图形形成方法、膜结构体、电光装置及电子设备.pdf

一种图形形成方法、膜结构体、电光装置及电子设备，利用校准标记(AM)在衬底(P)上的隔壁(B1)间配置含有图形形成材料的液体材料，形成图形(80)。在图形(80)的形成前，具有形成与校准标记(AM)对应的标记用隔壁(B1)的工序和在标记用隔壁(B1)之间配置含有校准标记形成材料的液体材料的工序。因此，能以高的校准精度形成图形。

1.  一种图形形成方法，利用校准标记在衬底上的隔壁之间配置含有图形形成材料的液体材料，形成图形，其特征在于，具有：
在所述图形形成前，形成与所述校准标记对应的标记用隔壁的工序；
在所述标记用隔壁之间配置含有所述校准标记形成材料的液体材料的工序。

2.  如权利要求1所述的图形形成方法，其特征在于：
包括对所述衬底的表面进行表面处理的工序。

3.  如权利要求1或2所述的图形形成方法，其特征在于：
包括测定被配置在所述标记用隔壁之间的含有所述校准标记形成材料的液体材料的伸长距离，判断所述表面处理是否适当的工序。

4.  如权利要求1～3中任何一项所述的图形形成方法，其特征在于：
由同一工序形成所述隔壁和所述标记用隔壁。

5.  如权利要求1～4中任何一项所述的图形形成方法，其特征在于：
所述图形具有用不同材料依次叠层在所述衬底上的第一图形及第二图形。

6.  如权利要求5所述的图形形成方法，其特征在于：
用相同的材料形成所述校准标记和所述第一图形。

7.  如权利要求6所述的图形形成方法，其特征在于：
由同一工序形成所述校准标记和所述第一图形。

8.  如权利要求5～7中任何一项所述的图形形成方法，其特征在于：
所述第一图形用与所述衬底的密接性比所述第二图形高的材料形成。

9.  如权利要求1～8中任何一项所述的图形形成方法，其特征在于：
所述图形是布线图形。

10.  如权利要求1～9中任何一项所述的图形形成方法，其特征在于：
具有利用所述校准标记形成像素电极的工序。

11.  如权利要求1～10中任何一项所述的图形形成方法，其特征在于：
具有利用所述校准标记形成半导体层的工序。

12.  一种膜结构体，其特征在于：具备利用权利要求1～10中任何一项所述的图形形成方法形成的图形。

13.  一种电光装置，其特征在于：具备权利要求12所述的膜结构体。

14.  一种电子设备，其特征在于：具备权利要求13所述的电光装置。

图形形成方法、膜结构体、电光装置及电子设备
技术领域
本发明涉及图形形成方法、膜结构体、电光装置及电子设备。
背景技术
近年来，作为导电性图形的形成方法，已知有例如在玻璃衬底等的表面上形成疏液部和亲液部，通过在亲液部配置含有金属微粒的液体来形成图形的方法(例如，参照专利文献1)。该方法为：在衬底上形成由有机分子构成的疏液膜后，通过除去该疏液部的一部分形成亲液部，再向喷头填充成为导电性图形的材料的含有金属微粒等的液体，一边使该喷头和衬底相对移动、一边从喷头向亲液部喷出液体。
此外，在进行如此的液体喷出法之前，在衬底上预先设置称为校准标记的记号，液体喷出装置的检测部检测该校准标记，通过调整达到规定位置，将衬底确定在规定位置，设定喷头喷出液体的起点。
专利文献1：日本特开2002-164635号专利公报
但是，在上述的以往技术中，存在以下的问题。
在采用抗蚀剂等形成校准标记的时候，虽然形成与校准标记的形状对应的围堰(隔壁)，但由于围堰的透射率高，所以即使采用CCD摄像机等校准显微镜观察校准标记，识别精度也降低，结果，有校准精度下降的可能性。
尤其，在形成由叠层膜构成的布线图形的时候或在衬底整面上形成薄膜的时候，有可以导致叠层精度下降。
发明内容
本发明是鉴于以上的事实而提出的，其目的在于提供一种能够用高的校准精度形成图形的图形形成方法、及采用该图形形成方法制造的膜结构体、电光装置及电子设备。
为达到上述目的，本发明采用以下构成。
本发明的图形形成方法，利用校准标记在衬底上的隔壁间配置含有图形形成材料的液体材料，形成图形，其特征在于，具有：在所述图形的形成前，形成与所述校准标记对应的标记用隔壁的工序；在所述标记用隔壁之间，配置含有所述校准标记形成材料的液体材料的工序。
因此，在本发明的图形形成方法中，通过在标记用隔壁间配置含有透射率低的校准标记形成材料的液体材料，能够以高识别精度计测校准标记。因此，图形形成时的校准精度高，能以高的位置精度形成图形。
另外，所述方法，在图形由布线图形构成时特别有效。
此外，在本发明中，优选包含表面处理所述衬底的表面的工序。
由此，在本发明中，由于能够抑制配置在衬底上的液滴的活动，所以能够形成所要求的图形。
此外，在本发明中，优选包含测定配置在所述标记用隔壁之间的含有所述校准标记形成材料的液体材料的伸长距离来判断所述表面处理是否适当的工序。
由此，在本发明中，由于能够在衬底上的表面状态良好时进行扫描，在不好时中止扫描，再生衬底，所以能够减少材料的浪费。
此外，在本发明中，优选采用同一工序形成所述隔壁和所述标记用隔壁。
由此，在本发明中，由于不需要另外工序形成两隔壁，所以能够提高制造效率。
此外，在本发明中，能够采用作为所述图形具有用不同材料依次叠层在所述衬底上的第一图形及第二图形的构成。在此种情况下，在本发明中，能够更简单地形成校准精度高的叠层图形。
此外，在此种情况下，通过用相同的材料形成所述校准标记和所述第一图形，准备作业容易进行，同时还能够防止污染。
另外，在该构成中，能够用同一工序形成所述校准标记和所述第一图形，能够提高制造效率，所以优选。
此外，作为所述第一图形，优选用与所述衬底的密接性比所述第二图形高的材料形成。
由此，在本发明中，通过在第一层配置赋予密接性的层(中间层)，能够形成与衬底的密接性高的不易发生剥离等的不良的图形。
此外，在本发明中，具有利用所述校准标记形成半导体层或像素电极的工序的方法也适合采用。
由此，在本发明中，能够高精度地对位布线图形等图形和半导体层或像素电极。
此外，本发明的膜结构体，其特征在于：具备利用上述的方法形成的图形。在该膜结构体中，由于能够高精度地进行图形的校准，所以能够使图形高密度化。此外，由于能够采用液滴喷出法进行校准标记的形成，所以能够廉价地形成膜结构体。
此外，本发明的电光装置，其特征在于：具备上述的膜结构体。此处，作为电光装置，能够例示例如液晶显示装置、有机电致发光显示装置、等离子型显示装置等。此外，本发明的电子设备，其特征在于具备上述的电光装置。
根据本构成，能够廉价地提供具有高品质的图形的电光装置、电子设备。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的液晶显示装置的等效电路图。
图2是表示该液晶显示装置的整体构成的平面图。
图3是表示该液晶显示装置的1像素区域的平面构成图。
图4是表示该液晶显示装置的TFT阵列衬底的局部剖面构成图。
图5(a)是表示一例液滴喷出装置的图示，(b)是喷头的概略图。
图6是栅电极形成工序中的衬底的平面图。
图7是用于说明TFT阵列衬底的制造方法的剖面工序图。
图8是用于说明TFT阵列衬底的制造方法的剖面工序图。
图9是用于说明TFT阵列衬底的制造方法的剖面工序图。
图10是用于说明TFT阵列衬底的制造方法的剖面工序图。
图11是用于说明TFT阵列衬底的制造方法的剖面工序图。
图12是表示将本发明的电光装置用于等离子型显示装置的例子的分解立体图。
图13是表示一例电子设备的立体构成图。
图14是表示校准标记的其它形状例的平面图。
图15是表示校准标记的其它形状例的平面图。
图中：AM-校准标记，B1-第一围堰(隔壁、标记用隔壁)，IJ-液滴喷出装置，P-玻璃衬底(衬底)，33-半导体层，80a-第一电极层(第一图形)，80b-第二电极层(第二图形)，100-液晶显示装置(电光装置)，500-信息处理装置(电子设备)，800-手表本体(电子设备)。
具体实施方式
以下，参照图1～图14说明本发明的图形形成方法、膜结构体、电光装置及电子设备的实施方式。
另外，在参照的各图中，为了形成在图面上可识别的尺寸，有时各层或各元件的缩放比例不同。
(电光装置)
首先，说明本发明的电光装置的一实施方式。
图1是表示本发明的电光装置的一实施方式即液晶显示装置100的等效电路图。在该液晶显示装置100中，在构成像素显示区域的矩阵状配置的多个点上分别形成控制像素电极19和用于控制该像素电极19的开关元件即TFT60，供给像素信号的数据线(电极布线)16与该TFT60的源极电连接。按线顺序依次向数据线16供给写入的图像信号S1、S2、…、Sn，或者按每组向相邻的多个数据线16供给。此外，扫描线(电极布线)18a与TFT60的栅极电连接，对多个扫描线18a，按规定的定时，以线顺序脉冲外加扫描信号G1、G2、…、Gm。此外，像素电极19与TFT60的漏极电连接，通过以一定时间接通开关元件即TFT60，按规定的定时写入从数据线16供给的像素信号S1、S2、…、Sn。
经由像素电极19写入液晶的规定水平的像素信号S1、S2、…、Sn，在与后述的公共电极之间保持一定期间。另外，利用液晶的分子集合的取向或秩序根据该外加的电压水平而变化的原理来调制光，可进行任意的灰度等级显示。此外，在各点上，为了防止写入液晶的图像信号泄漏，与形成在像素电极19和公共电极之间的液晶电容并联地附加蓄积电容17。符号18b是与该蓄积电容17一侧的电极连接的电容线。
接着，图2是液晶显示装置100的整体构成图。液晶显示装置100，具备TFT阵列衬底10和对置衬底25经由平面视大致矩形框状的密封材52贴合在一起的构成，夹在所述两衬底10、25之间的液晶通过密封材52封入在所述衬底间。另外，在图2中，表示成对置衬底25的外周端在平面视状态下与密封材52的外周端一致。
在密封材52的内侧的区域呈矩形框状形成由遮光性材料构成的遮光膜53。在密封材52的外侧的周边电路区域，沿着TFT阵列衬底10的一边设置数据线驱动电路201和安装端子202，沿着与该一边相邻的2边分别设置扫描线驱动电路104、104，在TFT阵列衬底10的剩下的一边形成连接所述扫描线驱动电路104、104间的多个布线105。此外，在对置衬底25的角部配设用于在TFT阵列衬底10和对置衬底25之间电导通的多个衬底间导通材106。
接着，图3是用于说明液晶显示装置100的像素构成的图示，是模式表示平面构成的图示。如图3所示，在液晶显示装置100的显示区域，多个扫描线18a向一方向延伸，多个数据线16在与这些扫描线18a交叉的方向延伸。在图3中，被扫描线18a和数据线16围住的平面视矩形状的区域是点区域。与1个点区域对应地形成3基色中1色的彩色滤光片，在图示的3个点区域，形成具有3色的着色部22R、22G、22B的1个像素区域。这些着色部22R、22G、22B周期地排列在液晶显示装置100的显示区域内。
在图3所示的各点区域内设置由ITO(铟锡氧化物)等透光性的导电膜构成的平面视大致矩形状的像素电极19，在像素电极19和扫描线18a、数据线16之间配设TFT60。TFT60，其构成具备：半导体层33、设在半导体层33的下层侧(衬底侧)的栅电极80、设在半导体层33的上层侧的源电极34、漏电极35。在半导体层33和栅电极80对置的区域形成TFT60的通道区域，在其两侧的半导体层上形成源极区域及漏极区域。
栅电极80，以向数据线16的延伸方向分支扫描线18a的一部分的方式形成，在其前端部经由未图示的绝缘膜(栅绝缘膜)在纸面垂直方向与半导体层33对置。源电极34，以向扫描线18a的延伸方向分支数据线16的一部分的方式形成，与半导体层33(源极区域)电连接。漏电极35的一端(图示左端)侧与所述半导体层33(源极区域)电连接，漏电极35的另一端(图示右端)侧，与像素电极19电连接。
根据上述构成，TFT60，具有作为开关元件的功能，通过经由扫描线18a输入的栅极信号只在规定期间形成接通状态，将经由数据线16供给的图像信号按规定的定时对液晶写入。
图4是沿图3的B-B’线的TFT阵列衬底10的主要部位剖面构成图。如图4所示，TFT阵列衬底10，其构成是，在玻璃衬底(衬底)P的内面侧(图示上面侧)形成本发明的TFT60，进而形成像素电极19。在玻璃衬底P上形成部分开口的第一围堰B1，在该围堰B1的开口部埋设栅电极80和覆盖其的栅绝缘膜83的一部分。
栅电极80，是通过在玻璃衬底P上叠层具有作为密接层功能的由Mn或Ti、W等金属材料构成的第一电极层(第一图形)80a、具有作为主导电层的功能的由Ag或Cu、Al等金属材料构成的第二电极层(第二图形)80b、和由Ni、TiN等金属材料构成的罩层81而构成。
在第一围堰B1上经由由SiNx构成的栅绝缘膜83，形成第二围堰B2，在该第二围堰B2上形成用于露出包含所述栅电极80的区域的开口。在该开口内的与所述栅电极80平面重叠的位置，经由所述栅绝缘膜83形成半导体层33。半导体层33，由不定形硅层84、叠层在该不定形硅层84上的N⁺硅层85构成。N⁺硅层85，在不定形硅层84上被分割成平面间隔开的2个部位，一个N⁺硅层85，与跨过栅绝缘膜83上和该N⁺硅层85上形成的源电极34电连接，另一个N⁺硅层85，与跨过栅绝缘膜83上和该N⁺硅层85上形成的漏电极35电连接。不定形硅层84、用于形成欧姆接合的N⁺硅层85，也能够使用含有硅化合物、及掺杂剂源的液体材料，通过喷墨形成。作为硅化合物的具体的例子，可列举通过对环戊硅烷等具有1个以上的环状结构的硅烷照射紫外线，成为使其光聚合的高级硅烷的。此外，作为掺杂剂源的具体例，可列举含有磷等5族元素、或硼等3族元素的物质。
源电极34和漏电极35，通过形成在第二围堰B2的所述开口内的第二围堰B3相分离，在如后述被区分为第二围堰B2、B3的区域内，如后述那样用液滴喷出法形成。此外，在源电极34和漏电极35上配置绝缘材料86，以填埋所述开口内。在该绝缘材料86上形成接触孔87，经由该接触孔87使形成在第二围堰B2及绝缘材料86上的像素电极19、与漏电极35导通。然后，根据如此的构成，形成本发明的TFT60。
另外，如图3所示，由于数据线16和源电极34、及扫描线18a和栅电极80分别一体地形成，所以数据线16形成与源电极34同样被绝缘材料86覆盖的结构，扫描线18a形成与栅电极80同样被罩层81覆盖的结构。
此外，实际上，在像素电极19、及第二围堰B2、B3、绝缘材料86的表面上，形成用于控制液晶的初期取向状态的取向膜，在玻璃衬底P的外面侧设置相位差板或偏光板，用于控制入射到液晶层的光的偏光状态。另外，在TFT阵列衬底10的外侧(面板背面侧)设置背光灯，用作透射型或半透射半反射型的液晶显示装置时的照明机构。
关于对置衬底25，省略详细的图示，具有在与玻璃衬底P同样的衬底的内面(与TFT阵列衬底10的对置面)侧叠层排列形成有图3所示的着色部22R、22G、22B的彩色滤光片层和由平面平坦状的透光性导电膜构成的对置电极的构成。此外，在所述对置电极上形成与TFT阵列衬底相同的取向膜，在衬底外面侧根据需要配置相位差板或偏光板。
此外，封闭在TFT阵列衬底10和对置衬底25之间的液晶层主要由液晶分子构成。作为构成该液晶层的液晶分子，只要是向列液晶、蝶状结构的液晶等可取向的液晶分子，可以采用任意液晶分子，但在是TN型液晶面板的时候，优选形成向列液晶的液晶分子的，例如，苯基环己烷衍生物液晶、联苯衍生物液晶、联苯环己烷衍生物液晶、三联苯衍生物液晶、二苯醚衍生物液晶、苯酚酯衍生物液晶、二环己烷衍生物液晶、甲亚胺衍生物液晶、氧化偶氮衍生物液晶、嘧啶衍生物液晶、二烷衍生物液晶、立方烷衍生物液晶等。
具备以上构成的本实施方式的液晶显示装置100，通过利用外加电压控制了取向状态的液晶层调制从背光灯入射的光，可进行任意的灰度等级的显示。此外，由于在各点上设置着色部22R、22G、22B，所以能够按每个像素混合3基色(R、G、B)的色光，能够进行任意的彩色显示。
(薄膜晶体管的制造方法)
接着，以所述TFT60的制造方法为基础，说明根据本发明的图形形成方法的一实施方式。在所述TFT60上，采用液滴喷出法形成栅电极80、源电极34、漏电极35的图形，同时对于像素电极19也采用液滴喷出法形成。
[液滴喷出装置]
首先，说明在本实施方式的制造方法中所用的液滴喷出装置。在本制造方法中，从液滴喷出装置具备的液滴喷头的喷嘴，以液滴状喷出含有导电性微粒或其它功能材料的墨(功能液)，形成构成薄膜晶体管的各构成要素。作为本实施方式所用的液滴喷出装置，可采用图5所示的构成的装置。
图5(a)是表示在本实施方式中所用的液滴喷出装置IJ的概略构成的立体图。
液滴喷出装置IJ，具备：液滴喷头301、X轴方向驱动轴304、Y轴方向导轴305、控制装置CONT、载物台307、清洗机构308、底座309、加热器315。
载物台307，用于支持通过该液滴喷出装置IJ设置墨(功能液)的衬底P，具备将衬底P固定在基准位置上的未图示的固定机构。
液滴喷头301是具有多个喷嘴的多喷嘴式的液滴喷头，使长度方向和Y轴方向一致。多个喷嘴，在Y轴方向按一定间隔并排设在液滴喷头301的下面。从液滴喷头301的喷嘴，对支持在载物台307上的衬底P喷出所述的墨(功能液)。
在X轴方向驱动轴304上连接X轴方向驱动电机302。X轴方向驱动电机302是步进电机等，如果从控制装置CONT供给X轴方向的驱动信号，就使X轴方向驱动轴304旋转。如果X轴方向驱动轴304旋转，液滴喷头301就向X轴方向移动。
Y轴方向导轴305，相对于底座309以不动的方式固定。载物台307具备Y轴方向驱动电机303。Y轴方向驱动电机303是步进电机等，如果从控制装置CONT供给Y轴方向的驱动信号，就使载物台307向Y轴方向移动。
控制装置CONT，向液滴喷头301供给液滴的喷出控制用的电压。此外，向X轴方向驱动电机302供给控制液滴喷头301的X轴方向的移动的驱动脉冲信号，向Y轴方向驱动电机303供给控制载物台307的Y轴方向的移动的驱动脉冲信号。
清洗机构308用于清洗液滴喷头301。在清洗机构308上具备未图示的Y轴方向的驱动电机。通过该Y轴方向的驱动电机的驱动，清洗机构，沿着Y轴方向导轴305移动。清洗机构308的移动也由控制装置CONT控制。
这里，加热器315是通过灯退火而热处理衬底P的机构，进行涂布在衬底P上的液体材料所含的溶剂的蒸发及干燥。该加热器315的电源的投入及断开也由控制装置CONT控制。
液滴喷出装置IJ，一边相对地扫描液滴喷头301和支持衬底P的载物台307、一边向衬底P喷出液滴。此处，在以下的说明中，将X轴方向作为扫描方向，将与X轴方向正交的Y轴方向作为非扫描方向。因此，液滴喷头301的喷嘴，按一定间隔并排设在非扫描方向即Y轴方向。另外，在图5(a)中，液滴喷头301相对于衬底P的前进方向呈直角配置，但也可以调整液滴喷头301的角度，使其与衬底P的前进方向交叉。这样一来，通过调整液滴喷头301的角度，能够调节喷嘴间的间距。此外，也可以任意调整衬底P和喷嘴面的距离。
图5(b)是用于说明利用压电方式喷出墨的原理的液滴喷头的概略构成图。
在图5(b)中，与收容墨(功能液)的液体室321相邻地配置压电元件322。经由包括收容墨的材料罐的墨供给系323向液体室321供给墨。压电元件322与驱动电路324连接，经由该驱动电路324向压电元件322施加电压，使压电元件322变形，使液体室321弹性变形。然后，根据该弹性变形时的内容积的变化，从喷嘴325喷出液体材料。
在此种情况下，通过使外加电压的值变化，能够控制压电元件322的变形量。此外，通过使外加电压的频率变化，能够控制压电元件322的变形速度。由于利用压电方式的液滴喷出不对材料施加热，所以具有不易影响材料组成的优点。
[墨(功能液)]
此处，说明在本实施方式的制造方法中，所述栅电极80、源电极34、漏电极35等导电图形的形成所用的墨(功能液)。
本实施方式所用的导电图形用的墨(功能液)，是由使导电性微粒分散在分散剂中的分散剂或其前身物构成的。作为导电性微粒，例如除含有金、银、铜、钯、铌及镍等的金属微粒外，也能够采用它们的前身物、合金、氧化物以及导电性聚合物或铟锡氧化物等微粒等。这些导电性微粒，为提高分散性，还能够对其表面涂敷有机物等后使用。优选导电性微粒的粒径在1nm～0.1μm。如果大于0.1μm，不仅有在液滴喷头301的喷嘴产生堵塞的顾虑，而且有可能恶化得到的膜的致密性。此外，如果小于1nm，涂敷剂与导电性微粒的体积比就会增大，得到的膜中的有机物的比例过大。
作为分散剂，只要是能够分散所述的导电性微粒且不引起凝聚的即可，不特别限定。例如，除水以外，可例示甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇类，n-庚烷、n-辛烷、癸烷、十二烷、十四烷、甲苯、二甲苯、异丙基甲苯、杜烯、茚、二戊烯、四氢化萘、十氢化萘、环己基苯等烃系化合物，此外，乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲乙醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇甲乙醚、1，2-二甲氧基乙烷、双(2-甲氧基乙基)醚、p-二烷等醚系化合物，以及碳酸丙烯酯、γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、环己酮等极性化合物。其中，从在微粒的分散性和分散剂的稳定性、或在液滴喷出法(喷墨法)中应用的容易性等方面考虑，优选水、醇类、烃系化合物、醚系化合物，作为更优选的分散剂，可列举水、烃系化合物。
所述导电性微粒的分散剂的表面张力优选在0.02N/m～0.07N/m的范围内。如果表面张力低于0.02N/m，则由于墨组成物相对于喷嘴面的润湿性增大，所以容易产生飞行弯曲，如果超过0.07N/m，则由于喷嘴前端的弯液面的形状不稳定，所以喷出量或喷出定时的控制困难。为了调整表面张力，优选在所述分散剂中，在不使与衬底的接触角减小太多的范围内，微量添加氟系、硅系、非离子系等表面张力调节剂。非离子系表面张力调节剂，用于提高液体对衬底的润湿性，改进膜的水平性，防止发生膜的微细凹凸等。所述表面张力调节剂，也可以根据需要，含有醇、醚、酯、酮等有机化合物。
所述分散剂的粘度，优选为1mPa·s～50mPa·s。在采用喷墨法作为液滴喷出液体材料时，在粘度小于1mPa·s的情况下，喷嘴周边部容易被流出的墨污染，此外在粘度大于50mPa·s的情况下，喷嘴孔的堵塞频率高，不仅难喷出流畅的液滴，而且液滴的喷出量也会减少。
此外，尤其作为形成第一围堰B1及第二围堰B2所用的材料，例如可采用聚硅氨烷液。该聚硅氨烷液，是作为固形成分以聚硅氨烷为主成分的，例如可使用含有聚硅氨烷和光氧化发生剂的感光性聚硅氨烷液。该感光性聚硅氨烷液具有作为正型抗蚀剂的功能，可通过曝光处理和显影处理直接进行图形加工，另外，作为如此的感光性聚硅氨烷，例如，可例示在特开平2002-72504号公报中记载的感光性聚硅氨烷。此外，对于在该感光性聚硅氨烷中含有的光氧化发生剂，也可以采用特开平2002-72504号公报中记载的。
如此的聚硅氨烷，例如在聚硅氨烷是以下的化学式(1)所示的聚硅氨烷的时候，如后述，通过进行加湿处理，如化学式(2)或化学式(3)所示，部分水解，进一步通过进行低于350℃的加热处理，如化学式(4)～化学式(6)所示缩合，成为聚甲基硅氧烷[-(SiCH₃O_1.5)n-]。此外，在化学式中虽未示出，但如果进行350℃以上的加热处理，会引起侧链的甲基的脱离，尤其如果在400℃至450℃进行加热处理，侧链的甲基几乎都脱离，成为聚硅氧烷。另外，在化学式(2)～化学式(6)中，为了说明反应机理，简化化学式，只示出化合物中的基本构成单元(重复单元)。
如此形成的聚甲基硅氧烷或聚硅氧烷，由于以无机质的聚硅氧烷作为骨架，所以例如与由液滴喷出法配置，再烧成形成的金属层相比，具有良好的致密性。因此，形成的层(膜)表面的平坦性也良好。此外，由于具有对热处理的高耐性，所以也适合用作围堰材料。
·化学式(1)；-(SiCH₃(NH)_1.5)n-
·化学式(2)；
·化学式(3)；
·化学式(4)；
·化学式(5)；
·化学式(6)；
[TFT阵列衬底的制造方法]
以下，参照图6～图11说明包括TFT60的制造方法的TFT阵列衬底10的各制造工序。另外，图7～图11，是表示本实施方式的制造方法中的一系列工序的剖面工序图。
<栅电极形成工序>
在该工序中，如图6所示，在衬底P上形成栅电极80(及扫描线18a)、和形成该栅电极80或TFT60时所用的十字状的多个(在图6中为7个)校准标记AM。
另外，为了对于衬底P实施扫描线18a延伸方向(X方向)及与该方向正交的方向Y方向、以及与衬底P的表面正交的轴(Z轴)圆周方向的校准标记，在3处(图6中，左上、右上、右下)形成校准标记AM，但这里为了用于形成第二电极层80b或半导体层33，在每处形成多个(其中，在图6中，只示出位于左上角的多个校准标记)。
如图7、图8所示，作为衬底准备由无碱玻璃等构成的玻璃衬底P，在其一面侧形成第一围堰B1后，通过对形成在该第一围堰B1上的开口部30滴下规定的墨(功能液)，在开口部30内形成栅电极80。该栅电极形成工序包括围堰形成工序、疏液化处理工序、第一电极形成工序、第二电极形成工序、烧成工序。
{第一围堰形成工序}
首先，为了在玻璃衬底上按规定图形形成栅电极80(及扫描线18a)，在玻璃衬底P上形成具有规定图形的开口部的第一围堰。该第一围堰，是用于平面区分衬底面的分隔元件，在该围堰的形成中，特别优选采用光刻法。具体是，首先，用旋涂、喷涂、滚涂、模涂、浸渍涂等方法，如图7(a)所示，与形成在玻璃衬底P上的围堰的高度一致地，涂布所述感光性聚硅氨烷液，形成聚硅氨烷薄膜BL1。
接着，例如在热板上，以110℃、1分钟左右烘焙得到的聚硅氨烷薄膜BL1。
接着，如图7(b)所示，采用掩模M曝光聚硅氨烷薄膜BL1。在该掩模M上，形成与栅电极80(及扫描线18a)的形状·位置对应的开口部M1、和与校准标记AM的形状·位置对应的开口部M2。
此时，由于该聚硅氨烷薄膜BL1如前所述具有作为正型抗蚀剂的作用，所以可有选择地曝光通过后述的显影处理除去的部位。作为曝光光源，根据所述感光性聚硅氨烷液的组成或感光特性，从以往的光刻蚀的曝光所用的高压水银灯、低压水银灯、金属卤化物灯、氙灯、激元激光器、X射线、电子束等中适当选择。关于照射光的能量，尽管根据光源或膜厚确定，但通常在0.05mJ/cm²以上，优选规定在0.1mJ/cm²以上。虽没有特别规定上限，但如果过多地设定照射量，从处理时间的关系考虑，不实用，所以通常规定在10000mJ/cm²以下。曝光一般只要在周围气氛(大气中)或氮气氛下进行就可以，但是为了促进聚硅氨烷的分解，也可以采用富含氧的气氛。
通过如此的曝光处理，含有光氧化发生剂的感光性聚硅氨烷薄膜BL1，尤其在曝光部分，在膜内有选择地发生氧，由此聚硅氨烷的Si-N键解裂。另外，与气氛中的水分反应，如所述的化学式(2)或化学式(3)所示，聚硅氨烷薄膜BL1部分水解，最终生成硅烷醇(Si-OH)键，聚硅氨烷分解。
接着，为了更加促进如此的硅烷醇(Si-OH)键的生成、聚硅氨烷的分解，如图7(c)所示，例如在25℃、相对湿度85％的环境下，以5分钟左右加湿处理曝光后的聚硅氨烷薄膜BL1。若如此向聚硅氨烷薄膜BL1内继续供给水分，暂时有助于聚硅氨烷的Si-N键的解裂的酸就作为反复解裂催化剂发挥作用。即使在曝光中也生成该Si-N键，但在曝光后，通过加湿处理曝光了的膜，可进一步促进聚硅氨烷的Si-OH化。
另外，关于如此的加湿处理中的处理气氛的湿度，越高越能加快Si-OH化速度。但是，如果太高，有在膜表面结露的顾虑，因此从此观点考虑，设定在相对湿度90％以下是实用的。
此外，关于如此的加湿处理，只要使含有水分的气体与聚硅氨烷薄膜BL1接触就可以，因此，在加湿处理装置内放置曝光过的衬底P，只要向该加湿处理装置连续地导入含有水分的气体就可以。或者，也可以预先导入含有水分的气体，在被调湿的状态的加湿处理装置内，装入曝光过的衬底P，放置所要求的时间。
接着，在25℃，例如通过浓度2.38％的TMAH(氢氧化四甲铵)液显影处理加湿处理后的聚硅氨烷薄膜BL1，通过有选择地除去被曝光部，如图8(a)所示，用一道工序形成第一围堰的前身物BP1，其具有与栅电极80的形成区域对应的开口部30和与校准标记AM的形成区域对应的开口部31，成为栅电极80形成时的隔壁及校准标记AM形成时的标记用隔壁。另外，作为显影液，TMAH以外的其他的碱显影液，还可以采用胆碱、硅酸钠、氢氧化钠、氢氧化钾等。
{疏液化处理工序}
接着，在根据需要用纯水漂洗后，对第一围堰的前身物BP1，根据需要进行疏液化处理，对其表面赋予疏液性。作为疏液化处理，例如能够采用在大气气氛中以四氟甲烷作为处理气体的等离子处理法(CF₄等离子处理法)。CF₄等离子处理的条件例如为，等离子功率：50kW～1000kW、四氟甲烷气体流量：50ml/min～100ml/min、衬底相对于等离子放电电极的传送速度：0.5mm/sec～1020mm/sec、衬底温度：70℃～90℃。另外，作为处理气体，也不局限于四氟甲烷(四氟化碳)，也能够采用其它氟碳系的气体。
通过进行如此的疏液化处理，对第一围堰的前身物BP1，通过向构成其的烷基等导入氟基，赋予高的疏液性。
此外，在所述疏液化处理之前，基于清洗在开口部30、31的底面露出的玻璃衬底P的表面的目的，优选进行采用O₂等离子的灰化处理或UV(紫外线)照射处理。通过进行该处理，能够除去玻璃衬底P表面上的围堰材料的残渣，能够加大与疏液化处理后的前身物BP1的接触角和与该衬底表面的接触角的差，能够准确地将在后段工序中配置在开口部30、31内的液滴封闭在开口部30、31的内侧。
所述O₂灰化处理，具体是，通过从等离子放电电极对衬底P照射等离子状态的氧来进行。作为处理条件，例如为等离子功率：50kW～1000kW、氧气流量：50ml/min～100ml/min、衬底P相对于等离子放电电极的板传送速度：0.510mm/sec～10mm/sec、衬底温度：70℃～90℃。
另外，对第一围堰的前身物BP1的疏液化处理(CF₄等离子处理)，虽然对在通过前面的残渣处理被亲液化的衬底P表面多少有影响，但是尤其在由玻璃等构成衬底P的情况下，由于疏液化处理不易产生氟基的导入，所以实质上不会损失衬底P的亲液性，即润湿性。
{第一电极层形成工序}
接着，对开口部31，作为校准标记形成用墨，从液滴喷出装置IJ的液滴喷头301滴下与第一电极层形成用墨(未图示)相同材料的墨。此处，喷出配置作为导电性微粒采用Mn(锰)、作为溶剂(分散剂)采用十四烷的墨。此时，由于对第一围堰B1的表面赋予疏液性，对开口部31的底面部的衬底表面赋予亲液性，所以即使喷出的液滴的一部分落在第一围堰B1上，也经围堰表面反弹，滑落在开口部31内。
接着，在喷出由校准标记形成用墨构成的液滴后，为了除去分散剂，根据需要进行干燥处理。干燥处理，例如能够通过利用加热衬底P的通常的热板、电炉等的加热处理来进行。在本实施方式中，例如在180℃进行60分钟左右的加热。该加热不一定必须在大气中进行，例如可在氮气等气氛中进行。
此外，也能够通过灯退火进行该干燥处理。作为灯退火所使用的光的光源，不特别限定，但作为光源能够使用红外线灯、氙灯、YAG激光器、氩激光器、二氧化碳激光器、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等激元激光器等。这些光源一般使用输出为10W～5000W范围的，但在本实施方式中，在100W～1000W的范围就足够。通过进行该中间干燥工序，如图8(b)所示，在开口部31形成固体的校准标记AM。
接着，用未图示的CCD摄像机等摄影在上述工序形成的校准标记AM，基于该摄像结果，使液滴喷头301和衬底P对位。其后，向开口部30喷出与形成校准标记AM时相同的材料的墨滴，实施上述的干燥处理。由此，如图9(a)所示，在开口部30上形成固体的第一电极层80a。
{第二电极层形成工序}
接着，采用利用液滴喷出装置的液滴喷出法，将第二电极层形成用墨(未图示)配置在第一围堰的前身物BP1的开口部30内。此时，也用未图示的CCD摄像机等摄影在上述工序形成的校准标记AM，基于该摄像结果，使液滴喷头301和衬底P预先对位。
此处，喷出配置作为导电性微粒采用Ag(银)，作为溶剂(分散剂)采用二甘醇二乙醚的墨(液体材料)。此时，由于对第一围堰的前身物BP1的表面赋予疏液性，对开口部30的底面部的衬底表面赋予亲液性，所以即使喷出的液滴的一部分落在前身物BP1上，也被围堰表面反弹，滑落在开口部30内。但是，由于在开口部30的内部先形成的第一电极层80a的表面，不局限于对在本工序滴下的墨具有高的亲和性，所以也可以在墨滴下前，在第一电极层80a上形成用于改进墨的润湿性的中间层。该中间层，可根据构成墨的分散剂的种类适当选择，但如本实施方式那样，在墨采用水系的分散剂的情况下，例如只要形成由氧化钛构成的中间层，就能在中间层得到极好的润湿性。
在喷出液滴后，为了除去分散剂，根据需要进行与上述相同的干燥处理。干燥处理，例如能够通过利用加热衬底P的通常的热板、电炉等的加热处理来进行。在本实施方式中，例如在180℃进行60分钟左右的加热。该加热不一定必须在大气中进行，例如也可在氮气等气氛中进行。
此外，也能够通过灯退火进行该干燥处理。作为灯退火所使用的光的光源，能够采用在前面的第一电极层形成工序后的中间干燥工序中列举的光源。此外，加热时的功率也同样能够规定在10W～1000W范围。通过进行该中间干燥工序，如图9(b)所示，在第一电极层80a上形成固体的第二电极层80b。
然后，与第一电极层80a及第二电极层80b同样，向开口部30内喷出在有机系分散剂中分散有Ni等导电性微粒形成的墨，通过干燥处理，如图9(c)所示，在第二电极层80b上形成罩层81。
{烧成工序}
关于喷出工序后的干燥膜，为提高导电性微粒间的电接触，需要完全除去分散剂。此外，在为了提高在液中的分散性，对导电性微粒的表面涂敷有机物等涂敷剂的情况下，也需要除去该涂敷剂。因此，对喷出工序后的衬底实施热处理及/或光处理。
该热处理及/或光处理通常在大气中进行，但也可根据需要在氮气、氩气、氦气等惰性气体气氛中进行。热处理及/或光处理的处理温度，可根据分散剂的沸点(蒸汽压)、保护气体的种类或压力、微粒的分散性或氧化性等热的行为、涂敷剂的有无或含量、衬底的耐热温度等适当确定，但在上述构成中，由于也采用在前面列举的材料形成所述第一电极层80a及第二电极层80b、罩层81，所以能够设定为300℃以下的烧成温度。
通过以上的工序，喷出工序后的干燥膜可确保微粒间的电接触，变换成导电性膜，如图9(c)所示，形成叠层第一电极层80a及第二电极层80b、罩层81而成的栅电极80。此外，如图3所示，与栅电极80一体的扫描线18a也通过所述工序形成在玻璃衬底P上。
<半导体层形成工序>
接着，如图10(a)所示，利用等离子CVD法，通过变化原料气体或等离子条件，形成由SiNx构成的栅绝缘膜83、由不定形硅层84及N⁺硅层85构成的半导体层33。不定形硅层84及N⁺硅层85，通过利用等离子CVD法等叠层形成不定形硅膜和N⁺硅膜，利用光刻法图形加工成规定形状得到。在图形加工时，在N⁺硅膜的表面上选择配置与图示的半导体层33的侧断面形状相同的大致凹形的抗蚀剂，将上述抗蚀剂作为掩模，进行刻蚀。利用如此的图形加工法，在与栅电极80平面重叠的区域有选择地除去N⁺硅层85，分割成2个区域，这些N⁺硅层85、85，分别形成源极接触区域及漏极接触区域。
在接着半导体层形成工序的第二层的围堰形成工序中，如图10(b)所示，在栅绝缘膜83上形成第二围堰B2，同时在分割成所述2个区域的N⁺硅层85、85间，基于光刻法将第二围堰B3图形加工形成规定形状。通过该第二围堰B3，使N⁺硅层85、85间电分离。
在上述半导体层形成工序及第二层的围堰形成工序中，在利用光刻法进行图形加工时，通过计测上述的校准标记AM，进行掩模和衬底P的对位。
此时，在观察校准标记AM的CCD摄像机中，由于用对SiNx构成的栅绝缘膜83、不定形硅膜及N⁺硅膜的透射性高的、且对校准标记AM(Mn)的透射性低的光源照明，容易识别校准标记AM，所以优选此光源。此外，校准标记AM，由于即使在此后的工序中也能使用，所以在图形加工不定形硅膜及N⁺硅膜时，优选从校准标记AM形成区域除去不定形硅膜和N⁺硅膜。
<电极形成工序>
接着，在形成有半导体层33的玻璃衬底P上，形成图4所示的源电极34及漏电极35。
{疏液化处理工序}
首先，对所述第二围堰B2、B3进行疏液化处理，对其表面赋予疏液性。作为疏液化处理，例如能够采用在大气气氛中以四氟甲烷作为处理气体的等离子处理法(CF₄等离子处理法)。
{电极膜形成工序}
接着，再次采用利用校准标记AM与衬底P对位的所述液滴喷出装置IJ，在被第二围堰B2、B3围住的区域涂布用于形成图4所示的源电极34、漏电极35的墨(功能液)。此处，喷出作为导电性微粒采用银微粒、作为溶剂(分散剂)采用二甘醇二乙醚的墨。在如此喷出液滴后，为了除去分散剂，根据需要进行干燥处理。干燥处理，例如能够通过利用加热衬底P的通常的热板、电炉等的加热处理来进行。在本实施方式中，例如在180℃进行60分钟左右的加热。该加热不一定必须在大气中进行，例如可在N₂等气氛中进行。
此外，也能够通过灯退火进行该干燥处理。作为灯退火所使用的光的光源，能够采用在前面的第一电极层形成工序后的中间干燥工序中列举的光源。此外，加热时的功率也同样能够规定在10W～1000W的范围。
{烧成工序}
喷出工序后的干燥膜，为提高微粒间的电接触，需要完全除去分散剂。此外，在为了提高分散性，对导电性微粒的表面涂敷有机物等涂敷剂的情况下，也需要除去该涂敷剂。因此，对喷出工序后的衬底P实施热处理及/或光处理。关于该热处理及/或光处理，与所述栅电极80的形成时的烧成处理条件相同地进行。
通过如此的工序，喷出工序后的干燥膜可确保微粒间的电接触，变换成导电性膜，如图11(a)所示，形成与一个N⁺硅层85连接导通的源电极34、和与另一个N⁺硅层85连接导通的漏电极35。
接着，在通过第二围堰B2、B3区分的形成源电极34及漏电极35的凹部(开口)内，如图11(b)所示，填埋该凹部(开口)，配置绝缘材料86。
接着，如图11(c)所示，在漏电极35侧的绝缘材料86上形成接触孔87。其后，利用液滴喷出法(喷墨法)或溅射法等气相法或蒸镀法形成由ITO等构成的透明电极层，或者用液滴喷出法等液相法形成，另外通过根据需要进行图形加工，形成像素电极19。
在所有工序中，在对位衬底P时，采用观察上述校准标记AM得到的结果。
通过以上工序，通过在玻璃衬底P的内面侧(图示上面侧)形成本发明的TFT60，进一步形成像素电极19，可得到具有膜结构体的TFT阵列衬底10。
如以上说明，在本实施方式中，由于在第一围堰B1的开口部31形成透射率低的校准标记AM，所以能够以高的识别精度识别校准标记AM。因此，在本实施方式中，能够高精度地使衬底P与在液滴喷头301或光刻工序等所用的掩模对位，能够以高精度形成栅电极80或半导体层33等的图形。
此外，在本实施方式中，由于采用同一校准标记AM形成叠层在上述衬底P上的图形，所以还能够提高形成在各层上的图形(栅电极80等的布线和半导体层33)的重合精度。
此外，在本实施方式中，由于用同一材料形成校准标记AM和在其后的液滴喷出工序形成的第一电极层80a，所以不需要交换墨等的准备作业，能够提高制造效率，同时也能够防止污染。此外，在本实施方式中，由于形成校准标记AM和栅电极80(扫描线18a)时所用的围堰是同一围堰，并且用同一工序形成，所以能够更加提高制造效率。
另外，在本实施方式中，由于用相对于衬底P的密接性比第二电极层80b高的材料形成第一电极层80a，所以能够形成与衬底P的密接性高的，不易发生剥离等造成的不良的栅电极80。
接着，作为本发明的一例电光装置，说明等离子型显示装置。
图12表示本实施方式的等离子型显示装置500的分解立体图。
等离子型显示装置500，其构成包括相互对置配置的玻璃衬底501、502、及形成在它们间的放电显示部510。
在玻璃衬底501的上面按规定的间隔条带状形成地址电极511，以覆盖地址电极511和玻璃衬底501的上面的方式形成电介体层519。在电介体层519上，以位于地址电极511、511间并且沿着各地址电极511的方式形成隔壁515。此外，被隔壁515区分的条带状的区域的内侧配置荧光体517。荧光体517，是发红、绿、蓝中任一色的荧光的荧光体，在红色放电室516(R)的底部及侧面配置红色荧光体517(R)，在绿色放电室516(G)的底部及侧面配置绿色荧光体517(G)，在蓝色放电室516(B)的底部及侧面配置蓝色荧光体517(B)。
另外，在玻璃衬底502侧，沿与前述的地址电极511正交的方向以条带状按规定的间隔形成由多层透明导电膜构成的显示电极512，并且，为了辅助电阻高的显示电极512，在显示电极512上形成总线电极512a。此外覆盖它们地形成电介体层513，另外形成由MgO等构成的保护膜514。
玻璃衬底501和玻璃衬底502，以使所述地址电极511…和显示电极512…相互正交的方式对置地相互贴合。
放电显示部510，用于集中多个放电室516。以被成对的部分和一对显示电极围住的区域构成1像素的方式，配置多个放电室516中的红色放电室516(R)、绿色放电室516(G)、蓝色放电室516(B)的3个放电室516。
所述地址电极511和显示电极512与未图示的交流电源连接。通过向各电极通电，在放电显示部510激发荧光体517发光，可进行彩色显示。
在本实施方式中，采用前面所示图形形成方法，形成所述总线电极512a、及地址电极511。因此，总线电极512a和地址电极511的密接性高，不易发生布线不良，同时可使其高精度地对位。此外，由于能够高精度地进行布线的校准，所以能够使布线高密度化。此外，由于采用液滴喷出手段进行校准标记的形成，所以，例如与利用光刻技术形成其时相比，工序简单，还能够抑制设备成本。
另外，在中间层由锰化合物(锰的氧化物)构成时，虽然锰的氧化物是非导电性的，但通过使该锰层形成非常薄且形成多孔状，可确保显示电极512和总线电极512a所需的导电性。此外，在此种情况下，由于中间层变黑，所以该中间层还起到黑矩阵的效果，能够谋求提高对比度。
接着，说明本发明的电子设备的具体例。
图13(a)是表示一例便携式电话的立体图。在图13(a)中，600表示便携式电话本体，601表示具有上述实施方式的液晶显示装置的液晶显示部。
图13(b)是表示一例文字处理机、笔记本电脑等便携式信息处理装置的立体图。在图13(b)中，700表示信息处理装置，701表示键盘等输入部，703表示信息处理本体，702表示具有上述实施方式的液晶显示装置的液晶显示部。
图13(c)是表示一例电子手表型电子设备的立体图。在图13(c)中，800表示手表本体，801表示具有上述实施方式的液晶显示装置的液晶显示部。
图13(a)～(c)所示的电子设备，由于具有上述实施方式的液晶显示装置，所以可高品质化。
另外，本实施方式的电子设备规定为具备液晶装置的，但也能够规定为具备有机电致发光显示装置、等离子型显示装置等其它电光装置的电子设备。
以上，参照附图说明了根据本发明的优选的实施方式，当然本发明并不限定于这些例子。上述的例中所示的各构成部件的诸形状或组合等只是一例，在不脱离本发明的宗旨的范围内，可根据设计要求等进行多种变更。
例如，在上述实施方式中，规定了以用于形成校准标记AM的液滴喷出工序、和用于形成第一电极层80a的液滴喷出工序作为其它工序的程序，但也不限定于此，也可以作为同一工序，形成更加提高生产性的程序。
此外，在上述实施方式中，将布线图形规定为第一电极层80a、第二电极层80b的2层结构，但所述布线图形也可以是单层膜或3层以上的多层膜。在将图形规定为3层以上的多层膜的情况下，优选，在第一层(即，最衬底侧)配置与衬底的密接力最强的膜。由此，可提高衬底和图形的密接力，不易发生剥离等造成的不良。
此外，在上述实施方式中，将校准标记AM规定为平面视十字状，但也可以是其以外的形状。例如，如图14(a)～(c)所示，也可以形成由宽幅的扩径部AM1和窄幅的缩径部AM2构成的校准标记AM。
在此种情况下，通过向扩径部AM1喷出液滴，利用自流动向缩径部填充液滴，还能缩短液滴配置所需的时间。
此外，校准标记AM也可以是上述以外的形状。例如，也可以是图15(a)～(g)所示的形状。在图15(a)中，第一布线图线901和第二布线图形902交叉，校准标记AM由宽幅的扩径部AM1和窄幅的缩径部AM2构成。另外，扩径部AM1也是液滴的滴落点。此处，可用宽度b表示该缩径部AM2的尺寸，用直径D表示扩径部AM1的尺寸。如该图所示，直径D＞宽度b。此外，缩径部AM2的长度根据玻璃衬底P的表面状态(润湿性)形成。倾向于：只要玻璃衬底P的润湿性良好(亲液性高的状态)，可加长形成缩径部AM2的长度，只要润湿性良好(疏液性高的状态)，可缩短形成缩径部AM2的长度。另外，根据该缩径部AM2的长度的程度，能够判定是否对玻璃衬底P的表面实施所要求的表面处理。然后，基于该判定结果，能够判断是否可以在玻璃衬底P上继续进行描绘。由于只要确认玻璃衬底P的表面状态是所希望的状态，就进行描绘，在不是所希望的状态时，能够中止描绘，再生衬底，因此不会浪费材料，同时也不会进行无用的作业。在图15(b)中，液滴的滴落点有2处，第一线图形901和第二线图形902交叉。校准标记AM由宽幅的扩径部AM1和窄幅的缩径部AM2构成，且宽幅的扩径部AM1和窄幅的缩径部AM2各有2处。在图15(c)中，液滴的滴落点有1处，第一线图形901和第二线图形902交叉。校准标记AM，由1处的宽幅的扩径部AM1和2处的窄幅的缩径部AM2构成。在图15(d)中，矩形状的液滴的滴落点有2处，第一线图形901和第二线图形902交叉。校准标记AM由宽幅的扩径部AM1和窄幅的缩径部AM2构成，且形成矩形状的宽幅的扩径部AM1和窄幅的缩径部AM2各有2处。可用宽度b表示该缩径部AM2的尺寸，用宽度B表示形成矩形状的宽幅的扩径部AM1的尺寸。在图15(e)中，液滴的滴落点有2处，第一线图形901和第二线图形902交叉。校准标记AM由宽幅的扩径部AM1和窄幅的缩径部AM2构成，且形成矩形状的宽幅的扩径部AM1和窄幅的缩径部AM2各有2处。另外，如该图所示，平面视衬底P，相对于其侧面，倾斜地配置校准标记AM。在图15(f)中，液滴的滴落点有2处，第一线图形901和第二线图形902交叉。校准标记AM由宽幅的扩径部AM1和窄幅的缩径部AM2构成，且宽幅的扩径部AM1和窄幅的缩径部AM2各有2处。另外，如该图所示，第一线图形901、和第二线图形902形成的角α小于90度地形成。在图15(g)中，液滴的滴落点有2处，第一线图形901和第二线图形902交叉。校准标记AM由宽幅的扩径部AM1和窄幅的缩径部AM2构成，且宽幅的扩径部AM1和窄幅的缩径部AM2各有2处。另外，如该图所示，第二线图形902的线宽b2比第一线图形901的线宽b1窄地形成。另外，作为校准标记形成材料，通过采用反射率高的材料，在用CCD摄像机等摄像时照明光的反射增大，也可以采用对比度增大的。如此，作为校准标记形成材料，优选基于摄像手段的摄像特性选择。
此外，在上述实施方式中把握的技术思想如下。
(技术思想1)
一种图形形成方法，在如第1～11项发明中任何一项所述的图形形成方法中，其特征在于：所述校准标记具有第一线图形、和与所述第一线图形交叉形成的第二线图形。
只要如此进行，则交叉地配置第一线图形901和第二线图形902，通过利用这些第一线图形901和第二线图形902，就能容易实施校准。
(技术思想2)
一种图形形成方法，在如第1～11项发明中任何一项所述的图形形成方法中，其特征在于：所述校准标记，具有第一线图形、和与所述第一线图形交叉形成的第二线图形，所述第一线图形及所述第二线图形的线宽，比液滴滴落部的尺寸窄地形成。
只要如此进行，则利用第一线图形901和第二线图形902，比作为液滴滴落部的扩径部AM1的直径D窄地形成线宽b，因而能够实现更高精度的校准，所以可提供品质良好的液晶显示装置100。
(技术思想3)
一种图形形成方法，在如第1～11项发明中任何一项所述的图形形成方法中，其特征在于：所述校准标记具有第一线图形、和与所述第一线图形交叉形成的第二线图形，所述第一线图形的线宽和所述第二线图形的线宽中任何一方比较窄地形成。
只要如此进行，由于通过第一线图形901的线宽b1和第二线图形902的线宽b2中的任何一方比较窄地形成，能够与各种宽度的布线图形对应，所以可提供品多种液晶显示装置100。