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1、(10)申请公布号 CN 103858032 A (43)申请公布日 2014.06.11 CN 103858032 A (21)申请号 201280049707.0 (22)申请日 2012.10.11 61/545,713 2011.10.11 US G02B 6/00(2006.01) G02B 6/02(2006.01) (71)申请人 康宁股份有限公司 地址 美国纽约州 (72)发明人 SL洛谷诺夫 关口修利 LA森特诺 (74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公 司 31100 代理人 项丹 (54) 发明名称 使用光漫射光纤的多波长光源 (57) 摘要 设置了至少一个挠性光漫。
2、射波导 (210 )以 限定多个基本相互平行设置的光漫射波导区 段 (212 、 214 、 216 ) , 并且其与至少一个光源 (218a、 218b、 218c、 219a、 219b、 219c) 相连, 以提供 适用于一般照明目的或者用作显示器 (例如视频 显示器) 的背光的挠性发光板。可以将多个波导 与不同颜色的光源相连, 以提供多种颜色的挠性 背光, 该挠性背光可与挠性可矩阵寻址面板结合 使用, 以提供挠性视频显示器。 (30)优先权数据 (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2014.04.10 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/US2012/059634 2012.1。
3、0.11 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2013/055842 EN 2013.04.18 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 16 页 附图 8 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 说明书16页 附图8页 (10)申请公布号 CN 103858032 A CN 103858032 A 1/2 页 2 1. 一种挠性发光板, 其包括 : 挠性光漫射波导或者多个挠性光漫射波导, 其排列成限定了具有纵轴的多个波导区 段, 所述纵轴基本相互平行, 每个波导区段与相邻波导区段紧邻 ; 以及 光源或多个光源, 其与挠性波导或多个挠性波导。
4、相连。 2. 如权利要求 1 所述的挠性发光板, 其特征在于, 所述光漫射波导包括 : (i) 玻璃纤芯, 其包括 : (a) 在所述纤芯内具有多个纳米尺寸结构的区域, 其构造成通过所述纳米尺寸结构将 导光向外表面漫射出去, 使得所述光漫射光纤在照明波长处具有大于 50dB/km 的漫射诱导 的衰减 ; 以及 (b) 固体玻璃区, 其围绕所述具有多个纳米尺寸结构的区域, 所述固体玻璃区的折射率 大于所述具有多个纳米尺寸结构的区域的折射率 ; 以及 (ii) 围绕所述纤芯的低折射率包覆, 所述包覆的折射率 小于所述固体玻璃区的折 射率。 3. 如权利要求 2 所述的挠性发光板, 其特征在于, 相。
5、对于二氧化硅, 所述低折射率包覆 的折射率 小于 -0.5%。 4. 如权利要求 2 所述的挠性发光板, 其特征在于, 所述低折射率包覆是玻璃或者聚合 物。 5. 如权利要求 2 所述的挠性发光板, 其特征在于, 所述纤芯的直径大于 50m 且小于 500m, 和 / 或纤芯的数值孔径大于 0.2。 6. 如权利要求 1 所述的挠性发光板, 所述挠性发光板还包括用于控制从发光板发出的 光的颜色的方式。 7. 如权利要求 6 所述的发光板, 其特征在于, 所述用于控制从发光板发出的光的颜色 的方式包括设置在所述波导区段上和 / 或其中的发光体。 8. 如权利要求 6 所述的发光板, 其特征在于,。
6、 所述用于控制从发光板发出的光的颜色 的方式包括将所述挠性光漫射波导或者多个光漫射波导与发射不同波长的多个光源相连。 9. 如权利要求 6 所述的发光板, 其特征在于, 在所述波导区段上或者其中设置白色发 光体。 10. 如权利要求 1 所述的发光板, 其特征在于, 在光漫射波导中多重复用多个激光光 源, 或者在多个光漫射波导中分别采用多个激光光源。 11. 如权利要求 1 所述的发光板, 其特征在于, 所述波导区段与相邻波导区段的间距小 于 2 毫米。 12. 如权利要求 2 所述的挠性发光板, 其特征在于, 所述波导是光纤。 13. 如权利要求 2 所述的挠性发光板, 其特征在于, 所述纳。
7、米尺寸结构是填充气体的孔 隙。 14. 一种挠性显示板, 其包括 : 至少 3 个挠性光漫射波导, 其排列成限定了具有纵轴的多个波导区段, 所述纵轴基本 相互平行, 并且每个波导区段与相邻波导区段紧邻 ; 以及 像素元件, 其用于在平面中的各个点阵列选择性地传输或阻止光以限定像素阵列, 所 述平面与所述多个波导区段相邻。 权 利 要 求 书 CN 103858032 A 2 2/2 页 3 15. 如权利要求 14 所述的挠性显示板, 其特征在于, 用于选择性地传输或阻止光的方 式是液晶显示板。 16.如权利要求14所述的挠性显示板, 所述挠性显示板还包括至少3个光源, 每个光源 发射不同波长。
8、, 并且每个光源与所述至少 3 个挠性光漫射波导中的不同的一个光连接。 17. 如权利要求 14 所述的挠性显示板, 其特征在于, 三个光源是红色、 蓝色和绿色。 18.如权利要求14所述的挠性显示板, 其特征在于, 在3个挠性光漫射波导上或者其中 分别设置不同的发光体。 19.如权利要求18所述的挠性显示板, 其特征在于, 3个发光体发射红光、 蓝光和绿光。 20. 如权利要求 14 所述的挠性发光板, 其特征在于, 所述光漫射波导包括 : (i) 玻璃纤芯, 其包括 : (a) 在所述纤芯内具有多个纳米尺寸结构的区域, 其构造成通过所述纳米尺寸结构将 导光向外表面漫射出去, 使得所述光漫射。
9、光纤在照明波长处具有大于 50dB/km 的漫射诱导 的衰减 ; 以及 (b) 固体玻璃区, 其围绕所述具有多个纳米尺寸结构的区域, 所述固体玻璃区的折射率 大于所述具有多个纳米尺寸结构的区域的折射率 ; 以及 (ii) 围绕所述纤芯的低折射率包覆, 所述包覆的折射率 小于所述固体玻璃区的折 射率。 21. 如权利要求 14 所述的挠性显示板, 其特征在于, 所述像素元件是快门元件。 权 利 要 求 书 CN 103858032 A 3 1/16 页 4 使用光漫射光纤的多波长光源 0001 相关申请的交叉参考 0002 本申请根据 35U.S.C.119, 要求 2011 年 10 月 11。
10、 日提交的美国临时申请系列第 61/545713 号的优先权, 本文以该申请为基础并将其全文通过引用结合于此。 技术背景 0003 本发明涉及采用挠性光漫射波导的挠性发光板, 其可以与一个或多个光源相连。 0004 已经发现挠性发光片或发光板可用于各种显示器应用以及建筑和 / 或装饰应用, 例如环绕列、 柱或者其他不平坦表面。此类挠性发光片通常是包含设置在电极层之间的发 光体的电致发光器件。例子包括挠性有机发光二极管 (OLED) 器件, 其包含具有有机发光体 的电致发光层, 所述有机发光体位于两个电极之间, 至少一个电极是透明的 (例如氧化铟锡 膜) 。 0005 由于 OLED 器件的较快。
11、速降解, 希望用于提供挠性发光片或发光板的替代技术。 0006 概述 0007 根据某些实施方式, 提供了一种挠性发光板, 其包括排列成限定了具有纵轴的多 个波导区段的挠性光漫射波导或者多个挠性光漫射波导, 所述纵轴基本相互平行, 并且相 互紧邻排列。光源或多个光源与挠性波导或多个挠性波导相连。 0008 在某些实施方式中, 提供用于控制从发光板发光的颜色的手段。例如, 在某些实 施方式中, 可以通过在波导区段上或波导区段内结合发光体来预先确定从发光板发光的颜 色。在一些实施方式中, 可以通过将挠性光漫射波导或者多个光漫射波导与发射不同波长 的多个光源相连, 来控制从发光板发光的颜色。 000。
12、9 在挠性发光板主要用作照明装置的情况下, 可以在波导区段上或者波导区段中设 置白光发光体。 0010 根据某些实施方式, 通过采用在光漫射波导中多重复用的多个光源, 或者在多个 光漫射波导中分别采用多个光源, 提供了能够发射任意多种不同波长的光的挠性发光板。 0011 根据某些实施方式, 可以采用由多个光漫射波导构成的挠性发光板作为用于挠性 可矩阵寻址 (matrix-addressable) 的显示板的背光。在一些实施方式中, 挠性显示板可包 括可矩阵寻址 (matrix-addressable) 的液晶显示板, 其背光为多个挠性光漫射波导。例 如, 可以通过采用分别与相应的红光光源、 蓝。
13、光光源和绿光光源相连的至少三个挠性光漫 射波导来提供彩色显示器。 0012 在以下的详细描述中给出了本发明的其他特征和优点, 其中的部分特征和优点对 本领域的技术人员而言, 根据所作描述就容易看出, 或者通过实施包括以下详细描述、 权利 要求书以及附图在内的本文所述的各种实施方式而被认识。 0013 应理解, 前面的一般性描述和以下的详细描述都仅仅是示例性的, 用来提供理解 权利要求的性质和特性的总体评述或框架。所附附图提供了对本发明的进一步理解, 附图 被结合在本说明书中并构成说明书的一部分。附图说明了一个或多个实施方式, 并与文字 描述一起用来解释各个实施方式的原理和操作。 说 明 书 C。
14、N 103858032 A 4 2/16 页 5 附图说明 0014 图 1 是光漫射光纤的一个示例性实施方式的部分侧面示意图。 0015 图 2 是图 1 所示光纤沿方向 2-2 观察时的横截面示意图。 0016 图 3A 是光漫射光纤的一个示例性实施方式的相对折射率 - 光纤半径的示意图。 0017 图3B是光漫射光纤的另一个示例性实施方式的相对折射率-光纤半径的示意图。 0018 图 3C 显示了光漫射光纤的另一个示例性实施方式。 0019 图 4A 和 4B 显示了光纤衰减 (损耗) (dB/m) 和波长 (nm) 的关系。 0020 图 5 显示了在单根光纤内采用双光程的光纤布置方式。
15、。 0021 图 6A 显示了使光纤具有均匀拉力 (实施例 A) 和可变拉力 (实施例 B) 时沿光纤的 强度分布。 0022 图 6B 显示了使用白油墨和不用油墨时的漫射分布曲线。 0023 图 7 显示了图 5 所示光纤 (光纤后端连有反射镜) 和涂层中使用白油墨的光纤的漫 射情况。 0024 图 8A 显示了照明系统的一个示例性实施方式。 0025 图 8B 显示了与烧瓶式生物室联用的照明系统的一个示例性实施方式。 0026 图 9 所示是用于挠性彩色显示板的背光, 其采用与三个不同挠性光漫射波导相连 的单个紫外光源, 所述挠性光漫射波导具有设置在其上或者其中的红光磷光体、 绿光磷光 体。
16、和蓝光磷光体。 0027 图 10 所示是用于彩色显示器的背光, 其采用与单独挠性光漫射波导相连的多重 激光。 0028 图 11 是根据某些实施方式的挠性发光板的前视图。 0029 图12是环绕着管的图4所示的挠性发光板的透视图, 以显示该挠性发光板可具备 各种非平坦形状。 0030 图 13 是根据某些实施方式采用挠性背光和液晶显示器的彩色显示器的示意图。 0031 详细描述 0032 下面详细说明本发明的优选实施方式, 这些实施方式的例子在附图中示出。只要 有可能, 在所有附图中使用相同的附图标记来表示相同或类似的部分。 0033 以下的详细描述代表用来提供理解要求保护的本发明的性质和特。
17、性的总体评述 或框架的实施方式。所附附图提供了对本发明的权利要求的进一步理解, 附图构成说明书 的一部分。附图说明了本发明的各种实施方式, 并与说明书一起用来解释所要求保护的本 发明实施方式的原理和操作。 0034 可以在本发明范围之内, 对示例作出各种改进和变化, 可以将不同示例的各个方 面以不同的方式组合, 以获得另外的示例。 因此, 本发明的权利要求的真实范围应当从整个 说明书来理解, 可以参考本文所述的实施方式, 但不受其限制。 0035 术语 “挠性光漫射波导” 指的是挠性光学波导, 或者例如采用纳米尺寸结构的 (光 纤) , 其用于使光漫射出光纤的侧面或将光漫射出光纤的侧面, 从而。
18、使得光被导出波导的芯 并通过波导的外表面, 以提供照明。挠性光漫射波导如美国专利申请系列第 12/950,045 号 (美国专利申请公开号 2011/0122646A1) , 其全文通过引用结合入本文。 说 明 书 CN 103858032 A 5 3/16 页 6 0036 术语 “波导区段” 可指的是单个线性光漫射波导, 或者位于相同挠性光漫射波导的 弯曲部分或区段之间的线性部分的挠性光漫射波导。例如, 可以使得单个挠性光漫射波导 重复弯曲 180 度, 以提供一系列的平行波导区段, 所述波导曲线相互相邻设置, 并且通常在 平面内排列。 0037 术语 “光源” 指的是激光、 发光二极管或。
19、者能够发射电磁辐射的其他组件, 所述电 磁辐射是可见光波长范围或者是可以与发光体相互作用以发生可见光波长范围的光。 0038 表述 “控制发光的颜色” 指的是可以根据需求随时间变化控制发光波长的动态控 制, 或者发光颜色是预定的被动控制, 例如通过选择特定的发光体和 / 或光源。 0039 术语 “发光体” 指的是表现出发光的原子或化合物, 包括各种荧光团和磷光体。 0040 出于在附图中指明方向以及方便描述的需要, 使用了诸如 “水平” 、“垂直” 、“前” 、 “后” 等词语以及笛卡尔坐标, 但其目的并不是在说明书或权利要求书中将它们严格地限制 于绝对的取向和 / 或方向。 0041 以下。
20、术语和词语用于具有纳米尺寸结构的光漫射光纤。 0042 “折射率分布曲线” 是折射率或相对折射率与波导 (光纤) 半径之间的关系。 0043 “相对折射率百分数” 定义为 0044 (r)%=100xn(r)2n参比 2)/2n(r)2, 0045 其中, 除非另有说明, n(r) 是在半径 r 处的折射率。除非另有说明, 相对折射率百 分数限定在 850nm 处。在一个方面, 参比折射率 n参比是二氧化硅玻璃在 850nm 处的折射率 1.452498, 在另一方面, 它是包覆玻璃在 850nm 处的最大折射率。除非另有说明, 否则, 本文 所用的相对折射率用 表示, 其数值以 “%” 为单。
21、位。在一个区域的折射率小于参比折射率 n参比的情况下, 相对折射率百分数是负数, 称作具有凹陷区域或者凹陷折射率, 并且除非另 有说明, 否则, 最小相对折射率在相对折射率为最大负值时计算得到。 在一个区域的折射率 大于参比折射率 n参比的情况下, 相对折射率百分数是正数, 该区域可称为凸起或者具有正 折射率。 0046 在本文中,“正掺杂剂(updopant)” 视为倾向于提高相对于未掺杂的纯SiO2的折射 率的掺杂剂。在本文中,“负掺杂剂 (downdopant)” 视为倾向于降低相对于未掺杂的纯 SiO2 的折射率的掺杂剂。正掺杂剂可存在于光纤中具有负的相对折射率的区域, 同时伴有一种 。
22、或多种不是正掺杂剂的其他掺杂剂。类似地, 一种或多种不是正掺杂剂的其他掺杂剂可存 在于光纤中具有正的相对折射率的区域。 负掺杂剂可存在于光纤中具有正的相对折射率的 区域, 同时伴有一种或多种不是负掺杂剂的其他掺杂剂。 0047 类似地, 一种或多种不是负掺杂剂的其他掺杂剂可存在于光纤中具有负的相对折 射率的区域。 0048 术语 “ 分布” 或者 “阿尔法分布” 是指相对折射率分布曲线, 用 (r) 表示, 单位 为 “%” , 其中 r 为半径 , 该参数用以下方程式表示, 0049 (r)=(ro)(1-|r-ro|/(r1-ro), 0050 式中 ro表示 (r) 为最大值的点, r1。
23、表示 (r)% 为零的点, r 的范围是 ri4 最大并且 3 最大4 最大。在一些实施方式中, 2 最小4 最大。在如图 2 和 3A 所示的实施方式中, 1 最大3 最大2 最大4 最大。在该实施方式中, 这些区域的折射率具 有以下关系 : n1n3n2n4。 0073 在一些实施方式中, 纤芯区 22、 28 具有基本恒定的折射率分布, 如图 3A 所示, 恒 定的 1(r) 和 3(r)。在一些此类实施方式中, 2(r) 稍为正 (0n2且 n3n4。 0074 在一些实施方式中, 包覆 40 的折射率为 -0.05%W30.9Rc。纤芯 20 的每个部分都包含基于二氧化硅的玻璃。纳米。
24、结构区 26 的 径向宽度 W2优选大于 1m。例如, W2可为 5-300m, 优选等于或小于 200m。在一些实施 方式中, W2大于 2m 且小于 100m。在其他实施方式中, W2大于 2m 且小于 50m。在 其他实施方式中, W2大于 2m 且小于 20m。在一些实施方式中, W2至少为 7m。在其他 实施方式中, W2大于 2m 且小于 12m。芯区 28 的宽度 W3是 (R3-R2), 它的中点 R3 中点是 (R3+R2)/2。在一些实施方式中, W3大于 1m 且小于 100m。 0079 光纤 12 的数值孔径 (NA) 优选等于或大于将光导入光纤的光源的 NA。优选地。
25、, 光 纤 12 的数值孔径 (NA) 大于 0.2, 在一些实施方式中大于 0.3, 甚至更优选大于 0.4。 0080 在一些实施方式中, 第一芯区 22 的纤芯外半径 R1 优选不小于 24m 且不大于 50m, 即纤芯直径在约 48-100m 之间。在其他实施方式中, R1 24 微米 ; 在另一些实施 方式中, R1 30 微米 ; 在又一些实施方式中, R1 40 微米。 0081 在一些实施方式中, 内环状部分26在超过50%的径向宽度上的|2(r)|-0.05%, 而低陷折射率环状部分 26 终止于最外 面的孔隙出现的位置。 0082 包覆结构 40 延伸至半径 R4, 它也是。
26、光纤最外面的周界。在一些实施方式中, 包 覆的宽度 R4-R3 大于 20m ; 在其他实施方式中, R4-R3 至少为 50m ; 在一些实施方式中, R4-R3 至少为 70m。 0083 在另一实施方式中, 整个纤芯 20 都是纳米结构化的 (例如填充了孔隙) , 而包覆 40 将纤芯 20 包围。纤芯 20 具有 “阶梯式” 折射率 , 或者可具有渐变纤芯分布曲线, 即 分 布曲线, 例如 值在 1.8-2.3 之间。 0084 通过如下方法制备例如图 3C、 4A 和 6-8 中所示的光纤预制件和光纤 : 在该实施方 式中, 通过外蒸汽沉积 (OVD) 将 470g 的 SiO2(密。
27、度为 0.5g/cc) 烟炱沉积到长 1m、 直径 20mm 说 明 书 CN 103858032 A 11 9/16 页 12 的完全固结的纯二氧化硅无孔隙芯棒上, 得到预制组件 (有时称作预成形件或光纤预成形 件) , 所示预制组件包含被烟炱二氧化硅区包围的固结无孔隙二氧化硅芯区。然后按以下步 骤对该预制组件的烟炱包覆进行烧结。所述预制组件首先在包含氦气和 3% 氯气 (所有的 百分数都是体积百分数) 的气氛中, 在加热炉的上部区域部分, 在 1100的温度下干燥 2 小 时, 然后驱动它以 200mm/ 分钟的速率 (相当于在向下驱动的过程中, 烟炱预制件外侧的升 温速率约为 100 /。
28、 分钟) 向下通过加热区, 所述加热区的温度设定在约 1500, 烧结气氛 是100体积%的SO2。 然后驱动所述预制组件以100mm/分钟的速率 (相当于在向下驱动的过 程中, 烟炱预制件外侧的升温速率约为 50 / 分钟) 再次 (即第二次) 向下通过加热区。然 后驱动所述预制组件以 50mm/ 分钟的速率 (相当于在向下驱动的过程中, 烟炱预制件外侧 的升温速率约为 25 / 分钟) 再次 (即第三次) 向下通过加热区。然后, 驱动所述预制组件 以 25mm/ 分钟的速率 (相当于在向下驱动的过程中, 烟炱预制件外侧的升温速率约为 12.5 分钟 / 分钟) 再次 (即第四次) 向下通过。
29、加热区, 然后以 6mm/ 分钟的速率 (约 3 / 分钟的加 热速率) 进行最终烧结, 从而将所述烟炱烧结成具有 SO2气籽的二氧化硅外包覆预制件。在 每个向下驱动的步骤之后, 以 200mm/ 分钟的速率将所述预制组件向上驱动至加热炉的上 部区域部分 (该部分维持设定在1100) 。 用该第一系列的较高的向下进料速率使光纤预制 件的外侧变光, 这便于将气体截留在预制件内。然后在温度设定为 1000、 用氩气吹扫的 保温炉内, 将所述预制件放置保持 24 小时, 脱除预制件中残留的任何氦气。然后在温度大 致设定为 1700的常规石墨再拉制炉上, 在氩气气氛下将此预制件再拉制成包含无孔隙的 S。
30、iO2纤芯和具有 SO2气籽 (即非周期性设置的包含 SO2气体的孔隙) 的二氧化硅外包覆的坯 棒, 其直径 10mm, 长 1m。 0085 将一根 10mm 的坯棒放回车床内, 通过 OVD 再沉积约 190g 的 SiO2(密度为 0.52g/ cc) 烟炱。然后通过以下步骤对用于该组件的此包覆 (可以称作外包覆) 的烟炱进行烧结。 该组件首先在由氦气和 3% 氯气组成的气氛中, 在 1100干燥 2 小时, 然后在 100 体积 % 的 氦气气氛下, 驱动它以 5mm/ 分钟的速率向下通过设定在 1500的加热区, 使得所述烟炱烧 结, 形成预制件, 所述预制件包含含有氧化锗的无孔隙纤。
31、芯、 具有 SO2气籽的二氧化硅环 (即 包含含有 SO2的孔隙的二氧化硅) 以及无孔隙外包覆。在温度设定为 1000、 用氩气吹扫的 保温炉内, 将所述预制件放置 24 小时, 以脱除预制件中的任何残留氦气。在石墨电阻炉上, 在氦气气氛中, 在约 1900-2000将光纤预制件拉制成长 3km、 直径为 125 微米的光纤。通 过监测和控制光纤的拉力来控制光纤预制件的温度 ; 在此实施方式中, 在光纤拉制操作的 每个部分 (例如 3km 的长度) , 将光纤拉力保持在 30-600g 之间的一个数值上。在拉制过程 中, 给光纤涂覆基于低折射率硅的涂层。 0086 利用另一根如上所述的无孔隙二。
32、氧化硅纤芯、 SO2气籽的二氧化硅外包覆的 10mm 坯棒 (即第二坯棒) 制造光纤预制件和光纤, 例如如图 4B 所示。更具体地, 将第二根无孔隙 二氧化硅纤芯、 SO2气籽的二氧化硅外包覆的 10mm 坯棒放回车床, 通过 OVD 再沉积约 3750g 的 SiO2(密度为 0.67g/cc) 烟炱。然后通过以下步骤对用于此包覆 (在此组件中可以称作 外包覆) 的烟炱进行烧结。该组件首先在由氦气和 3% 氯气组成的气氛中, 在 1100干燥 2 小时, 然后在 100 体积 % 的氦气气氛下, 驱动它以 5mm/ 分钟的速率向下通过设定在 1500 的加热区, 使得所述烟炱烧结, 形成预制。
33、件, 所述预制件包含含有氧化锗的无孔隙纤芯、 具 有 SO2气籽的二氧化硅环 (即包含含有 SO2的孔隙的二氧化硅) 以及无孔隙的外包覆。在温 说 明 书 CN 103858032 A 12 10/16 页 13 度设定为 1000、 用氩气吹扫的保温炉内, 将所得光纤预制件放置 24 小时, 脱除预制件中 的任何残留氦气。最后, 如上所述, 将光纤预制件拉制成长 5km、 直径为 125 微米的光纤, 并 涂覆低折射率聚合物。 0087 图 3B 显示了光漫射光纤 12 的又一示例性实施方式的示意图。图 3B 的光纤包含 具有相对折射率 1的纤芯 20、 位于纤芯 20 之上并包围纤芯 20。
34、 的纳米结构区 26 。纤芯 20 可具有 “阶梯式” 折射率分布, 或者可具有渐变纤芯分布曲线, 即 分布曲线, 例如 值 在 1.8-2.3 之间。 0088 在此示例性实施方式中 (见图 3B) , 纳米结构区 26 是具有多个孔隙 32 的环带。在 此实施方式中, 区域 26 的宽度可小至 1-2m, 并且可具有负的平均相对折射率 2。包覆 40 包围纳米结构区 26 。包覆 40 的 (径向) 宽度可小至 1m, 并且包覆的相对折射率可以 是负的、 正的或 0%(相对于纯二氧化硅) 。图 3A 和 3B 所示例子之间的主要区别在于, 图 3A 所示的纳米结构区位于光漫射光纤 12 的。
35、纤芯 20 中, 而在图 3B 中, 它位于纤芯 / 包覆界面 处。低陷折射率环状部分 26 从纤芯的相对折射率最先达到小于 -0.05% 的值处开始, 沿径 向从中心线向外延伸。在图 3B 所示的实施方式中, 包覆 40 具有相对折射率分布 3(r), 其 最大绝对值小于 0.1% ; 并且在该实施方式中, 3 最大-0.05%, 低陷折射率 环状部分 26 终止于填充了孔隙的区域内出现最外面的孔隙处。 0089 在图 3B 所示的实施方式中, 纤芯 20 的折射率大于环区 26 的折射率 n2, 而包覆 40 的折射率 n1也大于折射率 n2。 0090 图 3C 显示了已经制成的光纤 1。
36、2 的一个实施方式的纤芯 20。此光纤具有外半径 R1 约为 33.4m 的第一芯区 22、 外半径 R2=42.8m 的纳米结构区 26、 外半径 R3=62.5m 的第三芯区 28 和外半径 R4(未示出) 为 82.5m 的聚合物包覆 40。在此实施方式中, 纤芯 材料是纯二氧化硅 (未掺杂的二氧化硅) , 用于包覆的材料是低折射率聚合物 (例如, 折射率 为 1.413 的可 UV 固化的硅树脂, 可以商品名 Q3-6696 购自密歇根州米德兰市的道康宁公司 (Dow-Corning, Midland, Michigan)) , 该聚合物与玻璃纤芯一起使光纤的 NA 为 0.3。相比 。
37、于标准单模透射光纤, 例如 SMF-28eR光纤, 光纤 12 对波长具有较平坦 (弱) 的依赖性, 见图 4B。在标准单模 (例如 SMF-28eR) 或多模光纤中, 在小于 1300nm 的波长处的损耗主要取决 于瑞利漫射。这些瑞利漫射损耗由材料的性质决定, 对可见光波长 (400-700nm) 通常约为 20dB/km。瑞利漫射损耗对波长的依赖性与 -p成正比, p 4。在包含至少一个纳米结构 区的光纤中, 在 400-1100nm 波长范围内至少 80%(例如大于 90%) 的波长上, 依赖于波长的 漫射损耗的指数小于2, 优选小于1。 400-1100nm的平均光谱衰减在以40g的拉。
38、力拉制光纤 时约为 0.4dB/m ; 在以 90g 的拉力拉制光纤 12 时约为 0.1dB/m。在此实施方式中, 纳米尺寸 结构包含 SO2气体。申请人发现, 纳米结构环中填充 SO2的孔隙极大地促进了漫射。此外, 当用 SO2气体形成纳米结构时, 发现此气体实现了热可逆损耗, 即低于 600时纳米结构化 光纤漫射光, 而高于 600时同一光纤将对光起导引作用。SO2赋予的这种独特性质也是可 逆的, 也就是说, 将同一光纤冷却到低于 600时, 光纤 12 将起光漫射光纤的作用, 并再次 产生可观察到的漫射效应。 0091 在优选的实施方式中, 通过在拉制工艺中控制光纤拉力 ; 或者通过选。
39、择合适的拉 制拉力 (例如在 30-100g 之间, 或者在 40-90g 之间) , 控制沿着光纤长度的照明均匀性, 从而 使得最小漫射照明强度不小于最大漫射照明强度的 0.7。 说 明 书 CN 103858032 A 13 11/16 页 14 0092 因此, 根据一些实施方式, 一种制备光漫射光纤的方法, 来控制沿着光纤长度的照 明均匀性, 其中最小漫射照明强度不小于最大漫射照明强度的 0.7 倍, 其中所述方法包括 在拉制过程中控制光纤拉力的步骤。 0093 光漫射光纤 12 中纳米尺寸结构的存在产生光漫射导致的损耗, 并且透过光纤外 表面的光漫射可用于照明目的。图 4A 是图 3。
40、C 的光纤 (具有填充了 SO2气体的孔隙的光纤) 的衰减 (损耗) (dB/m) 与波长 (nm) 的曲线图。图 4A 表明, (i) 光漫射光纤 12 可在可见光 波长范围内实现非常大的漫射损耗 (因此可提供高照明强度) 。相比于常规 125m 渐变折 射率纤芯多模比较光纤 A(光纤 A 是没有纳米结构区的阶梯式折射率多模光纤, 在可见光 波长范围内的瑞利漫射损耗约为 0.02dB/km, 或者在 500nm 波长处约为 20dB/km, 且具有 1/ 4的较强波长依赖性) , 光纤 12 的漫射损耗还具有弱波长依赖性 (Ls与 1/-p成正比, 其 中 p 小于 2, 优选小于 1, 甚。
41、至更优选小于 0.5) 。图 4A-4B 还显示了光纤 12 的拉力效应。 更具体地, 图 4A-4B 表明, 拉制光纤的拉力越大, 所得漫射损耗越小 ; 拉制光纤的拉力越小, 得到漫射损耗越大 (即照明强度越高) 的光纤部分。图 4A 显示了在 90g 和 400g 的不同光 纤拉力下拉制出的光漫射光纤 12(纤芯中有孔隙) 的衰减 - 波长关系图。图 4B 显示了在 90g 和 40g 的不同光纤拉力下拉制出的不同光漫射光纤 12(纤芯中有孔隙) 、 具有归一化损 耗的比较多模光纤 (光纤 A) 和具有 1/ 损耗依赖性的理论光纤的衰减 - 波长关系图。 (应 注意的是, 图 4B 描述了。
42、损耗对波长的依赖性。在此示例中, 为了比较光纤 12 和光纤 A 的 漫射斜率, 将低损耗光纤 (光纤 A) 的损耗乘以系数 20, 使得这两条曲线能够容易显示在同 一附图中。 ) 虽然不受任何特定理论的限制, 但是相信, 当拉制拉力减小, 例如从 90g 减小到 40g 时, 纳米结构的平均直径增大导致了漫射损耗的增大。因此, 光纤拉力的这种效应可通 过在拉制过程中改变光纤拉力, 来沿着光纤长度产生恒定的衰减 (照明强度) 。例如, 在高拉 力 T1 下拉制的损耗为 1dB/m、 长度为 L1 的第一光纤区段将使得光功率从输入水平 P0 衰 减到 P0exp(-1*L1/4.343)。在较低。
43、拉力 T2 下拉制的损耗为 2dB/m、 长度为 L2 的第二 光纤区段与第一光纤区段光连接后, 将进一步使得光功率从 P0exp(-1*L1/4.343) 衰减到 P0exp(-1*L1/4.343)exp(-2*L2/4.343)。 可调节第一和第二光纤部分的长度和衰减, 以 便沿着连接好的光纤的长度提供均匀的强度。 0094 光漫射光纤12的优点之一是它们能够沿着光漫射光纤的长度提供均匀照明。 图5 显示了光纤12的设置, 该设置沿光纤长度得到均匀照明, 并且在单一光漫射光纤12中利用 双光程。在此设置中, 将反射镜 M 置于光漫射光纤 12 的尾部。光源 150 提供给光漫射光纤 12。
44、的输入光沿光漫射光纤12的轴传播, 余下的光被反射镜反射, 回过来沿光纤12的轴朝输 入端传播。如果适当地选择光纤 12 的衰减和长度, 则回传到光源的光输出功率小于起始光 功率的 2%-5%。对于具有恒定损耗分布的光纤 (见图 4A) , 漫射损耗强度可能在光纤的头部 更高, 而在光纤的尾部更弱。 但是, 如果以周期性受控的拉力 (拉力值与炉温有关, 炉温可在 1800至 2100之间变化) 拉制光漫射光纤 12, 使得漫射损耗在光纤头部更低 (强度高) 而 在尾部更高 (强度更低) , 则可使所得漫射强度的变化更小, 或者恒定 (例如, 如图6A所示, 示 例 C) 。可在例如 40-40。
45、0g 之间控制和改变拉制光纤的拉力, 从而提供宽范围的漫射诱导衰 减 (例如高达 6 倍) 。图 5 中的反射镜 M 也可用第二光源代替, 所述第二光源的功率密度输 出类似于第一光源的功率密度输出 (在 2 倍的范围内, 即在 50%-200% 的范围内) , 不仅产生 更均匀的照明, 而且还增加光纤所漫射的光的量。 说 明 书 CN 103858032 A 14 12/16 页 15 0095 生物反应器 / 照明系统的一个示例性实施方式的一个方面是漫射光强度的角度 分布在角度空间里是均匀的或接近均匀。 自光纤表面沿轴向漫射的光相对于平均漫射强度 的变化小于 50%, 优选小于 30%, 优。
46、选小于 20%, 更优选小于 10%。在没有纳米尺寸结构的基 于二氧化硅的常规光纤中, 主要漫射机理是瑞利漫射, 这种漫射具有宽角度分布。 纳米结构 环中的孔隙导致额外的漫射损耗的光纤 12 可具有强正向分量 (forward component) , 如图 6A(实施方式 a 和 b) 和图 6B(实施方式 a ) 所示。但是, 此分布可通过在光漫射光纤 12 的 涂层顶部设置漫射材料来矫正。用包含基于 TiO2的白油墨的涂料制成的光漫射光纤 (参见 图 6B, 实施方式 b ) 所提供的漫射光角度分布具有明显更小的正向偏置。通过更厚的附加 TiO2油墨层 (例如 1-5m) , 可以进一步。
47、减小正向漫射分量, 从而增强角度强度分布的均匀 性。但是, 如图 7 所示, 如果照明器设计可利用与后向反射镜或附加光源光连接的光纤 (见 图 5) , 则即使光纤没有基于 TiO2的白油墨涂层, 此构造也能提供较平坦 (即非常均匀) 的角 度漫射强度 (见图6A) 。 在一些实施方式中, 油墨涂层沿着光纤长度的受控变化 (油墨涂层厚 度或者涂层中油墨浓度的变化) 将提供另一种途径, 使光纤在大角度 (超过 15 度) 上漫射的 光的强度变化更均匀。 0096 在一些实施方式中, 油墨可以是将漫射光转换成波长更长的光的荧光材料。在一 些实施方式中, 通过将具有这种涂层的光漫射光纤 12 连接到。
48、 UV 光源, 例如 405nm 或 445nm 的二极管激光器, 可使光纤 12 发出白光 (从外表面扩散出来) 。在示例性实施方式中, 荧光 白光的角度分布是基本均匀的 (例如在角度空间中为 25%-400%, 优选 50-200%, 甚至更优选 50%-150%, 或 70%-130%, 或 80%-120%) 。 0097 要将光纤有效连接到低成本光源如发光二极管 (LED) 或太阳光上, 需要光纤具有 高 NA 和大纤芯直径。对于类似于图 2 所示的设计, 可使多模纤芯 20 的尺寸最大化, 并且可 具有最高至 500m 的半径。包覆厚度可小得多, 例如约为 15-30m (例如约为。
49、 20m) 。例 如, 根据一个实施方式, 可将多根光漫射光纤 12 卷绕在支承结构上, 每根光漫射光纤可光 连接到光源或多个光源。多根光漫射光纤 12 可以以如下至少一种形式捆扎在一起 : 带、 带 堆 (ribbon stack) 或圆束 (round bundle)。光纤束或光纤带 (即多根光纤的集合) 也可设 置成光源的形状, 以提高连接效率。典型的束 / 带结构可包含例如 2-36 根光漫射光纤 12, 或者可包含多达数百根光纤 12。可作为多根光纤的组合件的光缆设计形式是众所周知的, 可包括带、 多根带的集合或者聚集成管的光纤。 这种光纤可包括一根或多根光漫射光纤12。 0098 连接到光漫射光纤中的连续亮光源。