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1、(10)申请公布号 CN 103308845 A (43)申请公布日 2013.09.18 CN 103308845 A *CN103308845A* (21)申请号 201310074078.3 (22)申请日 2013.03.08 2012-052914 2012.03.09 JP G01R 31/28(2006.01) (71)申请人 东京毅力科创株式会社 地址 日本东京都 (72)发明人 山田浩史 (74)专利代理机构 北京尚诚知识产权代理有限 公司 11322 代理人 龙淳 (54) 发明名称 晶片检查用接口装置和晶片检查装置 (57) 摘要 本发明提供一种晶片检查用接口装置， 其能。
2、 够消除基于温度变化导致的晶片与探针卡的位 置偏差， 能够将设置于晶片的半导体器件的电极 与形成于探针卡的探针准确地对位， 对半导体器 件进行适当的电特性检查。晶片检查用接口装置 （18） 包括 ： 探针卡 （20） ， 其在与晶片 （W） 相对的面 具备与形成于该晶片 （W） 的多个半导体器件的电 极对应设置的多个探针 （25） ； 弹簧框架 （40） ， 其 与该探针卡 （20） 的与晶片 （W） 相对的面的相反侧 的面抵接而支承该探针卡 （20） ； 和设置于弹簧框 架 （40） 的加热器 （44） ， 加热器 （44） 沿着设置于弹 簧框架的贯通孔 （43） 的各边配置为格子状。 (3。
3、0)优先权数据 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 7 页 附图 8 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书7页 附图8页 (10)申请公布号 CN 103308845 A CN 103308845 A *CN103308845A* 1/1 页 2 1. 一种晶片检查用接口装置， 其特征在于， 包括 ： 探针卡， 其在与晶片相对的面具备与形成于该晶片的多个半导体器件的电极对应设置 的多个探针 ； 框架， 其与该探针卡的与所述晶片相对的面的相反侧的面抵接而支承该探针卡 ； 和 设置于该框架的加热部件。 2. 如权利要求 1 所述的晶。
4、片检查用接口装置， 其特征在于 ： 所述加热部件为线状加热器。 3. 如权利要求 2 所述的晶片检查用接口装置， 其特征在于 ： 所述框架具有多个矩形的贯通孔， 所述线状加热器沿着多个所述贯通孔的各边设置。 4. 如权利要求 3 所述的晶片检查用接口装置， 其特征在于 ： 所述线状加热器沿着所述贯通孔的各边设置为格子状。 5. 如权利要求 2 4 中任一项所述的晶片检查用接口装置， 其特征在于 ： 所述线状加热器， 设置于在所述框架的沿着厚度方向的截面中， 与所述探针卡的抵接 面一侧。 6. 如权利要求 1 5 中任一项所述的晶片检查用接口装置， 其特征在于 ： 所述探针卡的各探针被预先偏置地。
5、配置， 使得当所述探针卡被加热至规定温度而膨胀 时， 分别与在该规定温度的所述晶片形成的所述半导体器件的各电极抵接。 7. 如权利要求 6 所述的晶片检查用接口装置， 其特征在于 ： 所述规定温度为 30 100的范围内的温度。 8. 如权利要求 3 7 中任一项所述的晶片检查用接口装置， 其特征在于 ： 所述贯通孔为弹簧针用的贯通孔。 9. 一种晶片检查装置， 其特征在于， 具备 ： 对形成于晶片的半导体器件的电特性进行检查的检查室 ； 和 向该检查室进行所述晶片的搬入搬出的搬送机构， 所述检查室具有晶片检查用接口装置， 该晶片检查用接口装置具备 ： 探针卡， 其在与晶片相对的面具备与形成于。
6、该晶片的多个半导体器件的电极对应设置 的多个探针 ； 框架， 其与该探针卡的与所述晶片相对的面的相反侧的面抵接而支承该探针卡 ； 和 设置于该框架的加热部件。 权 利 要 求 书 CN 103308845 A 2 1/7 页 3 晶片检查用接口装置和晶片检查装置 技术领域 0001 本发明涉及具备探针卡的晶片检查用接口装置和晶片检查装置。 背景技术 0002 作为晶片检查装置， 例如公知有对形成于晶片的多个半导体器件进行电特性检查 的探针装置或老化 （burn in） 检查装置。 0003 图 9 是表示现有的探针装置的概略结构的截面图， 图 10 是表示图 9 的探针装置的 弹簧 （伸缩） 。
7、框架 （弹簧环 （伸缩环） ） 的截面图。 0004 在图 9 中， 探针装置 100 具备 ： 形成搬送晶片 W 的搬送区域的装载室 101 ； 和对形 成于晶片W的多个半导体器件的电特性进行检查的检查室102， 通过控制装置对装载室101 和检查室 102 内的各种机器进行控制， 而对半导体器件的电特性进行检查。检查室 102 具 备 ： 载置从装载室 101 被搬入的晶片 W， 并在 X、 Y、 Z 和 方向上移动的载置台 106 ； 配置在 载置台 106 的上方的弹簧框架 109 ； 被弹簧框架 109 支承的探针卡 108 ； 将与载置台 106 协 同动作设置于探针卡 108 的。
8、多个探针 （检查针） 和形成于晶片 W 的多个半导体器件的各电极 进行校准 （对位） 的校准机构 110。通过校准结构 110 和载置台 106 的协同动作， 进行晶片 W 与探针卡 108 的校准， 探针卡 108 的各探针与晶片 W 的各电极分别抵接， 进行形成于晶片 W 的多个半导体器件的电特性检查 （例如， 参照专利文献 1） 。 0005 在图 10 中， 弹簧框架 109 被支承于变换环 112， 通过变换环 112 安装于探针装置 100 的上部板。弹簧框架 109 在中央具有在厚度方向贯通的开口部 109A， 在开口部 109A 的 周围的环部 109B， 以在厚度方向贯通的方。
9、式配置有多个弹簧针 （pigo pin: 测试针） 109C。 弹簧针 109C 与连接端子 108A 抵接， 该连接端子 108A 设置于在弹簧框架 109 的下方设置的 探针卡 108 的外周缘部， 将设置于探针卡 108 的下表面中央部的探针 108B 与未图示的检查 装置电连接。探针108B 与在配置于其下方的晶片 W 设置的半导体器件的对应的电极抵接。 在弹簧框架 109 的开口部 109A 内， 为了防止探针卡 108 的变形， 例如配置有由金属制的平 板状部件构成的加固部件 （stiffener） 113。 0006 但是， 有时半导体器件在高温气氛中使用， 也存在形成于晶片的半。
10、导体器件的电 特性检查在高温状态中实施的情况。由于晶片和探针卡相应于温度变化而进行伸缩， 所以 在高温气氛中例如 90气氛中， 由于热膨胀率的差异导致形成于晶片的半导体器件的电极 位置与形成于探针卡的探针位置发生偏差， 因为不能够将探针卡的探针与对应的半导体器 件的电极正确地抵接， 所以存在不能正确地进行电特性的检查的问题。 0007 在这种情况下， 在现有的探针装置中， 对在弹簧框架 109 的开口部 109A 内配置的 加固部件材料使用与晶片 W 热膨胀系数接近的低膨胀材料， 由此从外观来看， 使安装于弹 簧框架 109 的探针卡 108 与晶片 W 的热膨胀率接近， 由此能够抑制设置于探。
11、针卡 108 的探 针的位置与形成于晶片的半导体器件的电极位置的偏差。 0008 现有技术文献 0009 专利文献 说 明 书 CN 103308845 A 3 2/7 页 4 0010 专利文献 1 ： 日本特开 2004-140241 号公报 发明内容 0011 发明想要解决的问题 0012 但是， 本发明的作为对象的晶片检查装置中， 将多个检查室大量组合成像公寓那 样， 在检查室以外的场所进行晶片的校准等， 尽可能共用能够共用的装置， 实现轻量化、 小 型化。因此， 在各检查室中没有采用用于确保刚性的加固部件。另外， 由于本发明的作为对 象的晶片检查装置的各检查室， 为使形成于探针卡的全。
12、部探针一同与形成于晶片的全部的 半导体器件的电极接触的一并接触型装置， 因此在支承探针卡的弹簧框架整面嵌入有多个 弹簧针， 由此能够确保在弹簧框架安装的探针卡的刚性， 而且由于没有设置加固部件的空 间因而没有采用加固部件。 0013 即， 本发明的作为对象的晶片检查装置中， 如现有的探针装置那样， 通过选择加固 部件的适用材料， 从外观来看， 使探针卡的热膨胀率与晶片的热膨胀率接近， 由此， 不能消 除基于温度变化的形成于晶片 W 的半导体器件的电极与形成于探针卡的探针的位置偏差， 期望其应对方案。 0014 本发明的课题在于， 提供一种晶片检查用接口装置和晶片检查装置， 能够消除基 于热膨胀。
13、差导致的晶片与探针卡的位置偏差， 将设置于探针卡的探针与形成于晶片的半导 体器件的电极正确地对位， 对半导体器件进行适当的电特性检查。 0015 用于解决课题的方案 0016 为了解决上述课题， 本发明第一方面的晶片检查用接口装置的特征在于， 包括 ： 探 针卡， 其在与晶片相对的面具备与形成于该晶片的多个半导体器件的电极对应设置的多个 探针 ； 框架， 其与该探针卡的与上述晶片相对的面的相反侧的面抵接而支承该探针卡 ； 和 设置于该框架的加热部件。 0017 本发明第二方面的晶片检查用接口装置的特征在于， 在第一方面的晶片检查用接 口装置中， 上述加热部件为线状加热器。 0018 本发明第三。
14、方面的晶片检查用接口装置的特征在于， 在第二方面的晶片检查用接 口装置中， 上述框架具有多个矩形的贯通孔， 上述线状加热器沿着多个上述贯通孔的各边 设置。 0019 本发明第四方面的晶片检查用接口装置的特征在于， 在第三方面的晶片检查用接 口装置中， 上述线状加热器沿着上述贯通孔的各边设置为格子状。 0020 本发明第五方面的晶片检查用接口装置的特征在于， 在第二方面至四方面的任一 项所述的晶片检查用接口装置中， 上述线状加热器， 设置于在上述框架的沿着厚度方向的 截面中， 与上述探针卡的抵接面一侧。 0021 本发明第六方面的晶片检查用接口装置的特征在于， 在第一方面至五方面的任一 项所述的。
15、晶片检查用接口装置中， 上述探针卡的各探针被预先偏置地配置， 使得当上述探 针卡被加热至规定温度而膨胀时， 分别与在该规定温度的上述晶片形成的上述半导体器件 的各电极抵接。 0022 本发明第七方面的晶片检查用接口装置的特征在于， 在第六方面的晶片检查用接 口装置中， 上述规定温度为 30 100的范围内的温度。 说 明 书 CN 103308845 A 4 3/7 页 5 0023 本发明第八方面的晶片检查用接口装置的特征在于， 在第三方面至第七方面的任 一项所述的晶片检查用接口装置中， 上述贯通孔为弹簧针用的贯通孔。 0024 为了解决上述课题， 本发明第九方面的晶片检查装置的特征在于， 。
16、具备 ： 对形成于 晶片的半导体器件的电特性进行检查的检查室 ； 和向该检查室进行上述晶片的搬入搬出的 搬送机构， 上述检查室具有晶片检查用接口装置， 该晶片检查用接口装置具备 ： 探针卡， 其 在与晶片相对的面具备与形成于该晶片的多个半导体器件的电极对应设置的多个探针 ； 框 架， 其与该探针卡的与上述晶片相对的面的相反侧的面抵接而支承该探针卡 ； 和设置于该 框架的加热部件。 0025 发明效果 0026 依据本发明， 由于在与探针卡的与晶片相对的面的相反侧的面抵接而支承该探针 卡的框架设置有加热部件， 因此利用该加热部件将探针卡预先加热到半导体器件的特性检 查温度， 由此， 通过使用具备。
17、多个探针的探针卡， 该多个探针以当被加热到该热性检查温度 时， 分别与被加热到该特性检查温度的晶片的半导体器件的各电极抵接的方式被配置， 能 够准确地将形成于晶片的半导体器件的电极与形成于探针卡的探针对位， 进而能够对半导 体器件进行适当的电特性检查。 附图说明 0027 图 1 是表示本发明的实施方式的晶片检查装置的外观的立体图。 0028 图 2 是表示沿图 1 的晶片检查装置的 II II 线的截面图。 0029 图 3 是概略地表示图 2 的检查室所具有的检查用接口装置的结构的截面图。 0030 图 4 是表示图 3 的框架 （弹簧框架） 的图， 图 4（A） 是表示表面的俯视图， 图。
18、 4（B） 是表示背面的仰视图。 0031 图 5 是图 3 的晶片检查用接口装置的部分放大截面图。 0032 图 6 是表示被插入图 4 的框架 （弹簧框架） 的弹簧针的立体图。 0033 图7是表示使用图5的晶片检查用接口装置的晶片的各半导体器件的电特性检查 的工序图。 0034 图8是表示使用图5的晶片检查用接口装置的晶片的各半导体器件的电特性检查 的工序图。 0035 图 9 是表示现有的探针装置的概略结构的截面图。 0036 图 10 是表示图 9 的弹簧框架的截面图。 0037 附图标记说明 0038 W 晶片 0039 14 检查室 0040 18 晶片检查用接口装置 0041 。
19、20 探针卡 0042 23 吸盘头 0043 25 前开式晶圆盒 0044 40 弹簧框架 0045 43 贯通孔 说 明 书 CN 103308845 A 5 4/7 页 6 0046 44 护套加热器 （加热部件） 具体实施方式 0047 以下， 参照附图对本发明的实施方式进行说明。 0048 图1是表示本发明的实施方式的晶片检查装置的外观的立体图。 晶片检查装置10 是， 使探针卡的全部探针一同与形成于晶片的全部半导体器件抵接而进行电特性的检查的 一并接触性检查装置， 并且是以关于能够共用的装置尽可能地共用的概念而开发研制的晶 片检查装置。因此， 为了实现装置的小型化， 在检查室以外的。
20、其他场所进行晶片的校准。 0049 在图1中， 晶片检查装置10主要包括 ： 在该晶片检查装置10的背面进行晶片的搬 入搬出的搬入搬出区域 S10 ； 与该搬入搬出区域 S10 相对在正面设置的检查区域 S40 ； 和设 置于搬入搬出区域 S10 与检查区域 S40 之间的搬送区域 S30。 0050 搬入搬出区域 S10， 与多个载置机构相对地被分割为多个单位搬入搬出区域， 检查 区域 S40 与多个检查室相对应地被分割为多个单位检查区域。即， 搬入搬出区域 S10 和检 查区域 S40 分别如公寓那样被分割为多个房间， 晶片搬送机构 （参照后述图 2） 在搬入搬出 区域 S10 和检查区域。
21、 S40 之间的搬送区域 S30 中移动。 0051 图 2 是表示沿图 1 的 II II 线的截面图。 0052 在图 2 中， 在搬入搬出区域 S10 例如设置有多个前开式晶圆盒 （Foup） F 的接收机 构作为载置机构。另外， 在搬入搬出区域 S10 的图中左端形成有具有校准室 12 的校准区域 S20， 在右端设置有具有针迹检查装置 17 的针迹检查区域 S50。另外， 在搬送区域 S30 设置 有晶片搬送机构 13， 在检查区域 S40 设置有多个检查室 14。 0053 晶片搬送机构 13 例如具备 ： 设置于基台上的旋转体 ； 在旋转体上分别独立地在一 个方向上进行往复移动的。
22、上下两个臂 ； 使基台和臂升降的升降机构 ； 和使这些部件沿搬送 区域 S30 往复移动的移动机构， 在上侧的臂 13A 的前端设置有载置晶片 W 并进行搬送的拾 取器 13B。另外， 在拾取器 13B 内置有加热装置 13C（参照后述的图 3） 。在对形成于晶片 W 的半导体器件进行电特性试验时， 加热装置 13C 将晶片 W 加热至该晶片 W 的特性检查温度。 作为加热装置 13C， 例如能够使用电加热器。 0054 在晶片检查装置 10 中， 晶片搬送机构 13 从前开式晶圆盒 F 接收未检查的晶片 W 向校准室 12 搬送， 该校准室 12 进行晶片 W 对晶片搬送机构 13 的拾取器。
23、 13B 的校准， 晶片 搬送机构 13 将校准后的晶片 W 向规定的检查室 14 搬入。晶片在搬送过程中通过内置于拾 取器 13B 的加热装置 13C 被加热至特性检查温度。检查室 14 具有后述的晶片检查用接口 装置 18， 该晶片检查用接口装置 18 进行形成于晶片 W 的多个半导体器件的电特性检查。 0055 进而， 晶片搬送机构 13 将检查完成的晶片 W 从规定的检查室 14 向在位于搬入搬 出区域S10的一端的针迹检查区域S50内设置的针迹检查装置17交接， 针迹检查装置17进 行已完成检查的晶片 W 的各半导体器件的电极的针迹 （探针 25 的接触痕迹） 的检查， 然后， 晶片。
24、搬送机构 13 将检查后的晶片 W 向搬入搬出区域 S10 的前开式晶圆盒 F 搬入。检查后 的晶片在被搬入到前开式晶圆盒 F 期间被冷却到常温。 0056 在该情况下， 晶片搬送机构 13 将从第一前开式晶圆盒 F 搬出的第一晶片 W 经由校 准室 12 搬入到第一检查室 14 内， 但在第一检查室 14 内进行形成于第一晶片 W 的半导体器 件的电特性检查的期间， 能够将从第二前开式晶圆盒 F 搬出的第二晶片 W 经由校准室 12 搬 说 明 书 CN 103308845 A 6 5/7 页 7 入第二检查室 14 内。另外， 晶片搬送机构 13， 当在第一检查室 14 内进行形成于第一晶。
25、片 W 的半导体器件的电特性检查的期间， 也能够从第三检查室将检查后的第三晶片 W 搬出并搬 入到第三前开式晶圆盒 F。即， 晶片搬送机构 13 在多个前开式晶圆盒 F 和多个检查室 14 之 间依次进行晶片 W 的搬入搬出， 多个检查室 14 在其各个检查室 14 中依次对多个晶片 W 进 行形成于该晶片 W 的半导体器件的电特性的检查。 0057 图 3 是概略地表示图 2 的检查室所具有的晶片检查用接口装置的结构的截面图。 0058 在图3中， 晶片检查用接口装置18具备 ： 配置于检查室14内的顶棚部的由板状部 件构成的封头 （head plate） 19 ； 构成该封头 19 的下表。
26、面的框架 （以下称为 “弹簧框架” ） 40 ； 以与该弹簧框架 40 的下表面抵接的方式配置的探针卡 20 ； 保持该探针卡 20 的外周固定于 弹簧框架 40 的固定环 21 ； 从检查室 14 内的底部竖立设置、 在图 3 中上下方向上移动的棒 状的升降杆 22 ； 和设置于该升降杆 22 的顶部的台状的吸盘头 （Chuck Top） 23。吸盘头 23 的截面呈凸状， 具有中央部向图中上方突出的凸部 23A、 和形成为包围该凸部 23A 并且比凸 部 23A 低一层的台阶部 23B。凸部 23A 的上部平面成为载置晶片 W 的载置面 23C。 0059 图 4 是表示图 3 的弹簧框架。
27、 40 的图， 图 4（A） 是表示表面的俯视图， 图 4（B） 是 表示背面的仰视图。 0060 在图 4（A） 、（B） 中， 弹簧框架 40 主要包括 ： 框架主体 41 ； 抵接区域 42， 其形成于 该框架主体 41 的中央部， 与探针卡 20 抵接 ； 和设置于该抵接区域 42 的多个贯通孔 43。弹 簧框架主体 41 例如为因瓦合金 （invar） 等的低热膨胀材料制成， 呈 450mm500mm 的长方 形的板状体， 其厚度例如为 10mm。中央部的抵接区域 42 为 300mm 的圆形区域， 例如一个 边长为 16.5mm 的正方形的贯通孔 43 有规律地形成有多个。贯通孔 。
28、43 用于使弹簧针嵌入。 0061 在图 4（A） 中， 以沿着正方形的贯通孔 43 的各边的方式呈格子状地配置有作为 加热装置的线状加热器 44。作为线状加热器 44， 例如能够适当使用护套加热器 （sheath heater） 。护套加热器是将发热线圈插入金属、 例如不锈钢制的截面 2mm 的管的中心， 用 MgO 粉末填充固定管与发热线圈的间隙而形成的直管状的加热器， 是能够进行弯曲加工， 寿 命长的加热器。 0062 在抵接区域42的周围， 为了降低热损失而形成有多个隔热用的贯通孔45。 贯通孔 45 在弹簧框架主体 41 的厚度方向上贯通该弹簧框架主体 41， 降低热传导导致的热损失。
29、。 0063 设置于弹簧框架 40 的线状加热器 （以下称为 “护套加热器” ） 44 用于对与弹簧框架 40 抵接的探针卡 20 进行加热， 在其截面图中， 优选设置于靠近弹簧框架 40 与探针卡 20 的 抵接面的位置。由此， 护套加热器 44 的导热效率提高， 以短时间将探针卡 20 加热到例如与 晶片W的电特性检查温度相同的温度， 能够使形成于晶片W的半导体器件的电极位置、 与设 置与探针卡 20 的各探针 25 的位置匹配。 0064 图 5 是表示图 3 的晶片检查用接口装置的部分放大截面图。 0065 在图 5 中， 晶片检查用接口装置 18 主要包括 ： 在与晶片 W 相对的面。
30、具备多个探针 25的探针卡20 ； 夹着晶片W与探针卡20相对配置的台状的吸盘头23 ； 和弹簧框架40， 其与 探针卡 20 的与晶片 W 相对的面的相反侧的面抵接支承该探针卡 20。 0066 在弹簧框架 40 的弹簧框架主体 41， 设置有多个弹簧针用的贯通孔 43。弹簧针用 的贯通孔 43 例如为截面正方形的贯通孔， 沿着该贯通孔 43 的各边例如呈格子状地设置有 护套加热器 44 （参照图 4） 。如图 6 所示， 在各贯通孔 43 分别嵌入有弹簧针 45 的凸部 45A， 说 明 书 CN 103308845 A 7 6/7 页 8 该弹簧针 45 包括截面为正方形的四棱柱状的凸部。
31、 45A 和形成在该凸部 45A 的周围的台阶 部 45B。弹簧针 45 将探针卡 20 和设置于封头 19 上的省略图示的检查装置电连接。 0067 返回图 5， 探针卡 20， 在与晶片 W 相对的面具有与形成于晶片 W 的各半导体器件的 电极对应配置的多个探针 （检查针） 25。另外， 固定环 21 以包围探针卡 20 的形成有探针 25 的抵接区域 42 的方式形成， 将探针卡 20 固定于弹簧框架 40。 0068 此外， 在探针卡 20 与晶片 W 之间形成有内侧空间 28， 在吸盘头 23 与固定环 21 之 间形成有包含内侧空间 28 的外侧空间 27。内侧空间 28 和外侧空。
32、间 27 分别通过密封材料 26 和 24 被密封 （参照图 3） 。 0069 以下， 对于利用具备上述这样的结构的晶片检查用接口装置的晶片检查装置进行 的形成于晶片的半导体器件的电特性检查加以说明。 0070 图 7 和图 8 是利用具备图 5 的晶片检查用接口装置的晶片检查装置进行的形成于 晶片的半导体器件的电特性检查的工序图。 0071 首先， 作为将晶片 W 搬入检查室 14 的前处理， 利用设置于弹簧框架 40 的护套加热 器 44， 将与该弹簧框架 40 抵接的探针卡 20 预先加热到晶片 W 的特性检查温度、 例如 90。 护套加热器44沿着弹簧框架40的贯通孔43的各边设置为。
33、格子状， 并且设置在弹簧框架40 与探针卡 20 的抵接面的附近， 因此高效率地对探针卡 20 进行加热。 0072 接着， 通过晶片搬送机构13将晶片W搬入检查室14内。 即， 晶片搬送机构13相对 于该晶片搬送机构 13 的拾取器 13B 进行校准， 并且将通过内置于拾取器 13B 的导热加热器 13C 被加热到特性检查温度、 例如 90的晶片 W 向检查室 14 内搬入， 并使其与探针卡 20 相 对。这时， 晶片搬送机构 13 使臂 13A 微小地移动， 进行拾取器 13B 与探针卡 20 的校准 （图 7（A） ） 。由此， 进行晶片 W 与探针卡 20 的校准。 0073 接着， 。
34、晶片搬送机构 13 使拾取器 13B 朝向探针卡 20 移动， 将晶片 W 向探针卡 20 抵接。这时， 已经进行了晶片 W 与探针卡 20 的校准， 并且晶片 W 和探针卡 20 均被调整到晶 片 W 的特性检查温度、 即例如 90， 因此， 使探针卡 20 的各探针 25 与形成于晶片 W 的各半 导体器件的电极准确地抵接 （图 7 （B） ） 。在探针卡 20 的与晶片相对面设置的各探针 25， 在 常温下被预先偏置地配置， 使得例如在90探针卡20热膨胀时， 分别与该被加热到90的 热膨胀的晶片 W 的半导体器件的对应电极抵接。 0074 接着， 对形成于探针卡 20 与晶片 W 之间。
35、的内侧空间 28 进行减压， 将晶片 W 向探针 卡 20 吸引并临时固定， 然后， 拾取器 13B 从晶片 W 分离， 通过晶片搬送机构 13 从检查室 14 退出 （图 7（C） ） 。 0075 接着， 支承吸盘头 23 的升降杆 22 使吸盘头 23 向上方移动使吸盘头 23 与固定环 21 抵接。这时， 吸盘头 23 的凸部 23A 从台阶部 23B 向上方突出， 因此作为该凸部 23A 的上 部平面的晶片载置面 23C 与被向探针卡 20 临时固定的晶片 W 抵接， 结果是， 晶片 W 位于晶 片载置面 23C 上 （图 8（A） ） 。 0076 接着， 吸盘头 23 被向固定环。
36、 21 抵接， 对吸盘头 23 与固定环 21 之间形成的外侧空 间 27 减压， 将吸盘头 23 向固定环 21 吸引， 吸盘头 23 通过固定环 21 被间接地保持。这时， 被向固定环 21 吸引的吸盘头 23 将位于晶片载置面 23C 上的晶片 W 向探针卡 20 按压， 由于 吸盘头 23 具有比晶片 W 高的刚性， 所以能够将晶片 W 向探针卡 20 均匀地按压。然后， 升降 杆 22 向图中下方移动与吸盘头 23 分离 （图 8（B） ） 。 说 明 书 CN 103308845 A 8 7/7 页 9 0077 接着， 规定值的电流从探针卡20的各探针25向各半导体器件的电极流动。
37、， 各半导 体器件的电特性检查被一并进行， 然后结束本检查。 0078 依据本实施方式， 由于在与探针卡20的与晶片W相对的面的相反侧的面抵接而支 承该探针卡 20 的弹簧框架 40， 设置有护套加热器 44， 因此预先利用护套加热器 44 将探针 卡 20 加热到半导体器件的电特性检查温度， 由此， 通过使用具备多个探针 25 的探针卡 20， 该多个探针 25 以当被加热到该热性检查温度时， 分别与被加热到该特性检查温度的晶片 的半导体器件的各电极抵接的方式被配置， 能够准确地将晶片 W 的半导体器件的电极位置 与探针卡20的各探针位置对位， 进而能够对形成于晶片W的半导体器件进行适当的电。
38、特性 检查。另外， 由于在探针卡 20 与晶片 W 抵接之前预先将晶片 W 向特性检查温度加热， 因此 当探针卡 20 的探针 25 与形成于晶片 W 的半导体器件抵接之后， 能够防止进一步被加热而 移动到电极位置， 能够防止不良产品的产生。 0079 另外， 依据本实施方式， 由于护套加热器 44 为线状加热器， 因此能够将该护套加 热器 44 沿着贯通孔 43 的各边均匀地配置为格子状。因此， 能够将探针卡 20 均匀地加热。 0080 在本实施方式中， 设置于晶片 W 的半导体器件的电特性检查温度例如为 50 150， 优选为 60 90。如果温度过高， 则存在密封部件等中不能保持耐热性。
39、的情况。另 外， 如果温度过低， 则不能得到作为加热部件的护套加热器 44 的实际效力。 0081 在本实施方式中， 使探针卡 20 的各探针 25 一并与各自对应的晶片 W 的全部半导 体器件的对应的全部电极抵接， 进行电特性检查。由此提高半导体器件的生产性。 0082 此外， 本实施方式的晶片检查装置， 由于在检查室 14 以外的场所进行晶片 W 的校 准， 所以晶片 W 和与该晶片 W 抵接的探针卡 20 的温度管理变得重要， 通过设置于弹簧框架 40 的护套加热器 44 能够将探针卡 20 加热到任意的温度， 能够进行适当的温度管理。 0083 以上， 关于本发明使用上述实施方式进行了。
40、说明， 但本发明并不被限定于上述的 实施方式。 说 明 书 CN 103308845 A 9 1/8 页 10 图 1 图 2 说 明 书 附 图 CN 103308845 A 10 2/8 页 11 图 3 说 明 书 附 图 CN 103308845 A 11 3/8 页 12 图 4 说 明 书 附 图 CN 103308845 A 12 4/8 页 13 图 5 说 明 书 附 图 CN 103308845 A 13 5/8 页 14 图 6 说 明 书 附 图 CN 103308845 A 14 6/8 页 15 图 7 说 明 书 附 图 CN 103308845 A 15 7/8 页 16 图 8 说 明 书 附 图 CN 103308845 A 16 8/8 页 17 图 9 图 10 说 明 书 附 图 CN 103308845 A 17 。