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氧化锌变阻器及其制造方法
    本发明涉及一种用于从异常高电压下保护各种电子仪器的氧化锌变阻器及其制造方法。

    近年来，民用仪器、工业机器的控制电路的高度集成化迅速发展。

    由于用于这些控制电路的半导体电子部件当外加异常高的电压(电涌Surge)时即被破坏，因此，研究其对策已不可缺少。作为这种对策，一般是使用变阻器，其中，因氧化锌变阻器具有优异的电压非线性和电涌吸收能力而广泛被用来保护各种电子仪器免于异常高电压的破坏。

    以前众所周知，在以氧化锌为主成分的变阻器元件的表面，设置至少二个电极的氧化锌变阻器。另外，作为上述电极的材料，如特开昭62-290104号公报所公开的，其内容如下。

    即，按重量比5.0％称取由PbO 50.0-85.0％(重量)、B₂O₃ 10.0-30.0％(重量)、SiO₂ 5.0-25.0％(重量)组成的硼硅酸铅玻璃粉末，在丁基卡必醇中溶有乙基纤维素的漆料(重量比为30.0％)中，与Ag粉(重量比为65.0％)共同混合成银浆，作为氧化锌变阻器用电极材料。

    然后，将此电极材料涂布于已烧制的变阻器元件表面，加热形成电极。

    上述的氧化锌变阻器虽具有如上所述的电压非线性的优点，但由于近年来，人们对各种电子机器的节能化、效率化提出了要求，也进一步要求改善这种氧化锌变阻器的电压非线性。

    本发明的目的即在于，与上述要求相适应，提供一种电压非线性得到进一步改善的氧化锌变阻器。

    为达到此目的，本发明将一种硼硅酸铅系列玻璃从烧制的变阻器元件的表面扩散至该变阻器元件内部。这种硼硅酸铅系玻璃至少包含一种选自氧化钴，氧化镁，氧化钇，氧化锑，氧化锰，氧化碲，氧化镧，氧化铈，氧化镨，氧化钕，氧化钐，氧化铕，氧化钆，氧化铽，氧化镝，氧化钬，氧化铒，氧化铥，氧化镱，氧化镥的金属氧化物。

    按以上的结构，在构成变阻器元件的氧化锌粒子间的晶界上存在着一种构成硼硅酸铅系玻璃的元素，该硼硅酸铅系玻璃包含至少一种选自氧化钴，氧化镁，氧化钇，氧化锑，氧化锰，氧化碲，氧化镧，氧化铈，氧化镨，氧化钕，氧化钐，氧化铕，氧化钆，氧化铽，氧化镝，氧化钬，氧化铒，氧化铥，氧化镱，氧化镥的金属氧化物。

    结果，位于氧化锌粒子间的晶界的电阻值增大，在达到其分变阻器电压之前，流于电极间的漏泄电流减少，作为结论，将得到改善了电压非线性的氧化锌变阻器。

    图1为显示了本发明的氧化锌变阻器的一个实施例的正视图，图2为图1的截面图，图3为示于图1的氧化锌变阻器的变阻器元件的正视图。

    下面，以附图说明本发明的一个实施例。

    图1、图2显示了本发明的一个实施例，其中，1为圆盘形的变阻器元件，其直径为13mm，厚1.5mm。

    如图3所示，在该变阻器元件1的二面上烧结有电极2。

    该电极2也为圆形，其直径作成10mm，变阻器元件1的外周部分在整个圆周上突出于电极2的外周。

    另外，引线3的上端用焊锡固定于各电极2上。

    在此状态下，变阻器元件1部分的外圆周用环氧系列的绝缘树脂4包覆，此时，如图1所示，只有引线3的下端被引出于绝缘树脂4的外部。

    在本实施例中，电极2的材料具有其特征。即，在本实施例中，使用了在Ag浆料中混合了硼硅酸铅系的玻璃料的材料，下面对此作进一步详述。

    首先，叙述玻璃料的调节。按下述表1中的组份比，称取定量的PbO、B₂O₃、SiO₂、Co₃O₄，将这些原料在球磨机中混合的同时进行粉碎，然后，在铂钳锅中，在1000℃-1500℃的温度条件下溶融，急冷，使之玻璃化。粗粉碎该玻璃后，再在球磨机中作微粉碎得到硼硅酸铅系玻璃料。此外，以同样方法制得由PbO 70.0％(重量)、B₂O₃ 15.0％(重量)、SiO₂ 15.0％(重量)组成的玻璃料，作为已有例子的硼硅酸铅玻璃料。如上所制的玻璃的转变温度(Tg)用热分析装置测得。

                                              表1玻璃名称                      组份比(重量)％    Tg    (℃)    PbO   B₂O₃   SiO₂  Co₃O₄    A^*    70    15    15    0    405    B    69.9    15    15    0.1    405    C    60    15    15    10    420    D    45    15    15    25    465    E    40    15    15    30    475    F^*    35    15    15    35    490    G^*    30    34.9    35    0.1    545    H    40    29.9    30    0.1    520    I^*    89.9    5    5    0.1    315    J^*    60    0    15    25    445    K    55    5    15    25    450    L    50    30    15    5    480    M^*    40    40    15    5    500    N^*    60    15    0    25    440    O    55    15    5    25    445    P    50    15    30    5    495    Q^*    40    15    40    5    515                              *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

    接着，以重量比5.0％称取该硼硅酸铅系玻璃料，如上所述，混合于Ag浆料(将Ag粉末(重量比为65％)溶于在丁基卡必醇中溶有乙基纤维素的漆料(重量比为30％))中，制成氧化锌变阻器用电极材料。

    为了评价如上所制得的氧化锌变阻器用电极材料，准备好分别由氧化铋(Bi₂O₃)、氧化钴(Co₃O₄)、氧化锰(MnO₂)、氧化镍(NiO)、氧化钛(TiO₂)各0.5％(摩尔)，氧化锑(Sb₂O₃)、氧化铬(Cr₂O₃)各0.1％(摩尔)Al₂O₃ 0.005％(摩尔)，其余为氧化锌(ZnO)组成的氧化锌变阻器烧结体(图3的变阻器元件1，圆盘状，直径为13mm，厚1.5mm)。将氧化锌变阻器用电极材料掩模印刷于该烧结体的二面成直径10mm状，在800℃下烧结10分钟，形成图3所示的电极2。接着，焊接如图2所示的引线3之后，对其外周包覆以绝缘树脂4得到试样。另外，在烧结体(变阻器元件1)的表面上涂布以上述电极材料后加热，则在此电极材料中的、含有氧化钴的硼硅酸铅系玻璃渗入变阻器元件1中，可以发挥如后所述的效果。

    如此所得的试样的电压比(V_1mA/V_10μA表示电压非线性)，抗冲击电流特性，及高温负载寿命特性示于表2。电压比(电压非线性)由使用直流恒流电源测量而得。另外，抗冲击电流特性由将标准波形8/20μS，峰值2500A的脉冲电流二次施加于同一方向上，测量变阻器电压(V_1mA)的变化率而得，其值最好小于已有例子A。再有，高温负载寿命在环境温度125℃，在引线端子3间补加试样的变阻器电压的90％直流电压，测定1000小时后的变阻器电压(V_1mA)的变化率而得，其值最好小于已有例子A。试样数为每批10个。

    又，上述电压比(V_1mA/V_10μA)显示了电压非性线，该电压比小于已有例子A，达到变阻器电压时的漏泄电流也比已有的例子要少。即，所谓V_1mA表示了1mA的电流流过电极2间时的电压(变阻器电压)，V_10μA同样表示10μA的电流流过电极2间的电压，V_10μA的值越小，从低电压的漏泄电流也越多，这是不理想的状态。

                                                   表2  试样   No. 玻璃名 V_1mA/V_10μA     抗冲击电流特性       ΔV_1mA(％)     高温负载寿命特性        ΔV_1mA(％)与电流同向与电流逆向与电流同向与电流逆向    1    A^*    1.83-22.3-28.9    -3.9    -10.8    2    B    1.52-10.9-18.0    +1.5    -2.9    3    C    1.36-9.7-14.5    +1.4    +0.9    4    D    1.28-5.9-8.3    +2.0    +1.1    5    E    1.32-8.8-11.9    +2.1    +1.1    6    F^*    1.71-16.7-21.7    +1.2    -1.7    7    G^*    1.51-16.2-23.5    +1.3    -2.4    8    H    1.46-12.8-17.3    +2.2    +0.3    9    I^*    1.38-25.5-36.9    -10.5    -20.8    10    J^*    1.30-20.4-26.0    +0.8    -2.8    11    K    1.32-10.2-16.4    +1.7    +0.1    12    L    1.39-11.5-19.1    +1.8    +0.2    13    M^*    1.36-18.4-26.3    +1.9    -0.2    14    N^*    1.32-21.0-27.8    +1.1    -3.7    15    O    1.34-11.3-17.2    +1.8    +0.4    16    P    1.36-10.1-18.2    +1.0    +0.2    17    Q^*    1.45-20.5-28.4    +0.9    +0.1                                 *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

    首先，从表1及表2来考察氧化锌变阻器用电极材料中的硼硅酸铅系玻璃料的Co₃O₄含量对电压比(电压非线性)、抗冲击电流特性及高温负载寿命特性的影响。与不含Co₃O₄的已有例子(表1中的玻璃名称A)比较起来，Co₃O₄含量为0.01％(重量)以上的组成系列中，电压比(电压非线性)提高，但是，如果Co₃O₄的含量大于30.0％(重量)时，则电压非线性，抗冲击电流特性恶化。因此，在氧化锌变阻器用电极材料的硼硅酸铅系玻璃里，至少含有0.1-30.0％(重量)的Co₃O₄的组成系列是一必要条件。

    另一方面，由于抗冲击电流特性、高温负载寿命特性除了Co₃O₄之外，尚受PbO、B₂O₃、SiO₂含量的影响，因此有必要考虑这些材料的组份。这样，根据表1及表2，考察一下氧化锌变阻器用电极材料中含有的硼硅酸铅系玻璃的成分对抗冲击电流特性及高温负载寿命特性的影响。PbO含量小于40.0％(重量)的组成系列玻璃，其转化温度(表1中的Tg)高，玻璃流动性过小，焊锡润湿性变坏。而且，PbO含量大于80.0％(重量)的组成系列的玻璃，其转化温度低，玻璃流动性过大，因而，作为电极2，其与变阻器元件1的粘接强度也降低，可靠性差。B₂O₃的含量小于5.0％(重量)的组成系列中，抗冲击电流特性严重恶化。还有，在B₂O₃含量大于30.0％(重量)的组成系列中，抗冲击电流特性也差。在SiO₂的含量低于5.0％(重量)的组成系列中，抗冲击电流特性差。而且SiO₂的含量大于30.0％(重量)的组成系列中，抗冲击电流特性恶化。

    由以上的结果可以明白，氧化锌变阻器用电极材料的玻璃成分之组成以PbO 40.0-80.0％(重量)，B₂O₃ 5.0-30.0％(重量)、SiO₂5.0-30.0％(重量)，Co₃O₄ 0.1-30.0％(重量)的范围为最合适。

    再者，可以确知，在本实施例中，作为硼硅酸铅系玻璃原料，氧化铅、氧化硼、氧化硅、氧化钴分别使用了PbO、B₂O₃、SiO₂、Co₃O₄，但使用其它形式的氧化物也可获得同样的特性。另外，在本实施例中，是以氧化锌变阻器用电极材料中的硼硅酸铅系玻璃的含量为5.0％(重量)的情况下作了说明，但其含量如在1.0-30.0％(重量)范围内的话，本发明的效果也不产生变化。本发明进一步使用由ZnO₂、Sb₂O₃、Co₃O₄、Al₂O₃组成的系列的氧化锌变阻器作为评价用的烧结的变阻器元件1，但含Pr₆O₁₁、CuO、BaO、MgO、K₂O、SiO₂等的氧化锌变阻器也适用作本发明的氧化锌变阻器用电极材料，其效果不变。实施例2

    下面，就本发明的第2实施例作一详细说明。

    首先，就添加于氧化锌变阻器用电极材料中的玻璃料的调整作一叙述。按下表3的组份比，定量称取PbO、B₂O₃、SiO₂、MgO，将其在球磨机中混合同时进行粉碎，然后，在1000℃-1500℃的温度条件下，在铂坩埚熔融，急冷使之玻璃化。将此玻璃粗粉碎后，以球磨机作微粉碎，得到硼硅酸铅系玻璃料。另外，以同样方法制得由PbO 70.0％(重量)、B₂O₃ 15.0％(重量)、SiO₂ 15.0％(重量)组成的玻璃粉末，作为已有例子的硼硅酸铅玻璃。如上所制的玻璃的转化温度(Tg)示于表3。此处，转化温度(Tg)用热分析装置测得。

                                                     表3玻璃名称                  组份比(重量％)    Tg    (℃)    PbO   B₂O₃   SiO₂   MgO    A^*    70    15    15    0    405    B    69.9    15    15    0.1    405    C    60    15    15    10    420    D    50    15    15    20    410    E    40    15    15    30    420    F^*    40    10    10    40    410    G^*    30    34.9    35    0.1    545    H    40    29.9    30    0.1    520    I^*    89.9    5    5    0.1    315    J^*    65    0    15    20    390    K    60    5    15    20    395    L    50    30    15    5    470    M^*    40    40    15    5    490    N^*    65    15    0    20    410    O    60    15    5    20    415    P    50    15    30    5    490    Q^*    40    15    40    5    510                               *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

    接着，定量(以重量比5.0％)称取该硼硅酸铅系玻璃料，如前所述，混合于Ag浆料(将Ag粉末(以重量比65.0％)溶于在丁基卡必醇中溶有乙基纤维素的漆料(重量比30.0％)中)制得氧化锌变阻器用电极材料。

    为了评价如上所制得的氧化锌变阻器用电极材料，准备好分别由氧化铋(Bi₂O₃)、氧化钴(Co₃O₄)、氧化锰(MnO₂)、氧化镍(NiO)、氧化钛(TiO₂)各0..5％(摩尔)，氧化锑(Sb₂O₃)、氧化铬(Cr₂O₃)各0.1％(摩尔)，Al₂O₃ 0.005％(摩尔)，其余为氧化锌(ZnO)组成的氧化锌变阻器烧结体(变阻器元件1，圆盘状，直径为13mm，厚1.5mm)。将氧化锌变阻器用电极材料掩模印刷于该烧结体的二面成直径10mm状，在800℃下烧结10分钟，形成电极2，接着，焊接引线3之后，对其以绝缘树脂4包覆得到试样。

    如此所得的试样的电压比(V_1m/V_10μA)和限制电压比(V_5A/V_1mA)及抗冲击电流特性示于表4。这里，电压比和限制电压比用直流恒流电源测得。另外，抗冲击电流特性由将标准波形8/20μS、峰值2500A的脉冲电流二次施加于同一方向上，测量变阻器电压(V_1mA)的变化率而得，试样数为每批10个。

                                                   表4  试样   No. 玻璃名    V_1mA/V_10μA  限制电压比   V_5A/V_1mA     抗冲击电流特性       ΔV_1mA(％)与电流同向与电流逆向    1    A^*      1.83    1.93-22.3-28.9    2    B      1.50    1.77-11.2-18.3    3    C      1.32    1.66-9.6-15.4    4    D      1.24    1.51-5.3-7.8    5    E      1.35    1.71-7.4-11.7    6    F^*      1.56    1.85-16.6-21.8    7    G^*      1.51    1.76-17.8-24.1    8    H      1.45    1.74-11.4-18.4    9    I^*      1.39    1.88-26.4-33.8    10    J^*      1.31    1.59-20.7-25.1    11    K      1.30    1.56-10.3-15.8    12    L      1.37    1.66-11.4-18.7    13    M^*      1.39    1.68-19.6-26.8    14    N^*      1.28    1.59-17.1-25.8    15    O      1.31    1.58-11.0-16.4    16    P      1.38    1.65-10.8-17.9    17    Q^*      1.43    1.66-21.4-29.7                              *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

    首先，从表3及表4，考察氧化锌变阻器用电极材料中的，含于硼硅酸铅系玻璃料中的MgO的含量对电压比(电压非线性)、限制电压比特性及抗冲击电流特性的影响。与不含MgO的已有例子中的硼硅酸铅系玻璃比较，含MgO 0.1％(重量)以上的组成系列中，电压比(电压非线性)提高，但是，如果MgO的含量大于30.0％(重量)，则限制电压比特性、抗冲击电流特性恶化。因此，在氧化锌变阻器用电极材料中的硼硅酸铅系玻璃中，至少含有0.1-30.0％(重量)的MgO的组成系列是一必要条件。

    另一方面，由于限制电压比特性(V_5A/V_1mA)、抗冲击电流特性、除了MgO含量之外，尚受PbO、B₂O₃、SiO₂含量的影响，因此有必要考虑这些材料的组成。这样，根据表3及表4，考察一下氧化锌变阻器用电极材料中含有的硼硅酸铅系玻璃的成分对限制电压比特性和抗冲击电流特性的影响。PbO含量小于40.0％(重量)的组成系列玻璃，其转化温度高，玻璃流动性过小，焊锡润湿性差。另外，PbO含量大于80.0％(重量)的组成系列的玻璃，其转化温度低，玻璃流动性过大，因而，作为电极粘接强度也降低，可靠性差。B₂O₃的含量小于5.0％(重量)的组成系列中，抗冲击电流特性严重恶化。还有，在B₂O₃含量大于30.0％(重量)的组成系列中，抗冲击电流特性也差。在SiO₂的含量低于5.0％(重量)的组成系列中，抗冲击电流特性差。而且SiO₂的含量大于30.0％(重量)的组成系列中，抗冲击电流特性恶化。

    由以上的结果可以明白，氧化锌变阻器用电极材料的玻璃成分之组成以PbO 40.0-80.0％(重量)，B₂O₃ 5.0-30.0％(重量)、SiO₂5.0-30.0％(重量)，MgO 0.1-30.0％(重量)的范围为最合适。

    再者，可以确知，在本实施例中，作为硼硅酸铅系玻璃原料，氧化铅、氧化硼、氧化硅、氧化镁分别使用了PbO、B₂O₃、SiO₂、MgO，但以其它形式的氧化物的形式使用也可获得同样的特性。另外，在本实施例中，是以氧化锌变阻器用电极材料中的硼硅酸铅系玻璃的含量为5.0％(重量)的情况下作了说明，但其含量如在1.0-30.0％(重量)范围内的话，本发明的效果也不产生变化。本发明进一步使用由ZnO₂、Bi₂O₃、Co₃O₄、MnO₂、NiO、TiO₂、Sb₂O₃、Cr₂O₃、Al₂O₃组成的系列的氧化锌变阻器作为评价用的烧结体，但含Pr₆O₁₁、CaO、BaO、MgO、K₂O、SiO₂等的氧化锌变阻器也适用作本发明的氧化锌变阻器用电极材料，其效果也不变。实施例3

    下面，就本发明的第3实施例作一详细说明。

    首先，就添加于氧化锌变阻器用电极材料中的玻璃料的调整作一叙述。从下表5的组份表，定量称取PbO、B₂O₃、SiO₂、MnO₂，将其在球磨机中混合同时进行粉碎，然后，在1000℃-1500℃的温度条件下，在铂坩埚熔融，急冷使之玻璃化。将此玻璃粗粉碎后，以球磨机作微粉碎，得到硼硅酸铅系玻璃料。另外，以同样方法制得由PbO 70.0％(重量)、B₂O₃ 15.0％(重量)、SiO₂ 15.0％(重量)组成的玻璃粉末，作为已有例子的硼硅酸铅玻璃。如上所制的玻璃的转化温度(Tg)示于表5。此处，转化温度(Tg)用热分析装置测得。

    接着，以重量比5.0％称取该硼硅酸铅系玻璃料，如上所述，混合于Ag浆料(将Ag粉末(重量比为65％)溶于在丁基卡必醇中溶有乙基纤维素的漆料(重量比为30％))中，制成氧化锌变阻器用电极材料。

                                                       表5 玻璃名称                组份比(重量％)    Tg    (℃)    PbO   B₂O₃   SiO₂   MnO₂    A^*    70    15    15    0    405    B    69.9    15    15    0.1    405    C    60    15    15    10    430    D    45    15    15    25    480    E    40    15    15    30    495    F^*    35    15    15    35    530    G^*    30    34.9    35    0.1    545    H    40    29.9    30    0.1    520    I^*    89.9    5    5    0.1    315    J^*    60    0    15    25    460    K    55    5    15    25    465    L    50    30    15    5    480    M^*    40    40    15    5    495    N^*    60    15    0    25    455    O    55    15    5    25    465    P    50    15    30    5    515    Q^*    40    15    40    5    525                             *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                                           表6  试样   No.  玻璃名  V_1mA/V_10μA     抗冲击电流特性       ΔV_1mA(％)    高温负载寿命特性       ΔV_1mA(％)与电流同向与电流逆向  与电流同向 与电流逆向    1    A^*    1.33-18.4-27.5    -3.9    -8.8    2    B    1.13-14.5-25.3    +1.3    -3.1    3    C    1.06-9.4-15.5    +1.4    +0.5    4    D    1.09-4.3-7.3    +2.0    +1.6    5    E    1.12-12.3-15.9    +2.2    +1.8    6    F^*    1.24-20.5-24.7    +1.2    -2.7    7    G^*    1.10-22.4-28.3    +1.1    -2.8    8    H    1.12-15.9-26.4    +1.0    +0.3    9    I^*    1.34-38.6-49.7    -5.5    -9.8    10    J^*    1.25-20.4-26.0    -1.8    -3.8    11    K    1.17-9.2-16.1    +1.0    +0.2    12    L    1.10-10.5-19.2    +1.8    -0.1    13    M^*    1.13-22.3-38.7    +1.7    -1.2    14    N^*    1.12-21.0-27.9    +1.3    -3.7    15    O    1.13-10.3-17.1    +1.5    +0.6    16    P    1.15-9.8-18.2    +2.0    +0.7    17    Q^*    1.16-22.5-33.4    +1.9    +0.3                              *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

    为了评价如上所制得的氧化锌变阻器用电极材料，准备好分别由氧化铋(Bi₂O₃)、氧化钴(Co₃O₄)、氧化锰(MnO₂)、氧化镍(NiO)、氧化锑(Sb₂O₃)、氧化铬(Cr₂O₃)各0.5％(摩尔)Al₂O₃ 0.005％(摩尔)，其余为氧化锌(ZnO)组成的氧化锌变阻器烧结体(变阻器元件1，圆盘状，直径为13mm，厚1.5mm)。将氧化锌变阻器用电极材料掩模印刷于该烧结体的二面涂复成直径10mm状，在800℃下烧结10分钟，形成图3所示的电极2，接着，焊接引线3之后，对其包覆以绝缘树脂4得到试样。另外，在烧结体(变阻器元件1)的表面上涂布以上述电极材料后加热，则在此电极材料中的、含有氧化钴的硼硅酸铅系玻璃渗入变阻器元件1中，可以发挥如后所述的效果。

    如此所得的试样的电压比(V_1mA/V_10μA)、抗冲击电流特性，及高温负载寿命特性列于表6。电压比(电压非线性)使用直流恒流电源测量。另外，抗冲击电流特性由将标准波形8/20μS，峰值5000A的脉冲电流二次施加于同一方向上，测量变阻器电压(V_1mA)的变化率而得，高温负载寿命在环境温度125℃，带电率90％(DC)的条件下，测量1000小时后的变阻器电压(V_1mA)的变化率而得，另外，试样数每批为10个。

    首先，从表5及表6来考察氧化锌变阻器用电极材料中的硼硅酸铅玻璃料的MnO₂含量对电压非线性的影响。在MnO₂的含量为0.1％(重量)以上的组成系列中，电压非线性得到提高。但是，如果MnO₂的含量大于30.0％(重量)时，由电压非线性，抗冲击电流特性恶化。因此，在氧化锌变阻器用电极材料的硼硅酸铅系玻璃里，至少含有0.1-30.0％(重量)的MnO₂的组成系列是一必要条件。

    另一方面，由于抗冲击电流特性、高温负载寿命特性除了MnO₂之外，尚受PbO、B₂O₃、SiO₂含量的影响，因此有必要考虑这些材料的组份。

    下面，根据表5及表6，考察一下氧化锌变阻器用电极材料中含有的硼硅酸铅系玻璃的成分对抗冲击电流特性及高温负载寿命特性的影响。PbO含量小于40.0％(重量)的组成系列玻璃，其传化温度Tg高，玻璃流动性过小，焊锡润湿性变坏。另外，PbO含量大于80.0％(重量)的组成系列的玻璃，其转化温度低，玻璃流动性过大，因而，其电极粘接强度也降低，可靠性差。B₂O₃的含量小于5.0％(重量)的组成系列中，高温负载寿命特性发生很大的恶化。还有，在B₂O₃含量大于30.0％(重量)的组成系列中，抗冲击电流特性恶化。在SiO₂的含量低于5.0％(重量)的组成系列中，抗冲击电流特性也差。另外，在SiO₂的含量大于30.0％(重量)的组成系列中，抗冲击电流特性恶化。

    由以上的结果可以明白，氧化锌变阻器用电极材料的玻璃成分之组成以PbO 40.0-80.0％(重量)，B₂O₃ 5.0-30.0％(重量)、SiO₂5.0-30.0％(重量)，MnO₂ 0.1-30.0％(重量)的范围为最合适。

    再者，可以确知，在本实施例中，作为硼硅酸铅系玻璃原料，氧化铅、氧化硼、氧化硅、氧化锰分别使用了PbO、B₂O₃、SiO₂、MnO₂的形式，但以其它形式的氧化物使用也可获得同样的特性。另外，在本实施例中，是以氧化锌变阻器用电极材料中的硼硅酸铅系玻璃的含量为5.0％(重量)的情况下作了说明，但其含量如在1.0-30.0％(重量)范围内的话，本发明的效果也不产生变化。本发明进一步使用由ZnO₂、Bi₂O₃b、Co₃O₄、MnO₂、NiO、Sb₂O₃、Cr₂O₃、Al₂O₃组成的系列的氧化锌变阻器作为评价用的烧结体(变阻器元件1)，但含Pr₆O₁₁、CaO、BaO、MgO、K₂O、SiO₂等的氧化锌变阻器也适用作本发明的氧化锌变阻器用电极材料，其效果也无不同。实施例4

    下面，就本发明的第4实施例作一详细说明。

    首先，就添加于氧化锌变阻器用电极材料中的玻璃的调整作一叙述。从表7的组份表，定量称取PbO、B₂O₃、SiO₂、Sb₂O₃，将其在球磨机中混合同时进行粉碎，然后，在1000℃-1500℃的温度条件下在铂坩埚熔融，急冷，使之玻璃化。粗粉碎该玻璃后，再在球磨机中作微粉碎得到硼硅酸铅系玻璃料。此外，以同样方法制得由PbO70.0％(重量)B₂O₃ 15.0％(重量)、SiO₂ 15.0％(重量)组成的玻璃料，作为已有例子的硼硅酸铅玻璃料。如上所制的玻璃的转化温度(Tg)列于表7。这里，转化温度(Tg)用热分析装置测定。

    其次，以重量比5.0％称取该硼硅酸铅系玻璃料，如上所述，混合于Ag浆料(将Ag粉末(重量比为65％)溶于在丁基卡必醇中溶有乙基纤维素的漆料(重量比为30％))中，制成氧化锌变阻器用电极材料。

    为了评价如上所制得的氧化锌变阻器用电极材料，准备好分别由氧化铋(Bi₂O₃)、氧化钴(Co₃O₄)、氧化锰(MnO₂)、氧化镍(NiO)、氧化锑(Sb₂O₃)、氧化铬(Cr₂O₃)各0.5％(摩尔)Al₂O₃ 0.005％(摩尔)，其余为氧化锌(ZnO)组成的氧化锌变阻器烧结体(变阻器元件1，圆盘状，直径为13mm，厚1.5mm)。将氧化锌变阻器用电极材料掩模印刷于该烧结体的二面成直径10mm状，在800℃下烧结10分钟，成电极2，接着，焊接引线3之后，对其包覆以绝缘树脂4得到试样。

    如此所得的试样的电压比(V_1mA/V_10μA)及抗冲击电流特性示于表8。这里，电压比和限制电压比用直流恒流电源测得。另外，抗冲击电流特性由将标准波形8/20μS，峰值5000A的脉冲电流二次施加于同一方向上，测量变阻器电压(V_1mA)的变化率而得。试样数为每批10个。

                                                   表7玻璃名称                  组份比(重量％)     Tg    (℃)    PbO   B₂O₃   SiO₂  Sb₂O₃    A^*    70    15    15    0    405    B    69.9    15    15    0.1    405    C    60    15    15    10    435    D    45    15    15    25    470    E    40    15    15    30    480    F^*    35    15    15    35    510    G^*    30    34.9    35    0.1    545    H    40    29.9    30    0.1    520    I^*    89.9    5    5    0.1    315    J^*    60    0    15    25    450    K    55    5    15    25    465    L    50    30    15    5    490    M^*    40    40    15    5    515    N^*    60    15    0    25    445    0    55    15    5    25    455    P    50    15    30    5    520    Q^*    40    15    40    5    535             *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                                 表8  试样   No.  玻璃名  V_1mA/V_10μA  限制电压比  V_25A/V_1mA    抗冲击电流特性      ΔV_1mA(％)与电流同向与电流逆向    1    A^*    1.33    1.57-18.4-27.5    2    B    1.16    1.42-17.5-25.3    3    C    1.09    1.40-8.4-14.9    4    D    1.07    1.35-6.3-9.8    5    E    1.13    1.34-4.6-7.7    6    F^*    1.28    1.36-21.7-26.4    7    G^*    1.10    1.53-22.5-28.1    8    H    1.12    1.46-10.4-25.3    9    I^*    1.34    1.51-38.9-49.5    10    J^*    1.22    1.55-20.7-25.1    11    K    1.15    1.40-10.3-16.8    12    L    1.10    1.43-10.4-18.7    13    M^*    1.10    1.50-22.4-27.7    14    N^*    1.08    1.49-24.1-27.8    15    O    1.11    1.45-9.5-16.1    16    P    1.15    1.43-9.8-15.9    17    Q^*    1.14    1.48-21.4-29.7               *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

    首先，从表7及表8，考察氧化锌变阻器用电极材料中的、含于硼硅酸铅系玻璃料中的Sb₂O₃含量对电压比(电压非线性)、限制电压比特性及抗冲击电流特性的影响。与不含Sb₂O₃的已有例子比较，在含Sb₂O₃ 0.1％(重量)以上的组成系列中，电压比(电压非线性)提高，但是，如果Sb₂O₃的含量大于30.0％(重量)时，则抗冲击电流特性恶化。因此，在氧化锌变阻器用电极材料的硼硅酸铅系玻璃中，至少含有0.1-30.0％(重量)的Sb₂O₃的组成系列是一必要条件。

    另一方面，由于限制电压比特性(V_25A/V_1mA)、抗冲击电流特性除了Sb₂O₃之外，尚受PbO、B₂O₃、SiO₂含量的影响，因此有必要考虑这些材料的组份。这样，根据表7及表8，考察一下氧化锌变阻器用电极材料中含有的硼硅酸铅系玻璃的成分对限制电压比特性、抗冲击电流特性的影响。PbO含量小于40.0％(重量)的组成系列玻璃，其转化温度高，玻璃流动性过小，焊锡润湿性变坏。另外，PbO含量大于80.0％(重量)的组成系列的玻璃，其转化温度低，玻璃流动性过大，因而，电极粘接强度也降低，可靠性差。B₂O₃的含量小于5.0％(重量)的组成系列中，抗冲击电流特性严重恶化。还有，在B₂O₃含量大于30.0％(重量)的组成系列中，抗冲击电流特性很差。在SiO₂的含量低于5.0％(重量)的组成系列中，抗冲击电流特性也很差。而且，在SiO₂的含量大于30.0％(重量)的组成系列中，抗冲击电流特性恶化。

    由以上的结果可以明白，氧化锌变阻器用电极材料的玻璃成分之组成以PbO 40.0-80.0％(重量)，B₂O₃ 5.0-30.0％(重量)、SiO₂5.0-30.0％(重量)，Sb₂O₅ 0.1-30.0％(重量)的范围为最合适。

    再者，可以确知，在本实施例中，作为硼硅酸铅系玻璃原料，氧化铅、氧化硼、氧化硅、氧化锑分别使用了PbO、B₂O₃、SiO₂、Sb₂O₃的形式，但以其它的氧化物形式使用也可获得同样的特性。另外，在本实施例中，是以氧化锌变阻器用电极材料中的硼硅酸铅系玻璃的含量为5.0％(重量)的情况下作了说明，但其含量如在1.0-30.0％(重量)范围内的话，本发明的效果也不产生变化。本发明进一步使用由ZnO₂、Bi₂O₃、Co₃O₄、MnO₂、NiO、Sb₂O₃、Cr₂O₃、Al₂O₃组成的系列的氧化锌变阻器作为评价用的烧结体，但含Pr₆O₁₁、CaO、BaO、MgO、K₂O、SiO₂等的氧化锌变阻器也适用作本发明的氧化锌变阻器用电极材料，其效果不变。实施例5

    下面，就本发明的第5实施例作一详细说明。

    首先，就添加于氧化锌变阻器用电极材料中的玻璃料的调整作一叙述。从表3的组份表，定量称取PbO、B₂O₃、SiO₂、Y₂O₃，将其在球磨机中混合同时进行粉碎，然后，在1000℃-1500℃的温度条件下，在铂坩埚熔融，急冷使之玻璃化。粉粉碎该玻璃后，再在球磨机中作微粉碎得到硼硅酸铅系玻璃料。另外，以同样方法制得由PbO70.0％(重量)、B₂O₃ 15.0％(重量)、SiO₂ 15.0％(重量)组成的玻璃粉末，作为已有例子的硼硅酸铅玻璃。如上所制的玻璃的转化温度(Tg)列于表9。这里，转化温度(Tg)用热分析装置测得。

    接着，以重量比5.0％称取该硼硅酸铅系玻璃料，如上所述，混合于Ag浆料(将Ag粉末(重量比为65％)溶于在丁基卡必醇中溶有乙基纤维素的漆料(重量比为30％))中，制成氧化锌变阻器用电极材料。

    为了评价如上所制得的氧化锌变阻器用电极材料，准备好分别由氧化铋(BiO₂O₃)、氧化钴(Co₃O₄)、氧化锰(MnO₂)、氧化镍(NiO)、氧化锑(Sb₂O₃)、氧化铬(Cr₂O₃)各0.5％(摩尔)Al₂O₃ 0.005％(摩尔)，其余为氧化锌(ZnO)组成的氧化锌变阻器烧结体(变阻器元件1，圆盘状，直径为15mm，厚1.5mm)。将氧化锌变阻器用电极材料掩模印刷于该烧结体的二面成直径10mm状，在800℃下烧结10分钟，形成电极2，接着，焊接引线3之后，对其包覆以绝缘树脂4得到试样。

    如此所得的试样的电压比(V_1mA/V_10μA)、限制电压(V_25A/V_1mA)及抗冲击电流特性示于表10。电压比、限制电压比用直流恒流电源测量而得。抗冲击电流特性由将标准波形8/20μS，峰值5000A的脉冲电流二次施加于同一方向上，测量变阻器电压(V_1mA)的变化率而得，试样数每批10个。

                                                       表9玻璃名称                    组份比(重量％)     Tg    (℃)    PbO   B₂O₃   SiO₂   Y₂O₃    A^*    70    15    15    0    405    B    69.9    15    15    0.1    405    C    60    15    15    10    425    D    45    15    15    25    470    E    40    15    15    30    490    F^*    35    15    15    35    525    G^*    30    34.9    35    0.1    545    H    40    29.9    30    0.1    520    I^*    89.9    5    5    0.1    315    J^*    60    0    15    25    455    K    55    5    15    25    465    L    50    30    15    5    475    M^*    40    40    15    5    500    N^*    60    15    0    25    460    O    55    15    5    25    470    P    50    15    30    5    510    Q^*    40    15    40    5    530                 *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                                      表10  试样   No.  玻璃名  V_1mA/V_10μA 限制电压比  V_25A/V_1mA       抗冲击电流特性         ΔV_1mA(％)与电流同向与电流逆向    1    A^*    1.33    1.57-18.4-27.5    2    B    1.18    1.43-15.7-24.4    3    C    1.10    1.41-7.6-15.3    4    D    1.08    1.36-3.1-6.2    5    E    1.15    1.36-5.3-8.8    6    F^*    1.27    1.39-15.9-30.4    7    G^*    1.15    1.55-21.3-31.1    8    H    1.18    1.46-15.3-24.9    9    I^*    1.29    1.52-37.3-47.5    10    J^*    1.27    1.53-17.1-26.2    11    K    1.18    1.45-10.8-17.4    12    L    1.12    1.42-10.2-18.6    13    M^*    1.11    1.53-19.7-28.7    14    N^*    1.19    1.49-18.3-28.2    15    O    1.18    1.43-12.4-16.9    16    P    1.16    1.45-10.9-18.3    17    Q^*    1.19    1.47-22.1-31.7               *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

    首先，从表9及表10，考察氧化锌变阻器用电极材料中的硼硅酸铅系玻璃料中的Y₂O₃含量对电压比(电压非线性)、限制电压比特性及抗冲击电流特性的影响。与不含Y₂O₃的已有例子比较，在含Y₂O₃ 0.1％(重量)以上的组成系列中，电压比(电压非线性)提高，但是，如果Y₂O₃的含量大于30.0％(重量)时，则抗冲击电流特性恶化。因此，在氧化锌变阻器用电极材料的硼硅酸铅系玻璃里，其为至少含有0.1-30.0％(重量)的Y₂O₃的组成系列是一必要条件。

    另一方面，由于限制电压比特性(V_25A/V_1mA)、抗冲击电流特性除了Y₂O₃之外，尚受PbO、B₂O₃、SiO₂含量的影响，因此有必要考虑这些材料的组成。这样，根据表9及表10，考察一下氧化锌变阻器用电极材料中含有的硼硅酸铅系玻璃的成分对限制电压比特性、抗冲击电流特性的影响。PbO含量小于40.0％(重量)的组成系列玻璃，其转化温度高，玻璃流动性过小，焊锡润湿性变坏。而PbO含量大于80.0％(重量)的组成系列的玻璃，其转化温度低，玻璃流动性过大，因而，电极粘接强度也降低，可靠性差。B₂O₃的含量小于5.0％(重量)的组成系列中，抗冲击电流特性严重恶化。

    还有，在B₂O₃含量大于30.0％(重量)的组成系列中，抗冲击电流特性很差。在SiO₂的含量低于5.0％(重量)的组成系列中，抗冲击电流特性也很差。而且，在SiO₂的含量大于30.0％(重量)的组成系列中，抗冲击电流特性恶化。

    由以上的结果可以明白，氧化锌变阻器用电极材料的玻璃成分之组成以PbO 40.0-80.0％(重量)，B₂O₃ 5.0-30.0％(重量)、SiO₂5.0-30.0％(重量)，Y₂O₃ 0.1-30.0％(重量)的范围为最合适。

    再者，可以确知，在本实施例中，作为硼硅酸铅系玻璃原料，氧化铅、氧化硼、氧化硅、氧化锑分别使用了PbO、B₂O₃、SiO₂、Sb₂O₄的形式，但以其它氧化物的形式使用也可获得同样的特性。另外，在本实施例中，是以氧化锌变阻器用电极材料中的硼硅酸铅系玻璃的含量为5.0％(重量)的情况下作了说明，但其含量如在1.0-30.0％(重量)范围内的话，本发明的效果也不变。本发明进一步使用由ZnO₂、Bi₂O₃、Co₃O₄、MnO₂、NiO、Sb₂O₃、Co₃O₄、Cr₂O₃、Al₂O₃组成的系列的氧化锌变阻器作为评价用的烧结体，但含Pr₆O₁₁、CaO、BaO、MgO、K₂O、SiO₂等的氧化锌变阻器也适用作本发明的氧化锌变阻器用电极材料，其效果不变。实施例6

    根据下表11中的组份表栏，定量称取PbO、B₂O₃、SiO₂、Co₂O₃、Al₂O₃，以与上述实施例1同样的方法制得玻璃。该玻璃特性列于表11。其次，用该玻璃与上述实施例1同样制得氧化锌变阻器材料，涂敷于上述实施例1中所用的氧化锌变阻器元件1作为电极2。

    如此所得的试样的电压比(V_1mA/V_10μA)、限制电压比(V_50A/V_1mA)及抗冲击电流特性列于表12。电压比，限制电压比用直流恒流电源测定。抗冲击电流特性由将标准波形8/20μS，峰值为2500A的冲击电流二次施加于同一方向上测量变阻器电压(1mA)的变化率而得。另外，试样数为每批10个。

                                                       表11玻璃名称                            组份比(重量％)     Tg    (℃)   PbO    B₂O₃    SiO₂   Co₃O₄   Al₂O₃    A^* 70    15.0    15.0    0    0    405    B^* 69.9    15.0    15.0    0.1    0    405    C 69.8999    15.0    15.0    0.1    0.0001    406    D 59.99    15.0    15.0    10.0    0.01    420    E^* 50.0    15.0    15.0    20.0    0    453    F 49.9    15.0    15.0    20.0    0.1    455    G 49.0    15.0    15.0    20.0    1.0    458    H^* 48.5    15.0    15.0    20.0    1.5    463    I^* 40.0    15.0    15.0    30.0    0    475    J 40.0    14.9    15.0    30.0    0.1    476    K^* 35.0    14.9    15.0    35.0    0.1    488    L^* 30.0    34.9    35.0    0.1    0    545    M^* 30.0    34.8    35.0    0.1    0.1    549    N^* 40.0    29.9    30.0    0.1    0    520    O 40.0    29.8    30.0    0.1    0.1    526    P^* 84.8    5.0    10.0    0.1    0.1    336    Q^* 64.9    0    15.0    20.0    0.1    437    R 59.9    5.0    15.0    20.0    0.1    448    S 49.9    30.0    15.0    5.0    0.1    481    T 49.0    30.0    15.0    5.0    1.0    485    U^* 44.9    35.0    15.0    5.0    0.1    496    V^* 59.9    15.0    0    25.0    0.1    443    W 54.9    15.0    5.0    25.0    0.1    445    X 49.9    15.0    30.0    5.0    0.1    497    Y 49.0    15.0    30.0    5.0    1.0    506    Z^* 44.9    15.0    35.0    5.0    0.1    510              *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。 

                                                    表12  试样   No. 玻璃名  V_1mA/V_10μA  V_50A/V_1mA     抗冲击电流特性       ΔV_1mA(％)与电流同向与电流逆向    1    A^*    1.83    2.78-22.3-28.9    2    B^*    1.52    2.56-10.9-18.0    3    C    1.53    2.24-10.8-18.3    4    D    1.38    1.96-9.6-14.4    5    E^*    1.31    2.48-4.9-12.1    6    F    1.33    1.86-5.0-8.4    7    G    1.36    1.87-9.4-12.3    8    H^*    1.42    1.88-12.6-15.7    9    I^*    1.32    2.33-8.8-11.9    10    J    1.37    2.26-10.5-12.5    11    K^*    1.70    2.24-20.9-28.0    12    L^*    1.51    2.31-16.2-23.5    13    M^*    1.53    2.14-15.8-34.6    14    N^*    1.54    2.12-12.8-35.6    15    O    1.52    1.95-10.3-13.4    16    P^*    1.73    2.00-18.2-32.3    17    Q^*    1.41    2.21-20.3-26.1    18    R    1.39    2.19-10.8-15.4    19    S    1.40    2.31-9.8-21.7    20    T    1.47    2.25-11.6-20.2    21    U^*    1.43    2.18-20.3-22.6    22    V^*    1.38    2.24-26.3-30.1    23    W    1.42    1.96-12.1-16.8    24    X    1.38    2.11-10.9-18.0    25    Y    1.46    2.02-11.8-20.3    26    Z^*    1.51    2.38-21.5-29.6                   *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

    首先，从表11及表12，考察氧化锌变阻器用电极材料中的硼硅酸铅系玻璃料的Co₃O₄和Al₂O₃的含量对电压比(电压非线性)、限制电压比特性及抗冲击电流特性的影响。含Co₃O₄ 0.1％(重量)以上的组成系列中，电压比(电压非线性)提高，但是，如果Co₃O₄的含量大于30.0％(重量)时，则电压比(电压非线性)和抗冲击电流特性皆恶化。另外，在Al₂O₃的含量为1.0×10^-4％(重量)以上的组成系列中，其限制电压特性得到提高，但在Al₂O₃含量大于1.0％(重量)的组成系列中，电压比(电压非线性)及抗冲击电流特性恶化。

    因此，在氧化锌变阻器用电极材料中的硼硅酸铅系玻璃中，其为至少一种含有0.1-30.0％(重量)的Co₃O₄和1.0×10^-4-1.0％(重量)的Al₂O₃的组成系列是一必要条件。

    另一方面，抗冲击电流特性及电压比(电压非线性)除了Co₃O₄、Al₂O₃之外，尚受PbO、B₂O₃、SiO₂含量的影响，由与上述实施例同样的理由可以明白，氧化锌变阻器用电极材料的玻璃成分之组成以含有PbO 40.0-80.0％(重量)、B₂O₃ 5.0-30.0％(重量)、SiO 5.0-30.0％(重量)、Co₃O₄ 0.1-3.0％(重量)，再加上Al₂O₃1.0×10^-4-1.0％(重量)的范围的组成为最合适。

    另外，在本实施例中使用了氧化铝(Al₂O₃)，但可以确知，如不用氧化铝，而使用1.0×10^-4-1.0％(重量)的氧化铟(In₂O₃)、氧化镓(Ga₂O₃)及氧化锗(GeO₂)中至少一种也可以得到同样的结果。而且，还可确知，复合使用这些氧化物也能得到同样效果。实施例7

    根据表13的组份比，定量称取PbO、B₂O₃、SiO₂、MgO、Al₂O₃，以与上述实施例同样的方法制作玻璃，其玻璃特性列于表13。

    然后，用该玻璃，按上述实施例同样制得氧化锌变阻器用电极材料，涂敷于上述实施例中所用的变阻器元件1，并以同样的方法进行评价。其结果列于表14。

                                                       表13 玻璃名称                                组份比(重量)％     Tg    (℃)    PbO    B₂O₃    SiO₂    MgO    Al₂O₃    A^*    70    15.0    15.0    0    0    405    B^*    69.9    15.0    15.0    0.1    0    405    C    69.8999    15.0    15.0    0.1    0.0001    406    D    59.99    15.0    15.0    10.0    0.01    420    E^*    50.0    15.0    15.0    20.0    0    410    F    49.9    15.0    15.0    20.0    0.1    416    G    49.0    15.0    15.0    20.0    1.0    422    H^*    48.5    15.0    15.0    20.0    1.5    430    I^*    40.0    15.0    15.0    30.0    0    420    J    40.0    14.9    15.0    30.0    0.1    426    K^*    35.0    14.9    15.0    35.0    0.1    445    L^*    30.0    34.9    35.0    0.1    0    545    M^*    30.0    34.8    35.0    0.1    0.1    552    N^*    40.0    29.9    30.0    0.1    0    520    O    40.0    29.8    30.0    0.1    0.1    526    P^*    84.8    5.0    10.0    0.1    0.1    336    Q^*    64.9    0    15.0    20.0    0.1    405    R    59.9    5.0    15.0    20.0    0.1    410    S    49.9    30.0    15.0    5.0    0.1    471    T    49.0    30.0    15.0    5.0    1.0    480    U^*    44.9    35.0    15.0    5.0    0.1    493    V^*    59.9    15.0    0    25.0    0.1    420    W    54.9    15.0    5.0    25.0    0.1    435    X    49.9    15.0    30.0    5.0    0.1    496    Y    49.0    15.0    30.0    5.0    1.0    502    Z^*    44.9    15.0    35.0    5.0    0.1    506                    *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。 

                                                     表14  试样   No. 玻璃名  V_1mA/V_10μA  V_50A/V_1mA     抗冲击电流特性       ΔV_1mA(％)与电流同向与电流逆向    1    A^*    1.83    2.78-22.3-28.9    2    B^*    1.50    2.48-11.2-18.3    3    C    1.49    2.16-10.7-18.8    4    D    1.36    1.93-5.9-8.7    5    E^*    1.24    1.88-5.3-7.8    6    F    1.29    1.80-4.0-7.2    7    G    1.33    1.86-8.1-11.4    8    H^*    1.41    1.89-13.2-16.0    9    I^*    1.35    2.44-7.4-11.7    10    J    1.38    2.19-9.6-13.2    11    K^*    1.69    2.32-19.1-30.6    12    L^*    1.51    2.46-17.8-24.1    13    M^*    1.55    2.08-15.3-33.7    14    N^*    1.45    2.49-11.4-28.4    15    O    1.55    1.92-10.5-14.2    16    P^*    1.71    2.02-18.0-27.7    17    Q^*    1.40    2.30-13.9-31.4    18    R    1.35    2.13-11.6-12.7    19    S    1.37    2.24-12.1-13.8    20    T    1.41    2.20-12.5-19.1    21    U^*    1.43    2.08-19.4-28.5    22    V^*    1.41    2.12-25.5-30.6    23    W    1.40    1.93-11.3-17.3    24    X    1.37    2.09-9.4-17.7    25    Y    1.44    1.97-10.9-18.9    26    Z^*    1.53    2.21-20.6-30.1                 *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

    首先，从表13及表14，考察一下氧化锌变阻器用电极材料中的、含于硼硅酸铅系玻璃料中的MgO及Al₂O₃的含量对电压比(电压非线性)、限制电压比特性及抗冲击电流特性的影响。在含MgO0.1％(重量)以上的组成系列中，电压比(电压非线性)提高，但是，如果MgO的含量大于30.0％(重量)时，则抗冲击电流特性恶化。另外，在Al₂O₃的含量为1.0×10^-4％(重量)以上的组成系列中，其限制电压特性得到提高，但在Al₂O₃含量大于1.0％(重量)的组成率列中，电压比(电压非线性)及抗冲击电流特性恶化。

    因此，在氧化锌变阻器用电极材料中的硼硅酸铅系玻璃中，含有0.1-30.0％(重量)的MgO和1.0×10^-4-1.0％(重量)的Al₂O₃的组成系列是一必要条件。

    另一方面，抗冲击电流特性及电压比(电压非线性)除了MgO、Al₂O₃的含量外，也受PbO、B₂O₃、SiO₂含量的影响，由与上述实施例同样的理由可以明白，氧化锌变阻器用电极材料的玻璃成分之组成以含有PbO 40.0-80.0％(重量)、B₂O₃ 5.0-30.0％(重量)、SiO5.0-30.0％(重量)、MgO 0.1-3.0％(重量)，且含有至少一种选自Al₂O₃、In₂O₃、Ga₂O₃、GeO₂的1.0×10^-4-1.0％(重量)的元素范围为最合适。

    在实施例中使用了氧化铝(Al₂O₃)，但如不用氧化铝，而使用氧化铟(In₂O₃)、氧化镓(Ga₂O₃)及氧化锗(GeO₂)也可得到同样的效果。另外，还可以确知，复合使用这些氧化物也能得到同样效果。实施例8    

    下面，就本发明的第8个实施例作一详细说明。

    根据下表15的组份比，定量称取PbO、B₂O₃、SiO₂、Y₂O₃、A₂O₃，按与上述实施例同样的方法制造玻璃。该玻璃的特性列于表15。

    接着，用该玻璃与上述实施例同样地制作氧化锌变阻器用电极材料，涂敷于上述实施例中所用的变阻器元件1上形成电极，并以同样的方法作评价。其结果列于表16。

                                                      表15玻璃名称                              组份比(重量％)     Tg    (℃)    PbO    B₂O₃    SiO₂    Y₂O₃  Al₂O₃    A^*    70    15.0    15.0    0    0    405    B^*    69.9    15.0    15.0    0.1    0    405    C    69.8999    15.0    15.0    0.1    0.0001    406    D    59.99    15.0    15.0    10.0    0.01    427    E^*    50.0    15.0    15.0    20.0    0    460    F    49.9    15.0    15.0    20.0    0.1    465    G    49.0    15.0    15.0    20.0    1.0    467    H^*    48.5    15.0    15.0    20.0    1.5    473    I^*    40.0    15.0    15.0    30.0    0    490    J    40.0    14.9    15.0    30.0    0.1    496    K^*    35.0    14.9    15.0    35.0    0.1    526    L^*    30.0    34.9    35.0    0.1    0    545    M^*    30.0    34.8    35.0    0.1    0.1    544    N^*    40.0    29.9    30.0    0.1    0    520    O    40.0    29.8    30.0    0.1    0.1    523    P^*    84.8    5.0    10.0    0.1    0.1    330    Q^*    64.9    0    15.0    20.0    0.1    453    R    59.9    5.0    15.0    20.0    0.1    459    S    49.9    30.0    15.0    5.0    0.1    478    T    49.0    30.0    15.0    5.0    1.0    487    U^*    44.9    35.0    15.0    5.0    0.1    493    V^*    59.9    15.0    0    25.0    0.1    463    W    54.9    15.0    5.0    25.0    0.1    478    X    49.9    15.0    30.0    5.0    0.1    510    Y    49.0    15.0    30.0    5.0    1.0    517    Z^*    44.9    15.0    35.0    5.0    0.1    524                    *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。 

                                                     表16  试样   No.  玻璃名  V_1mA/V_10μA  V_50A/V_1mA      抗冲击电流特性        ΔV_1mA(％)与电流同向与电流逆向    1    A^*    1.83    2.78-22.3-28.9    2    B^*    1.52    2.57-10.8-18.3    3    C    1.49    2.32-11.4-18.6    4    D    1.40    2.01-8.9-15.4    5    E^*    1.33    2.51-3.8-7.2    6    F    1.36    1.92-6.7-7.5    7    G    1.40    1.91-8.9-13.6    8    H^*    1.39    1.94-11.3-14.2    9    I^*    1.40    2.38-9.2-12.5    10    J    1.35    2.22-11.6-13.3    11    K^*    1.66    2.19-10.3-27.9    12    L^*    1.52    2.33-15.6-28.3    13    M^*    1.49    2.17-15.8-31.5    14    N^*    1.53    2.09-18.2-34.2    15    O    1.48    2.10-11.3-12.9    16    P^*    1.74    2.13-20.3-29.8    17    Q^*    1.43    2.24-21.1-26.7    18    R    1.40    2.18-9.3-11.5    19    S    1.41    2.29-7.8-18.4    20    T    1.46    2.24-10.3-19.8    21    U^*    1.40    2.12-19.7-24.3    22    V^*    1.37    2.30-25.8-31.0    23    W    1.46    1.82-11.8-17.1    24    X    1.39    2.16-10.2-17.3    25    Y    1.45    1.99-10.9-19.5    26    Z^*    1.49    2.33-20.4-28.1                          *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

    首先，从表15及表16，考察一下氧化锌变阻器用电极材料中的、含于硼硅酸铅系玻璃料中的Y₂O₃及Al₂O₃的含量对电压比(电压非线性)、限制电压比特性及抗冲击电流特性的影响。在含Y₂O₃0.1％(重量)以上的组成系列中，电压比(电压非线性)提高，但是，如果Y₂O₃的含量大于30.0％(重量)时，则电压比(电压非线性)及抗冲击电流特性皆恶化。另外，在Al₂O₃的含量为1.0×10^-4％(重量)以上的组成系列中，其限制电压特性得到提高，但在Al₂O₃含量大于1.0％(重量)的组成系列中，其抗冲击电流特性恶化。

    因此，在氧化锌变阻器用电极材料中的硼硅酸铅系玻璃中，其为含有0.1-30.0％(重量)的Y₂O₃和1.0×10^-4-1.0％(重量)的Al₂O₃的组成系列是一必要条件。

    另一方面，由于抗冲击电流特性及电压比(电压非线性)除了Y₂O₃、Al₂O₃的含量之外，尚受PbO、B₂O₃、SiO₂含量的影响，根据如上述实施例同样的理由，可以明白，氧化锌变阻器用电极材料的玻璃成分之组成以含有PbO 40.0-80.0％(重量)、B₂O₃ 5.0-30.0％(重量)、SiO 5.0-30.0％(重量)、Y₂O₃ 0.1-30.0％(重量)的范围，且含有至少一种选自Al₂O₃、In₂O₃、Ga₂O₃、GeO₂的元素为1.0×10^-4-1.0％(重量)的组成为最合适。

    另外，在本实施例中是用了氧化铝(Al₂O₃)，但如不用氧化铝(Al₂O₃)，而使用氧化铟(In₂O₃)、氧化镓(Ga₂O₃)及氧化锗(GeO₂)，也可得到同样的效果。复合使用这些氧化物也能得到同样效果。

    实施例9

    下面，就本发明的第9个实施例作一详细说明。

    根据下表17的组份比，定量称取PbO、B₂O₃、SiO₂、Sb₂O₃、Al₂O₃，按与上述实施例同样的方法制作玻璃。该玻璃的特性列于表17。

    其次，用该玻璃，与上述实施例同样地制作氧化锌变阻器用电极材料，涂敷于在上述实施例中所用的变阻器元件1上形成电极2，以同样的方法作评价。其结果列于表18。

                                                        表17玻璃名称                             组份比(重量)％     Tg    (℃)    PbO    B₂O₃    SiO₂    Sb₂O₃    Al₂O₃    A^*    70    15.0    15.0    0    0    405    B^*    69.9    15.0    15.0    0.1    0    405    C    69.8999    15.0    15.0    0.1    0.0001    407    D    59.99    15.0    15.0    10.0    0.01    438    E^*    50.0    15.0    15.0    20.0    0    460    F    49.9    15.0    15.0    20.0    0.1    463    G    49.0    15.0    15.0    20.0    1.0    468    H^*    48.5    15.0    15.0    20.0    1.5    471    I^*    40.0    15.0    15.0    30.0    0    480    J    40.0    14.9    15.0    30.0    0.1    487    K^*    35.0    14.9    15.0    35.0    0.1    520    L^*    30.0    34.9    35.0    0.1    0    545    M^*    30.0    34.8    35.0    0.1    0.1    550    N^*    40.0    29.9    30.0    0.1    0    520    O    40.0    29.8    30.0    0.1    0.1    526    P^*    84.8    5.0    10.0    0.1    0.1    339    Q^*    64.9    0    15.0    20.0    0.1    452    R    59.9    5.0    15.0    20.0    0.1    457    S    49.9    30.0    15.0    5.0    0.1    498    T    49.0    30.0    15.0    5.0    1.0    522    U^*    44.9    35.0    15.0    5.0    0.1    535    V^*    59.9    15.0    0    25.0    0.1    451    W    54.9    15.0    5.0    25.0    0.1    464    X    49.9    15.0    30.0    5.0    0.1    526    Y    49.0    15.0    30.0    5.0    1.0    531    Z^*    44.9    15.0    35.0    5.0    0.1    540                                *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                                         表18  试样   No.  玻璃名 V_1mA/V_10μA  V_50A/V_1mA     抗冲击电流特性       ΔV_1mA(％)与电流同向与电流逆向    1    A^*    1.83    2.78-22.3-28.9    2    B^*    1.61    2.52-11.0-18.3    3    C    1.55    2.36-10.5-17.9    4    D    1.38    2.12-9.3-14.2    5    E^*    1.35    2.23-6.8-9.2    6    F    1.36    1.92-7.7-8.3    7    G    1.39    1.87-10.9-12.4    8    H^*    1.37    1.89-13.3-15.2    9    I^*    1.41    2.34-9.6-12.9    10    J    1.35    2.15-10.8-13.4    11    K^*    1.45    2.29-14.3-29.9    12    L^*    1.54    2.31-15.8-28.5    13    M^*    1.48    2.48-16.1-32.0    14    N^*    1.53    2.16-17.2-34.7    15    O    1.45    2.13-12.3-13.6    16    P^*    1.69    2.10-20.7-30.4    17    Q^*    1.41    2.41-21.5-27.1    18    R    1.43    2.28-9.7-12.0    19    S    1.43    2.39-10.9-17.4    20    T    1.45    2.24-11.3-18.7    21    U^*    1.46    2.31-20.3-25.9    22    V^*    1.40    2.29-26.7-32.8    23    W    1.45    2.02-12.8-16.8    24    X    1.42    2.21-12.1-17.2    25    Y    1.46    1.96-11.2-18.3    26    Z^*    1.47    2.27-21.4-27.5                          *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

    首先，从表17及表18，考察一下氧化锌变阻器用电极材料中的、含于硼硅酸铅系玻璃料中的Sb₂O₃、Al₂O₃的含量对电压比(电压非线性)、限制电压比特性及抗冲击电流特性的影响。在含Sb₂O₃0.1％(重量)以上的组成系列中，电压比(电压非线性)及抗冲击电流特性提高，但是，如果Sb₂O₃的含量大于30.0％(重量)时，则电压比(电压非线性)及抗冲击电流特性恶化。另外，在Al₂O₃的含量为1.0×10^-4％(重量)以上的组成系列中，限制电压比特性得到提高，但在Al₂O₃含量大于1.0％(重量)的组成系列中，其抗冲击电流特性恶化。

    因此，在氧化锌变阻器用电极材料中的硼硅酸铅系玻璃中，所述玻璃料为含有0.1-30.0％(重量)的Sb₂O₃和1.0×10^-4-1.0％(重量)的Al₂O₃的组成系列是一必要条件。

    另一方面，抗冲击电流特性及电压比(电压非线性)除了Sb₂O₃、Al₂O₃的含量之外，尚受PbO、B₂O₃、SiO₂的含量的影响，根据与上述实施例同样的理由，可以明白，氧化锌变阻器用电极材料的玻璃成分之组成以PbO 40.0-80.0％(重量)、B₂O₃ 5.0-30.0％(重量)，SiO₂ 5.0-30.0％(重量)，Sb₂O₃ 0.1-30.0％(重量)，且含有至少一种选自Al₂O₃、In₂O₃、Ga₂O₃、GeO₂的元素1.0×10^-4-1.0％(重量)的组成范围为最合适。

    在本实施例中是使用了氧化铝(Al₂O₃)，但是，如不使用氧化铝，而使用氧化铟(In₂O₃)、氧化镓(Ga₂O₃)及氧化锗(GeO₂)也可以得到同样效果。另外，可以确知，复合使用这些氧化物也可得到同样效果。实施例10

    下面，就本发明的第10个实施例作一详细说明。

    根据表19，定量称取PbO、B₂O₃、SiO₂、MnO₂、Al₂O₃，用与上述实施例同样的方法，制作玻璃，该玻璃特性示于表19。

    接着，用该玻璃，与上述实施例同样制作氧化锌变阻器用电极材料，涂敷于上述实施例中所用的变阻器元件1上形成电极2，以同样的方法作评价。其结果示于表20。

                                                          表19玻璃名称                             组份比(重量％)     Tg    (℃)    PbO    B₂O₃    SiO₂    MnO₂    Al₂O₃    A^*    70    15.0    15.0    0    0    405    B^*    69.9    15.0    15.0    0.1    0    405    C    69.8999    15.0    15.0    0.1    0.0001    405    D    59.99    15.0    15.0    10.0    0.01    431    E^*    50.0    15.0    15.0    20.0    0    470    F    49.9    15.0    15.0    20.0    0.1    473    G    49.0    15.0    15.0    20.0    1.0    480    H^*    48.5    15.0    15.0    20.0    1.5    485    I^*    40.0    15.0    15.0    30.0    0    495    J    40.0    14.9    15.0    30.0    0.1    502    K^*    35.0    14.9    15.0    35.0    0.1    533    L^*    30.0    34.9    35.0    0.1    0    545    M^*    30.0    34.8    35.0    0.1    0.1    551    N^*    40.0    29.9    30.0    0.1    0    520    O    40.0    29.8    30.0    0.1    0.1    525    P^*    84.8    5.0    10.0    0.1    0.1    327    Q^*    64.9    0    15.0    20.0    0.1    458    R    59.9    5.0    15.0    20.0    0.1    466    S    49.9    30.0    15.0    5.0    0.1    490    T    49.0    30.0    15.0    5.0    1.0    500    U^*    44.9    35.0    15.0    5.0    0.1    515    V^*    59.9    15.0    0    25.0    0.1    457    W    54.9    15.0    5.0    25.0    0.1    460    X    49.9    15.0    30.0    5.0    0.1    519    Y    49.0    15.0    30.0    5.0    1.0    528    Z^*    44.9    15.0    35.0    5.0    0.1    536                                  *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。 

                                                        表20  试样   No.  玻璃名  V_1mA/V_10μA   V_50A/V_1mA     抗冲击电流特性       ΔV_1mA(％)与电流同向与电流逆向    1    A^*    1.83      2.78-22.3-28.9    2    B^*    1.53      2.56-11.1-17.8    3    C    1.49      2.36-9.9-12.4    4    D    1.38      1.89-5.1-8.7    5    E^*    1.32      2.39-7.8-13.6    6    F    1.37      1.92-12.7-14.9    7    G    1.41      1.89-9.5-13.0    8    H^*    1.45      1.91-12.3-16.3    9    I^*    1.39      2.20-9.7-12.6    10    J    1.44      2.18-11.6-13.4    11    K^*    1.58      2.07-18.9-29.2    12    L^*    1.52      2.29-16.3-24.1    13    M^*    1.49      2.21-14.9-35.5    14    N^*    1.50      2.20-12.6-33.1    15    O    1.48      1.88-11.6-14.2    16    P^*    1.69      1.93-16.9-30.3    17    Q^*    1.43      2.23-19.7-28.9    18    R    1.38      2.12-11.4-14.7    19    S    1.42      2.29-10.2-23.1    20    T    1.48      2.24-10.9-20.5    21    U^*    1.45      2.33-21.5-23.3    22    V^*    1.39      2.27-25.8-31.4    23    W    1.40      1.95-12.3-15.9    24    X    1.39      2.16-11.7-17.4    25    Y    1.45      1.98-10.9-19.1    26    Z^*    1.50      2.30-20.8-30.2                               *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

    首先，从表19及表20，考察一下氧化锌变阻器用电极材料中的、含于硼硅酸铅系玻璃料中的MnO₂及Al₂O₃的含量对电压比(电压非线性)、限制电压比特性及抗冲击电流特性的影响。在含MnO₂0.1％(重量)以上的组成系列中，电压比(电压非线性)及抗冲击电流特性提高，但是，在MnO₂的含量大于30.0％(重量)的组成系列中，则电压非线性及抗冲击电流特性皆恶化。另外，在Al₂O₃的含量为1.0×10^-4％(重量)的组成系列中，限制电压比特性得到提高，但在Al₂O₃的含量大于1.0％(重量)的组成系列中，抗冲击电流特性恶化。

    因此，在氧化锌变阻器用电极材料中的硼硅酸铅系玻璃中，含有0.1-30.0％(重量)的MnO₂和1.0×10^-4～1.0％(重量)的Al₂O₃的组成系列是一必要条件。

    另一方面，抗冲击电流特性及电压比(电压非线性)除MnO₂、Al₂O₃的含量外，尚受PbO、B₂O₃、SiO₂的含量的影响，根据与上述实施例同样的理由，可以明白，氧化锌变阻器用电极材料的玻璃成分之组成以PbO 40.0-80.0％(重量)、B₂O₃ 5.0-30.0％(重量)，SiO₂ 5.0-30.0％(重量)，MnO₂ 0.1-30.0％(重量)，且含有至少一种选自Al₂O₃、In₂O₃、Ga₂O₃、GeO₂的元素1.0×10^-4-1.0％(重量)的组成范围为最合适。

    另外，在本实施例中是使用了氧化铝(Al₂O₃)，但确知，如果不用氧化铝而使用氧化铟(In₂O₃)、氧化镓(Ga₂O₃)及氧化锗(GeO₂)也可以得到同样的效果。

    再者，可以确知，在上述实施例6-10中作为硼硅酸铅系玻璃原料的氧化铅、氧化硼、氧化硅、氧化锰分别使用了PbO、B₂O₃、SiO₂、MnO₂的形式，但使用其它形式的氧化物也可获得同样的特性。另外，在本实施例6-10中，是以氧化锌变阻器用电极材料中的硼硅酸铅系玻璃的含量为5.0％(重量)的情况作了说明，但其含量在1.0-30.0％(重量)范围内的话，本发明的效果也不变。本发明进一步使用由ZnO、Bi₂O₃、Co₃O₄、MnO₂、NiO、TiO₂、Sb₂O₃、Cr₂O₃、Al₂O₃组成的系列的氧化锌变阻器作为评价用的烧结体(变阻器元件1)，但，含Pr₆O₁₁、GaO、BaO、MgO、K₂O、SiO₂等的氧化锌变阻器，也适用作本发明的氧化锌变阻器用电极材料，其效果也不变。另外，确知复合使用这些氧化物也可得到同样的效果。实施例11

    下面，就本发明的第11个实施例作一详细说明。

    首先，就添加于氧化锌变阻器用电极材料中的玻璃料的调整作一叙述。从表21的组份表定量称取PbO、B₂O₃、SiO₂、TeO₂，将其在球磨机中混合同时进行粉碎，然后，在铂坩埚中，在1000℃-1500℃的温度条件下熔融，急冷，使之玻璃化。粗粉碎该玻璃后，再在球磨机中作微粉碎得到硼硅酸铅系玻璃料。此外，以同样方法制得由PbO 70.0％(重量)、B₂O₃ 15.0％(重量)、SiO₂ 15.0％(重量)组成的玻璃料作为已有例子的硼硅酸铅玻璃料。如上所制的玻璃的转化温度(Tg)示于表21。这里，转化温度(Tg)用热分析装置测定。

    其次，以重量比5.0％定量称取该硼硅酸铝系玻璃料，如上所述，混合于Ag浆料(将Ag粉末(重量比为65％)溶于在丁基卡必醇中溶有乙基纤维素的漆料(重量比为30％))中，制成氧化锌变阻器用电极材料。

    为了评价如上所制得的氧化锌变阻器用电极材料，准备好分别由氧化铋(Bi₂O₃)、氧化钴(Co₃O₄)、氧化锰(MnO₂)、氧化镍(NiO)、氧化锑(Sb₂O₃)、氧化铬(Cr₂O₃)各0.5％(摩尔)，Al₂O₃ 0.005％(摩尔)，其余为氧化锌(ZnO)组成的氧化锌变阻器烧结体(变阻器元件1，圆盘状，直径为13mm，厚1.5mm)。将氧化锌变阻器用电极材料掩模印刷于该烧结体的二面成直径10mm状，在750℃下烧结10分钟，形成电极2，接着，焊接引线3之后，对其包覆以绝缘树脂4得到试样。

    如此所得的试样的电压比(电压非线性，为V_1mA/V_10μA)，限制电压比特性(V_50A/V_1mA)及抗冲击电流特性，示于下表22。电压比(电压非线性)、限制电压比特性(V_50A/V_1mA)，由使用直流恒流电源测量而得。另外，抗冲击电流特性由将标准波形8/20μS、峰值5000A的冲击电流二次施加于同一方向上，测量变阻器电压(V_1mA)的变化率而得。试样数为每批10个。

                                                  表21玻璃名称                   组份比(重量％)     Tg    (℃)    PbO    B₂O₃    SiO₂    TeO₂    A^*    70.0    15.0    15.0    0    405    B    69.9    15.0    15.0    0.1    405    C    60.0    15.0    15.0    10.0    400    D    50.0    15.0    15.0    20.0    405    E    40.0    15.0    15.0    30.0    420    F^*    40.0    10.0    15.0    35.0    425    G^*    30.0    30.0    30.0    10.0    580    H    79.9    10.0    10.0    0.1    360    I^*    84.9    10.0    5.0    0.1    345    J^*    70.0    0    20.0    10.0    470    K    65.0    5.0    20.0    10.0    485    L^*    50.0    5.0    35.0    10.0    560    M^*    70.0    20.0    0    10.0    460    N^*    50.0    35.0    5.0    10.0    545                             *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                                     表22  试样   No.  玻璃名  V_1mA/V_10μA  V_50A/V_1mA     抗冲击电流特性       ΔV_1mA(％)与电流同向与电流逆向    1    A^*    1.42    1.67-18.4-27.5    2    B    1.25    1.53-16.4-24.8    3    C    1.06    1.48-4.2-7.3    4    D    1.20    1.47-5.1-8.9    5    E    1.23    1.47-7.5-11.6    6    F^*    1.35    1.68-19.3-26.9    7    G^*    1.37    1.57-18.4-27.1    8    H    1.26    1.48-8.9-10.2    9    I^*    1.29    1.51-12.8-21.7    10    J^*    1.36    1.49-10.3-18.5    11    K    1.22    1.45-9.7-18.0    12    L^*    1.33    1.46-22.2-34.5    13    M^*    1.25    1.47-17.0-22.8    14    N^*    1.22    1.50-19.6-21.3                         *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

    首先，从表21及表22，考察一下氧化锌变阻器用电极材料中的、含于硼硅酸铅系玻璃料中的TeO₂的含量对电压比(电压非线性)、限制电压比特性及抗冲击电流特性的影响。如表22的试样No2所示，在TeO₂的含量为0.1％(重量)以上的组成系列中，电压比(电压非线性)得到提高，但又如表22的6号试样所示，在TeO₂的含量大于30.0％(重量)的组成系列中，限制电压比特性、抗冲击电流特性皆恶化。

    因此，在氧化锌变阻器用电极材料中的硼硅酸铅系玻璃中，其为至少含有0.1-30.0％(重量)的TeO₂的组成系列是一必要条件。

    另一方面，由于抗冲击电流特性除了TeO₂之外，尚受PbO、B₂O₃、SiO₂的含量的影响，因此有必要考虑这些材料的组成。这样，根据表21及表22考察一下氧化锌变阻器用电极材料含有的硼硅酸铅系玻璃的成分对限制电压比特性、抗冲击电流特性的影响。如表21的玻璃G的PbO含量小于40.0％(重量)的组成系列的玻璃，其转化温度(Tg)高，玻璃流动性过小，焊锡润湿性变坏。另外，如21的玻璃I的PbO含量大于80.0％(重量)的组成系列的玻璃，其转化温度Tg低，玻璃流动性过大，因而，电极粘接强度也降低，可靠性差。如表22的10号试样所示的B₂O₃的含量小于5.0％(重量)的组成系列中，电压比(电压非线性)差。还有，如表22的14号试橛所示的，在B₂O₃含量大于30.0％(重量)的组成系列中，抗冲击电流特性很差。如表22的13号试样所示的，在SiO₂的含量低于5.0％(重量)的组成系列中，抗冲击电流特性也很差。又，如表22的12号试样所示的，在SiO₂的含量大于30.0％(重量)的组成系列中，抗冲击电流特性恶化。

    由以上的结果可以明白，氧化锌变阻器用电极材料的玻璃成分之组成以PbO 40.0-80.0％(重量)、B₂O₃ 5.0-30.0％(重量)，SiO₂5.0-30.0％(重量)，TeO₂ 0.1-30.0％(重量)的范围为最合适。实施例12

    下面，就本发明的第12个实施例作一详细说明。

    根据表23的组份比定量称取PbO、B₂O₃、SiO₂、TeO₂、Al₂O₃、In₂O₃、Ga₂O₃、GeO₂，用与上述实施例同样的方法制作玻璃，其特征示于表23。

    其次，用该玻璃与上述实施例同样，制作氧化锌变阻器用电极材料，并涂敷于上述实施例中所用的变阻器元件1上形成电极2，用同样方法评价。其结果示于表24。

                                                       表23玻璃名称                                            组份比(重量％)  Tg (℃)    PbO B₂O₃ SiO₂ TeO₂    Al₂O₃    In₂O₃    Ga₂O₃    GeO₂    C    60.0 15.0 15.0 10.0    0    0    0    0 400    O    59.9999 15.0 15.0 10.0    0.0001    0    0    0 400    P    59.9 15.0 15.0 10.0    0.1    0    0    0 395    Q    59.9 15.0 15.0 10.0    0.05    0.05    0    0 395    R    59.9 15.0 15.0 10.0    0    0.1    0    0 390    S    59.9 15.0 15.0 10.0    0    0    0.1    0 400    T    59.9 15.0 15.0 10.0    0    0    0    0.1 395    U^*    58.5 15.0 15.0 10.0    1.5    0    0    0 400    V^*    58.5 15.0 15.0 10.0    0.05    0.05    0.05    0 395                            *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                                       表24  试样   No.  玻璃名  V_1mA/V_10μA V_50A/V_1mA    抗冲击电流特性      ΔV_1mA(％)  与电流同向  与电流逆向    3    C    1.06    1.48    -4.2    -7.3    15    O    1.06    1.40    -4.0    -7.5    16    P    1.07    1.34    -4.5    -8.2    17    Q    1.07    1.35    -5.3    -8.7    18    R    1.10    1.33    -6.8    -10.0    19    S    1.08    1.36    -5.9    -11.8    20    T    1.09    1.35    -3.7    -7.1    21    U^*    1.37    1.38    -16.3    -24.9    22    V^*    1.41    1.37    -17.2    -30.3                            *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。  

    首先，从表23及表24考察一下氧化锌变阻器用电极材料中的、含于硼硅酸铅系玻璃料中的Al₂O₃、In₂O₃、Ga₂O₃、GeO₂的含量对电压比(电压非线性)、限制电压比特性及抗冲击电流特性的影响。

    如表24的15-20号试样所示，在含至少一种选自Al₂O₃、In₂O₃、Ga₂O₃、GeO₂的元素为1.0×10^-4％(重量)以上的组成系列中，其限制电压比特性提高，但又如表24的21、22号试样所示地，在上述元素的添加总量大于1.0％(重量)的组成系列中，电压比(电压非线性)及抗冲击电流特性恶化。

    因此，在氧化锌变阻器用电极材料中的硼硅酸铅系玻璃中，其为含有至少一种选自Al₂O₃、In₂O₃、Ga₂O₃、GeO₂的元素1.0×10^-4-1.0％(重量)的组成系列是一必要条件。

    另一方面，抗冲击电流量特性除了Al₂O₃、In₂O₃、Ga₂O₃、GeO₂的含量之外，尚受PbO、B₂O₃、SiO₂、TeO₂的含量的影响，根据与上述实施例同样的理由可以明白，氧化锌变阻器用电极材料的玻璃成分的组成以PbO 40.0-80.0％(重量)、B₂O₃ 5.0-30.0％(重量)、SiO₂ 5.0-30.0％(重量)、TeO₂ 0.1-30.0％(重量)，且含有至少一种选自Al₂O₃、In₂O₃、Ga₂O₃、GeO₂的元素1.0×10^-4-1.0％(重量)的组成范围组成为最合适。

    又如表24的17号试样所示，复合使用Al₂O₃、In₂O₃、Ga₂O₃、GeO₂等的氧化物也可得到同样的效果。

    再者，可以确知，在本实施例中作为硼硅酸铅系玻璃原料的氧化铅、氧化硼、氧化硅、氧化碲、氧化铟，分别使用了PbO、B₂O₃、SiO₂、TeO₂、In₂O₃的形式，但用其它形式的氧化物也可获得同样的特性。另外，在本实施例中，是以氧化锌变阻器用电极材料中的硼硅酸铅系玻璃的含量为5.0％(重量)的情况作了说明，但其含量在1.0-30.0％(重量)范围内的话，本发明的效果也不变。本发明进一步使用由ZnO、Bi₂O₃、Co₃O₄、MnO₂、NiO、Sb₂O₃、Cr₂O₃、Al₂O₃组成的系列的氧化锌变阻器作为评价用的烧结体(变阻器元件1)，但，含Pr₆O₁₁、GaO、BaO、MgO、K₂O、SiO₂等的氧化锌变阻器也适用作本发明的氧化锌变阻器用电极材料，其效果也不变。其次，就将含有镧系元素氧化物的硼硅酸铅系玻璃与上述实施例同样玻璃化，并与上述实施例同样将此玻璃料混合于Ag浆料中，涂敷于经烧结的变组器元件1上形成电极2情况作一说明。

    此时的硼硅酸铅系玻璃含镧系元素氧化物(0.1-30.0％(重量))及氧化硼(5.0-30.0％(重量))，氧化硅(5.0-30.0％(重量))，氧化铅(40.0-80.0％(重量))。

    表25、26所示为使用了氧化镧(La₂O₃)的例子，其含量如在0.1％(重量)以上时，则电压比(电压非线性)良好。其含量如大于30.0％(重量)则转化温度Tg变高，难以扩散入变阻器元件1中，抗冲击电流特性恶化。

    当氧化硼含量小于5.0％(重量)时，电压比(电压非线性)恶化，而大于30.0％(重量)则抗冲击电流特性恶化。

    另外，氧化硅含量小于5.0％(重量)时，抗冲击电流特性恶化，而大于30.0％(重量)时，则电压比(电压非线性)、抗冲击电流特性皆恶化。

                                                         表25玻璃名称                    组份比(重量％)   Tg   (℃)    PbO    B₂O₃    SiO₂    La₂O₃    A^*    70.0    15.0    15.0    0    405    B    69.9    15.0    15.0    0.1    405    C    67.5    15.0    15.0    2.5    415    D    65.0    15.0    15.0    5.0    420    E    55.0    15.0    20.0    10.0    460    F    40.0    10.0    20.0    30.0    518    G^*    32.5    15.0    20.0    32.5    545    H^*    72.0    3.0    20.0    5.0    415    1    70.0    5.0    20.0    5.0    420    J    57.5    30.0    10.0    2.5    440    K^*    52.5    35.0    10.0    2.5    453    L^*    69.5    25.0    3.0    2.5    420    M    72.5    20.0    5.0    2.5    422    N    52.5    15.0    30.0    2.5    460    O^*    50.0    15.0    32.5    2.5    465                              *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                                表26  试样  No. 玻璃名  V_1mA/V_10μA  制限電压比  V_50A/V_1mA     抗冲击电流特性     ΔV_1mA(％)与电流同向与电流逆向    1    A^*    1.33    1.57-18.4-27.5    2    B    1.20    1.57-18.0-25.1    3    C    1.08    1.47-5.1-10.6    4    D    1.06    1.47-7.3-12.4    5    E    1.07    1.46-8.9-17.9    6    F    1.10    1.50-10.4-22.5    7    G^*    1.27    1.55-18.9-36.2    8    H^*    1.33    1.50-15.5-18.6    9    I    1.15    1.52-11.2-19.7    10    J    1.10    1.50-10.9-23.6    11    K^*    1.11    1.53-21.4-32.8    12    L^*    1.15    1.50-19.8-38.3    13    M    1.17    1.51-10.7-23.7    14    N    1.22    1.50-16.6-24.0    15    O^*    1.25    1.50-24.8-41.6                         *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

    下面，分别地，表27、表28显示了为用氧化铈取代氧化镧的例子的玻璃料特性；表29、表30显示了使用了氧化镨、表31、表32显示了使用了氧化钕、表33、表34显示了使用了氧化钐、表35、表36显示了使用了氧化铕、表37、表38显示了使用了氧化钆、表39、表40显示了使用了氧化铽、表41、表42显示了使用了氧化镝、表43、表44显示了使用了氧化钬、表45、表46显示了使用了氧化铒、表47、表48显示了使用了氧化铥、表49、表50显示了使用了氧化镱、表51、表52显示了使用了氧化镥取代氧化镧的例子的玻璃料的特性。

    不管哪一个，含镧系氧化物0.1％(重量)以上时，电压比(电压非线性)良好。而镧系氧化物含量大于30.0％(重量)，则抗冲击电流特性恶化。

                                                    表27玻璃名称                    组份比(重量)％    Tg   (℃)    PbO    B₂O₃    SiO₂    CeO₂    A^*    70.0    15.0    15.0    0    405    B    69.9    15.0    15.0    0.1    405    C    67.5    15.0    15.0    2.5    415    D    65.0    15.0    15.0    5.0    420    E    55.0    15.0    20.0    10.0    465    F    40.0    10.0    20.0    30.0    515    G^*    32.5    15.0    20.0    32.5    540    H^*    72.0    3.0    20.0    5.0    412    I    70.0    5.0    20.0    5.0    417    J    57.5    30.0    10.0    2.5    435    K^*    52.5    35.0    10.0    2.5    455    L^*    69.5    25.0    3.0    2.5    420    M    72.5    20.0    5.0    2.5    425    N    52.5    15.0    30.0    2.5    460    O^*    50.0    15.0    32.5    2.5    467                         *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                                    表28  试样   No. 玻璃名    V_1mA/V_10μA    限制电压比    V_50A/V_1mA      抗冲击电流特性      ΔV_1mA(％)電流ζ同方向電流ζ逆方向    1    A^*    1.33    1.57-18.4-27.5    2    B    1.21    1.56-17.9-24.8    3    C    1.08    1.46-4.8-9.2    4    D    1.05    1.47-6.9-11.0    5    E    1.08    1.47-8.8-17.4    6    F    1.11    1.49-9.7-21.7    7    G^*    1.27    1.53-20.3-36.0    8    H^*    1.32    1.50-14.8-20.7    9    I    1.14    1.52-11.3-18.5    10    J    1.11    1.50-10.4-21.1    11    K^*    1.10    1.51-19.7-32.6    12    L^*    1.16    1.50-19.3-36.3    13    M    1.17    1.50-10.9-20.8    14    N    1.23    1.51-15.1-21.3    15    O^*    1.25    1.49-25.1-42.1                          *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                                     表29玻璃名称                   组份比(重量％)    Tg   (℃)    PbO    B₂O₃    SiO₂    Pr₆O₁₁    A^*    70.0    15.0    15.0    0    405    B    69.9    15.0    15.0    0.1    405    C    67.5    15.0    15.0    2.5    417    D    65.0    15.0    15.0    5.0    422    E    55.0    15.0    20.0    10.0    460    F    40.0    10.0    20.0    30.0    515    G^*    32.5    15.0    20.0    32.5    547    H^*    72.0    3.0    20.0    5.0    420    I    70.0    5.0    20.0    5.0    418    J    57.5    30.0    10.0    2.5    440    K^*    52.5    35.0    10.0    2.5    445    L^*    69.5    25.0    3.0    2.5    425    M    72.5    20.0    5.0    2.5    427    N    52.5    15.0    30.O    2.5    460    O^*    50.0    15.0    32.5    2.5    465                              *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                                 表30  试样   No. 玻璃名  V_1mA/V_10μA    限制电压比  V_50A/V_1mA     抗冲击电流特性     ΔV_1mA(％)与电流同向与电流逆向    1    A^*    1.33    1.57-18.4-27.5    2    B    1.22    1.59-18.0-26.2    3    C    1.09    1.47-5.6-10.8    4    D    1.07    1.46-7.8-12.7    5    E    1.10    1.46-9.5-18.5    6    F    1.12    1.48-11.2-21.9    7    G^*    1.26    1.51-20.4-37.0    8    H^*    1.35    1.49-16.8-19.2    9    I    1.16    1.50-11.3-20.2    10    J    1.12    1.50-11.0-24.8    11    K^*    1.11    1.52-21.1-33.1    12    L^*    1.15    1.51-19.6-40.3    13    M    1.16    1.50-11.0-24.9    14    N    1.23    1.50-16.2-22.6    15    O^*    1.28    1.51-25.3-42.8                          *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                                       表31玻璃名称                      组份比(重量％)    Tg   (℃)    PbO    B₂O₃    SiO₂    Nd₂O₃    A^*    70.0    15.0    15.0    0    405    B    69.9    15.0    15.0    0.1    406    C    67.5    15.0    15.0    2.5    417    D    65.0    15.0    15.0    5.0    420    E    55.0    15.0    20.0    10.0    470    F    40.0    10.0    20.0    30.0    520    G^*    32.5    15.0    20.0    32.5    550    H^*    72.0    3.0    20.0    5.0    420    I    70.0    5.0    20.0    5.0    415    J    57.5    30.0    10.0    2.5    440    K^*    52.5    35.0    10.0    2.5    457    L^*    69.5    25.0    3.0    2.5    423    M    72.5    20.0    5.0    2.5    430    N    52.5    15.0    30.0    2.5    465    O^*    50.0    15.0    32.5    2.5    470                                *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                                    表32  试样  No. 玻璃名    V_1mA/V_10μA    限制电压比     V_50A/V_1mA     抗冲击电流特性       ΔV_1mA(％)与电流同向与电流逆向    1    A^*    1.33    1.57-18.4-27.5    2    B    1.19    1.55-18.1-26.4    3    C    1.08    1.46-6.3-11.2    4    D    1.06    1.47-8.0-12.9    5    E    1.06    1.46-10.7-17.1    6    F    1.08    1.50-12.4-21.6    7    G^*    1.29    1.53-20.3-37.3    8    H^*    1.31    1.50-16.3-19.2    9    I    1.16    1.51-11.4-19.4    10    J    1.10    1.50-11.8-23.0    11    K^*    1.12    1.53-20.4-33.7    12    L^*    1.14    1.49-19.8-38.5    13    M    1.17    1.50-11.2-22.9    14    N    1.23    1.50-15.3-23.8    15    O^*    1.26    1.50-25.0-42.4                                      *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。 

                                                 表33玻璃名称                    组份比(重量％)    Tg   (℃)    PbO    B₂O₃    SiO₂    Sm₂O₃    A^*    70.0    15.0    15.0    0    405    B    69.9    15.0    15.0    0.1    405    C    67.5    15.0    15.0    2.5    415    D    65.0    15.0    15.0    5.0    422    E    55.0    15.0    20.0    10.0    465    F    40.0    10.0    20.0    30.0    525    G^*    32.5    15.0    20.0    32.5    553    H^*    72.0    3.0    20.0    5.0    413    I    70.0    5.0    20.0    5.0    415    J    57.5    30.0    10.0    2.5    442    K^*    52.5    35.0    10.0    2.5    458    L^*    69.5    25.0    3.0    2.5    425    M    72.5    20.0    5.0    2.5    430    N    52.5    15.0    30.0    2.5    460    O^*    50.0    15.0    32.5    2.5    465                              *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                             表34  试样   No. 玻璃名  V_1mA/V_10μA  限制电压比  V_50A/V_1mA     抗冲击电流特性       ΔV_1mA(％)与电流同向与电流逆向    1    A^*    1.33    1.57-18.4-27.5    2    B    1.20    1.56-17.9-26.1    3    C    1.07    1.47-5.9-11.3    4    D    1.05    1.48-9.4-13.1    5    E    1.07    1.47-9.8-17.8    6    F    1.09    1.50-12.6-22.0    7    G^*    1.28    1.54-21.0-38.5    8    H^*    1.33    1.50-17.5-19.9    9    I    1.15    1.52-10.6-20.8    10    J    1.09    1.50-11.9-25.2    11    K^*    1.13    1.53-22.2-32.3    12    L^*    1.15    1.50-20.2-41.8    13    M    1.15    1.50-11.1-23.9    14    N    1.22    1.51-16.4-21.8    15    O^*    1.25    1.49-25.6-42.6                                  *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                             表35玻璃名称                    组份比(重量％)    Tg   (℃)    PbO    B₂O₃    SiO₂    Eu₂O₃    A^*    70.0    15.0    15.0    0    405    B    69.9    15.0    15.0    0.1    407    C    55.0    15.0    20.0    10.0    470    D    40.0    10.0    20.0    30.0    523    E^*    32.5    15.0    20.0    32.5    550                           *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                        表36  试样   No.  玻璃名  V_1mA/V_10μA 限制电压比  V_50A/V_1mA     抗冲击电流特性       ΔV_1mA(％)与电流同向与电流逆向    1    A^*    1.33    1.57-18.4-27.5    2    B    1.21    1.57-18.0-26.5    3    C    1.08    1.47-9.7-18.2    4    D    1.10    1.49-11.9-21.8    5    E^*    1.30    1.52-20.3-39.7                                   *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                          表37玻璃名称                     组份比(重量)％    Tg   (℃)    PbO    B₂O₃    SiO₂    Gd₂O₃    A^*    70.0    15.0    15.0    0    405    B    69.9    15.0    15.0    0.1    405    C    55.0    15.0    20.0    10.0    475    D    40.0    10.0    20.0    30.0    525    E^*    32.5    15.0    20.0    32.5    553                              *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                       表38  试样   No.  玻璃名  V_1mA/V_10μA  限制电压比  V_50A/V_1mA     抗冲击电流特性       ΔV_1mA(％)与电流同向与电流逆向    1    A^*    1.33    1.57-18.4-27.5    2    B    1.22    1.56-17.9-26.1    3    C    1.08    1.47-9.3-18.7    4    D    1.10    1.48-12.2-22.0    5    E^*    1.30    1.51-20.8-39.5                    *为对照 研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                     表39 玻璃名称                     组份比(重量％)    Tg   (℃)    PbO    B₂O₃    SiO₂    Tb₄O₇    A^*    70.0    15.0    15.0    0    405    B    69.9    15.0    15.0    0.1    405    C    55.0    15.0    20.0    10.0    475    D    40.0    10.0    20.0    30.0    520    E^*    32.5    15.0    20.0    32.5    550                          *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                    表40 试样  No.  玻璃名  V_1mA/V_10μA   限制电压比   V_50A/V_1mA     抗冲击电流特性       ΔV_1mA(％)与电流同向与电流逆向    1    A^*    1.33    1.57-18.4-27.5    2    B    1.20    1.55-18.1-26.3    3    C    1.09    1.48-9.9-19.1    4    D    1.09    1.49-12.0-22.6    5    E^*    1.31    1.50-21.1-40.4                    *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                           表41 玻璃名称                   组份比(重量％)    Tg   (℃)    PbO    B₂O₃    SiO₂    Dy₂O₃    A^*    70.0    15.0    15.0    0    405    B    69.9    15.0    15.0    0.1    405    C    55.0    15.0    20.0    10.0    472    D    40.0    10.0    20.0    30.0    528    E^*    32.5    15.0    20.0    32.5    555                     *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                       表42 试样  No.  玻璃名   V_1mA/V_10μA  限制电压比   V_50A/V_1mA     抗冲击电流特性       ΔV_1mA(％)与电流同向与电流逆向    1    A^*    1.33    1.57-18.4-27.5    2    B    1.22    1.57-17.8-26.1    3    C    1.09    1.48-9.2-19.3    4    D    1.10    1.49-11.8-22.5    5    E^*    1.31    1.50-20.7-39.6                      *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                          表43玻璃名称                      组份比(重量)％    Tg   (℃)    PbO    B₂O₃    SiO₂    Ho₂O₃    A^*    70.0    15.0    15.0    0    405    B    69.9    15.0    15.0    0.1    407    C    55.0    15.0    20.0    10.0    475    D    40.0    10.0    20.0    30.0    532    E^*    32.5    10.0    25.0    32.5    560                      *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                         表44 试样  No.  玻璃名  V_1mA/V_10μA  限制电压比  V_50A/V_1mA     抗冲击电流特性       ΔV_1mA(％)与电流同向与电流逆向    1    A^*    1.33    1.57-18.4-27.5    2    B    1.22    1.57-18.1-25.4    3    C    1.09    1.47-10.3-19.7    4    D    1.10    1.48-11.7-22.9    5    E^*    1.31    1.51-19.2-39.8                             *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                           表45玻璃名称                    组份比(重量％)    Tg   (℃)    PbO    B₂O₃    SiO₂    Er₂O₃    A^*    70.0    15.0    15.0    0    405    B    69.9    15.0    15.0    0.1    408    C    55.0    15.0    20.0    10.0    477    D    40.0    10.0    20.0    30.0    530    E^*    32.5    10.0    25.0    32.5    558                     *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                       表46 试样  No.  玻璃名   V_1mA/V_10μA    限制电压比    V_50A/V_1mA     抗冲击电流特性       ΔV_1mA(％)与电流同向与电流逆向    1    A^*    1.33    1.57-18.4-27.5    2    B    1.24    1.56-18.0-25.7    3    C    1.10    1.50-11.2-19.3    4    D    1.15    1.50-11.8-22.4    5    E^*    1.35    1.52-21.6-40.6                        *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                        表47  玻璃名称                     组份比(重量％)    Tg   (℃)    PbO    B₂O₃    SiO₂    Tm₂O₃    A^*    70.0    15.0    15.0    0    405    B    69.9    15.0    15.0    0.1    405    C    55.0    15.0    20.0    10.0    475    D    40.0    10.0    20.0    30.0    535    E^*    32.5    10.0    25.0    32.5    565                      *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                        表48 试样  No.  玻璃名  V_1mA/V_10μA   限制电压比   V_50A/V_1mA     抗冲击电流特性       ΔV_1mA(％)与电流同向与电流逆向    1    A^*    1.33    1.57-18.4-27.5    2    B    1.25    1.55-18.0-26.4    3    C    1.10    1.49-9.3-20.2    4    D    1.13    1.48-12.8-23.5    5    E^*    1.33    1.51-21.5-41.1                             *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                                表49玻璃名称                    组份比(重量)％    Tg   (℃)    PbO    B₂O₃    SiO₂    Yb₂O₃    A^*    70.0    15.0    15.0    0    405    B    69.9    15.0    15.0    0.1    405    C    55.0    15.0    20.0    10.0    475    D    40.0    10.0    20.0    30.0    530    E^*    32.5    10.0    25.0    32.5    558                            *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                          表50  试样   No.  玻璃名   V_1mA/V_10μA    限制电压比    V_50A/V_1mA     抗冲击电流特性       ΔV_1mA(％)与电流同向与电流逆向    1    A^*    1.33    1.57-18.4-27.5    2    B    1.24    1.56-18.2-27.1    3    C    1.11    1.50-10.4-19.8    4    D    1.12    1.48-13.0-24.1    5    E^*    1.36    1.53-21.6-42.5                        *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                      表51玻璃名称                    组份比(重量％)    Tg   (℃)    PbO    B₂O₃    SiO₂    Lu₂O₃    A^*    70.0    15.0    15.0    0    405    B    69.9    15.0    15.0    0.1    407    C    55.0    15.0    20.0    10.0    480    D    40.0    10.0    20.0    30.0    540    E^*    32.5    10.0    25.0    32.5    565                       *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

                                       表52 试样  No.  玻璃名   V_1mA/V_10μA   限制电压比   V_50A/V_1mA     抗冲击电流特性       ΔV_1mA(％)与电流同向与电流逆向    1    A^*    1.33    1.57-18.4-27.5    2    B    1.25    1.55-18.2-26.8    3    C    1.12    1.51-10.3-15.9    4    D    1.14    1.50-13.7-23.8    5    E^*    1.36    1.51-21.0-43.5                             *为对照研究例，不在本发明请求保护范围内。

    在上述实施例中显示了，在将混合于Ag浆料中的硼硅酸铅系玻璃涂敷于变阻器元件1上形成电极2，并焙烧电极2时，将构成前述硼硅酸铅系玻璃料的元素扩散于变阻器元件1中。然而，本发明并不限于此，在形成电极2之前，将含有硼硅酸铅系玻璃料的浆料涂敷于烧成后的变阻器元件1的表面，并在此状态下加热，使构成前述硼硅酸铅系玻璃料的元素浸入变阻器元件1中，其后，用不含有硼硅酸铅系玻璃料的Ag浆料形成电极2，也可得到有关电压比(电压非线性)的同样效果。

    另外，用于形成电极2的电极材料不限于Ag浆料，用^Pd等其它金属浆料形成电极也良好

    如上所述，本发明系将一种硼硅酸铅系列玻璃从已烧制的变阻器元件的表面扩散至该变阻器元件内部而成。这种硼硅酸铅系玻璃至少包含一选自氧化钴、氧化镁，氧化钇，氧化锑，氧化锰，氧化碲，氧化镧，氧化铈，氧化镨，氧化钕，氧化钐，氧化铕，氧化钆，氧化铽，氧化镝，氧化钬，氧化铒，氧化铥，氧化镱，氧化镥的金属氧化物。

    如此，电压非线性得到改善，可达到在于各种电子机器漏泄电流少的使用场合的节能化和效率化。