一种提高辣椒辣红素含量的方法.pdf

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摘要
申请专利号:

CN201310284343.0

申请日:

2013.07.08

公开号:

CN103329661A

公开日:

2013.10.02

当前法律状态:

撤回

有效性:

无权

法律详情:

发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):A01C 1/00申请公布日:20131002|||实质审查的生效IPC(主分类):A01C 1/00申请日:20130708|||公开

IPC分类号:

A01C1/00

主分类号:

A01C1/00

申请人:

西安工业大学

发明人:

蔡长龙; 马睿; 廉振民; 彭渝丽; 梁海锋; 刘正利; 严一心

地址:

710032 陕西省西安市金花北路4号

优先权:

专利代理机构:

西安新思维专利商标事务所有限公司 61114

代理人:

黄秦芳

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内容摘要

本发明涉及一种提高辣椒辣红素含量的方法。植物新品种的选育方法很多,主要有自然变异、杂交育种、太空育种以及离子注入诱变育种等,但自然变异频率较低。本发明将辣椒籽竖直均匀地插入培养皿的花泥,胚芽朝上,露出辣椒籽的胚芽部分;将准备好的辣椒籽培养皿样品放在离子注入真空系统中,面向离子源;真空系统抽取真空至10-4Pa;开启离子辐射源,调整离子辐射工艺参数;进行离子辐射,完成后关闭离子辐射源,给真空系统充气,取出辣椒籽干种子进行培育。本发明采用的离子注入诱变育种技术,工艺参数离子能量和注入剂量方便调整和控制,适应性强,变异频率高,变异谱宽,稳定可靠。

权利要求书

权利要求书
1.   一种提高辣椒辣红素含量的方法,其特征在于:
由以下步骤实现:
步骤一:将辣椒籽竖直均匀地插入培养皿的花泥,胚芽朝上,露出辣椒籽的胚芽部分;
步骤二:将准备好的辣椒籽培养皿样品放在离子注入真空系统中,面向离子源;
步骤三:真空系统抽取真空至10‑4Pa;
步骤四:开启离子辐射源,调整离子辐射工艺参数;
步骤五:进行离子辐射,完成后关闭离子辐射源,给真空系统充气,取出辣椒籽干种子进行培育。

2.   根据权利要求1所述的一种提高辣椒辣红素含量的方法,其特征在于:
步骤二中,辐射源选取气体离子源或金属离子源。

3.   根据权利要求1或2所述的一种改变辣椒籽花型和花色的方法,其特征在于:
步骤四中,离子辐射工艺参数包括离子能量和注入剂量,离子能量为15‑45kev,注入剂量为1×1015 ions/mm2‑4×1016ions/mm2。

4.   离子辐射在提高辣椒辣红素含量中的应用。

说明书

说明书一种提高辣椒辣红素含量的方法
技术领域
    本发明属于植物育种技术领域,具体涉及一种提高辣椒辣红素含量的方法。
背景技术
辣椒是一种重要的蔬菜作物,除了作以调味品外,还具有很高的营养价值,含有丰富的人体需要的碳水化合物、蛋白质、甲乙丙三种维生素和钙磷铁矿物质及人体需要的15种氨基酸。随着人们生活水平的提高,对于辣椒,人们非常关注辣椒的辣素和红素,即味道和观赏性。目前有大量文献提到用各种方法如何提高从辣椒中提取的辣红素,但很少关注如何提高辣椒本身的辣红素含量,即在培育辣椒新品种时提高辣椒体内辣红素的含量。
目前,植物新品种的选育方法很多,主要有自然变异、杂交育种、太空育种以及离子注入诱变育种等。但自然变异频率较低,只有几万分之一,甚至几十万分之一;杂交育种可以将两个或多个优良性状集中在一起,但该方法不会产生新基因,且杂交后代会出现性状分离,育种过程缓慢,过程复杂;太空育种是利用太空特殊的、地面无法模拟的环境(高真空,宇宙高能离子辐射,宇宙磁场、高洁净)的诱变作用,使种子产生变异,再返回地面选育新种子、新材料,培育新品种的作物育种新技术,具有有益的变异多、变幅大、稳定快,以及高产、优质、早熟、抗病力强等特点,但成本高,操作不便;而离子注入诱变育种方法同样具有太空育种的优点,包括真空环境、离子作用等,不同的是没有失重,但该方法成本低,操作方便,容易产业化。
发明内容
本发明的目的是提供一种成本低、变异频谱宽、变异率高的提高辣椒辣红素含量的方法。
本发明所采用的技术方案是:
一种提高辣椒辣红素含量的方法,其特征在于:
由以下步骤实现:
步骤一:将辣椒籽竖直均匀地插入培养皿的花泥,胚芽朝上,露出辣椒籽的胚芽部分;
步骤二:将准备好的辣椒籽培养皿样品放在离子注入真空系统中,面向离子源;
步骤三:真空系统抽取真空至10‑4Pa;
步骤四:开启离子辐射源,调整离子辐射工艺参数;
步骤五:进行离子辐射,完成后关闭离子辐射源,给真空系统充气,取出辣椒籽干种子进行培育。
步骤二中,辐射源选取气体离子源或金属离子源。
步骤四中,离子辐射工艺参数包括离子能量和注入剂量,离子能量为15‑45kev,注入剂量为1×1015 ions/mm2‑4×1016ions/mm2。
离子辐射在提高辣椒辣红素含量中的应用。
    本发明具有以下优点:
1、本发明采用的离子注入诱变育种技术,工艺参数离子能量和注入剂量方便调整和控制,适应性强;
2、本发明采用的离子注入诱变育种技术,变异频率高,一般要比自然变异频率高1000倍以上;
3、本发明采用的离子注入诱变育种技术,变异谱宽,即变异的类型多,能够产生自然界从未有过的新类型; 
4、本发明采用的离子注入诱变育种技术,变异稳定性好,可以大大缩短育种周期;
5、本发明采用的离子注入诱变育种技术方法简单,操作方便,普通技术人员均可胜任,而且稳定可靠。 
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明进行详细的说明。
本发明涉及的一种提高辣椒辣红素含量的方法,利用离子注入系统产生的离子束注入辣椒籽,诱导辣椒辣红素发生变化,由以下步骤实现:
步骤一:将辣椒籽竖直均匀地插入培养皿的花泥,胚芽朝上,露出辣椒籽的胚芽部分,为了保证诱变育种的概率,辣椒籽至少应在500粒以上;
步骤二:将准备好的辣椒籽培养皿样品放在离子注入真空系统中,面向离子源,辐射源选取气体离子源或金属离子源。
步骤三:真空系统抽取真空至10‑4Pa;
步骤四:开启离子辐射源,调整离子辐射工艺参数,离子辐射工艺参数包括离子能量和注入剂量,离子能量为15‑45kev,注入剂量为1×1015 ions/mm2‑4×1016ions/mm2;
步骤五:进行离子辐射,完成后关闭离子辐射源,给真空系统充气,取出辣椒籽干种子进行培育。
实施例1:
步骤一:将辣椒籽竖直均匀地插入培养皿的花泥,胚芽朝上,露出辣椒籽的胚芽部分,为了保证诱变育种的概率,辣椒籽至少应在500粒以上;
步骤二:将准备好的辣椒籽培养皿样品放在离子注入真空系统中,面向离子源,辐射源选取气体离子源或金属离子源。
步骤三:真空系统抽取真空至10‑4Pa;
步骤四:开启离子辐射源,调整离子辐射工艺参数,离子辐射工艺参数包括离子能量和注入剂量,离子能量为45kev,注入剂量为1×1015 ions/mm2;
步骤五:进行离子辐射,完成后关闭离子辐射源,给真空系统充气,取出辣椒籽干种子进行培育。
采用常规方法进行辣椒的选育,测试结果表明,辣椒的辣素从0.13%提高到0.21%,红素从0.67%提高到0.89%。
实施例2:
步骤一:将辣椒籽竖直均匀地插入培养皿的花泥,胚芽朝上,露出辣椒籽的胚芽部分,为了保证诱变育种的概率,辣椒籽至少应在500粒以上;
步骤二:将准备好的辣椒籽培养皿样品放在离子注入真空系统中,面向离子源,辐射源选取气体离子源或金属离子源。
步骤三:真空系统抽取真空至10‑4Pa;
步骤四:开启离子辐射源,调整离子辐射工艺参数,离子辐射工艺参数包括离子能量和注入剂量,离子能量为30kev,注入剂量为2×1016ions/mm2;
步骤五:进行离子辐射,完成后关闭离子辐射源,给真空系统充气,取出辣椒籽干种子进行培育。
采用常规方法进行辣椒的选育,测试结果表明,辣椒的辣素从0.13%提高到0.35%,红素从0.67%提高到1.37%。
实施例3:
步骤一:将辣椒籽竖直均匀地插入培养皿的花泥,胚芽朝上,露出辣椒籽的胚芽部分,为了保证诱变育种的概率,辣椒籽至少应在500粒以上;
步骤二:将准备好的辣椒籽培养皿样品放在离子注入真空系统中,面向离子源,辐射源选取气体离子源或金属离子源。
步骤三:真空系统抽取真空至10‑4Pa;
步骤四:开启离子辐射源,调整离子辐射工艺参数,离子辐射工艺参数包括离子能量和注入剂量,离子能量为15kev,注入剂量为4×1016ions/mm2;
步骤五:进行离子辐射,完成后关闭离子辐射源,给真空系统充气,取出辣椒籽干种子进行培育。
采用常规方法进行辣椒的选育,测试结果表明,在该参数作用下,辣椒的辣素从0.13%提高到0.43%,红素从0.67%提高到1.88%。
本发明的内容不限于实施例所列举,本领域普通技术人员通过阅读本发明说明书而对本发明技术方案采取的任何等效的变换,均为本发明的权利要求所涵盖。

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1、(10)申请公布号 CN 103329661 A (43)申请公布日 2013.10.02 CN 103329661 A *CN103329661A* (21)申请号 201310284343.0 (22)申请日 2013.07.08 A01C 1/00(2006.01) (71)申请人 西安工业大学 地址 710032 陕西省西安市金花北路 4 号 (72)发明人 蔡长龙 马睿 廉振民 彭渝丽 梁海锋 刘正利 严一心 (74)专利代理机构 西安新思维专利商标事务所 有限公司 61114 代理人 黄秦芳 (54) 发明名称 一种提高辣椒辣红素含量的方法 (57) 摘要 本发明涉及一种提高辣椒辣。

2、红素含量的方 法。植物新品种的选育方法很多, 主要有自然变 异、 杂交育种、 太空育种以及离子注入诱变育种 等, 但自然变异频率较低。 本发明将辣椒籽竖直均 匀地插入培养皿的花泥, 胚芽朝上, 露出辣椒籽的 胚芽部分 ; 将准备好的辣椒籽培养皿样品放在离 子注入真空系统中, 面向离子源 ; 真空系统抽取 真空至 10-4Pa ; 开启离子辐射源, 调整离子辐射工 艺参数 ; 进行离子辐射, 完成后关闭离子辐射源, 给真空系统充气, 取出辣椒籽干种子进行培育。 本 发明采用的离子注入诱变育种技术, 工艺参数离 子能量和注入剂量方便调整和控制, 适应性强, 变 异频率高, 变异谱宽, 稳定可靠。 。

3、(51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 3 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书3页 (10)申请公布号 CN 103329661 A CN 103329661 A *CN103329661A* 1/1 页 2 1. 一种提高辣椒辣红素含量的方法, 其特征在于 : 由以下步骤实现 : 步骤一 : 将辣椒籽竖直均匀地插入培养皿的花泥, 胚芽朝上, 露出辣椒籽的胚芽部分 ; 步骤二 : 将准备好的辣椒籽培养皿样品放在离子注入真空系统中, 面向离子源 ; 步骤三 : 真空系统抽取真空至 10-4Pa ; 步骤四 : 开启离子辐射源, 调整。

4、离子辐射工艺参数 ; 步骤五 : 进行离子辐射, 完成后关闭离子辐射源, 给真空系统充气, 取出辣椒籽干种子 进行培育。 2. 根据权利要求 1 所述的一种提高辣椒辣红素含量的方法, 其特征在于 : 步骤二中, 辐射源选取气体离子源或金属离子源。 3. 根据权利要求 1 或 2 所述的一种改变辣椒籽花型和花色的方法, 其特征在于 : 步骤四中, 离子辐射工艺参数包括离子能量和注入剂量, 离子能量为 15-45kev, 注入剂 量为 11015 ions/mm2-41016ions/mm2。 4. 离子辐射在提高辣椒辣红素含量中的应用。 权 利 要 求 书 CN 103329661 A 2 1/。

5、3 页 3 一种提高辣椒辣红素含量的方法 技术领域 0001 本发明属于植物育种技术领域, 具体涉及一种提高辣椒辣红素含量的方法。 背景技术 0002 辣椒是一种重要的蔬菜作物, 除了作以调味品外, 还具有很高的营养价值, 含有丰 富的人体需要的碳水化合物、 蛋白质、 甲乙丙三种维生素和钙磷铁矿物质及人体需要的 15 种氨基酸。随着人们生活水平的提高, 对于辣椒, 人们非常关注辣椒的辣素和红素, 即味道 和观赏性。目前有大量文献提到用各种方法如何提高从辣椒中提取的辣红素, 但很少关注 如何提高辣椒本身的辣红素含量, 即在培育辣椒新品种时提高辣椒体内辣红素的含量。 0003 目前, 植物新品种的。

6、选育方法很多, 主要有自然变异、 杂交育种、 太空育种以及离 子注入诱变育种等。但自然变异频率较低, 只有几万分之一, 甚至几十万分之一 ; 杂交育种 可以将两个或多个优良性状集中在一起, 但该方法不会产生新基因, 且杂交后代会出现性 状分离, 育种过程缓慢, 过程复杂 ; 太空育种是利用太空特殊的、 地面无法模拟的环境 ( 高 真空, 宇宙高能离子辐射, 宇宙磁场、 高洁净 ) 的诱变作用, 使种子产生变异, 再返回地面选 育新种子、 新材料, 培育新品种的作物育种新技术, 具有有益的变异多、 变幅大、 稳定快, 以 及高产、 优质、 早熟、 抗病力强等特点, 但成本高, 操作不便 ; 而离。

7、子注入诱变育种方法同样 具有太空育种的优点, 包括真空环境、 离子作用等, 不同的是没有失重, 但该方法成本低, 操 作方便, 容易产业化。 发明内容 0004 本发明的目的是提供一种成本低、 变异频谱宽、 变异率高的提高辣椒辣红素含量 的方法。 0005 本发明所采用的技术方案是 : 一种提高辣椒辣红素含量的方法, 其特征在于 : 由以下步骤实现 : 步骤一 : 将辣椒籽竖直均匀地插入培养皿的花泥, 胚芽朝上, 露出辣椒籽的胚芽部分 ; 步骤二 : 将准备好的辣椒籽培养皿样品放在离子注入真空系统中, 面向离子源 ; 步骤三 : 真空系统抽取真空至 10-4Pa ; 步骤四 : 开启离子辐射源。

8、, 调整离子辐射工艺参数 ; 步骤五 : 进行离子辐射, 完成后关闭离子辐射源, 给真空系统充气, 取出辣椒籽干种子 进行培育。 0006 步骤二中, 辐射源选取气体离子源或金属离子源。 0007 步骤四中, 离子辐射工艺参数包括离子能量和注入剂量, 离子能量为 15-45kev, 注 入剂量为 11015 ions/mm2-41016ions/mm2。 0008 离子辐射在提高辣椒辣红素含量中的应用。 0009 本发明具有以下优点 : 说 明 书 CN 103329661 A 3 2/3 页 4 1、 本发明采用的离子注入诱变育种技术, 工艺参数离子能量和注入剂量方便调整和控 制, 适应性强。

9、 ; 2、 本发明采用的离子注入诱变育种技术, 变异频率高, 一般要比自然变异频率高 1000 倍以上 ; 3、 本发明采用的离子注入诱变育种技术, 变异谱宽, 即变异的类型多, 能够产生自然界 从未有过的新类型 ; 4、 本发明采用的离子注入诱变育种技术, 变异稳定性好, 可以大大缩短育种周期 ; 5、 本发明采用的离子注入诱变育种技术方法简单, 操作方便, 普通技术人员均可胜任, 而且稳定可靠。 具体实施方式 0010 下面结合具体实施方式对本发明进行详细的说明。 0011 本发明涉及的一种提高辣椒辣红素含量的方法, 利用离子注入系统产生的离子束 注入辣椒籽, 诱导辣椒辣红素发生变化, 由。

10、以下步骤实现 : 步骤一 : 将辣椒籽竖直均匀地插入培养皿的花泥, 胚芽朝上, 露出辣椒籽的胚芽部分, 为了保证诱变育种的概率, 辣椒籽至少应在 500 粒以上 ; 步骤二 : 将准备好的辣椒籽培养皿样品放在离子注入真空系统中, 面向离子源, 辐射源 选取气体离子源或金属离子源。 0012 步骤三 : 真空系统抽取真空至 10-4Pa ; 步骤四 : 开启离子辐射源, 调整离子辐射工艺参数, 离子辐射工艺参数包括离子能量和 注入剂量, 离子能量为 15-45kev, 注入剂量为 11015 ions/mm2-41016ions/mm2; 步骤五 : 进行离子辐射, 完成后关闭离子辐射源, 给真。

11、空系统充气, 取出辣椒籽干种子 进行培育。 0013 实施例 1 : 步骤一 : 将辣椒籽竖直均匀地插入培养皿的花泥, 胚芽朝上, 露出辣椒籽的胚芽部分, 为了保证诱变育种的概率, 辣椒籽至少应在 500 粒以上 ; 步骤二 : 将准备好的辣椒籽培养皿样品放在离子注入真空系统中, 面向离子源, 辐射源 选取气体离子源或金属离子源。 0014 步骤三 : 真空系统抽取真空至 10-4Pa ; 步骤四 : 开启离子辐射源, 调整离子辐射工艺参数, 离子辐射工艺参数包括离子能量和 注入剂量, 离子能量为 45kev, 注入剂量为 11015 ions/mm2; 步骤五 : 进行离子辐射, 完成后关闭。

12、离子辐射源, 给真空系统充气, 取出辣椒籽干种子 进行培育。 0015 采用常规方法进行辣椒的选育, 测试结果表明, 辣椒的辣素从 0.13% 提高到 0.21%, 红素从 0.67% 提高到 0.89%。 0016 实施例 2 : 步骤一 : 将辣椒籽竖直均匀地插入培养皿的花泥, 胚芽朝上, 露出辣椒籽的胚芽部分, 为了保证诱变育种的概率, 辣椒籽至少应在 500 粒以上 ; 步骤二 : 将准备好的辣椒籽培养皿样品放在离子注入真空系统中, 面向离子源, 辐射源 说 明 书 CN 103329661 A 4 3/3 页 5 选取气体离子源或金属离子源。 0017 步骤三 : 真空系统抽取真空至。

13、 10-4Pa ; 步骤四 : 开启离子辐射源, 调整离子辐射工艺参数, 离子辐射工艺参数包括离子能量和 注入剂量, 离子能量为 30kev, 注入剂量为 21016ions/mm2; 步骤五 : 进行离子辐射, 完成后关闭离子辐射源, 给真空系统充气, 取出辣椒籽干种子 进行培育。 0018 采用常规方法进行辣椒的选育, 测试结果表明, 辣椒的辣素从 0.13% 提高到 0.35%, 红素从 0.67% 提高到 1.37%。 0019 实施例 3 : 步骤一 : 将辣椒籽竖直均匀地插入培养皿的花泥, 胚芽朝上, 露出辣椒籽的胚芽部分, 为了保证诱变育种的概率, 辣椒籽至少应在 500 粒以上。

14、 ; 步骤二 : 将准备好的辣椒籽培养皿样品放在离子注入真空系统中, 面向离子源, 辐射源 选取气体离子源或金属离子源。 0020 步骤三 : 真空系统抽取真空至 10-4Pa ; 步骤四 : 开启离子辐射源, 调整离子辐射工艺参数, 离子辐射工艺参数包括离子能量和 注入剂量, 离子能量为 15kev, 注入剂量为 41016ions/mm2; 步骤五 : 进行离子辐射, 完成后关闭离子辐射源, 给真空系统充气, 取出辣椒籽干种子 进行培育。 0021 采用常规方法进行辣椒的选育, 测试结果表明, 在该参数作用下, 辣椒的辣素从 0.13% 提高到 0.43%, 红素从 0.67% 提高到 1.88%。 0022 本发明的内容不限于实施例所列举, 本领域普通技术人员通过阅读本发明说明书 而对本发明技术方案采取的任何等效的变换, 均为本发明的权利要求所涵盖。 说 明 书 CN 103329661 A 5 。

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