚合物薄膜的接触角相比较的一个曲线图。随着沉积过程中氧气流量的增大，这些混合层的接触角接近于一种纯SiO₂薄膜的接触角。
图5是以PE-CVD法过程中施加的不同功率水平所形成的几个混合层的接触角的一个曲线图。随着功率水平的增大，这些混合层的接触角接近于一种纯SiO₂薄膜的接触角，这可能是因为更高的功率水平使得O₂是一种更强的氧化剂。图6示出了使用较高的O₂流量和较低的O₂流量形成的混合层与纯SiO₂(热氧化物)或纯聚合物相比较的红外吸收光谱。高O₂的混合层在Si-O-Si谱带中显示了强的峰。认为热氧化物(纯SiO₂)薄膜在Si-CH₃谱带中的额定的峰(nominal peak)是与Si—O振动相关。图7是以不同O₂/HMDSO气体流量比所形成的不同混合层的纳米压痕硬度与一种纯SiO₂薄膜的硬度相比较的一个曲线图。这些混合层的硬度随着沉积过程中氧气 流量的增大而增大，并且这些混合层可以几乎与纯SiO₂薄膜一样硬，并且还是强韧且高度柔性的。
图8是在不同O₂/HMDSO气体流量比下形成的几个混合层通过原子力显微镜术测量的表面粗糙度(均方根)的一个曲线图，并且示出了该表面粗糙度随着沉积过程中使用的O₂流量的增大而减小。图9是在不同功率水平下形成的几个混合层通过原子力显微镜术测量的表面粗糙度(均方根)的一个曲线图，并且示出了该表面粗糙度随着沉积过程中使用的功率水平的增大而减小。
图10A和10B示出了在一个50μm厚的Kapton聚酰亚胺箔片上的一个4μm混合层(在以上实例3的相同的源温度、气体流量、压力以及RF功率下沉积)的表面的光学显微图像。在图10A中，这些照片是在该涂覆的箔片在一个1英寸直径的辊上经受循环滚动(拉伸应变ε＝0.2％)之前和之后得到的。在58，600个滚动循环之后没有观察到微结构的变化。在图10B中，涂覆的箔片经受了增大的拉伸应变，并在这些照片是在第一次开裂(14mm的辊直径)出现之后以及延展的开裂(2mm的辊直径)出现之后得到的。这些柔性结果证明本发明的方法可以提供一种高度柔性的涂层。
图11示出了一种被包囊的OLED100的一部分的截面视图，该部分包括一个基底150上的OLED本身140、以及以上实例3的混合层作为一个阻挡涂层110。图12示出了带有阻挡涂层的完整OLED的加速环境试验的结果。底部发射的OLED以及透明的OLED两者都涂覆有实例3的这个6-μm厚的混合层。这些器件然后被储存在65℃以及85％相对湿度的环境的室中。这些照片示出了这些OLED在初始时间点上以及指出的时间间隔之后的状况。这些OLED在完全超过1000小时之后继续起作用，证明本发明的这些方法可以提供一种有效地保护对抗环境暴露的降解作用的涂层。
在使用该混合层作为一种环境阻挡用于一个电子器件的情况下，该混合层可以充当电子器件被置于其上的表面、该电子器件的覆盖物、或两者。例如，可以将一个混合层置于电子器件上来覆盖它并且可以将另一个混合层沉积在该电子器件下的基底上以提供一个该电子器件置于其上的表面。以此方式，将电子器件密封在这两个混合层之间。
例如，参见图13中所示的实施方案，一种被包囊的OLED160包括一 个基底150以及一个沉积其上的混合层162。该OLED的本体140(包括这些电极)被置于混合层162的表面上。另一个混合层164(可以具有或不具有与混合层162相同的组成)作为一个共形的涂层被沉积在OLED本体140上。照这样，除了覆盖OLED本体140的顶部之外，混合层164还向下延伸至OLED本体140的侧面并且接触混合层162的表面。以此方式，将OLED本体140夹在混合层162与混合层164之间。
在一些实施方案中，可以在沉积该混合层之前对该混合层沉积其上的这个表面进行预处理以便增大该表面与该混合层之间的界面内聚性。这种表面预处理可以修饰不同的表面特性，包括增强该表面的粘附性、修饰表面化学性(如，活化该表面)、改变表面粗糙度、增大表面能、平面化该表面、和/或清洁该表面。通过增大该表面与该混合层之间的界面内聚性，这个特征可以有益于减少环境污染物(如湿气或氧气)从混合层的边缘的侧向扩散。
可以增大该表面与该混合层之间的界面内聚性的不同类型的表面处理适合用于本发明中，包括机械磨损、化学处理(例如，暴露于氧化剂中、通过引入官能团进行活化)或物理化学处理(例如，暴露于等离子体中、电晕放电、或UV照射)。在使用等离子体处理时，这个处理可以在用来沉积混合层的同一个室中进行、或者这个等离子体处理可以在一个分开的装置中进行，在这种情况下，可以使用本领域中已知的不同类型的等离子体处理装置，包括桶型等离子体系统和平行板型等离子体系统。
在等离子体处理中常规使用的不同气体中的任何一种可以适合用于预处理这个表面，包括气体如氧气、氢气、氮气、氩气、铵、或它们的混合物。特别优选的气体包括氧气和氩气。可以使用不同气体来以不同方式修饰这个表面。例如，用氩气进行的等离子处理将用氩离子轰击这个表面，这可以清洁该表面或使它在原子等级上更粗糙，由此改善它粘附至混合层的能力。用氧气进行的等离子处理可以用含氧的官能团化学地活化该表面，这可以与混合层形成键。为了实现所希望的表面特性，可以对该等离子体处理过程的不同的其他参数进行调整，包括功率、频率、持续时间、压力、或温度。
在某些情况下，可以通过在该表面与该混合层之间沉积一个插入层来对该表面进行预处理。这个插入层包括可以用来改善该表面与该混合层之 间的界面内聚性的不同材料中的任何一种。例如，适合用于该插入层中的材料包括氮化硅、铬、钛、一种镍钛合金、或一种介电材料。这个层可以使用常规地用于薄膜沉积的不同技术中的任何一种来进行沉积，这些技术包括化学气相沉积、等离子体气相沉积、或溅射。该插入层的厚度将根据具体的应用而改变。在某些情况下，该插入层可以是一个单原子的或单分子的层、或者具有高达50nm的厚度，但是在其他情况下，其他厚度也是有可能的。这个插入层中的材料可以进一步与这个插入层上面或下面的这些层或结构中的材料进行化学反应。
图14示出了沉积在一个蚀刻的硅晶片上的一种混合层的截面的扫描电子显微照片(SEM)。该硅晶片的未蚀刻部分(在图14的左侧作为具有5μm台阶高度的凸起的边缘显示)覆盖有一个80nm的铬的薄膜，这个薄膜在该硅晶片的蚀刻过程中还作为蚀刻掩模起作用。该硅晶片的被蚀刻的部分(在图14的右侧示出)未用铬薄膜进行预处理。通过PE—CVD在以下条件下在该硅晶片的两个部分上沉积一个混合层：

*在每个25分钟的两个间歇的时间段内，在每个时间段之间进行冷却。
经过这种间歇的沉积方法的加热和冷却循环，该硅晶片基底的平均温度是大于80℃(起始温度为约22℃并且结束温度为约160℃)。在这个铬处理过的表面，该混合层具有一种致密的微结构。然而，在未处理的表面上，该阻挡层具有一种不规则的、柱状的微结构。基于这些形态差异，可以预期该铬处理过的表面上的混合层(具有致密的微结构)是不及沉积在未处理的表面上的混合层对湿气和氧气的透过性的。
在某些情况下，该插入层可以是包括一个或多个平面化子层以及一个或多个增粘子层的一种多层结构。例如，美国专利号6,597,111(Silvernail等人)以及专利号7,187,119(Weaver)描述了用一个交替系列的聚合的平面化子层以及高密度子层形成的阻挡层。该聚合的平面化子层包括一种聚合的平面化材料，该材料形成了一个光滑表面。该高密度 子层包括一种具有足够近的原子间距的高密度材料(例如，一种无机的、陶瓷的、或介电的材料)使得环境污染物的扩散受阻。在另一个实例中，该插入层可以包括旋涂的聚合物层以及混合层(以上面描述的方式沉积)、或SiN_X层以及混合层；或旋涂的聚合物层以及SiN_X层的多个交替层。
例如，参见图15中所示的实施方案，一个电子器件176包括一个基底150，该基底涂覆有一个聚合材料的平面化子层170。在平化子层170上布置了一个增粘子层172。一个OLED的本体140(包括这些电极)被置于增粘子层172的表面上。然后在OLED本体140上作为一个共形涂层沉积一个混合层174。照这样，除了覆盖OLED本体140的顶部之外，混合层174还向下延伸至OLED本体140的侧面并且接触增粘子层172的表面。以此方式，混合层174与增粘子层172之间的粘附性可以减小环境污染物穿过该界面区的侧向扩散。
如以上说明的，可以改变这些沉积条件来提供具有不同的结构、组成、和/或特性的混合层，这些特性包括它对环境污染物的透过性以及它粘附至混合层沉积其上的这个表面上的能力。在某些情况下，可以对沉积温度(例如，通过该基底的加热和冷却)进行控制以减小该混合层的透过性。图16A和16B示出了沉积在一个蚀刻的硅晶片上的一种混合层的截面的扫描电子显微图像(SEM)。该硅晶片的未蚀刻部分(在图16A和16B的右侧作为凸起的边缘显示)覆盖有一个铬的薄膜，这个薄膜在该硅晶片的蚀刻过程中还作为蚀刻掩模起作用。该硅晶片的被蚀刻的部分(在图16A和16B的左侧示出)未用铬薄膜进行预处理。通过PE-CVD在以下条件下在该硅晶片的两个部分上沉积一个混合层

*在每个5分钟的16个间歇的时间段内，在每个时间段之间进行冷却。
经过这种间歇的沉积方法的加热和冷却循环，该硅晶片基片的平均温度是大于35℃。在一个间歇的沉积过程中，控制沉积温度的一种方式是调节加热和/或循环的数目或持续时间。照这样，因为这个混合层是用更短 持续时间的加热循环以及更大数目的冷却而沉积的，所以平均的沉积温度低于在沉积图14中所述的混合层过程中使用的温度。其结果是，在该硅晶片的铬处理过的以及光裸表面两者上的混合层都具有一种不规则的柱状的结构。而且，在这个步骤的侧向方面具有差的覆盖。因此，可以预期使用某个范围内的更高的沉积温度所形成的一种混合层比使用更低沉积温度所形成的混合层具有更小的透过性。在某些情况下，该混合层是在40℃至90℃范围内的沉积温度下进行沉积。
在某些情况下，可以对沉积功率进行控制以减小该混合层的透过性。图17A示出了沉积在一个底部发射OLED堆上一个混合层的截面的扫描电子显微照片(SEM)。该混合层是通过PE-CVD在以下条件下进行沉积：

*在以下间歇的时间段中_∶100mTorr下9分钟、之后100mTorr下8次6分钟、之后130mTorr下8分钟、之后150mTorr下10分钟、之后125mTorr下9分钟、之后150mTorr下7分钟、之后125mTorr下8分钟、之后150mTorr下10分钟、之后125mTorr下8分钟、之后125mTorr下9分钟。
认为更高的沉积功率增强了单体碎裂。因此，通过逐步将功率从24W提高至50W，观察到该混合层中的每个随后的层呈现出更加似氧化物的特征以及更不似聚合物的特征。在图17A中，该混合层的最接近表面的这个层(在更低功率下沉积)具有一种多孔的、似聚合物的微结构，而离该表面更远的层(在更高功率下沉积)具有一种更致密、似氧化物的微结构。
图17B示出了另一个混合层的截面的扫描电子显微照片(SEM)，该混合层是通过PE-CVD在以下条件下沉积在一个顶部发射OLED堆上：

*在每个10分钟的12个间歇的时间段内，在每个时间段之间进行冷却。
与图17A中所示的混合层相比，在沉积图17B中所示的这个混合层的过程中使用了更高的沉积功率。其结果是，这个混合层具有的微结构比图17A中所示的混合层的微结构更致密。因此，可以预期使用更高的沉积功率所形成的一种混合层比使用更低沉积功率所形成的混合层具有更小的透过性。
当将两种不同的材料彼此紧密接触地放置时，这样的接触可能产生应力，特别是在这两种材料之间的界面处。因此，在一些实施方案中，可以对该混合层的残余内应力进行控制以减小该混合层中应力感生缺陷(如开裂、空隙、弯曲、或分层)的发生率。一种控制混合层中的内应力的方式是调整沉积条件。
图18A-C显示了25μm厚的Kapton-E聚酰亚胺基底与在不同条件下沉积其上的不同混合层(具有320-600nm的厚度)之间的应力失配。正失配对应于混合层中的拉伸应力而负失配对应于混合层中的压缩应力。参见图18A，将沉积压力从100mTorr增大至150mTorr、同时将沉积功率和气体流量保持恒定，导致在混合层中创造了更大的拉伸应力。参见图18B，将沉积功率从50W增大至80W、同时将沉积压力和气体流量保持恒定，导致在混合层中创造了更大的压缩应力。参见图18C，将HMDSO/O₂气体流量从1.0/34增大至2.0/67、同时将沉积压力和功率保持恒定，导致在混合层中创造了更大的拉伸应力。
这些结果表明通过改变沉积参数可以调节混合层中的内应力。这些结果还表明存在一种对沉积参数的最佳设定，其中混合层中的应力可以被最小化。例如，可以调节一个沉积参数以在混合层中创造一个压缩应力，同时可以调节另一个沉积参数以在混合层中创造一种匹配的拉伸应力，从而产生为零或接近零的残余净应力。在一个多层的涂层包括多个混合层的情况下，还有可能单独地调节每个混合层中的应力以控制这个涂层中的总应力。例如，可以对每个混合层进行调节以平衡该涂层中的总应力、或者随着距离该表面的距离的增大而逐步增大该混合层中的应力的量。
彼此紧密接触地放置的两种不同的材料还可能造成由不同的热膨胀 系数(CTE)而产生的残余应力。因此，在一些实施方案中，可以调节该混合层的组成以更接近地匹配相邻结构(例如，一个聚合物基底或金属/无机氧化物的互相连接)的热膨胀系数。例如，可以通过调节聚合的与非聚合的材料的相对比来增大或减小该混合层的CTE，从而更接近地匹配该基底的CTE。
在一些实施方案中，其中电子器件是置于一个充当基础的表面(即，一个基础表面)上，该混合层和/或表面可以进一步包括一种边缘阻挡层来减小环境污染物(例如，湿气或氧气)通过侧向扩散的穿透，或者是穿过该基础材料本身或者穿过该基础表面与该混合层之间的界面。这个基础可以用在此描述的材料中的任何一种或者已知的用于将电子器件置于其上的任何其他材料(例如，在金属箔片基底或阻挡层涂覆的塑料基底上的平面化和/或绝缘层中使用的材料)形成。本领域中已知的不同类型的边缘阻挡层中的任何一种适合用于本发明中。在某些情况下，该边缘阻挡层是通过将该混合层与该基础表面在外围邻近电子器件的区域结合在一起而构造的。这种结合可以通过对这些区域施加热封或一种粘合剂(例如，基于环氧的粘合剂)而实现。
在某些情况下，该边缘阻挡层可以是从电子器件的顶面沿着该电子器件的侧向面向下延伸、并与该基础表面相接触的折边(end cap)。可能适合用于本发明中的一种类型的折边在美国专利号7,002,294(Forrest等人)中进行了描述。这些折边可以用能保护电子器件免于环境污染物的侧向进入的任何材料制成，包括高密度陶瓷材料(例如，二氧化硅)或金属的材料。
例如，参见图19中所示的实施方案，一种被包囊的OLED180包括一个基底150，该OLED的本体140(包括这些电极)被置于其上。在OLED本体140上沉积了一个混合层182。将折边184置于混合层182以及OLED本体140周围，以从混合层182的顶面向下延伸至OLED本体140的侧向面、并与基底150的表面接触。折边184起的作用是减少环境污染物穿过OLED180的这些侧向表面或边缘的侧向进入。
在某些情况下，可以通过在外围邻近电子器件的区域内在该基础表面内创造一个或多个中断来形成一个边缘阻挡层。这些中断可以用作一个阻挡层通过不同机理中的任何一种而对抗环境污染物的穿透，这些机理包括 增大环境污染物侧向进入的通道长度、或者在该基础材料用作环境污染物进入的管道时在该管道中形成一个断裂。如在此使用的术语“中断”是指使用控制孔隙的大小、形状以及位置的技术通过材料的沉积或去除而在该基础表面中产生的不连续的空隙(例如，渠沟、凹槽、缝隙、裂缝、间隙、孔洞、穿孔)。例如，此类技术包括使用能量束(例如，激光、离子、或电子)进行直写蚀刻、微加工、微钻孔、平版印制法、或在待创造空隙的区域上用选择性的掩蔽进行基础材料的掩蔽沉积。
例如，参见图20中所示的实施方案，一个基底150涂覆有一个聚酰亚胺薄膜194。聚酰亚胺薄膜194用作一个基础表面，一个OLED的本体140(包括这些电极)置于该基础表面上。蚀刻进聚酰亚胺薄膜194中的是一个环绕OLED本体140的周边的沟196。可替代地，沟196可以通过在聚酰亚胺薄膜194的沉积过程中对该区域进行选择性地掩蔽而形成。沟196延伸穿过聚酰亚胺薄膜194的全部厚度。OLED本体140覆盖有一个混合层192，该混合层覆盖了OLED本体的顶部194、并且沿着OLED本体140的侧面向下延伸至该基础表面。在该基础表面上，混合层192还填充在沟196中以防止该聚酰亚胺薄膜用作环境污染物侧面进入的一个管道。
不同的其他类型的边缘阻挡层也是有可能的。在一些实施方案中，该边缘阻挡层可以是另一个延伸超过该混合层的边缘的阻挡涂层。例如，参见图22中所示的实施方案，一种电子器件200包括一个OLED本体204(包括一堆有机的层)，该本体安装在一个基底202上。OLED本体204涂覆有一个混合层210，该混合层延伸超过OLED本体204的边缘并且与基底202的表面相接触。一个阻挡涂层212沉积在混合层210上、延伸超过混合层210的边缘以阻止环境污染物的侧向进入。
用来覆盖该混合层的阻挡涂层本身可以是本发明的一个混合层。例如，在图22中的电子器件200的一个替代实施方案中，阻挡涂层212是在混合层210沉积之后被沉积的另一个混合层。在其他情况下，该阻挡涂层可以是常规地用于保护电子器件的任何阻挡涂层。照这样，在一些情况下，该阻挡涂层可以与该混合层相比是相对厚的或者硬的。在一些情况下，该阻挡涂层足够厚和/或硬，以能够给电子器件提供保护免于机械损伤，即使在提供免于环境污染物进入的保护方面它可能不如该混合层一样有效。
而且，该混合层上的阻挡涂层并不必要必须完全地覆盖该混合层。例如，参见图23中所示的实施方案，一种电子器件220包括一个OLED本体224(包括一堆有机的层)，该本体安装在一个基底222上。OLED本体224涂覆有一个混合层230，该混合层延伸超过OLED本体224的边缘并且与基底222的表面相接触。掩蔽沉积或沉积了一个阻挡涂层232，并在混合层230上组成图案使得仅仅混合层230的边缘被覆盖。在这个实施方案中，因为阻挡涂层232没有覆盖OLED本体224，所以阻挡涂层232并不必须是透明的。例如，阻挡涂层232可以用一种金属制成或者可以是相对厚的。
在某些情况下，该边缘阻挡层与以上描述的插入层相结合，该插入层起的作用是改善该基底的表面与该混合层和边缘阻挡层之间的界面内聚性。例如，参见图24中所示的实施方案，一种电子器件260包括一个OLED本体264(包括一堆有机的层)，该本体安装在一个基底262上。环绕OLED本体264的周边的是一个插入层274。OLED本体264涂覆有一个混合层270，该混合层延伸超过OLED本体264的边缘并且与插入层274相接触。一个阻挡涂层272沉积在混合层270上，其中阻挡涂层272延伸超过混合层270的边缘并且与插入层274相接触。在这种构型中，插入层274起的作用是将混合层270和阻挡涂层272粘着至基底262。
在一些实施方案中，一个插入层是用来改性OLED本体的上电极(例如，阴极)与一个上覆的混合层之间的界面内聚性。例如，参见图31中所示的实施方案，一种电子器件400包括一个OLED本体404(包括一堆有机的层)，该本体安装在一个基底402上。OLED本体404涂覆有一个混合层410，该混合层延伸超过OLED本体404的边缘并且与基底402的表面相接触。一个阻挡涂层412沉积在混合层410上并且延伸超过混合层410的边缘以阻止环境污染物的侧向进入。在OLED本体404的上电极上使用一种掩模直接沉积一个插入层414。在此情况下，插入层414起到将OLED本体404的上表面粘附至上覆的混合层410的作用。
在一些实施方案中，该边缘阻挡层包括一种干燥剂材料，该干燥剂材料可以是本领域中已知的不同干燥剂材料中的任何一种(例如，氯化钙、二氧化硅、氧化钡、氧化钙、二氧化钛等)。这样一种边缘阻挡层就用于有机电子器件(包括OLED)中的干燥剂而论可以具有本领域中已知的不同结构(例如，层、挡件、环等等)和安排中的任何一种。在该边缘阻挡层 中使用的干燥剂材料可以有用于吸收从该混合层的边缘扩散进的湿气。例如，参见图25中所示的实施方案，一种电子器件280包括一个OLED本体284(包括一堆有机的层)，该本体安装在一个基底282上。OLED本体284涂覆有一个混合层290，该混合层延伸超过OLED本体284的边缘并且与基底282的表面相接触。绕着混合层290的边缘放置一个干燥剂环的层294。然后在这些组分上沉积一个阻挡涂层292，其中阻挡涂层292延伸超过干燥剂环的层294的边缘并且与基底282的表面相接触。
用于环境污染物的侧向进入的另一个潜在通道是绕着互连引线(例如，电极条带或丝线)，这些引线在有机电子器件上连接到这些电极(即阴极或阳极)上。在某些情况下，该混合层延伸超过这些互连引线的边缘。例如，参见图26，一种电子器件300包括一个OLED本体304(包括一堆有机的层)，该本体安装在一个基底302上。OLED本体304包括一个电极305，一根互连引线306由这个电极从OLED本体304向外延伸。然而，互连引线306并不延伸至基底302的边缘。然后在这些组分上沉积一个混合层310，使得混合层310延伸超过互连引线306的边缘并且与基底302的表面在其外圆周附近相接触。
在其侧向边缘附近，互连引线306具有一个柱308，该柱是用一种导电的非腐蚀性金属(如铜或金)制成。柱308穿过混合层310中的一个开口而伸出，并且充当一个接触垫用于使电接触与互连导线306连接。这个柱308以及混合层310中的这个开口(柱308穿过它而伸出)可以使用集成电路制造中已知的不同技术中的任何一种来创造。例如，混合层310中的这个开口可以在混合层310的形成过程中通过阴罩而创造，并且柱308可以通过电镀技术而创造。
在此情况下，因为互连引线306的边缘被混合层310覆盖，所以阻止了环境污染物在互连引线306附近的侧向扩散。而且，柱308作为一个挡件(dam)起作用，这进一步阻止了环境污染物的进入并且延长了扩散路径。在电子器件300的一个替代实施方案中，在该基底与OLED本体304之间布置另一个混合层，这样OLED本体304被夹在这两个混合层之间。在电子器件300的另一个替代实施方案中，该基底是一个金属箔片并且在该基底与OLED本体304之间布置了一个平面化层，这样OLED本体304被夹在混合层310与这个平面化层之间。在电子器件300的又一个替代实施 方案中，该基底是一个聚合物基底并且在该基底与OLED本体304之间布置了一个钝化层，这样OLED本体304被夹在混合层310与这个钝化层之间。如图33中所示，在电子器件300的另一个替代实施方案中，柱308的外面部分具有一个突节312，该突节沿着混合层310的表面向外延伸以进一步延长扩散路径。
当该基底是一种金属基底(例如，一种金属箔片)时，通常使用一个聚合物层来平面化该基底的表面。然而，这个聚合物层可以充当环境污染物扩散的管道。因此，在一些实施方案中，在使用一个聚合物平面化层时，该聚合物平面化层并不延伸至该基底的边缘。以这种构型，阻止了环境污染物穿过该聚合物平面化层的扩散。一个聚合物平面化层可以通过不同技术中任何一种以这种方式进行构造，这些技术包括：该聚合物平面化层的掩蔽沉积或通过在其沉积之后去除该聚合物平面化层的边缘部分。
例如，参见图27中所示的实施方案，一个电子器件320包括一个金属箔片基底322，该基底上沉积了一个第一混合层330。一个聚合物平面化层332沉积在第一混合层330上，其中聚合物平面化层332的边缘部分被去除使得聚合物平面化层332并不延伸至金属箔片基底322的边缘。具有一个电极325的OLED本体324(包括一堆有机的层)在聚合物平面化层332上形成。一根互连引线326从电极325延伸至金属箔片基底322的边缘。互连引线326具有一个台阶部分327，其中它横跨在聚合物平面化层332的边缘上并且接触第一混合层330的表面。然后在这些组分(包括互连引线326)上沉积一个第二混合层334(但是为接触垫留下一个小的未覆盖的部分)。
在另一个实例中，参见图28中所示的实施方案，一个电子器件340包括一个金属箔片基底342，该基底上沉积了一个聚合物平面化层354。聚合物平面化层354的边缘部分被去除，并且在聚合物平面化层354的边缘上沉积一个第一混合层350。具有一个电极345的OLED本体344(包括一堆有机的层)在聚合物平面化层354上形成。一根互连引线346从电极345延伸并且具有一个台阶部分347，其中它横跨在第一混合层350上。然后在这些组分(包括互连引线346)上沉积一个第二混合层352(但是为接触垫留下一个小的未覆盖的部分)。
还值得注意的是图27和28的以上实施方案展示了，这些互连引线可 以按这样一种方式具有结构以延长扩散路径或另外阻止环境污染物的侧向进入。此类构型包括具有一个不光滑表面、具有一种非平面构型、或采用一种曲折路径的互连引线。在以上实例中，这些互连引线的台阶式部分起到延长环境污染物的扩散途径的作用。
在某些情况下，可以将以上用于阻止环境污染物的侧向进入的不同技术进行组合。例如，参见图29中所示的实施方案，一个电子器件360包括一个金属箔片基底362，该基底上沉积了一个第一混合层370。然后在第一混合层370上沉积一个聚合物平面化层374，其中聚合物平面化层374的边缘部分被去除。具有一个电极364的OLED本体365(包括一堆有机的层)在聚合物平面化层374上形成。一根互连引线366从电极365向外延伸、但是在未达到金属箔片基底362的边缘停止。互连引线366具有一个台阶部分367，其中它横跨在聚合物平面化层374的边缘上。然后在这些组分(包括互连引线366的边缘)上沉积一个第二混合层372。在其侧向边缘附近，互连引线366具有一个柱368，该柱是用一种导电性材料制成、并且穿过第二混合层372中的一个开口而伸出，这样柱368可以充当一个接触垫。
在另一个实例中，参见图30中所示的实施方案，一种电子器件380包括一个OLED本体384(包括一堆有机的层)，该本体安装在一个玻璃基底382上。OLED本体384包括一个电极385，一根互连引线386由这个电极从OLED本体384向外延伸。然而，互连引线386并不延伸至基底382的边缘。基底382在其周边被形成图案并且填充有一种干燥剂396，该干燥剂可以按不同方式进行沉积，包括通过蒸发、旋涂、溶胶-凝胶法、或层压。在这些组分(包括干燥剂396)上沉积一个混合层390。混合层390具有一个开口，互连引线386上的一个柱388穿过这个开口而伸出。在这种构型中，干燥剂396将会吸收穿过混合层390的边缘而进入的任何湿气。此外，因为互连引线386的边缘被混合层390覆盖，所以阻止了环境污染物在互连引线386附近的侧向扩散。而且，柱388作为一个挡件起作用，这进一步阻止了环境污染物的进入并且延长了扩散路径。
在电子器件380的一个替代实施方案中，该基底是一个金属箔片，该金属箔片带有一个定位在该OLED本体与该金属箔片基底之间的平面化层。在此情况下，该平面化层在其周边被形成图案并且填充有该干燥剂。在电 子器件380的另一个替代实施方案中，该基底是一个聚合物基底，该聚合物基底带有一个定位在该OLED本体与该基底之间的钝化层。在此情况下，该钝化层在其周边被形成图案并且填充有该干燥剂。
一些OLED在下电极上使用了一个栅格来限定有源像素区域。这个栅格可以用一种有机材料(例如，光致抗蚀剂)或无机材料(例如，氮化硅)形成。然而，这个栅格还可以充当湿气和/或氧气侧向扩散的管道。为了阻止湿气和/或氧气的这种进入，在某些实施方案中，该栅格材料可以因其抵抗湿气或氧气传导的能力而进行选择，或者可以将该栅格完全除去。而且，可以将该栅格构型为具有中断，这些中断可以通过提供管道中的断裂而阻止环境污染物的扩散。在某些情况下，该混合层可以穿透进入这些中断之中，以进一步阻止环境污染物的扩散。
在一些实施方案中，该基底是一个聚合物基底。在此类情况下，该基底中的聚合的材料可以成为环境污染物扩散的管道。照这样，本发明的混合层可以被用来阻止环境污染物扩散进入该基底之中和/或进入该有机的器件本体之中。例如，参见图32中所示的实施方案，一个电子器件420包括一个聚合物基底422，该基底上在其顶和底表面上覆盖有混合层432和433，这些混合层充当了钝化层。一个OLED本体424被安装在钝化层432上。然后在OLED本体424以及钝化层432上沉积另一个混合层430。在这个实施方案中，混合层432起到阻止环境污染物(它们可以穿过聚合物基底422行进)扩散的作用。此外，这个实施方案可以与对于以上实施方案中的任何一个所描述的不同特征中的任何一项相结合，包括图26中描述的互连引线和/或图30中所描述的干燥剂。
此外，在某些情况下，这整个基底可以包囊在一个混合层中，包括该基底的侧面以及底部。此外，在某些情况下，该基底作为一种干燥剂起作用以吸收进入电子器件中的任何湿气。可以按不同的方式使该基底作为一种干燥剂起作用，包括在包囊之前将其脱气和/或通过将一种干燥剂混入该基底材料之中。
在沉积过程中，已经观察到混合层延伸至不直接面向等离子体的区域，如该基底的边缘以及甚至该基底下面。该混合层的这种外围延伸可能是由于长寿的活性物种类在等离子体中的扩散或沿着表面的扩散。照这样，在某些实施方案中，一个有机电子器件上的一个混合层可以侧向地延 伸并且覆盖在该基底的边缘上，并且在一些情况下，还覆盖在该基底的下侧的一部分上。除了减少环境污染物的侧向扩散之外，以这样的方式作为一种边缘阻挡层起作用的混合层还可以允许功能性的有机本体向该基底的边缘进一步延伸，从而允许有源器件区域的增大。
例如，图34示出了包含一个金属基底406以及一个平面化金属基底406的表面的聚合物平面化层404的一种OLED400。一个功能性的无机本体402(包括一堆有机的层)在平面化层404上形成。为了沉积一个混合层，将OLED400放在一个沉积反应室内并由一个基底支持件408固持住。在这个沉积过程中，OLED400的顶面(面向等离子体416)变得涂覆有混合层410。随着该沉积过程的进行，等离子体416中的活性物种类中的一些存活足够长而扩散至OLED400的边缘，从而形成混合层410的侧面部分412。侧面部分412覆盖了OLED400的侧向边缘，包括基底406以及平面化层404的侧向边缘。这些活性物种类中的一些还扩散至基底406的下侧。因为基底支持件408具有小于基底406的面积，所有这些活性物种类在基底406的下侧区域上形成了混合层410的下侧部分，它们没有被基底支持件408掩蔽。在一个替代实施方案中，其中基底支持件408掩蔽了基底406的整个下侧，混合层410具有多个侧面部分412，但是没有下侧部分414。
在某些实施方案中，该混合层在沉积过程中的这种周边延伸可以允许该基底下侧的完全覆盖。例如，图35A-35C证明了可以实现一个OLED的完全包囊的一种方法。图35A示出了一种OLED420，它包括一个聚合物基底426以及其上形成的一个功能性有机本体422。在一个反应室内，当OLED420被一个基底支持件428固持时，可以用一个第一混合层430涂覆功能性有机本体422。通过以上描述的方法，等离子体中的活性物种类的扩散导致了混合层430的侧面部分的形成，它们覆盖在OLED420的侧向面(包括基底426的侧向面)上。还存在对基底426的下侧的部分覆盖(即，覆盖在未被基底支持件428掩蔽的区域上)。
参见图35B，然后在基底支持件428上将OLED420倒置，使得OLED420以其顶表面被固持在基底支持件428上，并且重复该沉积过程。在这种倒置的位置下，使基底426的下侧432面向等离子体。照这样，如图35C中所示，用一个第二混合层440涂覆基底426下侧432的之前暴露的部分。 这个第二混合层440也侧向延伸而覆盖OLED420的侧向面(由侧部分442)以及OLED420的顶面的一部分(由顶部444)。其结果是，OLED420(包括基底426)被完全包囊在混合层440和430之中。混合层440和430的组成可以是相同或不同的。
图36证明了提供该基底下侧的更多覆盖和/或涂覆一根连接引线(与该无机电子器件相连)的另一种方法。图36示出了一种OLED490，它包括一个聚合物基底496以及其上形成的一个功能性有机本体492。OLED490还包括一个电连接到电极486上的连接引线498(例如，一根丝线或条带)。OLED490通过固定于附着点482的连接引线498而固持在沉积室中。然后在功能性无机本体492上沉积一个混合层480。通过这些活性物种类的扩散，混合层480也覆盖在OLED490的侧向面以及基底496的下侧上。可替代地，因为OLED490悬浮于该沉积室中，所以可以将OLED490浸没在该等离子体中或两种或多种等离子体之间以同时涂覆该上面以及下侧两者，这可以产生具有更均匀厚度的混合层480。
因此没有对基底496的下侧的掩蔽，所以混合层480对基底496的下侧有更多的覆盖(在这种情况下，是完全的覆盖)。同样，连接引线498也至少部分地被混合层460涂覆，这将阻止环境污染物绕着连接引线498的侧向扩散。连接引线498的末端可保持裸露以提供电接触。
多种制造方法可以适合用于制造本发明的有机电子器件。在某些情况下，可以在一个单一基底上制造多个器件以便得到高通量的制造。例如，可以使用一种常规分批方法、或者通过一种连续方法(如在一个柔性基底上的卷对卷(roll-to-roll)加工)制造多个器件。照这样，在本发明的一些实施方案中，在一个基底上形成了多个功能性的有机本体(用于有机电子器件)。然后在这些功能性有机元件上施加一个阻挡涂层，它可以是本发明的一种混合层或者任何其他合适类型的透过的阻挡层。对于一个聚合物基底，该基底的下侧也可以涂覆有一个阻挡涂层，它可以是本发明的一种混合层或者任何其他合适类型的透过阻挡层。然后切割该基底以制成单一的有机电子器件。在这样的情况下，该器件的切割边缘可能被暴露。为了保护这些器件的暴露边缘，可以使用本发明的一个混合层作为边缘阻挡层。
例如，图37A-37C显示了一种柔性金属薄片456，它具有一个平面化 层454，其中多个功能性有机本体452在其上形成。如图37B所示，然后在功能性有机本体452上沉积一个阻挡涂层462。阻挡涂层462可以是本发明的一种混合层或者是本领域中已知的任何其他合适类型的渗透阻挡物。如图37C所示，然后切割这些单个的功能性有机本体并且进行分离以形成单个的OLED466。
OLED466的切割边缘可以涂覆有一个混合层来对抗环境污染物的侧向扩散进行保护。例如，参见图38，将一个OLED466放在一个沉积反应室内并由一个基底支持件468固持住。然后在OLED466上沉积了一个混合层460。混合层460覆盖在阻挡涂层462的顶表面、连同平面化层454以及基底456的侧边缘上。图39显示了一个替代实施方案，其中一个混合层470覆盖在平面化层454以及基底456的侧边缘上，但是具有对OLED466的顶表面的有限覆盖。这种方法在具有非常大的在其边缘处被切割或被修剪的面积的器件中可以是有用的。在这样的情况下，如果仅仅需要该混合层来保护器件的侧边缘，则用该混合层来覆盖整个器件不是必要的。
也可以将该混合层的沉积合并到用于制造有机电子器件的高通量的制造过程之中。例如，图40A示出了一种柔性基底片520，其中多个功能性有机本体452在其上形成。柔性金属薄片520具有位于功能性有机本体522之间的一种通孔524图案。通孔524穿过基底片520的全部厚度并且可以具有任何适当的图案、形状、尺寸、或密度，以协助基底薄片520在功能性有机本体522之间分开。通孔524可以在功能性有机本体522于基底薄片520上形成之前或之后被形成(例如，通过激光切割或冲压)。然后在功能性无机本体522上沉积一个混合层。活性等离子体物种扩散进入通孔524导致了通孔524被该混合层的涂覆。该混合层还可以通过通孔524涂覆基底薄片520的下侧。将通孔524确定大小以协助活性等离子体物种扩散进入通孔524。例如，可以选择通孔524的高径比以协助扩散。在某些情况下，通孔524至少与基底片520的厚度一样宽。如图40B所示，当基底薄片520沿着通孔524被分开(例如，通过切割或开断)时，提供多个单个的OLED526。每个OLED526具有一个覆盖其侧向面连同基底520的下侧的混合层530。
本发明中使用的沉积工艺可能使有机电子器件经受高温。照这样，在一些实施方案中，本发明还提供了一种在沉积工艺过程中通过从器件中转 移走热量而冷却有机电子器件的方法。从器件中转移走热量的一种方法是通过穿过基底支持件的传导。这种方法在该基底是一个金属基底时可以是尤其有用的。在这样的情况下，例如，可以将该基底支持件冷却或连接到一个散热件上以从该基底抽取热量。
从器件中转移走热量的另一种方法是通过该器件的其中一个电极。这种方法在该基底由一种热绝缘的材料制成时(例如，一些聚合物基底)、并且因此不能有效地用来引导热量离开器件时可以是有用的。例如，参见图41，一个OLED500具有一个功能性有机本体502，该本体安装在一个基底504上。OLED50具有上面的金属电极506(例如，阴极)，这些电极通过连接引线510向外延伸与一个散热件508相连。散热件508可以是能用于耗散热量的任何合适的结构或组件(例如，金属条、散热器、冷却风扇等)。在OLED500上沉积一个混合层的过程中，热量被引导离开OLED500穿过电极506以及连接引线510，并被转移至散热件508。
以上说明和实例仅仅是列出来阐释本发明而并不意欲是限制性的。所披露的本发明的这些方法以及实施方案中的每一个可以单独地或与本发明的其他方法、实施方案、以及变体相结合进行考虑。本领域的普通技术人员可以想到合并了本发明的精神以及物质的所披露实施方案的变更，并且此类变更是在本发明的范围之内。