硅片表面长多晶的方法技术领域
本发明涉及一种硅片表面长多晶的方法。
背景技术
在现有技术中多晶硅薄膜生长装置，包括石英晶舟，硅片放置在晶舟上并放入多
晶炉内生长多晶薄膜。但在实际生产过程中，一是产能低，二是存在崩边现象，崩边不良率
达到5％以上，造成较大成本浪费。
发明内容
本发明的目的之一是为了克服现有技术中的不足，提供一种良率高的硅片表面长
多晶的方法。
为实现以上目的，本发明通过以下技术方案实现：
硅片表面长多晶的方法，其特征在于，包括如下步骤：
a)将硅片放置于晶舟上，所述晶舟上设置有多个容置槽，所述多个容置槽之间的
间距为2.5-3.5mm；
b)将放置有硅片的晶舟放入长晶炉内长多晶。
根据本发明的技术方案，所述容置槽的槽壁的表面粗糙度为Ra：
根据本发明的技术方案，所述晶舟长度为1200-1300mm，容置槽个数为30-50个。
发明人经过研究发现，其中一种石英晶舟总长度121.45mm，包含50个容置槽，相邻
容置槽间距为2.38mm，表面性质光滑。这种晶舟的缺点之一是50个容置槽无法全部排片，会
导致气流无法顺利从片与片之间的间隙通过；另一缺点是硅片与晶舟接触部位在工艺过程
中会粘结在一起，导致卸片的时候崩边。
本发明中的硅片表面长多晶的方法，将容置槽之间的间距调整为2.5mm-3.5mm，增
加了产能，可将产能提升40％。容置槽的槽壁表面粗糙度设置为为Ra：降低了崩边不
良率，可由原有不良率5％降低为1％以下。
附图说明
图1为本发明中的晶舟结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明进行详细的描述：
硅片表面长多晶的方法，包括如下步骤：
c)将硅片放置于晶舟上，如图1所示，所述晶舟1上设置有多个容置槽2，所述多个
容置槽2之间的间距为2.5-3.5mm；所述容置槽2的槽壁的表面粗糙度为Ra：所述晶舟
长度为1200-1300mm，容置槽个数为30-50个。
d)将放置有硅片3的晶舟1放入长晶炉内长多晶。
根据本发明的一个实施例，晶舟总长度121.45mm，设置有35个容置槽2，容置槽2间
距3mm；表面粗糙度为Ra：将其用于在硅片表面生长多晶薄膜。经统计，产能提升
40％。对硅片经检测，因崩边导致的不良率降为1％以下。
发明人经过试验，所述多个容置槽2之间的间距为2.5-3.5mm，尤其是2.8mm-
3.5mm；所述容置槽2的槽壁的表面粗糙度为Ra：所述晶舟长度为1200-1300mm，容置
槽个数为30-50个，在以上数值范围内调整，均能达到本发明的目的，均能达到前述实例相
同的效果。
发明人经过研究发现，其中一种石英晶舟总长度121.45mm，包含50个容置槽，相邻
容置槽间距为2.38mm，表面性质光滑。这种晶舟的缺点之一是50个容置槽无法全部排片，会
导致气流无法顺利从片与片之间的间隙通过；另一缺点是硅片与晶舟接触部位在工艺过程
中会粘结在一起，导致卸片的时候崩边。
本发明中的硅片表面长多晶的方法，将容置槽之间的间距调整为2.5mm-3.5mm，增
加了产能，可将产能提升40％。容置槽的槽壁表面粗糙度设置为为Ra：降低了崩边不
良率，可由原有不良率5％降低为1％以下。
本发明中的实施例仅用于对本发明进行说明，并不构成对权利要求范围的限制，
本领域内技术人员可以想到的其他实质上等同的替代，均在本发明保护范围内。