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1、(10)申请公布号 CN 103074617 A (43)申请公布日 2013.05.01 CN 103074617 A *CN103074617A* (21)申请号 201210580809.7 (22)申请日 2012.12.26 C23C 16/52(2006.01) (71)申请人 光达光电设备科技 （嘉兴） 有限公司 地址 314300 浙江省嘉兴市海盐县盐北路 211 号科创园西区 1 号楼 3 楼 (72)发明人 乔徽 (74)专利代理机构 上海思微知识产权代理事务 所 ( 普通合伙 ) 31237 代理人 郑玮 (54) 发明名称 控制系统及其控制方法 (57) 摘要 本发明涉。
2、及一种控制系统， 所述控制系统包 括 ： 探测单元， 用于探测所述反应腔内的气体信 息 ； 参数设定单元， 用于基于所述气体信息设定 控制参数 ； 控制单元， 与所述参数设定单元相连， 所述控制单元基于所述参数设定单元设定的控制 参数控制所述加热单元进行加热。本发明还提供 了所述控制系统的控制方法， 所述控制方法包括 ： 探测单元探测所述反应腔内的气体信息， 并输出 一气体信息信号 ； 参数设定单元接收所述气体信 息信号， 根据所述气体信息信号输出一控制参数 信号 ； 控制单元接收所述控制参数信号， 并根据 所述控制参数信号控制加热单元对所述托盘或 / 和衬底进行加热。本发明的控制系统可以根据。
3、反 应腔内微环境的不同， 实现对加热单元的精准控 制。 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 6 页 附图 3 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 说明书6页 附图3页 (10)申请公布号 CN 103074617 A CN 103074617 A *CN103074617A* 1/2 页 2 1. 一种控制系统， 用于控制半导体加工设备的加热单元对反应腔内的托盘或 / 和衬底 进行加热， 所述控制系统包括 ： 探测单元， 用于探测所述反应腔内的气体信息 ； 参数设定单元， 用于基于所述气体信息设定控制参数 ； 控制单元， 与所述参数设。
4、定单元相连， 所述控制单元基于所述参数设定单元设定的控 制参数控制所述加热单元进行加热。 2. 如权利要求 1 所述的控制系统， 其特征在于 ： 所述参数设定单元包括 ： 参数存放单元， 用于存放气体信息与控制参数的对应关系 ； 参数选择单元， 分别与所述探测单元和所述参数存放单元相连， 所述参数选择单元基 于所述气体信息通过查找所述参数存放单元确定所述控制参数。 3. 如权利要求 1 所述的控制系统， 其特征在于 ： 所述气体信息包括反应腔内的气体的 组分、 流量、 流速和压力中的一种或几种。 4. 如权利要求 3 所述的控制系统， 其特征在于 ： 所述半导体加工设备为 LED 外延片外 延。
5、设备， 所述气体包括氨气和氢气混合气体、 氨气和氮气混合气体或氨气和氢气与氮气混 合气体。 5. 如权利要求 3 所述的控制系统， 其特征在于 ： 所述半导体加工设备具有向所述反应 腔输送气体的进气管路和排除气体的出气管路， 所述探测单元与所述进气管路或出气管路 相连， 或设置于所述进气管路或出气管路之中， 以探测所述气体信息。 6.如权利要求1至5中任一项所述的控制系统， 其特征在于 ： 所述控制单元为比例-积 分 - 微分控制器， 所述控制参数包括所述比例 - 积分 - 微分控制器的比例常数、 积分常数和 微分常数。 7. 如权利要求 1 所述的控制系统， 其特征在于 ： 所述半导体加工设。
6、备为沉积设备、 刻蚀 设备或离子注入设备。 8. 一种控制方法， 用于控制半导体加工设备的加热单元对反应腔内的托盘或 / 和衬底 进行加热， 所述控制方法包括 ： 提供一探测单元， 所述探测单元探测所述反应腔内的气体信息， 并输出一气体信息信 号 ； 提供一参数设定单元， 所述参数设定单元接收所述气体信息信号， 根据所述气体信息 信号输出一控制参数信号 ； 提供一控制单元， 所述控制单元接收所述控制参数信号， 并根据所述控制参数信号控 制加热单元对所述托盘或 / 和衬底进行加热。 9. 如权利要求 8 所述的控制方法， 其特征在于 ： 所述参数设定单元包括 ： 参数存放单元， 用于存放气体信息。
7、与控制参数的对应关系 ； 参数选择单元， 分别与所述探测单元和所述参数存放单元相连， 所述参数选择单元接 收所述气体信息信号， 根据所述气体信息信号从所述参数存放单元中选择出与所述气体信 息信号对应的控制参数， 所述参数选择单元根据所述控制参数输出所述控制参数信号。 10. 如权利要求 8 所述的控制方法， 其特征在于 ： 所述气体信息包括反应腔内的气体的 组分、 流量、 流速和压力中的一种或几种。 11. 如权利要求 10 所述的控制方法， 其特征在于 ： 所述半导体加工设备为 LED 外延片 权 利 要 求 书 CN 103074617 A 2 2/2 页 3 外延设备， 所述气体包括氨气。
8、和氢气混合气体、 氨气和氮气混合气体或氨气和氢气与氮气 混合气体。 12. 如权利要求 10 所述的控制方法， 其特征在于 ： 所述半导体加工设备具有向所述反 应腔输送气体的进气管路和排除气体的出气管路， 所述探测单元与所述进气管路或出气管 路相连， 或设置于所述进气管路或出气管路之中， 以探测所述气体信息。 13. 如权利要求 8 至 12 中任一项所述的控制方法， 其特征在于 ： 所述控制单元为比 例 - 积分 - 微分控制器， 所述控制参数包括所述比例 - 积分 - 微分控制器的比例常数、 积分 常数和微分常数。 14. 如权利要求 8 所述的控制方法， 其特征在于 ： 所述半导体加工设。
9、备为沉积设备、 刻 蚀设备或离子注入设备。 权 利 要 求 书 CN 103074617 A 3 1/6 页 4 控制系统及其控制方法 技术领域 0001 本发明涉及半导体技术领域， 特别是涉及一种控制系统及其控制方法。 背景技术 0002 半导体器件的制备需要经过沉积工艺、 刻蚀工艺、 离子注入工艺等多个过程。在 沉积工艺、 刻蚀工艺、 离子注入工艺等工艺中， 需要将晶圆 (Wafer) 放置于可密闭的反应腔 (Chamber) 中， 以对所述晶圆进行工艺处理。在所述反应腔内， 温度的控制对所述反应腔内 的微环境起着举足轻重的作用， 因此， 控制反应腔内的温度对工艺处理非常重要。 0003 。
10、以下以沉积工艺为例具体说明在现有技术中对反应腔内的温度进行控制的方法。 现有的沉积工艺通常利用两种或两种以上的源物质发生反应， 在衬底上形成相应的沉积材 料层， 现有技术中沉积设备的反应腔的结构如图 1 所示。在图 1 中， 在反应腔 110 内， 衬底 150 放置于托盘 140 上， 进气管路 121 用于向反应腔 110 内输送气体， 用于将反应气体和 / 或载体气体提供至衬底 150， 托盘 140 下方放置加热单元 130， 用于对衬底 150 进行加热， 出 气管路 122 用于向反应腔 110 外排除气体。控制单元 161 控制所述加热单元 130 的功率输 出， 以使得所述托盘。
11、 140 和所述衬底 150 的温度达到目标温度。 0004 在现有技术中， 所述控制单元161根据所述托盘140和/或所述衬底150的目标温 度设定控制参数， 通过控制所述加热单元 130 功率或电流等控制所述加热单元 130 对所述 托盘 140 和 / 或所述衬底 150 进行加热。但在反应腔 110 内为一密闭的微环境， 所述微环 境中的气体的组分、 流量、 流速或压力等， 都会影响所述微环境， 从而影响所述托盘 140 和 / 或所述衬底 150 的温度， 进一步地会影响所述控制单元 161 的调节能力和调节精度。比如， 在沉积 GaN-LED 外延片的工艺中根据不同的工艺条件需要会。
12、存在以下的情况， 一种可能为 所述微环境中所述气体主要由导热性较好的氢气和氨气组成的混合气体， 另一种可能为所 述微环境中所述气体主要由导热性一般的氮气和氨气组成的混合气体， 还有一种可能所述 微环境中所述气体主要由氢气、 氮气和氨气组成的混合气体， 如果在上述各种情况下选择 同样的所述控制参数， 由于各种情况下气体的导热性不同， 使得两种情况下的所述微环境 不同， 使得所述托盘 140 和 / 或所述衬底 150 被加热的情况不同， 从而影响所述沉积材料层 的性能。 0005 因此， 如何根据反应腔内微环境的不同， 实现对加热单元的精准控制， 已成为本领 域技术人员需要解决的问题。 发明内容。
13、 0006 现有技术的控制系统无法根据反应腔内微环境的不同， 实现对加热单元的精准控 制， 本发明提供一种能解决上述问题的控制系统及其控制方法。 0007 本发明提供一种控制系统， 用于控制半导体加工设备的加热单元对反应腔内的托 盘或 / 和衬底进行加热， 所述控制系统包括 ： 0008 探测单元， 用于探测所述反应腔内的气体信息 ； 说 明 书 CN 103074617 A 4 2/6 页 5 0009 参数设定单元， 用于基于所述气体信息设定控制参数 ； 0010 控制单元， 与所述参数设定单元相连， 所述控制单元基于所述参数设定单元设定 的控制参数控制所述加热单元进行加热。 0011 进。
14、一步的， 在所述控制系统中， 所述参数设定单元包括 ： 0012 参数存放单元， 用于存放气体信息与控制参数的对应关系 ； 0013 参数选择单元， 分别与所述探测单元和所述参数存放单元相连， 所述参数选择单 元基于所述气体信息通过查找所述参数存放单元确定所述控制参数。 0014 进一步的， 在所述控制系统中， 所述气体信息包括反应腔内的气体的组分、 流量、 流速和压力中的一种或几种。 0015 进一步的， 在所述控制系统中， 所述半导体加工设备为 LED 外延片外延设备， 所述 气体包括氨气和氢气混合气体、 氨气和氮气混合气体或氨气和氢气与氮气混合气体。 0016 进一步的， 在所述控制系统。
15、中， 所述半导体加工设备具有向所述反应腔输送气体 的进气管路和排除气体的出气管路， 所述探测单元与所述进气管路或出气管路相连， 或设 置于所述进气管路或出气管路之中， 以探测所述气体信息。 0017 进一步的， 在所述控制系统中， 所述控制单元为比例 - 积分 - 微分控制器， 所述控 制参数包括所述比例 - 积分 - 微分控制器的比例常数、 积分常数和微分常数。 0018 进一步的， 在所述控制系统中， 所述半导体加工设备为沉积设备、 刻蚀设备或离子 注入设备。 0019 本发明还提供一种控制方法， 用于控制半导体加工设备的加热单元对反应腔内的 托盘或 / 和衬底进行加热， 所述控制方法包括。
16、 ： 0020 提供一探测单元， 所述探测单元探测所述反应腔内的气体信息， 并输出一气体信 息信号 ； 0021 提供一参数设定单元， 所述参数设定单元接收所述气体信息信号， 根据所述气体 信息信号输出一控制参数信号 ； 0022 提供一控制单元， 所述控制单元接收所述控制参数信号， 并根据所述控制参数信 号控制加热单元对所述托盘或 / 和衬底进行加热。 0023 进一步的， 在所述控制方法中， 所述参数设定单元包括 ： 0024 参数存放单元， 用于存放气体信息与控制参数的对应关系 ； 0025 参数选择单元， 分别与所述探测单元和所述参数存放单元相连， 所述参数选择单 元接收所述气体信息信。
17、号， 根据所述气体信息信号从所述参数存放单元中选择出与所述 气体信息信号对应的控制参数， 所述参数选择单元根据所述控制参数输出所述控制参数信 号。 0026 进一步的， 在所述控制方法中， 所述气体信息包括反应腔内的气体的组分、 流量、 流速和压力中的一种或几种。 0027 进一步的， 在所述控制方法中， 所述半导体加工设备为 LED 外延片外延设备， 所述 气体包括氨气和氢气混合气体、 氨气和氮气混合气体或氨气和氢气与氮气混合气体。 0028 进一步的， 在所述控制方法中， 所述半导体加工设备具有向所述反应腔输送气体 的进气管路和排除气体的出气管路， 所述探测单元与所述进气管路或出气管路相连。
18、， 或设 置于所述进气管路或出气管路之中， 以探测所述气体信息。 说 明 书 CN 103074617 A 5 3/6 页 6 0029 进一步的， 在所述控制方法中， 所述控制单元为比例 - 积分 - 微分控制器， 所述控 制参数包括所述比例 - 积分 - 微分控制器的比例常数、 积分常数和微分常数。 0030 进一步的， 在所述控制方法中， 所述半导体加工设备为沉积设备、 刻蚀设备或离子 注入设备。 0031 与现有技术相比， 本发明提供的控制系统及其控制方法具有以下优点 ： 0032 1. 本发明的控制系统及其控制方法中， 具有用于探测所述反应腔内的气体信息的 探测单元， 与现有技术相比。
19、较， 探测单元探测所述反应腔内的气体信息， 所述参数设定单元 根据所述气体信息设定控制参数， 所述控制单元根据所述控制参数控制加热单元对所述托 盘或 / 和衬底进行加热， 从而根据所述反应腔内不同的微环境， 实现对所述加热单元的精 准控制， 保证在不同的微环境下， 制备工艺均能稳定地完成。 0033 2. 本发明的控制系统及其控制方法中， 所述气体信息包括反应腔内的气体的组 分、 流量、 流速和压力中的一种或几种， 所以所述探测单元探测所述反应腔内的气体的组 分、 流量、 流速或压力即可反映所述反应腔内的微环境， 简化所述探测单元的检测过程， 简 单、 方便。 0034 3. 本发明的控制系统。
20、及其控制方法中， 所述控制单元为比例 - 积分 - 微分控制 器， 所述控制参数包括所述比例 - 积分 - 微分控制器的比例常数、 积分常数和微分常数， 比 例 - 积分 - 微分控制器能够克服控制过程中可能会出现振荡和失稳， 改善在控制过程中的 动态特性。 附图说明 0035 图 1 为现有技术控制系统的示意图 ； 0036 图 2 是本发明一实施方式的控制系统的示意图 ； 0037 图 3 是本发明一实施方式的控制系统的流程图。 具体实施方式 0038 在现有技术中， 所述控制单元仅根据所述托盘和 / 或所述衬底的目标温度设定控 制参数， 然后根据所述控制参数控制所述加热单元对所述托盘和 。
21、/ 或所述衬底进行加热， 然而， 所述反应腔的微环境中的气体的组分、 流量、 流速或压力等均会影响所述控制单元的 调节能力和调节精度。发明人经过对现有技术控制系统的深入研究发现， 可以设置一用于 探测所述反应腔内的气体信息的探测单元， 并根据所述气体信息通过一参数设定单元设定 所述控制参数， 所述控制单元根据所述控制参数控制所述加热单元进行加热， 从而根据所 述反应腔内不同的微环境， 实现对所述加热单元的精准控制。现有技术的控制系统并没考 虑到所述反应腔的微环境中的气体对衬底和 / 或托盘温度的影响， 从而无法控制温度调节 的精度。 0039 有鉴于上述的研究， 本发明提出一种可以精确控制温度。
22、调节的精度的控制系统， 所述控制系统包括 ： 探测单元， 用于探测所述反应腔内的气体信息 ； 参数设定单元， 用于基 于所述气体信息设定控制参数 ； 控制单元， 与所述参数设定单元相连， 所述控制单元基于所 述参数设定单元设定的控制参数控制所述加热单元进行加热。 0040 进一步的， 为了简化所述探测单元的检测过程， 所述气体信息包括反应腔内的气 说 明 书 CN 103074617 A 6 4/6 页 7 体的组分、 流量、 流速和压力中的一种或几种， 所以所述探测单元探测所述反应腔内的气体 的组分、 流量、 流速或压力即可反映所述反应腔内的微环境。 0041 进一步的， 为了克服控制过程中。
23、可能会出现振荡和失稳， 改善在控制过程中的动 态特性， 所述控制单元为比例 - 积分 - 微分控制器， 所述控制参数包括所述比例 - 积分 - 微 分控制器的比例常数、 积分常数和微分常数。 0042 与现有技术的控制系统相比较， 本发明的控制系统中， 所述探测单元用于探测所 述反应腔内的气体信息， 并根据所述气体信息通过一参数设定单元设定所述控制参数， 所 述控制单元根据所述控制参数控制所述加热单元进行加热， 从而根据所述反应腔内不同的 微环境， 实现对所述加热单元的精准控制。现有技术的控制系统并没考虑到所述反应腔的 微环境中的气体对衬底和 / 或托盘温度的影响， 从而无法控制温度调节的精度。
24、。 0043 请参阅图 2， 图 2 是本发明一实施方式的控制系统的示意图。在本实施例中， 所述 控制系统用于控制半导体加工设备的加热单元 230 对反应腔 210 内的托盘 240 或 / 和衬底 250 进行加热， 其中， 所述半导体加工设备为沉积设备。所述控制系统包括 ： 探测单元 262、 参数设定单元 263 和控制单元 261。 0044 较佳的， 所述参数设定单元 263 包括一参数存放单元 272 和一参数选择单元 271， 可以快速地根据不同的所述气体信息设定所需要的所述控制参数， 其中， 所述参数存放单 元 272 用于存放气体信息与控制参数的对应关系， 所述参数选择单元 。
25、271 分别与所述探测 单元 262 和所述参数存放单元 272 相连， 所述参数选择单元 271 基于所述气体信息通过查 找所述参数存放单元 272 确定所述控制参数。 0045 所述探测单元262用于探测所述反应腔210内的气体信息， 以探测所述反应腔210 内的微环境， 其中所述探测单元 262 可以位于所述反应腔 210 内。较佳的， 所述气体信息包 括反应腔 210 内的气体的组分、 流量、 流速和压力中的一种或几种， 以反映所述反应腔 210 内的微环境， 可以简化所述探测单元 262 的检测过程， 简单、 方便。优选的， 如在 MOCVD( 金 属有机化合物化学气相沉淀 ) 设备。
26、沉积 LED 外延片的工艺中， 所述气体主要包括氨气和氢 气混合气体、 氨气和氮气混合气体或氨气和氢气与氮气混合气体， 所述气体还包括 TMG( 三 甲基镓)等反应气体， 由于所述TMG等反应气体含量非常小， 因此对所述微环境的影响可以 忽略不计， 当然， 所述气体信息也可以不包括的 TMG 等反应气体的气体信息， 其中， 氢气、 氮 气或氩气等的载气的化学性质稳定， 不会影响反应气体的反应。 0046 在本实施例中， 所述半导体加工设备还具有向所述反应腔 210 输送气体的进气管 路 221 和排除气体的出气管路 222， 当所述气体信息包括反应腔内的气体的组分、 流量、 流 速和压力中的一。
27、种或几种时， 所述探测单元262还可以与所述进气管路221或出气管路222 相连， 或所述探测单元 262 设置于所述进气管路 221 或出气管路 222 之中， 以探测所述气体 信息， 可以避免将所述探测单元 262 设置于所述真空环境的反应腔 210 内， 降低成本。 0047 参数存放单元 272 用于存放气体信息与控制参数的对应关系， 例如， 当所述气体 信息为所述气体的组分时， 可以在参数存放单元 272 建立一个气体的组分与控制参数对应 表， 以方便参数选择单元 271 在所述气体信息下查找对应的控制参数， 当所述气体信息为 所述气体的组分和流速等多个信息时， 可以在参数存放单元 。
28、272 建立一个数据库， 以方便 参数选择单元 271 在所述气体信息下查找对应的控制参数。另外， 由于不同的半导体加工 设备其所述控制参数与气体信息的对应关系不尽相同， 因此， 所述气体的组分与控制参数 说 明 书 CN 103074617 A 7 5/6 页 8 对应表或所述数据库的建立可以通过本领域技术人员习知的实验而获得 ； 当然所述气体的 组分与所述控制参数对应表或所述数据库还可以是通过建立所述气体信息的与所述控制 参数之间的数学模型的方式建立。 0048 参数选择单元 271 基于所述气体信息， 通过查找所述控制参数存放单 263 确定所 述控制参数， 所述参数选择单元 271 分。
29、别与所述探测单元 262 和所述参数存放单元 272 相 连， 以得到所述气体信息和所述控制参数。 0049 控制单元 261 基于所述控制参数控制所述加热单元 230 进行加热， 所述控制单元 261 分别与所述参数选择单元 271 和所述加热单元 230 相连。较佳的， 在本实施例中， 所述 控制单元 261 为比例 - 积分 - 微分控制器 ( 简称 PID 控制器 )， 可以克服控制所述加热单 元 230 进行加热的过程中可能会出现振荡和失稳， 改善在控制所述加热单元 230 进行加热 的过程中的动态特性， 其中， 所述控制参数包括所述比例 - 积分 - 微分控制器的比例常数、 积分常。
30、数和微分常数。但所述控制单元 261 并不限于比例 - 积分 - 微分控制器， 如普通的 温控器， 亦在本发明的思想范围之内。 0050 图 3 是本发明实施方式的控制系统的流程图， 以下请参阅图 3 具体说明本实施例 中控制方法的步骤。 0051 首先， 进行步骤 S01， 提供所述探测单元 262， 所述探测单元 262 探测所述反应腔 210 内的气体信息， 并输出一气体信息信号。 0052 然后， 进行步骤S02， 提供参数设定单元263， 所述参数设定单元263接收所述气体 信息信号， 根据所述气体信息信号输出一控制参数信号， 在本实施例中， 所述参数选择单元 271 接收所述气体信。
31、息信号， 根据所述气体信息信号， 从参数存放单元 272 中选择出与所述 气体信息信号对应的控制参数， 所述参数选择单元 271 根据所述控制参数输出一控制参数 信号。 0053 如在本实施例中， 所述气体信息为气体的组分， 所述控制单元 261 为比例 - 积 分 - 微分控制器， 所述控制参数为 PID 参数， 所述 PID 参数包括所述比例 - 积分 - 微分控制 器的比例常数、 积分常数和微分常数。参数存放单元 272 内建有建立例如表 1 所示的气体 的组分与控制参数对应表， 如表1所示。 当所述参数选择单元271接受到所述探测单元262 探测的所述气体信息信号为氢气和氨气， 查找表。
32、 1， 选择出 PID 参数， 即比例常数 P 常数为 12、 积分常数 I 常数为 0.2 以及微分常数 D 常数为 8， 并将所述 PID 参数为 ： 比例常数 P 常 数为 12、 积分常数 I 常数为 0.2 以及微分常数 D 常数为 8 输出给所述控制单元 261。 0054 表 1 0055 0056 在本实施例中， 除了所述气体除气体组分外， 其它所述气体信息， 例如所气体组分 的含量比例信息、 气体的流量或腔室中的气体压力等气体信息在加热过程中会变化， 也可 说 明 书 CN 103074617 A 8 6/6 页 9 以通过例如实验的方式建立这些气体信息或这些气体信息的组合与。
33、 PID 参数之间的对应 关系数据库， 亦在本发明的思想范围之内。 0057 随后， 进行步骤S03， 提供所述控制单元261， 所述控制单元261接收所述控制参数 信号， 即在本实施例中的 PID 参数为 ： 比例常数 P 常数为 12、 积分常数 I 常数为 0.2 以及微 分常数 D 常数为 8， 并根据所述控制参数信号控制所述加热单元 230 的功率或电流， 以对所 述托盘 240 或 / 和衬底 250 进行加热， 从而达到目标温度。 0058 本发明已以较佳实施例披露如上， 但本发明并非限定上述实施方式所述， 如 ： 半导 体加工设备的所述进气管路 221 或出气管路 222 并不。
34、一定如图 2 所示， 一个位于所述反应 腔 210 上方， 一个位于所述反应腔 210 下方， 还可以一个位于所述反应腔 210 左方， 一个位 于所述反应腔 210 右方 ； 所述加热单元 230 并不一定如图 2 所示， 位于所述托盘 240 的下 方， 还可以位于所述托盘 240 的上方， 或位于所述反应腔 210 外， 亦可以对所述托盘 240 或 / 和衬底 250 进行加热。 0059 本发明的上述实施例是针对沉积设备， 所述控制系统用于控制沉积设备的加热单 元对反应腔内的托盘或衬底或托盘和衬底进行加热， 在本发明的其它实施例中， 也可将本 发明用于其它的半导体加工设备中， 如刻蚀。
35、设备或离子注入设备等， 其具体实施步骤与思 路和本发明的上述实施例相似， 在本发明实施例的启示下， 这一应用的延伸对本领域普通 技术人员而言是易于理解和实现的， 在此不再赘述。 0060 虽然本发明已以较佳实施例披露如上， 但本发明并非限定于此。任何本领域技术 人员， 在不脱离本发明的精神和范围内， 均可作各种更动与修改， 因此本发明的保护范围应 当以权利要求所限定的范围为准。 说 明 书 CN 103074617 A 9 1/3 页 10 图 1 说 明 书 附 图 CN 103074617 A 10 2/3 页 11 图 2 说 明 书 附 图 CN 103074617 A 11 3/3 页 12 图 3 说 明 书 附 图 CN 103074617 A 12 。