一种校对真空设备温度均匀性的方法.pdf

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摘要
申请专利号:

CN200810246545.5

申请日:

2008.12.25

公开号:

CN101762340A

公开日:

2010.06.30

当前法律状态:

授权

有效性:

有权

法律详情:

授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G01K 7/02申请日:20081225|||公开

IPC分类号:

G01K7/02

主分类号:

G01K7/02

申请人:

北京有色金属研究总院

发明人:

古宏伟; 屈飞; 杨发强; 杜风贞

地址:

100088 北京市新街口外大街2号

优先权:

专利代理机构:

北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246

代理人:

童晓琳

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内容摘要

本发明公开了属于校对设备温度均匀性技术领域的一种校对真空设备温度均匀性的方法。将测温区划分成小区域;选择一种金属,制备标准试样;将标准试样放置在加热器中待测区域内,抽真空,加热,当观察到标准试样熔化时,读取热电偶示数T1,随后将标准试样冷却;设定升温速率,观察标准试样状态,当标准试样熔化时读取热电偶示数T0;将标准试样放置在其他待测区域内,设定升温速率,读取热电偶读数,得到设备温度偏差。本发明将测温区域划分成若干小区域,然后利用晶体熔点固定这一晶体物理特性,分别测量每个小区域晶体标准试样熔点的方法,提供一种准确校对真空设备温度均匀性的方法。

权利要求书

权利要求书
1.  一种校对真空设备温度均匀性的方法,其特征在于,该方法步骤如下,
(1)将测温区划分成小区域;
(2)选择一种金属,制备直径为5~10mm、厚度为0.5~1mm的标准试样;
(3)将标准试样放置在加热器中待测区域内,抽真空,背底真空达到5.0×10-3Pa时,以20~40℃/s的升温速率加热,通过观察窗观察标准试样状态变化,当观察到标准试样熔化时,读取热电偶示数T1,随后将标准试样冷却;
(4)设定升温速率,先以20~40℃/s的升温速率升温至T1以下30℃,然后以1℃/s的升温速率升温,观察标准试样状态,当标准试样熔化时读取热电偶示数T0;
(5)将标准试样放置在划分的其他区域内,重复步骤(4),读取热电偶读数,得到设备温度偏差。

2.  根据权利要求1所述的一种校对真空设备温度均匀性的方法,其特征在于,所述金属包括锌、铝、铅或镧。

说明书

说明书一种校对真空设备温度均匀性的方法
技术领域
本发明属于校对设备温度均匀性技术领域,特别涉及一种校对真空设备温度均匀性的方法。
背景技术
对于加热状态下制备大尺寸材料而言,温度参数的可重复性、准确性以及大面积范围内温度均匀具有重要意义。通常通过在大面积范围内改变热电偶位置来测量设备温度的均匀性。但操作过程中很难保持热电偶位置可重复,因此这种温度均匀性测量方法本身会不可避免的引进较大误差。
发明内容
本发明的目的是提供一种校对真空设备温度均匀性的方法。
一种校对真空设备温度均匀性的方法,其特征在于,该方法步骤如下,
(1)将测温区划分成小区域;
(2)选择一种金属,制备直径为5~10mm、厚度为0.5~1mm的标准试样;
(3)将标准试样放置在加热器中待测区域内,抽真空,背底真空达到5.0×10-3Pa时,以20~40℃/s的升温速率加热,通过观察窗观察标准试样状态变化,当观察到标准试样熔化时,读取热电偶示数T1,随后将标准试样冷却;
(4)设定升温速率,先以20~40℃/s的升温速率升温至T1以下30℃,然后以1℃/s的升温速率升温,观察标准试样状态,当标准试样熔化时读取热电偶示数T0;
(5)将标准试样放置在划分的其他区域内,重复步骤(4),读取热电偶读数,得到设备温度偏差。
所述金属包括锌、铝、铅或镧。
本发明的有益效果为:本发明将测温区域划分成若干小区域,然后利用晶体熔点固定这一晶体物理特性,分别测量每个小区域晶体标准试样熔点的方法,提供一种准确校对真空设备温度均匀性的方法。
附图说明
图1是测温区划分成小区域。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步说明:
实施例1
一种校对真空设备温度均匀性的方法,该方法步骤如下,
(1)将测温区划分成小区域,如图1所示;
(2)选择纯度为99.9%的铸态Al做为标准试样原材料,标准试样尺寸:直径为5mm、厚度为1mm;
(3)将标准试样放置在加热器中待测区域23内,抽真空,背底真空达到5.0×10-3Pa(可以避免标样表面因氧化或氮化对试验结果产生影响,并可以避免气压变化对熔点的影响)时,以20℃/s的升温速率加热,通过观察窗观察标准试样状态变化,当观察到标准试样熔化时,读取热电偶示数T1=730℃,随后将标准试样冷却;
(4)设定升温速率,先以20℃/s的升温速率升温至700℃,然后以1℃/s的升温速率升温,观察标准试样状态,当标准试样熔化时读取热电偶示数T0=721℃(通过缓慢升温避免升温速率不同造成标样熔化温度不同);
(5)将标准试样放置在其他待测区域内,重复步骤(4),读取热电偶读数,读数值如表1所示,得到设备温度偏差为5℃。
实施例2
一种校对真空设备温度均匀性的方法,该方法步骤如下,
(1)将测温区划分成小区域,如图1所示;
(2)选择纯度为99.9%的铸态Zn做为标准试样原材料,标准试样尺寸:直径为5mm、厚度为1mm;
(3)将标准试样放置在加热器中待测区域23内,抽真空,背底真空达到5.0×10-3Pa(可以避免标样表面因氧化或氮化对试验结果产生影响,并可以避免气压变化对熔点的影响)时,以20℃/s的升温速率加热,通过观察窗观察标准试样状态变化,当观察到标准试样熔化时,读取热电偶示数T1=488℃,随后将标准试样冷却;
(4)设定升温速率,先以20℃/s的升温速率升温至458℃,然后以1℃/s的升温速率升温,观察标准试样状态,当标准试样熔化时读取热电偶示数T0=480℃(通过缓慢升温避免升温速率不同造成标样熔化温度不同);
(5)将标准试样放置在划分的其他待测区域内,重复步骤(4),读取热电偶读数,读数值如表1所示,得到设备温度偏差为5℃。
表1检测区域温度读数

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本发明公开了属于校对设备温度均匀性技术领域的一种校对真空设备温度均匀性的方法。将测温区划分成小区域;选择一种金属,制备标准试样;将标准试样放置在加热器中待测区域内,抽真空,加热,当观察到标准试样熔化时,读取热电偶示数T1,随后将标准试样冷却;设定升温速率,观察标准试样状态,当标准试样熔化时读取热电偶示数T0;将标准试样放置在其他待测区域内,设定升温速率,读取热电偶读数,得到设备温度偏差。本发明将测。

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