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1、(10)申请公布号 CN 103718653 A (43)申请公布日 2014.04.09 CN 103718653 A (21)申请号 201280037297.8 (22)申请日 2012.07.24 2011-171610 2011.08.05 JP 2011-243055 2011.11.07 JP H05G 1/02(2006.01) H05G 1/04(2006.01) (71)申请人 佳能株式会社 地址 日本东京 (72)发明人 柳沢芳浩 青木修司 田村美树 上田和幸 野村一郎 (74)专利代理机构 中国国际贸易促进委员会专 利商标事务所 11038 代理人 曾琳 (54) 发明。
2、名称 放射线产生装置和放射线成像装置 (57) 摘要 一种放射线产生装置包括 ： 包壳 1， 具有放射 线透射通过的第一窗口 2 ； 以及放射线管 10， 被保 持在包壳 1 内， 并且具有放射线透射通过并与第 一窗口2相对布置的第二窗口15以及放射线屏蔽 构件 16， 放射线屏蔽构件 16 与第二窗口 15 热连 接， 具有被布置为与第二窗口 15 连通的放射线透 射孔 21， 并且具有从第二窗口 15 朝向第一窗口 2 突出的突出部分。热导率高于放射线屏蔽构件 16 的热导率的热传导构件 17 与放射线屏蔽构件 16 的突出部分连接。该放射线产生装置可以屏蔽不 必要的放射线， 并且通过简单。
3、结构冷却靶， 而且重 量整个地减轻。 (30)优先权数据 (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2014.01.27 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/JP2012/069519 2012.07.24 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2013/021874 EN 2013.02.14 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 6 页 附图 4 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 说明书6页 附图4页 (10)申请公布号 CN 103718653 A CN 103718653 A 1/2 页 2 1. 一种放射线产生装置， 包括。
4、 ： 包壳， 所述包壳具有放射线透射通过的第一窗口 ； 以及 放射线管， 所述放射线管被保持在所述包壳内， 并且具有放射线透射通过的、 与所述第 一窗口相对布置的第二窗口， 其中 所述放射线管具有放射线屏蔽构件， 所述放射线屏蔽构件具有从所述第二窗口朝向所 述第一窗口突出的突出部分， 以及 热导率高于所述放射线屏蔽构件的热导率的热传导构件与所述放射线屏蔽构件的突 出部分连接。 2. 根据权利要求 1 所述的放射线产生装置， 其中， 所述突出部分形成被布置为与所述 第二窗口连通的放射线透射孔。 3. 根据权利要求 1 所述的放射线产生装置， 其中 所述热传导构件被布置在所述放射线屏蔽构件的突出部。
5、分的外周边。 4. 根据权利要求 1 所述的放射线产生装置， 其中 所述热传导构件被布置在所述放射线屏蔽构件的突出部分的内周边。 5. 根据权利要求 1 至 4 中的任何一个所述的放射线产生装置， 其中 绝缘流体填充在所述包壳与所述放射线管之间。 6. 根据权利要求 1 至 4 中的任何一个所述的放射线产生装置， 其中 所述热传导构件的密度小于所述放射线屏蔽构件的密度。 7. 根据权利要求 1 至 4 中的任何一个所述的放射线产生装置， 其中 所述热传导构件和所述放射线屏蔽构件具有同轴圆柱形的形状， 以及 所述热传导构件在径向方向上的厚度大于所述放射线屏蔽构件在径向方向上的厚度。 8. 根据权。
6、利要求 5 所述的放射线产生装置， 其中 所述绝缘流体是电绝缘油。 9. 根据权利要求 1 所述的放射线产生装置， 其中 所述放射线屏蔽构件通过银钎焊与所述第二窗口连接。 10. 根据权利要求 1 至 4 中的任何一个所述的放射线产生装置， 其中 所述放射线管包括 ： 真空容器 ； 电子发射源， 所述电子发射源被布置在所述真空容器内 ； 靶， 所述靶响应于从所述电子发射源发射的电子的照射而发射放射线 ； 以及 基板， 在所述基板上， 所述靶形成在所述基板的与所述电子发射源相对的一侧， 其中 所述第二窗口形成在所述基板中。 11. 根据权利要求 1 所述的放射线产生装置， 其中 所述放射线屏蔽构。
7、件和所述热传导构件由彼此不同的金属或合金形成。 12. 根据权利要求 1 所述的放射线产生装置， 其中 所述热传导构件由陶瓷形成。 13. 根据权利要求 1 所述的放射线产生装置， 其中 所述热传导构件具有翅片结构。 14. 根据权利要求 1 至 4 中的任何一个所述的放射线产生装置， 其中 权 利 要 求 书 CN 103718653 A 2 2/2 页 3 所述热传导构件被螺丝拧紧到所述放射线屏蔽构件。 15. 根据权利要求 1 所述的放射线产生装置， 其中 所述热传导构件由碳系列材料形成。 16. 根据权利要求 10 所述的放射线产生装置， 其中 所述靶和所述放射线屏蔽构件由钨形成， 并。
8、且所述热传导构件由铜形成。 17. 一种放射线成像装置， 包括 ： 根据权利要求 1 至 16 中的任何一个所述的放射线产生装置 ； 放射线检测器， 所述放射线检测器用于检测从所述放射线产生装置发射并且透射通过 被检体的放射线 ； 以及 控制单元， 所述控制单元用于控制所述放射线产生装置和所述放射线检测器， 以使它 们彼此相关。 权 利 要 求 书 CN 103718653 A 3 1/6 页 4 放射线产生装置和放射线成像装置 技术领域 0001 本发明涉及一种用于医疗设备和工业设备领域中的无损 X 射线成像的放射线产 生装置、 以及使用该放射线产生装置的放射线成像装置。 背景技术 0002。
9、 通常， 放射线管以高电压使从电子发射源发射的电子加速， 以用该电子照射靶来 产生诸如 X 射线的放射线。此时产生的放射线在所有方向上发射。PTL1 公开了一种透射型 X 射线产生装置， 在该透射型 X 射线产生装置中， X 射线屏蔽构件被放置在靶的电子入射侧 和 X 射线发射侧以屏蔽不必要的 X 射线。 0003 为了产生适合于放射线成像的放射线， 需要在电子发射源与靶之间施加高电压以 用具有高能量的电子束照射靶。然而， 通常， 放射线的产生效率极其低， 并且大约 99% 的消 耗功率在靶处产生热量。因为所产生的热量使靶的温度升高， 所以需要用于防止靶的热损 伤的单元。PTL2 公开了一种 。
10、X 射线产生管， 在该 X 射线产生管中， 在 X 射线透射窗口周围提 供冷却机构以提高靶部分的热辐射效率。 0004 引文列表 0005 专利文献 0006 PTL1 ： 日本专利申请公开 No.2007-265981 0007 PTL2 ： 日本专利申请公开 No.2004-235113 发明内容 0008 技术问题 0009 在医疗领域中通过短时间脉冲和大管电流进行成像或者在工业领域中通过电子 束的小焦点进行成像时， 靶的温度可以瞬间升高。 在这样的情况下， 仅经由常规的放射线屏 蔽构件的热辐射是不够的。 0010 如果增大放射线屏蔽构件的厚度来提高热辐射性质， 则因为放射线屏蔽构件通常。
11、 由重金属制成， 所以整个放射线产生装置的重量增大。 此外， 与放射线屏蔽构件分开提供冷 却机构使得难以缩小整个放射线产生装置的大小。 0011 因此， 本发明的目的是提供一种放射线产生装置、 以及使用该放射线产生装置的 放射线成像装置， 该放射线产生装置可以屏蔽不必要的放射线， 并且通过简单结构冷却靶， 而且重量减轻。 0012 问题的解决方案 0013 为了解决以上问题， 根据本发明的一方面， 一种放射线产生装置包括 ： 包壳， 具有 放射线透射通过的第一窗口 ； 以及放射线管， 被保持在包壳内， 并且具有与第一窗口相对布 置的、 放射线透射通过的第二窗口， 其中， 放射线管具有放射线屏蔽。
12、构件， 该放射线屏蔽构 件具有从第二窗口朝向第一窗口突出的突出部分， 并且热导率高于放射线屏蔽构件的热导 率的热传导构件与放射线屏蔽构件的突出部分连接。 说 明 书 CN 103718653 A 4 2/6 页 5 0014 本发明的有益效果 0015 根据本发明， 可以确保不必要的放射线的屏蔽性能， 并且可以有效地辐射靶的热 量。 此外， 密度低于放射线屏蔽构件的热传导构件被使用， 从而使得整个放射线产生装置的 重量可以减轻。这使得可以通过大管电流和小焦点进行放射线成像， 从而获得分辨率高的 捕捉图像。 此外， 通过减轻重量， 所述装置可以容易地应用于家庭医疗测试和用于急救的现 场医疗测试。。
13、 0016 从以下参照附图对示例性实施例的描述， 本发明的进一步的特征将变得清楚。 附图说明 0017 图 1 是示出本发明的放射线产生装置的示意性截面图。 0018 图 2A、 2B 和 2C 是根据本发明的实施例的放射线屏蔽构件的周围部分的示意性截 面图。 0019 图3A和3B是根据本发明的另一实施例的放射线屏蔽构件的周围部分的示意性截 面图。 0020 图 4 是使用本发明的放射线产生装置的放射线成像装置的配置图。 具体实施方式 0021 现在， 将参照附图描述本发明的实施例。 0022 图 1 是示出本发明的放射线产生装置的实施例的示意性截面图。包壳 1 在其中保 持有透射放射线管 。
14、10 和电压控制部分 3 （电压控制单元） 。包壳 1 中 （在包壳 1 的内壁与放 射线管 10 之间） 的额外空间被绝缘流体 8 填充。 0023 电压控制部分 3 包括电路板和绝缘变压器， 并且经由端子 4 将控制放射线产生的 信号输出到放射线管 10 中的电子发射源 5。阳极部分 12 的电势经由端子 7 确定。 0024 包壳 1 可以具有足以作为容器的强度， 并且由金属或塑料材料制成。 0025 绝缘流体 8 是作为冷却介质放置的、 具有电绝缘性质的液体或气体。液体优选地 包括电绝缘油。电绝缘油有利地包括矿物油、 硅油等。不同的可用绝缘流体 8 包括氟化电 绝缘液体。气体包括大气，。
15、 并且与使用绝缘液体时相比， 使用气体可以减轻装置的重量。 0026 包壳1包括放射线透射通过并且从包壳射出的第一窗口2。 从放射线管10发射的 放射线通过第一窗口 2 被发射到外部。第一窗口 2 由玻璃、 铝、 钡等制成。 0027 放射线管10包括作为外框架的圆柱形真空容器9、 置于其中的电子发射源5、 靶部 分 6 和窗口构件 8。 0028 真空容器9将放射线管10的内部维持处于真空状态中， 并且其主体部分由诸如玻 璃或陶瓷的绝缘材料制成。阴极部分 11 和阳极部分 12 由导电合金 （可伐） 制成。真空容器 9 内部的真空程度可以约为 10-4至 10-8Pa。未示出的吸气剂可以被放。
16、置在真空容器 9 中以 维持真空程度。真空容器 9 包括阳极部分 12 中的圆柱形开口， 并且圆柱形窗口构件 13 与 该开口接合。窗口构件 13 具有圆柱形放射线透射孔 （以下简称为透射孔） 21， 靶部分 6 中所 产生的放射线 （在本实施例中， X 射线） 的一部分透射通过圆柱形放射线透射孔 21。圆柱形 靶部分 6 与透射孔 21 的内壁接合以密封真空容器 9。 0029 电子发射源 5 被放置为面对真空容器 9 中的靶部分 6。电子发射源 5 可以由钨丝、 说 明 书 CN 103718653 A 5 3/6 页 6 热阴极 （诸如浸渍型阴极） 或冷阴极 （诸如碳纳米管） 形成。引出。
17、电极被放置在电子发射源 5 中， 由该引出电极形成的电场发射的电子被透镜电极会聚以进入靶 6 并产生放射线。此时， 根据放射线的预期用途， 将大约 40 至 120kV 的加速电压施加于阴极部分 11 与阳极部分 12 之间， 阴极部分 11 与电子发射源 5 电连接， 阳极部分 12 与靶 14 电连接。 0030 图 2 是以放大的方式示出图 1 中的窗口构件 13 的周围部分的示意性截面图。 0031 靶部分 6 包括靶 14 和作为第二窗口的基板 15。靶 14 被放置在第二窗口 15 在电 子发射源一侧的表面上。靶 14 优选地由熔点高并且放射线产生效率高的材料制成。例如， 可以使用。
18、钨、 钽、 钼等。为了降低所产生的放射线在透射通过靶 14 时的吸收率， 靶 14 的合 适厚度大约为几 m 至几十 m。 0032 第二窗口15支承靶14， 并且至少透射靶14中所产生的放射线的一部分， 并且被放 置在窗口构件13中的放射线透射孔21中面对第一窗口2的位置中。 第二窗口15优选地由 这样的材料制成， 该材料具有支承靶14并且几乎不吸收靶14中所产生的放射线的强度， 并 且具有使得快速地辐射在靶 14 中产生的热量的高热导率。例如， 可以使用金刚石、 硅氮化 物、 铝氮化物。为了满足以上对第二窗口 15 的要求， 第二窗口 15 的合适厚度大约为 0.1mm 至几 mm。 00。
19、33 如图 2A 所示， 窗口构件 13 包括放射线屏蔽构件 （以下简称为屏蔽构件） 16 和热传 导构件 17。屏蔽构件 16 具有被布置为与第二窗口 15 连通的透射孔 21， 并且屏蔽从靶 14 发射的放射线之中的不必要的放射线。屏蔽构件 16 包括两个屏蔽构件 （第一屏蔽构件 19 和第二屏蔽构件 20） 。第一屏蔽构件 19 和第二屏蔽构件 20 可以由相同的材料制成， 并且 可以整体地形成和放置或者分开放置。第一屏蔽构件 19 和第二屏蔽构件 20 可以由不同的 材料制成， 并且可以通过接合来整体地放置或者分开放置。第二窗口 15 被固定到屏蔽构件 16 以维持真空容器 9 的真空。
20、气密性， 并且银焊 （silver soldering） 用作这样的固定单元。 0034 第一屏蔽构件 20 被放置为从第二窗口 15 朝向电子发射源 5 突出， 并且具有被布 置为与第二窗口15连通的电子透射孔22。 从电子发射源5发射的电子通过电子透射孔22， 并且与靶 14 碰撞。在靶 14 中所产生的放射线之中， 在靶 14 的电子发射源一侧散射的放射 线被第一放射线屏蔽构件 20 屏蔽。 0035 第二屏蔽构件 19 被放置为从第二窗口 15 朝向第一窗口 2 突出， 并且具有被布置 为与第二窗口 15 连通的透射孔 21。透射通过了第二窗口 15 的放射线通过透射孔 21， 并且 。
21、不必要的放射线被第二屏蔽构件 19 屏蔽。 0036 就使更大剂量的放射线射出到包壳1的外部而言， 透射孔21的开口面积优选地从 第二窗口 15 朝向第一窗口 2 逐渐增大。这是因为透射通过了第二窗口 15 的放射线被辐射 出。 0037 第一屏蔽构件 20 中的电子透射孔 22 的中心、 第二屏蔽构件 19 中的透射孔 21 的 中心以及靶 14 的中心优选地在同一条线上。这是因为这样的布置使得通过用电子照射透 射靶 14 而产生的放射线可以可靠地更大剂量地射出。 0038 屏蔽构件 16 优选地由放射线吸收率高并且热导率高的材料制成。例如， 可以使用 诸如钨、 钽或它们的合金的金属材料。 。
22、为了充分地屏蔽不必要的放射线， 根据电子的设置加 速电压， 第一屏蔽构件 20 和第二屏蔽构件 19 的合适厚度大约为 0.5 至 5mm。 0039 如图 2A 和 2B 所示， 热传导构件 17 被放置为在第二屏蔽构件 19 的外周边侧围绕 说 明 书 CN 103718653 A 6 4/6 页 7 第二屏蔽构件 19。热传导构件 17 通过钎焊、 铸造、 锡焊、 焊接、 激光焊接、 螺丝拧入、 燃烧配 合、 锥度配合、 粘合剂或机械螺纹拧紧与第二屏蔽构件 19 接合。热传导构件 17 和第二屏蔽 构件 19 具有中心轴相同的圆柱形形状， 并且热传导构件 17 的径向厚度大于第二屏蔽构件。
23、 19。 0040 如图 2C 所示， 热传导构件 17 可以被放置在第二屏蔽构件 19 的内周边侧， 以使得 第二屏蔽构件19围绕热传导构件17。 并且， 在这种情况下， 屏蔽构件16包括两个屏蔽构件 （第一屏蔽构件 19 和第二屏蔽构件 20） 。第一屏蔽构件 19 和第二屏蔽构件 20 可以由相同 的材料制成并且整体地形成， 或者由不同材料制成并且通过接合而形成。屏蔽构件 16 与热 传导构件 17 的外周边接触。 0041 热传导构件 17 优选地由热导率高于屏蔽构件 16 并且耐热性高的材料制成， 并且 可以选自金属材料、 碳材料、 陶瓷等。金属材料可以包括银、 铜、 铝、 钴、 镍。
24、、 铁等或它们的合 金或氧化物。碳材料可以包括金刚石、 石墨等。陶瓷可以包括铝氮化物、 硅碳化物、 氧化铝、 硅氮化物等。此外， 热传导构件 17 希望地由密度低于放射线屏蔽构件 16 的材料制成。 0042 使用密度低于屏蔽构件 16 的材料作为热传导构件 17， 从而与窗口构件 13 仅包括 屏蔽构件 16 的情况相比， 减轻了重量。 0043 靶 14 中所产生的热量直接或通过第二窗口 15 被直接传送到热传导构件 17， 或者 经由屏蔽构件 16 被传送到热传导构件 17。此外， 热量被传送到与热传导构件 17 接触的绝 缘流体并且被快速辐射， 从而防止靶 14 的温度升高。因为热传导。
25、构件 17 的热导率高于屏 蔽构件 16 的热导率， 所以与窗口构件 13 仅包括屏蔽构件 16 的情况相比， 热辐射速度提高。 0044 此外， 如图 3A 和 3B 所示， 当热传导构件 17 具有翅片 （fin） 结构时， 热传导构件 17 与绝缘流体接触的面积增大， 从而使得可以更有效地辐射热量。 0045 热传导构件 17 可以被部分地放置在第二屏蔽构件 19 的外周边或内周边上， 而不 是围绕整个外周边或内周边。 0046 此外， 为了进一步提高热辐射性质， 屏蔽构件16和热传导构件17优选地被放置为 使得靶构件 6 朝向第一窗口 2 伸出真空容器 9 的端面位置。 0047 可以。
26、使用阳极接地系统或中点接地系统作为用于施加加速电压的方法。 阳极接地 系统是这样的系统， 在该系统中， 当施加于靶 14 与电子发射源 5 之间的电压是 VaV 时， 作 为阳极的靶 14 的电势被设置为地电势 （0V） ， 并且电子发射源 5 相对于地的电势被设置 为-VaV。 同时， 中点接地系统是这样的系统， 在该系统中， 靶14相对于地的电势被设置为 +(Va-)V， 并且电子发射源 5 相对于地的电势被设置为 -V（其中， Va0） 。 的 值在 Va0 的范围内， 通常接近于 Va/2。中点接地系统用于减小相对于地的电势的绝对 值， 从而缩小爬电距离。爬电距离在本文中是电压控制部分。
27、 3 与包壳 1 之间的距离以及放 射线管 10 与包壳 1 之间的距离。如果可以缩小爬电距离， 则可以缩小包壳 1 的大小， 因此 可以减轻绝缘流体 8 的重量， 从而进一步缩小放射线产生装置的大小和重量。 0048 （例子 1） 0049 如图 2A 所示， 钨被选择作为包括整体形成的第一屏蔽构件 19 和第二屏蔽构件 20 的屏蔽构件 16， 铜被选择作为热传导构件 17。热传导构件 17 通过钎焊被固定到屏蔽构件 16 的具有从第二窗口 15 朝向第一窗口 2 突出的突出部分的一部分的外周边侧。使用包括 矿物油的绝缘油作为绝缘流体 8。使用中点接地系统作为电压控制系统。使用钨丝作为电 。
28、说 明 书 CN 103718653 A 7 5/6 页 8 子发射源5， 并且该钨丝被未示出的加热单元加热以发射电子。 发射的电子通过根据由施加 于引出电极和透镜电极的电压以及施加于电子发射源 5 与靶 14 之间的电压 Va 引起的电势 的分布进行电子束轨迹控制而被加速到高能量， 并且被使得与靶碰撞以产生放射线。使用 片状钨作为靶 14。为了将 50V 设置到引出电极、 将 1000V 设置到透镜电极并将中点接 地系统中的 Va 设置为 100kV， 靶 14 的电压被设置为 +50kV， 并且电子发射源 5 的电压 被设置为 -50kV。 0050 （例子 2） 0051 如图 2B 所。
29、示， 在这个例子中， 第一屏蔽构件 19 和第二屏蔽构件 20 被分开放置， 并 且热传导构件 17 被放置在第一屏蔽构件 19 的外周边侧， 以部分地与第二窗口 15 直接接 触。除了这点之外， 这个例子具有与例子 1 的配置类似的配置。第二窗口 15 中所产生的热 量的一部分不经由第一屏蔽构件 19 被直接传送到热传导构件 17， 从而进一步提高了热辐 射速度。 0052 （例子 3） 0053 这个例子类似于例子 1， 除了钼被选择作为屏蔽构件 16、 铝被选择作为热传导构 件 17、 并且片状钼被用作靶 14 之外。这个例子与例子 1 的不同之处在于， 使用阳极接地系 统作为电压控制系。
30、统。为了将 50V 设置到引出电极、 将 3000V 设置到透镜电极并将阳 极接地系统中的 Va 设置为 50kV， 靶 14 的电压被设置为 +50kV， 并且电子发射源 5 的电 压被设置为 0kV。 0054 （例子 4） 0055 这个例子类似于例子1， 除了钨被选择作为屏蔽构件16、 并且SiC或石墨片被选择 作为热传导构件 17 之外。 0056 （例子 5） 0057 这个例子类似于例子 1， 除了钨和钼的合金 （组分配比 ： 90% 钨和 10% 钼） 被选择作 为屏蔽构件 16、 并且铜和铝的合金 （组分配比 ： 90% 铜和 10% 铝） 被选择作为热传导构件 17 之外。。
31、 0058 （例子 6） 0059 这个例子类似于例子 1， 除了钨被选择作为屏蔽构件 16、 并且图 3A 中所示的翅片 形铜被选择作为热传导构件 17 之外。 0060 （例子 7） 0061 在这个例子中， 如图 2C 所示， 热传导构件 17 被放置在具有从第二窗口 15 朝向第 一窗口 2 突出的突出部分的屏蔽构件 16 的内周边侧。第二窗口 15 通过钎焊被连接到形成 在热传导构件 17 中的透射孔 21 的内壁。钨被选择作为屏蔽构件 16， 并且铜被选择作为热 传导构件 17。 0062 （例子 8） 0063 这个例子类似于例子 7， 除了具有图 3B 中的翅片结构的铜被选择作。
32、为热传导构件 17 之外。 0064 在以上任一例子中， 放射线产生装置能够被满意地处理。在以上条件下发射放射 线， 并且对所产生的一定剂量的放射线进行测量。如此， 确认可以获得稳定剂量的放射线。 此时， 没有泄漏不必要的放射线， 并且对靶没有损伤。 说 明 书 CN 103718653 A 8 6/6 页 9 0065 （例子 9） 0066 接着， 将参照图 4 描述使用本发明的放射线产生装置的放射线成像装置。这个例 子的放射线成像装置包括放射线产生装置 30、 放射线检测器 31、 信号处理器 32、 装置控制 部分 33 和显示部分 34。例如， 有利地使用例子 1 至 9 中的放射线。
33、产生装置作为放射线产生 装置 30。放射线检测器 31 经由信号处理器 32 与装置控制部分 33 连接， 装置控制部分 33 与显示部分34和电压控制部分3连接。 放射线产生装置30中的处理由装置控制部分33共 同控制。装置控制部分 33 对放射线产生装置 30 和放射线检测器 31 进行组合控制。从放 射线产生装置 30 发射的放射线经由被检体 35 被放射线检测器 31 检测， 并且被检体 35 的 放射线透射图像被捕捉。所捕捉的放射线透射图像显示在显示部分 34 上。装置控制部分 33 控制放射线产生装置 30 的驱动， 并控制经由电压控制部分 3 施加于放射线管 10 的电压 信号。。
34、 0067 尽管已经参照示例性实施例描述了本发明， 但是要理解本发明不限于所公开的示 例性实施例。所附权利要求的范围应遵循最宽泛的解释， 以便包含所有这样的修改以及等 同的结构和功能。 0068 本申请要求于 2011 年 8 月 5 日提交的日本专利申请 No.2011-171610 和于 2011 年 11 月 7 日提交的日本专利申请 No.2011-243055 的权益， 这些专利申请的全部内容特此 通过引用并入本文。 说 明 书 CN 103718653 A 9 1/4 页 10 图 1 说 明 书 附 图 CN 103718653 A 10 2/4 页 11 图 2A 图 2B 说 明 书 附 图 CN 103718653 A 11 3/4 页 12 图 2C 图 3A 说 明 书 附 图 CN 103718653 A 12 4/4 页 13 图 3B 图 4 说 明 书 附 图 CN 103718653 A 13 。