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1、10申请公布号CN104113806A43申请公布日20141022CN104113806A21申请号201410279212822申请日20140620H04R19/01200601C22C38/54200601C21D8/00200601C21D6/0020060171申请人宁波兴隆电子有限公司地址315135浙江省宁波市鄞州区云龙镇石桥村72发明人施存炬张建国74专利代理机构宁波市鄞州盛飞专利代理事务所普通合伙33243代理人张向飞54发明名称一种栅极独立抗噪直插式传声器57摘要本发明涉及一种栅极独立抗噪直插式传声器，解决传统传声器使用寿命短、抗噪能力不稳定等问题。所述传声器包括场效应管。
2、FET、塑腔和极板；塑腔底面铺置导电板，场效应管FET和塑腔之间附有胶水，场效应管FET的栅极G紧靠一侧的导电板内边沿引出，形成栅极G独立，极板通过胶水与场效应管FET相接；所述导电板由以下重量百分比成分组成CR165175，NI220250，MO0809，TI1619，AL025030，C005008，B006008，V0406，SI1015，MN1015，余量为FE。所述传声器抗噪功能强，使用寿命长。51INTCL权利要求书1页说明书5页附图3页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书5页附图3页10申请公布号CN104113806ACN104113806A1/。
3、1页21一种栅极独立抗噪直插式传声器，包括用于放大电荷变换信号的场效应管FET、用于设置场效应管FET的塑腔，以及极板，其特征在于所述塑腔底面呈四级阶梯状并在底面两侧的台阶上铺置导电板，所述场效应管FET和塑腔之间附有一层胶水，所述场效应管FET的栅极G紧靠一侧的导电板内边沿引出，形成栅极G独立，所述极板通过胶水与场效应管FET相接；所述导电板由以下重量百分比的成分组成CR165175，NI220250，MO0809，TI160190，AL025030，C005008，B006008，V0406，SI1015，MN1015，余量为FE及不可避免的杂质。2根据权利要求1中所述的栅极独立抗噪直插式。
4、传声器，其特征在于，所述导电板的组成成分和质量百分比为CR1700，NI2300，MO085，TI180，AL028，C006，B007，V050，SI130，MN130，余量为FE及不可避免的杂质。3根据权利要求1中所述的栅极独立抗噪直插式传声器，其特征在于，所述导电板的组成成分和质量百分比为CR1650，NI2500，MO080，TI190，AL025，C008，B006，V060，SI100，MN150，余量为FE及不可避免的杂质。4根据权利要求1中所述的栅极独立抗噪直插式传声器，其特征在于，所述导电板的组成成分和质量百分比为CR1750，NI2200，MO090，TI160190，AL。
5、025030，C005008，B008，V040，SI150，MN100，余量为FE及不可避免的杂质。5根据权利要求1中所述的栅极独立抗噪直插式传声器，其特征在于，所述导电板的加工工艺包括锻造工序和热处理锻造工序中，始锻温度为11201160，终锻温度为880930；在热处理工序中，固溶处理的温度为9801050，保温46小时后空冷；时效处理温度为700720，保温1216小时后空冷。6根据权利要求1中所述的栅极独立抗噪直插式传声器，其特征在于，所述导电板加工工艺中始锻温度为1140，终锻温度为900。7根据权利要求1中所述的栅极独立抗噪直插式传声器，其特征在于，所述导电板加工工艺的热处理工序。
6、中，固溶处理的温度为1000，保温5小时后空冷；时效处理温度为710，保温14小时后空冷。8根据权利要求1中所述的栅极独立抗噪直插式传声器，其特征在于，所述极板的两端上对称设有音气孔，所述胶水灌注在极板表面上且覆盖住音气孔。9根据权利要求1中所述的栅极独立抗噪直插式传声器，其特征在于，所述胶水灌注形成中心镂空的圆柱体，并与场效应管FET相接。10根据权利要求1中所述的栅极独立抗噪直插式传声器，其特征在于，所述场效应管FET的源级S和漏极D引出管脚，形成直插式传声器。权利要求书CN104113806A1/5页3一种栅极独立抗噪直插式传声器技术领域0001本发明涉及一种传声器，尤其涉及一种栅极独立。
7、抗噪直插式传声器。背景技术0002传声器，即麦克风，现被广泛使用的是驻极体传声器，传统的传声器底面普遍采用PCB板表面铺铜接地，且传声器中的场效应管FET安装于PCB板上，电容等其它元器件也同样安装于PCB板上，场效应管FET的栅极与金属极板相接,整个传声器通过外壳接地，从而达到屏蔽信号和减低噪声效果。0003然而，传统传声器采用PCB板铺铜，实用时间一久容易造成氧化，造成传声器性能降低，抗噪能力下降，可靠性不高。发明内容0004本发明的目的在于解决传统传声器使用寿命短，抗噪能力不稳定的问题，提供一种可靠性高的栅极独立抗噪直插式传声器，包括用于放大电荷变换信号的场效应管FET、用于设置场效应管。
8、FET的塑腔，以及极板，其特征在于所述塑腔底面呈四级阶梯状并在底面两侧的台阶上铺置导电板，所述场效应管FET和塑腔之间附有一层胶水，所述场效应管FET的栅极G紧靠一侧的导电板内边沿引出，形成栅极G独立，所述极板通过胶水与场效应管FET相接；所述导电板由以下重量百分比的成分组成CR165175，NI220250，MO0809，TI160190，AL025030，C005008，B006008，V0406，SI1015，MN1015，余量为FE及不可避免的杂质。0005本发明栅极独立抗噪直插式传声器中的导电板采用加入MO、TI、AL、V及微量B的综合强化合金，在A286铁基合金的基础上，添加了SI。
9、、MN元素，并降低了TI、CR、NI、MO元素的含量，提高了AL元素的含量，还进一步限定了C、B、V元素的含量，从而提高导电板的稳定性、可靠性、耐久性，强度、韧性等综合性能。0006首先，添加的1015的SI可以减小晶体的各向异性倾向，使磁化容易，磁阻减小，使磁滞损耗较低，提高导电板的磁导率，使导电板在较弱磁场下有较高的磁感强度。此外，含有SI的合金在氧化气氛中加热时，表面将形成一层SIO2薄膜，从而提高导电板在高温时的抗氧化性。0007添加的MN可以和FE形成固溶体，提高导电板合金中奥氏体的硬度和强度。且MN稳定奥氏体组织的能力仅次于镍，加入1015的MN，可降低导电板中的镍含量，从而降低生。
10、产成本。0008本发明导电板采用的合金通过减少TI含量，减轻倒V型偏析的程度，因而减小倒V型偏析对导电板的拉伸性能及低周疲劳强度的影响。如果TI含量为16，则对室温拉伸延性没有影响，当TI含量降至190以下，对室温低周疲劳强度没有影响。TI含量的减少有利于改善导电板冲击值，还可防止长时间加热催化。因此，导电板合金中将TI含量严格控制在160190。说明书CN104113806A2/5页40009碳化物存在于晶体内部，可以阻碍位错的移动，消耗位错滑移的能量达到强化的效果，从而提高导电板的强度。另一方面，在热处理的过程中可以阻碍晶粒的长大，从而达到细晶强化的作用。但是过多的碳化物反而会影响导电板的。
11、力学性能如塑性和冲击性，因此，本发明综合将C元素的含量控制在004008。0010添加进去的B可溶于固溶体，使晶格变大，提高强度，晶界中硼有组织再结晶扩散的作用，可增加合金的热强性。当B含量超过0007时，容易使导电板变脆。而B的加入会降低奥氏体体晶粒粗化的温度，使粗晶，但与添加的铝产生协同作用即可改善。在热处理时心部易生针状铁素体而影响机械性能。B与O、N亲和力很强，易生非金属夹杂，因此需要加入AL和TI以脱氧，并产生协同作用。0011V细化晶粒作用强，可提高导电板的强度和韧性。且V与O、N都有很大的亲和力，是强碳化物元素。V与FE固溶形成的碳化物VC，其弥散度很高，且极稳定，既有利脱氧、脱。
12、气得到致密细晶组织，又能提高塑性、韧性及高强度。由于VC的高度分散阻止焊缝晶粒粗大，所以可改善导电板的可焊性能，但加热到VC溶解温度后即会引起导电板合金钢强烈长大，因此，本发明导电板中V控制在0406。0012此外，V、MO等元素可以产生协同作用，具有共同细化晶粒的作用，在液相结晶过程中形成的化合物/中间相，起到类似于形核剂的作用；这些化合物、中间相又在锻造、热处理中固溶析出、钉扎，从而细化晶粒。0013所述杂质为不可避免地存在和合金生产工艺所产生的元素。尤其是指N、P、S、CU等元素。0014进一步的，所述导电板的加工工艺包括锻造工序和热处理锻造工序中，始锻温度为11201160，终锻温度为。
13、880930；在热处理工序中，固溶处理的温度为9801050，保温46小时后空冷；时效处理温度为700720，保温1216小时后空冷。0015所述导电板具有良好的可锻性能，最佳优选的始锻温度为1140，终锻温度为900。固溶处理的温度为1000，保温5小时后空冷；时效处理温度为710，保温14小时后空冷。导电板所用合金的晶粒度平均尺寸与锻件的变形程度、终锻温度密切相关。本发明导电板所用的是一种使奥氏体析出微细相的强化材料，该合金在上述热处理状态下，在基体上有关均匀弥散的NI3TI、AL型相以及TIN，TIC，晶界有微量的M3B2，晶界附近可能有少量相和L相，使导电板合金即便在超高温和低温状态下。
14、，也具有较好的组织、极高的强度和韧性，同时保证了导电板具有较高的抗氧化、抗腐蚀性能、屈服强度和持久、蠕变强度，并具有较好的加工塑性和满意的焊接性能。0016进一步的，所述极板的两端上对称设有音气孔，所述胶水灌注在极板表面上且覆盖住音气孔。0017进一步的，所述胶水灌注形成中心镂空的圆柱体，并与场效应管FET相接。0018进一步的，所述场效应管FET的源级S和漏极D引出管脚，形成直插式传声器。0019本发明与现有技术相比的有益效果00201、本发明利用导电板代替PCB板接地使得传声器受磁场影响有效减少，信号屏蔽性能更为良好；00212、本发明中为二端输出，场效应管FET的漏极D和源极S，而场效应。
15、管FET的栅极G独立，可以在栅极G上自由添加元器件，以实现传声器更优越的效果，能更好的起到抗噪说明书CN104113806A3/5页5功能。00223、本发明中导电板采用配伍合理的合金钢，使导电板具有良好的稳定性、可靠性、耐久性，强度、韧性等综合性能。附图说明0023图1是传统传声器的结构示意图；0024图2是本发明的结构示意图；0025图3是本发明的仰视图。0026图中所示1、导电板，2、场效应管FET，3、塑腔，4、胶水，5、金属极板，6、栅极，7、音孔。具体实施方式0027以下是本发明的具体实施例并结合附图，对本发明的技术方案作进一步的描述，但本发明并不限于这些实施例。0028如图2所示。
16、，一种栅极独立抗噪直插式传声器，包括用于放大电荷变换信号的场效应管FET、用于设置场效应管FET的塑腔，以及极板，塑腔底面呈四级阶梯状并在底面两侧的台阶上铺置导电板，场效应管FET和塑腔之间附有一层胶水，场效应管FET的栅极G紧靠一侧的导电板内边沿引出，形成栅极G独立，极板通过胶水与场效应管FET相接。0029极板的两端上对称设有音气孔，胶水灌注在极板表面上且覆盖住音气孔。胶水灌注形成中心镂空的圆柱体，并与场效应管FET相接。0030场效应管FET的源级S和漏极D引出管脚，形成直插式传声器。0031场效应管FET的并没有安装于PCB板上，而是直接引出管脚，通过在传声器底面铺设导电板接地从而解决。
17、了PCB板底面铺铜的容易氧化的问题，且导电板的抗电磁干扰能力更为优越，导电板接地后信号屏蔽性能也大大提高，从而使得传声器抗噪性能有效提高。0032场效应管FET的栅极G独立，可以通过在栅极G上添加元器件，来调节传声器的性能，从而使传声器的性能有效提高，如若栅极G单独接地，传声器中的电荷活动更为稳定，受外界的干扰能力也越强，实现更好的抗噪功能。0033其中，所述导电板由以下重量百分比的成分组成CR16501750，NI22002500，MO080090，TI160190，AL025030，C005008，B006008，V040060，SI100150，MN1001500，余量为FE及不可避免的。
18、杂质。0034实施例10035所述导电板由以下重量百分比的成分组成CR1700，NI2300，MO085，TI180，AL028，C006，B007，V050，SI130，MN130，余量为FE及不可避免的杂质。确定导电板的组成成分及其质量百分比后，其加工工艺对最终制得导电板的综合性能也有较大影响。所述导电板的加工工艺包括锻造工序和热处理锻造工序中，始锻温度为1140，终锻温度为900；在热处理工序中，固溶处理的温度为1000，保温5小时后空冷；时效处理温度为710，保温14小时后空冷。0036实施例2说明书CN104113806A4/5页60037本实施例中导电板由以下重量百分比的成分组成C。
19、R1650，NI2500，MO080，TI190，AL025，C008，B006，V060，SI100，MN150，余量为FE及不可避免的杂质。0038本实施例中导电板的加工工艺包括锻造工序和热处理锻造工序中，始锻温度为1120，终锻温度为930；在热处理工序中，固溶处理的温度为980，保温4小时后空冷；时效处理温度为700，保温12小时后空冷。0039实施例30040本实施例中导电板由以下重量百分比的成分组成CR1750，NI2200，MO090，TI160190，AL025030，C005008，B008，V040，SI150，MN100，余量为FE及不可避免的杂质。0041本实施例中导电。
20、板的加工工艺包括锻造工序和热处理锻造工序中，始锻温度为1160，终锻温度为880；在热处理工序中，固溶处理的温度为1050，保温6小时后空冷；时效处理温度为720，保温16小时后空冷。0042对比例0043市售的普通导电板。0044将实施例13中制得的导电板与对比例中的导电板进行性能测试，测试结果如表1所示。0045表1实施例13中制得的导电板与对比例中的导电板的性能测试结果00460047导电板的性能，尤其是可靠性和耐久性，在很大程度上取决于导电板表面层的质量。表面粗糙度是评价精加工表面质量指标的重要参数，粗糙度值的大小直接影响导电板的工作精度、配合性能、接触刚度、耐磨性、耐腐蚀性。本发明栅。
21、极独立抗噪直插式传声器中的导电板在A286铁基合金的基础上，添加了SI、MN元素，并降低了TI、CR、NI、MO元素的含量，提高了AL元素的含量，还进一步限定了C、B、V元素的含量，并通过特定温度下的固溶处说明书CN104113806A5/5页7理和时间处理，进而提高导电板的稳定性、可靠性、耐久性，强度、韧性等综合性能。0048本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神作举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。说明书CN104113806A1/3页8图1说明书附图CN104113806A2/3页9图2说明书附图CN104113806A3/3页10图3说明书附图CN104113806A10。