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1、(10)申请公布号 CN 103436229 A (43)申请公布日 2013.12.11 CN 103436229 A *CN103436229A* (21)申请号 201310387809.X (22)申请日 2013.08.31 C09K 3/14(2006.01) (71)申请人 青岛承天伟业机械制造有限公司 地址 266199 山东省青岛市李沧区郑佛路 17 号综合楼 131 室 (72)发明人 张竹香 (54) 发明名称 一种半导体化学机械研磨组合物 (57) 摘要 本发明公开了一种半导体化学机械研磨组合 物， 其特征在于， 包括下列重量份数的物质 ： 亲水 基表面活性剂 1-8 。
2、份， 多聚甲醛 4-6 份， 硫酸锌 6-8 份， 硫酸镁 1-3 份， 硫酸银 4-9 份， 硫酸铜 3-8 份， 分子筛 2-3 份， 硅藻土 5-12 份， 硼酸钠 3-10 份， 纳米有机蒙脱土 4-10 份， 滑石粉 4-6 份， 硬脂 酸锌 4-6 份， 抗氧剂 2-4 份， 防老剂 1 份， 氯化钙 2-5 份。本发明的化学机械研磨剂中包括亲水基 表面洁性剂材料， 可以降低化学机械研磨剂和正 在水性薄膜间的表面张力， 使化学机械研磨剂和 琉水性薄膜更紧密贴合。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 1 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 。
3、权利要求书1页 说明书1页 (10)申请公布号 CN 103436229 A CN 103436229 A *CN103436229A* 1/1 页 2 1. 一种半导体化学机械研磨组合物， 其特征在于， 包括下列重量份数的物质 ： 亲水基 表面活性剂 1-8 份， 多聚甲醛 4-6 份， 硫酸锌 6-8 份， 硫酸镁 1-3 份， 硫酸银 4-9 份， 硫酸铜 3-8份， 分子筛2-3份， 硅藻土5-12份， 硼酸钠3-10份， 纳米有机蒙脱土4-10份， 滑石粉4-6 份， 硬脂酸锌 4-6 份， 抗氧剂 2-4 份， 防老剂 1 份， 氯化钙 2-5 份。 权 利 要 求 书 CN 10。
4、3436229 A 2 1/1 页 3 一种半导体化学机械研磨组合物 技术领域 0001 本发明涉及一种半导体化学机械研磨组合物。 背景技术 0002 在半导体制造中， 化学机械研磨 (CMP) 技术可以实现整个晶圆的平坦化， 成为芯 片制造工艺中重要的步骤之一。在化学机械研磨中， 化学机械研磨剂 (Slurry) 是化学机 械研磨技术的关键要素之一， 其性能直接影响抛光后表面的质量。 设计化学机械研磨剂时， 希望能达到去除速率高、 平面度好、 膜厚均匀、 无残留、 缺陷少等效果。 发明内容 0003 本发明所要解决的技术问题是提供一种半导体化学机械研磨组合物。 0004 为解决上述技术问题，。
5、 本发明采用的技术方案是 ： 一种半导体化学机械研磨组合物， 其特征在于， 包括下列重量份数的物质 ： 亲水基表面 活性剂 1-8 份， 多聚甲醛 4-6 份， 硫酸锌 6-8 份， 硫酸镁 1-3 份， 硫酸银 4-9 份， 硫酸铜 3-8 份， 分子筛2-3份， 硅藻土5-12份， 硼酸钠3-10份， 纳米有机蒙脱土4-10份， 滑石粉4-6份， 硬脂酸锌 4-6 份， 抗氧剂 2-4 份， 防老剂 1 份， 氯化钙 2-5 份。 0005 本发明的化学机械研磨剂中包括亲水基表面洁性剂材料， 可以降低化学机械研磨 剂和正在水性薄膜间的表面张力， 使化学机械研磨剂和琉水性薄膜更紧密贴合， 从而减少 琉水性薄膜表面上的残留物和颗粒等缺陷， 改善化学机械研磨的效果。 具体实施方式 0006 实施例 1 一种半导体化学机械研磨组合物， 其特征在于， 包括下列重量份数的物质 ： 亲水基表面 活性剂 1-8 份， 多聚甲醛 4-6 份， 硫酸锌 6-8 份， 硫酸镁 1-3 份， 硫酸银 4-9 份， 硫酸铜 3-8 份， 分子筛2-3份， 硅藻土5-12份， 硼酸钠3-10份， 纳米有机蒙脱土4-10份， 滑石粉4-6份， 硬脂酸锌 4-6 份， 抗氧剂 2-4 份， 防老剂 1 份， 氯化钙 2-5 份。 说 明 书 CN 103436229 A 3 。