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1、(10)申请公布号 CN 103571643 A (43)申请公布日 2014.02.12 CN 103571643 A (21)申请号 201310527797.6 (22)申请日 2013.10.31 C11D 1/83(2006.01) C11D 3/60(2006.01) C11D 3/20(2006.01) C11D 3/24(2006.01) C11D 3/16(2006.01) C11D 3/36(2006.01) C11D 3/28(2006.01) (71)申请人 合肥中南光电有限公司 地址 231600 安徽省合肥市肥东县经济开发 区和平路 7 号 (72)发明人 郭万东 。
2、孟祥法 董培才 (74)专利代理机构 安徽合肥华信知识产权代理 有限公司 34112 代理人 余成俊 (54) 发明名称 太阳能级硅片水基清洗剂及其制备方法 (57) 摘要 一种太阳能级硅片水基清洗剂， 由下列重量 份的原料制成 ： 氢氟酸 2-3、 二甲苯磺酸钠 1-2、 壬基酚聚氧乙烯醚 2-3、 十二烷基二甲基氧化胺 1-2、 月桂醇聚氧乙烯醚 3-5、 二氯四氟甲烷 6-8、 丙二醇 9-12、 乙醇 30-40、 助剂 4-5、 去离子水 100-120。 本发明不仅可以有效的去除硅片表面的 有机、 无机污染， 而且可以去除附着在硅片表面的 金属、 非金属颗粒， 从而提高了太阳能电池。
3、片的优 质率与效率。 本发明的清洗液配方简单， 清洗效果 好， 且清洗方法简单， 清洗时间短， 清洗需要的温 度不高。本发明的助剂能够在电路板表面形成保 护膜， 隔绝空气， 防止大气中水及其他分子腐蚀电 路板， 抗氧化， 方便下一步制作工艺进行。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 2 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书2页 (10)申请公布号 CN 103571643 A CN 103571643 A 1/1 页 2 1. 一种太阳能级硅片水基清洗剂， 其特征在于由下列重量份的原料制成 ： 氢氟酸 2-3、 二甲苯磺酸钠 1。
4、-2、 壬基酚聚氧乙烯醚 2-3、 十二烷基二甲基氧化胺 1-2、 月桂醇聚氧乙烯醚 3-5、 二氯四氟甲烷 6-8、 丙二醇 9-12、 乙醇 30-40、 助剂 4-5、 去离子水 100-120 ； 所述助剂由下列重量份的原料制成 ： 硅烷偶联剂 KH-570 2-3、 抗氧剂 1035 1-2、 植 酸 1-2、 吗啉 3-4、 甲基丙烯酸 -2- 羟基乙酯 3-4、 乙醇 12-15 ； 制备方法是将硅烷偶联剂 KH-570 、 植酸、 乙醇混合， 加热至 60-70， 搅拌 20-30 分钟后， 再加入其它剩余成分， 升温 至 80-85， 搅拌 30-40 分钟， 即得。 2. 。
5、根据权利要求 1 所述太阳能级硅片水基清洗剂的制备方法， 其特征在于包括以下步 骤 ： 将去离子水、 氢氟酸、 二甲苯磺酸钠、 壬基酚聚氧乙烯醚、 十二烷基二甲基氧化胺、 月桂 醇聚氧乙烯醚、 丙二醇、 乙醇混合， 在 1000-1200 转 / 分搅拌下， 以 6-8 / 分的速率加热到 60-70， 加入其他剩余成分， 继续搅拌 15-20 分钟， 即得。 权 利 要 求 书 CN 103571643 A 2 1/2 页 3 太阳能级硅片水基清洗剂及其制备方法 技术领域 0001 本发明涉及清洗剂领域， 尤其涉及一种太阳能级硅片水基清洗剂及其制备方法。 背景技术 0002 硅片清洗剂广泛应。
6、用于光伏， 电子等行业硅片清洗 ； 由于硅片在运输过程中会有 所污染， 表面洁净度不是很高， 对即将进行的腐蚀与刻蚀产生很大的影响， 所以首先要对硅 片表面进行一系列的清洗操作。清洗的一般思路首先是去除表面的有机沾污， 然后溶解氧 化膜， 因为氧化层是 “沾污陷进” ， 会引起外延缺陷 ； 再去除颗粒、 金属等， 同时使硅片的表面 钝化。 0003 目前多数硅片清洗剂采用 RAC 清洗中的一号液和三号液， 但是一号液显碱性， 可 能会造成硅表面粗糙， 要严格控制温度、 浓度和时间 ； 三号液显酸性， 有强腐蚀性， 对人体健 康也不利， 生产成本高， 有刺激性气味， 污染环境， 因此需要进一步改。
7、进配方， 以达到清洁彻 底、 无污染、 腐蚀小、 对人体健康、 电路安全、 降低成本的目的。 发明内容 0004 本发明的目的在于提供一种太阳能级硅片水基清洗剂及其制备方法， 该清洗剂具 有清洁彻底、 清洁速度快、 清洗简单的优点。 0005 本发明的技术方案如下 ： 一种太阳能级硅片水基清洗剂， 其特征在于由下列重量份的原料制成 ： 氢氟酸 2-3、 二 甲苯磺酸钠 1-2、 壬基酚聚氧乙烯醚 2-3、 十二烷基二甲基氧化胺 1-2、 月桂醇聚氧乙烯醚 3-5、 二氯四氟甲烷 6-8、 丙二醇 9-12、 乙醇 30-40、 助剂 4-5、 去离子水 100-120 ； 所述助剂由下列重量份。
8、的原料制成 ： 硅烷偶联剂 KH-570 2-3、 抗氧剂 1035 1-2、 植 酸 1-2、 吗啉 3-4、 甲基丙烯酸 -2- 羟基乙酯 3-4、 乙醇 12-15 ； 制备方法是将硅烷偶联剂 KH-570 、 植酸、 乙醇混合， 加热至 60-70， 搅拌 20-30 分钟后， 再加入其它剩余成分， 升温 至 80-85， 搅拌 30-40 分钟， 即得。 0006 所述太阳能级硅片水基清洗剂的制备方法， 其特征在于包括以下步骤 ： 将去离子 水、 氢氟酸、 二甲苯磺酸钠、 壬基酚聚氧乙烯醚、 十二烷基二甲基氧化胺、 月桂醇聚氧乙烯 醚、 丙二醇、 乙醇混合， 在 1000-1200 。
9、转 / 分搅拌下， 以 6-8 / 分的速率加热到 60-70， 加 入其他剩余成分， 继续搅拌 15-20 分钟， 即得。 0007 本发明的有益效果 本发明不仅可以有效的去除硅片表面的有机、 无机污染， 而且可以去除附着在硅片表 面的金属、 非金属颗粒， 从而提高了太阳能电池片的优质率与效率。 本发明的清洗液配方简 单， 清洗效果好， 且清洗方法简单， 清洗时间短， 清洗需要的温度不高。 本发明的助剂能够在 电路板表面形成保护膜， 隔绝空气， 防止大气中水及其他分子腐蚀电路板， 抗氧化， 方便下 一步制作工艺进行。 说 明 书 CN 103571643 A 3 2/2 页 4 具体实施方式。
10、 0008 一种太阳能电池硅片清洗剂， 由下列重量份 （公斤） 的原料制成 ： 氢氟酸 2.5、 二甲 苯磺酸钠1.5、 壬基酚聚氧乙烯醚2.5、 十二烷基二甲基氧化胺1.6、 月桂醇聚氧乙烯醚4、 二 氯四氟甲烷 7、 丙二醇 11、 乙醇 36、 助剂 4.5、 去离子水 110 ； 所述助剂由下列重量份 （公斤）的原料制成 ： 硅烷偶联剂 KH-570 2.5、 抗氧剂 1035 1.5、 植酸 1.5、 吗啉 3.5、 甲基丙烯酸 -2- 羟基乙酯 3.5、 乙醇 14 ； 制备方法是将硅烷偶联剂 KH-570、 植酸、 乙醇混合， 加热至 65， 搅拌 25 分钟后， 再加入其它剩余。
11、成分， 升温至 84， 搅拌 34 分钟， 即得。 0009 所述太阳能级硅片水基清洗剂的制备方法， 包括以下步骤 ： 将去离子水、 氢氟酸、 二甲苯磺酸钠、 壬基酚聚氧乙烯醚、 十二烷基二甲基氧化胺、 月桂醇聚氧乙烯醚、 丙二醇、 乙 醇混合， 在 1100 转 / 分搅拌下， 以 7 / 分的速率加热到 65， 加入其他剩余成分， 继续搅 拌 17 分钟， 即得。 0010 该太阳能级硅片水基清洗剂用于清洗太阳能电池硅片， 洗净率为 99.2%， 对洗净硅 片表面不会残留不溶物， 不产生新污染， 不影响产品的质量， 洗净后的硅片表面干净， 色泽 一致， 无花斑。 说 明 书 CN 103571643 A 4 。