带量子阱垒层的LED外延片、生长方法及LED结构.pdf

本发明公开了带量子阱垒层的LED外延片、生长方法及LED结构，该带量子阱垒层的LED外延片，其结构从下至上依次为：衬底，GaN缓冲层，非掺杂GaN层，n型GaN层，发光层MQW，P型AlGaN层，P型GaN层，发光层MQW包括：InxGa(1-x)N/InyGa(1-y)N量子阱层与InmGa(1-m)N/AlnGa(1-n)N量子阱层的组合，其中，x＝0.15～0.25，y＝0.05～0.10；m＝0.15～0.25，n＝0.10～0.15。本发明减少电子在量子阱的溢出，增加空穴对量子阱的注入，提高电子和空穴在量子阱中的浓度，增加器件发光效率，使得光输出提升约8％。

1.  一种带量子阱垒层的LED外延片，其结构从下至上依次为：衬底，GaN缓冲层，非掺杂GaN层，n型GaN层，发光层MQW，P型AlGaN层，P型GaN层，其特征在于，
所述的发光层MQW包括：In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N量子阱层与In_mGa_(1-m)N/Al_nGa_(1-n)N量子阱层的组合，其中，x＝0.15～0.25，y＝0.05～0.10；m＝0.15～0.25，n＝0.10～0.15。

2.  根据权利要求1所述的LED外延片，其特征在于：
所述的In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N量子阱层的周期数为5～6，其中，In_xGa_(1-x)N的In掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm³，In_yGa_(1-y)N的In掺杂浓度为1E+18～2E+18atom/cm³；
所述的In_mGa_(1-m)N/Al_nGa_(1-n)N量子阱层的周期数为5～6，其中，In_mGa_(1-m)N的In掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm³，Al_nGa_(1-n)N的Al掺杂浓度1E+18-2E+18atom/cm³。

3.  根据权利要求2所述的LED外延片，其特征在于：
所述的In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N量子阱层，其中，In_xGa_(1-x)N的厚度为2.8～3.5nm；In_yGa_(1-y)N的厚度为10～15nm；
所述的In_mGa_(1-m)N/Al_nGa_(1-n)N量子阱层，其中，In_mGa_(1-m)N的厚度为2.8～3.5nm，Al_nGa_(1-n)N的厚度为10～15nm。

4.  一种带量子阱垒层的LED外延片的生长方法，依次包括处理衬底，生长低温GaN缓冲层，生长非掺杂GaN层，生长n型GaN层，生长发光层MQW，生长p型AlGaN层，生长p型GaN层的步骤，其特征在于，
所述的生长发光层MQW的步骤包括：生长In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N量子阱层与In_mGa_(1-m)N/Al_nGa_(1-n)N量子阱层的组合，其中，x＝0.15～0.25，y＝0.05～0.10；m＝0.15～0.25，n＝0.10～0.15。

5.  根据权利要求4所述的生长方法，其特征在于：
所述的生长In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N量子阱层的周期数为5～6，其中，In_xGa_(1-x)N的In掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm³，厚度为2.8～3.5nm；In_yGa_(1-y)N的In掺杂浓度为1E+18～2E+18atom/cm³，厚度为10～15nm。

6.  根据权利要求5所述的生长方法，其特征在于：
所述的生长In_mGa_(1-m)N/Al_nGa_(1-n)N量子阱层的周期数为5～6，其中，In_mGa_(1-m)N的In掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm³，厚度为2.8～3.5nm，Al_nGa_(1-n)N的Al掺杂浓度1E+18-2E+18atom/cm³，厚度为10～15nm。

7.  根据权利要求6所述的生长方法，其特征在于：
所述的生长In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N量子阱层的反应腔压力在300～400mbar，温度在700～750℃；
所述的生长In_mGa_(1-m)N/Al_nGa_(1-n)N量子阱层的反应腔压力在300～400mbar，温度在700～750℃。

8.  根据权利要求7所述的生长方法，其特征在于：
处理衬底的反应腔压力在150～200mbar，温度在1000～1100℃；
生长GaN缓冲层的反应腔压力在300～600mbar，温度在550～750℃；
生长非掺杂GaN层的反应腔压力在200～400mbar，温度在1100～1300℃；
生长p型AlGaN层的反应腔压力在200～300mbar，温度在900～1000℃；
生长p型GaN层的反应腔压力在600～900mbar，温度在1000～1100℃。

9.  根据权利要求8所述的生长方法，其特征在于：
所述的低温GaN缓冲层的厚度为50nm；
所述的非掺杂GaN层的厚度为2～4μm；
所述的n型GaN层掺杂Si，Si掺杂浓度5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为2～4μm；
所述的p型A1GaN层，Al掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm³，Mg掺 杂浓度为5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为20～50nm；
所述的p型GaN层，Mg掺杂浓度1E+19～1E+20atom/cm³，厚度为100～200nm。

10.  一种LED结构，包括衬底，设置在所述衬底上的外延片，以及设置在所述外延片上的P电极和N电极，其特征在于，所述的外延片为权利要求1至3中任何一项所述的外延片。

带量子阱垒层的LED外延片、生长方法及LED结构
技术领域
本发明属于半导体技术领域，涉及一种带量子阱垒层的LED外延片、生长方法及LED结构。
背景技术
氮化镓基材料，包括InGaN、GaN、AlGaN合金，为直接带隙半导体，且带隙从1.8-6.2eV连续可调，具有宽直接带隙、强化学键、耐高温、抗腐蚀等优良性能，是生产短波长高亮度发光器件、紫外光探测器和高温高频微电子器件的理想材料，广泛应用于全彩大屏幕显示，LCD背光源、信号灯、照明等领域。国内GaN基LED蓝绿光发光器件的制作涉及到发光层都是采用InGaN/GaN超晶格形成的多量子阱层组成，传统的量子阱能带平直，电子的浓度高、迁移率高等特点决定了电子在量子阱的分布是过多，造成的缺点是电子容易泄漏至P层消耗空穴，造成空穴的注入浓度减小；空穴和电子特点相反浓度低、迁移率低，注入效率低，空穴在量子阱中的浓度是从靠近P层量子阱层逐渐向靠近n层量子阱层递减。
公布号为CN103474539A的专利文献公布了一种含有超晶格层的LED结构外延生长方法及其结构，其结构包括：衬底、氮化镓基缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、发光层MQW、p型铝镓氮层和p型氮化镓层。其生长方法包括：处理衬底，生长低温缓冲GaN层，生长不掺杂GaN层，生长掺Si的GaN层，生长发光层MQW，生长P型AlGaN层，生长P型GaN层的步骤，在生长发光层MQW步骤与生长P型AlGaN层步骤之间，包括生长InN/GaN超晶格层的步骤，在温度为740～770℃，100mbar压力的反应室内，采用氢气和/或氮气作为载气，生长InN/GaN超晶格层，每层InN厚度为1～2nm，每层GaN厚度为1～nm，所述InN/GaN超晶格层的周期数为10～15层，总厚度为20-30nm。该外延生长方法利用InN的晶格系数从GaN顺利过渡到AlGaN，减小应力，增加量子阱的空穴浓度，但缺点是手段较为复杂。
发明内容
本发明的目的在于克服上述不足，提供一种带量子阱垒层的LED外延片，其通过能带设计改善空穴的注入，防止电子外溢。
为了实现上述目的，本发明采用的技术方案为：一种带量子阱垒层的LED外延片，其结构从下至上依次为：衬底，GaN缓冲层，非掺杂GaN层，n型GaN层，发光层MQW，P型AlGaN层，P型GaN层，其特征在于，
所述的发光层MQW包括：In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N量子阱层与In_mGa_(1-m)N/Al_nGa_(1-n)N量子阱层的组合，其中，x＝0.15～0.25，y＝0.05～0.10；m＝0.15～0.25，n＝0.10～0.15。
优选地，其中，
所述的In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N量子阱层的周期数为5～6，其中，In_xGa_(1-x)N的In掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm³，In_yGa_(1-y)N的In掺杂浓度为1E+18～2E+18atom/cm³；
所述的In_mGa_(1-m)N/Al_nGa_(1-n)N量子阱层的周期数为5～6，其中，In_mGa_(1-m)N的In掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm³，Al_nGa_(1-n)N的Al掺杂浓度1E+18-2E+18atom/cm³。
优选地，其中，
所述的In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N量子阱层，其中，In_xGa_(1-x)N的厚度为2.8～3.5nm；In_yGa_(1-y)N的厚度为10～15nm；
所述的In_mGa_(1-m)N/Al_nGa_(1-n)N量子阱层，其中，In_mGa_(1-m)N的厚度为2.8～3.5nm，Al_nGa_(1-n)N的厚度为10～15nm。
为了实现上述目的，本发明还采用的技术方案为：一种带量子阱垒层的LED外延片的生长方法，依次包括处理衬底，生长低温GaN缓冲层，生长非掺杂GaN层，生长n型GaN层，生长发光层MQW，生长p型AlGaN层，生长p型GaN层的步骤，其特征在于，
所述的生长发光层MQW的步骤包括：生长In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N量子阱层与In_mGa_(1-m)N/Al_nGa_(1-n)N量子阱层的组合，其中，x＝0.15～0.25，y＝0.05～0.10；m＝0.15～0.25，n＝0.10～0.15。
优选地，其中，
所述的生长In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N量子阱层的周期数为5～6，其中，In_xGa_(1-x)N的In掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm³，厚度为2.8～3.5nm；In_yGa_(1-y)N的In掺杂浓度为1E+18～2E+18atom/cm³，厚度为10～15nm。
优选地，其中，
所述的生长In_mGa_(1-m)N/Al_nGa_(1-n)N量子阱层的周期数为5～6，其中，In_mGa_(1-m)N的In掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm³，厚度为2.8～3.5nm，Al_nGa_(1-n)N的Al掺杂浓度1E+18-2E+18atom/cm³，厚度为10～15nm。
优选地，其中，
所述的生长In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N量子阱层的反应腔压力在300～400mbar，温度在700～750℃；
所述的生长In_mGa_(1-m)N/Al_nGa_(1-n)N量子阱层的反应腔压力在300～400mbar，温度在700～750℃。
优选地，其中，
处理衬底的反应腔压力在150～200mbar，温度在1000～1100℃；
生长GaN缓冲层的反应腔压力在300～600mbar，温度在550～750℃；
生长非掺杂GaN层的反应腔压力在200～400mbar，温度在1100～1300℃；
生长p型AlGaN层的反应腔压力在200～300mbar，温度在900～1000℃；
生长p型GaN层的反应腔压力在600～900mbar，温度在1000～1100℃。
优选地，其中，
所述的低温GaN缓冲层的厚度为50nm；
所述的非掺杂GaN层的厚度为2～4μm；
所述的n型GaN层掺杂Si，Si掺杂浓度5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为2～4μm；
所述的p型AlGaN层，Al掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm³，Mg掺杂浓度为5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为20～50nm；
所述的p型GaN层，Mg掺杂浓度1E+19～1E+20atom/cm³，厚度为100～200nm。
为了实现上述目的，本发明还采用的技术方案为：一种LED结构，包括衬底，设置在所述衬底上的外延片，以及设置在所述外延片上的P电极和N电极，其特征在于，所述的外延片为权利要求1至3中任何一项所述的外延片。
本发明的有益效果为：
第一，发光层量子阱垒层由传统的InGaN/GaN超晶格材料设计为In_mGa_(1-m)N/Al_nGa_(1-n)N量子阱层的组合，减少电子在量子阱的溢出，增加空穴对量子阱的注入，提高电子和空穴在量子阱中的浓度，增加器件发光效率，使得光输出提升约8％。
第二，不改变势阱，势垒GaN变成AlGaN导带提高，能适当降低电子的迁移率，使得势阱的电子不会由于过多泄漏至p层消耗空穴；空穴运动阻挡势垒降低，利于空穴的运动，提高空穴的注入。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1是本发明的带量子阱垒层的LED外延片的结构示意图；
图2是本发明的量子阱垒层的能带示意图；
图3是本发明与现有技术对比的试验的LED亮度试验数据分布示意图。
附图标记示意：
100-衬底，102-低温GaN缓冲层，103-非掺杂GaN层
104-n型GaN层，105-发光层MQW，107-P型AlGaN层
109-P型GaN层，1051-In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N量子阱层
1052-In_mGa_(1-m)N/Al_nGa_(1-n)N量子阱层的组合
具体实施方式
如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能 上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为一开放式用语，故应解释成“包含但不限定于”。“大致”是指在可接收的误差范围内，本领域技术人员能够在一定误差范围内解决所述技术问题，基本达到所述技术效果。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式，然所述描述乃以说明本申请的一般原则为目的，并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。
实施例1
本发明采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD，Metalorganic Chemical Vapor Deposition)生长，优选地，衬底选用(0001)晶向的蓝宝石，高纯H₂或高纯N₂或高纯H₂和高纯N₂的混合气体作为载气，金属有机源和氮源分别是三甲基镓(TMGa)、三甲基铟(TMIn)、三乙基镓(TEGa)、三甲基铝(TMAl)和氨气(NH₃)，n型掺杂剂为硅烷(SiH₄)，p型掺杂剂为二茂镁(Cp₂Mg)。
所述的带量子阱垒层的LED外延片的生长方法，依次进行以下生长步骤：
a.通入50L～60L氢气气氛下高温处理蓝宝石衬底5分钟；
b.在蓝宝石衬底上生长低温GaN缓冲层；
c.持续生长非掺杂GaN层；
d.生长n型GaN层；
e.反应腔压力维持在300mbar，低温700℃，通入NH₃，TEGa、TMIn生长掺杂In的厚度为2.8nm的In_xGa_(1-x)N层(x＝0.15～0.25)，In掺杂浓度1E+20～3E+20atom/cm³，升温至800℃通入NH₃，TEGa、TMIn生长厚度为10nm的In_yGa_(1-y)N层(y＝0.05～0.10)，In掺杂浓度1E+18～2E+18atom/cm³；In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N量子阱层周期数为5；
接着，反应腔压力维持在300mbar，低温700℃，通入NH₃，TEGa、TMIn生长掺杂In的厚度为2.8nm的In_mGa_(1-m)N层(m＝0.15-0.25)，In掺杂浓度1E+20～3E+20atom/cm³，升温至800℃，通入NH₃，TEGa、TMAl生长厚度为10nm的Al_nGa_(1-n)N层(n＝0.10～0.15)，Al掺杂浓度1E+18～2E+18atom/cm³；In_mGa_(1-m)N/Al_nGa_(1-n)N量子阱层周期数为5；
f.生长P型AlGaN层；
g.持续生长P型GaN层；
h.降温至700～800℃，保温20～30min，接着炉内冷却。
优选地，处理衬底的反应腔压力在150mbar，温度在1000℃。
优选地，生长GaN缓冲层的反应腔压力在300mbar，温度在550℃。
优选地，生长非掺杂GaN层的反应腔压力在200mbar，温度在1100℃。
优选地，生长p型AlGaN层的反应腔压力在200mbar，温度在900℃。
优选地，生长p型GaN层的反应腔压力在600mbar，温度在1000℃。
优选地，所述的低温GaN缓冲层的厚度为50nm。
优选地，所述的非掺杂GaN层的厚度为2μm。
优选地，所述的n型GaN层掺杂Si，Si掺杂浓度5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为2μm。
优选地，所述的p型AlGaN层，Al掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm³，Mg掺杂浓度为5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为20nm。
优选地，所述的p型GaN层，Mg掺杂浓度1E+19～1E+20atom/cm³，厚度为100nm。
本实施例还提供一种LED结构，包括衬底，设置在所述衬底上的外延片，以及设置在所述外延片上的P电极和N电极，其特征在于，所述的外延片为带量子阱垒层的外延片。
实施例2
本实施例的生长方法与实施例1的a，b，c，d，f，g，h生长步骤相同，步骤e：
反应腔压力维持在400mbar，低温750℃，通入NH₃，TEGa、TMIn生长掺杂In的厚度为3.5nm的In_xGa_(1-x)N层(x＝0.15～0.25)，In掺杂浓度1E+20～3E+20atom/cm³，升温至850℃通入NH₃，TEGa、TMIn生长厚度为15nm的In_yGa_(1-y)N层(y＝0.05～0.10)，In掺杂浓度1E+18～2E+18atom/cm³；In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N量子阱层周期数为5。
接着，反应腔压力维持在400mbar，低温700～750℃，通入NH₃，TEGa、TMIn生长掺杂In的厚度为3.5nm的In_mGa_(1-m)N层(m＝0.15-0.25)，In掺杂浓度1E+20～3E+20atom/cm³，升温至850℃，通入NH₃，TEGa、TMAl生长厚度为15nm的Al_nGa_(1-n)N层(n＝0.10～0.15)，Al掺杂浓度1E+I 8～2E+18atom/cm³；In_mGa_(1-m)N/Al_nGa_(1-n)N量子阱层周期数为5。
优选地，处理衬底的反应腔压力在200mbar，温度在1100℃。
优选地，生长GaN缓冲层的反应腔压力在600mbar，温度在750℃。
优选地，生长非掺杂GaN层的反应腔压力在400mbar，温度在1300℃。
优选地，生长p型AlGaN层的反应腔压力在300mbar，温度在1000℃。
优选地，生长p型GaN层的反应腔压力在900mbar，温度在1100℃。
优选地，所述的低温GaN缓冲层的厚度为50nm。
优选地，所述的非掺杂GaN层的厚度为4μm。
优选地，所述的n型GaN层掺杂Si，Si掺杂浓度5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为4μm。
优选地，所述的p型AlGaN层，Al掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm³，Mg掺杂浓度为5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为50nm。
优选地，所述的p型GaN层，Mg掺杂浓度1E+19～1E+20atom/cm³，厚度为200nm。
本实施例还提供一种LED结构，包括衬底，设置在所述衬底上的外延片，以及设置在所述外延片上的P电极和N电极，其特征在于，所述的外延片为带量子阱垒层的外延片。
实施例3
本实施例的生长方法与实施例1的a，b，c，d，f，g，h生长步骤相同，步骤e：
反应腔压力维持在300mbar，低温750℃，通入NH₃，TEGa、TMIn生长掺杂In的厚度为2.8nm的In_xGa_(1-x)N层(x＝0.15～0.25)，In掺杂浓度1E+20～3E+20atom/cm³，升温至850℃通入NH₃，TEGa、TMIn生长厚度为10nm的In_yGa_(1-y)N层(y＝0.05～0.10)，In掺杂浓度1E+18～2E+18atom/cm³；In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N量子阱层周期数为6。
接着，反应腔压力维持在300mbar，低温750℃，通入NH₃，TEGa、TMIn生长掺杂In的厚度为2.8nm的In_mGa_(1-m)N层(m＝0.15-0.25)，In掺杂浓度1E+20～3E+20atom/cm³，升温至850℃，通入NH₃，TEGa、TMAl生长厚度为10-15nm的Al_nGa_(1-n)N层(n＝0.10～0.15)，Al掺杂浓度1E+18～2E+18atom/cm³；In_mGa_(1-m)N/Al_nGa_(1-n)N量子阱层周期数为5。
优选地，处理衬底的反应腔压力在155mbar，温度在1000℃。
优选地，生长GaN缓冲层的反应腔压力在350mbar，温度在550℃。
优选地，生长非掺杂GaN层的反应腔压力在250mbar，温度在1100℃。
优选地，生长p型AlGaN层的反应腔压力在250mbar，温度在900℃。
优选地，生长p型GaN层的反应腔压力在650mbar，温度在1000℃。
优选地，所述的低温GaN缓冲层的厚度为50nm。
优选地，所述的非掺杂GaN层的厚度为2.5μm。
优选地，所述的n型GaN层掺杂Si，Si掺杂浓度5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为2.5μm。
优选地，所述的p型AlGaN层，Al掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm³，Mg掺杂浓度为5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为28nm。
优选地，所述的p型GaN层，Mg掺杂浓度1E+19～1E+20atom/cm³，厚度为120nm。
本实施例还提供一种LED结构，包括衬底，设置在所述衬底上的外延片，以及设置在所述外延片上的P电极和N电极，其特征在于，所述的外延片为带量子阱垒层的外延片。
实施例4
本实施例的生长方法与实施例1的生长步骤相同。
优选地，处理衬底的反应腔压力在190mbar，温度在1030℃。
优选地，生长GaN缓冲层的反应腔压力在330mbar，温度在580℃。
优选地，生长非掺杂GaN层的反应腔压力在230mbar，温度在1130℃。
优选地，生长p型AlGaN层的反应腔压力在230mbar，温度在930℃。
优选地，生长p型GaN层的反应腔压力在630mbar，温度在1030℃。
优选地，所述的低温GaN缓冲层的厚度为50nm。
优选地，所述的非掺杂GaN层的厚度为2.7μm。
优选地，所述的n型GaN层掺杂Si，Si掺杂浓度5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为2.7μm。
优选地，所述的p型AlGaN层，Al掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm³，Mg掺杂浓度为5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为28nm。
优选地，所述的p型GaN层，Mg掺杂浓度1E+19～1E+20atom/cm³，厚度为110nm。
本实施例还提供一种LED结构，包括衬底，设置在所述衬底上的外延片， 以及设置在所述外延片上的P电极和N电极，其特征在于，所述的外延片为带量子阱垒层的外延片。
实施例5
本实施例的生长方法与实施例1的a，b，c，d，f，g，h生长步骤相同，步骤e：
反应腔压力维持在360mbar，低温710℃，通入NH₃，TEGa、TMIn生长掺杂In的厚度为2.9nm的In_xGa_(1-x)N层(x＝0.15～0.25)，In掺杂浓度1E+20～3E+20atom/cm³，升温至820℃通入NH₃，TEGa、TMIn生长厚度为11nm的In_yGa_(1-y)N层(y＝0.05～0.10)，In掺杂浓度1E+18～2E+18atom/cm³；In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N量子阱层周期数为5。
接着，反应腔压力维持在360mbar，低温710℃，通入NH₃，TEGa、TMIn生长掺杂In的厚度为2.9nm的In_mGa_(1-m)N层(m＝0.15-0.25)，In掺杂浓度1E+20～3E+20atom/cm³，升温至820℃，通入NH₃，TEGa、TMAl生长厚度为11nm的Al_nGa_(1-n)N层(n＝0.10～0.15)，Al掺杂浓度1E+18～2E+18atom/cm³；In_mGa_(1-m)N/Al_nGa_(1-n)N量子阱层周期数为6。
优选地，处理衬底的反应腔压力在170mbar，温度在1010℃。
优选地，生长GaN缓冲层的反应腔压力在305mbar，温度在560℃。
优选地，生长非掺杂GaN层的反应腔压力在240mbar，温度在1100℃。
优选地，生长p型AlGaN层的反应腔压力在240mbar，温度在1000℃。
优选地，生长p型GaN层的反应腔压力在620mbar，温度在1100℃。
优选地，所述的低温GaN缓冲层的厚度为50nm。
优选地，所述的非掺杂GaN层的厚度为4μm。
优选地，所述的n型GaN层掺杂Si，Si掺杂浓度5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为4μm。
优选地，所述的p型AlGaN层，Al掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm³，Mg掺杂浓度为5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为50nm。
优选地，所述的p型GaN层，Mg掺杂浓度1E+19～1E+20atom/cm³，厚度为109nm。
本实施例还提供一种LED结构，包括衬底，设置在所述衬底上的外延片，以及设置在所述外延片上的P电极和N电极，其特征在于，所述的外延片为带量子阱垒层的外延片。
实施例6
本实施例的生长方法与实施例1的生长步骤相同。
优选地，处理衬底的反应腔压力在180mbar，温度在1000℃。
优选地，生长GaN缓冲层的反应腔压力在350mbar，温度在750℃。
优选地，生长非掺杂GaN层的反应腔压力在220mbar，温度在1100℃。
优选地，生长p型AlGaN层的反应腔压力在300mbar，温度在990℃。
优选地，生长p型GaN层的反应腔压力在600mbar，温度在1100℃。
优选地，所述的低温GaN缓冲层的厚度为50nm。
优选地，所述的非掺杂GaN层的厚度为2.2μm。
优选地，所述的n型GaN层掺杂Si，Si掺杂浓度5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为2.2μm。
优选地，所述的p型AlGaN层，Al掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm³，Mg掺杂浓度为5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为20nm。
优选地，所述的p型GaN层，Mg掺杂浓度1E+19～1E+20atom/cm³，厚度为200nm。
本实施例还提供一种LED结构，包括衬底，设置在所述衬底上的外延片，以及设置在所述外延片上的P电极和N电极，其特征在于，所述的外延片为带量子阱垒层的外延片。
实施例7
本实施例的生长方法与实施例1的a，b，c，d，f，g，h生长步骤相同，步骤e：
反应腔压力维持在400mbar，低温700-750℃，通入NH₃，TEGa、TMIn生长掺杂In的厚度为3.5nm的In_xGa_(1-x)N层(x＝0.15～0.25)，In掺杂浓度1E+20～3E+20atom/cm³，升温至850℃通入NH₃，TEGa、TMIn生长厚度为15nm的In_yGa_(1-y)N层(y＝0.05～0.10)，In掺杂浓度1E+18～2E+18atom/cm³；In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N量子阱层周期数为5。
接着，反应腔压力维持在400mbar，低温750℃，通入NH₃，TEGa、TMIn生长掺杂In的厚度为3.5nm的In_mGa_(1-m)N层(m＝0.15-0.25)，In掺杂浓度1E+20～3E+20atom/cm³，升温至850℃，通入NH₃，TEGa、TMAl生长厚度为15nm的Al_nGa_(1-n)N层(n＝0.10～0.15)，Al掺杂浓度1E+18～2E+18atom/cm³；In_mGa_(1-m)N/Al_nGa_(1-n)N量子阱层周期数为6。
优选地，处理衬底的反应腔压力在170mbar，温度在1020℃。
优选地，生长GaN缓冲层的反应腔压力在320mbar，温度在570℃。
优选地，生长非掺杂GaN层的反应腔压力在220mbar，温度在1120℃。
优选地，生长p型AlGaN层的反应腔压力在220mbar，温度在920℃。
优选地，生长p型GaN层的反应腔压力在620mbar，温度在1020℃。
优选地，所述的低温GaN缓冲层的厚度为50nm。
优选地，所述的非掺杂GaN层的厚度为3.9μm。
优选地，所述的n型GaN层掺杂Si，Si掺杂浓度5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为3.9μm。
优选地，所述的p型AlGaN层，Al掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm³，Mg掺杂浓度为5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为49nm。
优选地，所述的p型GaN层，Mg掺杂浓度1E+19～1E+20atom/cm³，厚度为198nm。
本实施例还提供一种LED结构，包括衬底，设置在所述衬底上的外延片，以及设置在所述外延片上的P电极和N电极，其特征在于，所述的外延片为带量子阱垒层的外延片。
实施例8
本实施例的生长方法与实施例1的生长步骤相同。
优选地，处理衬底的反应腔压力在200mbar，温度在1080℃。
优选地，生长GaN缓冲层的反应腔压力在600mbar，温度在550℃。
优选地，生长非掺杂GaN层的反应腔压力在380mbar，温度在1300℃。
优选地，生长p型AlGaN层的反应腔压力在300mbar，温度在1000℃。
优选地，生长p型GaN层的反应腔压力在900mbar，温度在1080℃。
优选地，所述的低温GaN缓冲层的厚度为50nm。
优选地，所述的非掺杂GaN层的厚度为4μm。
优选地，所述的n型GaN层掺杂Si，Si掺杂浓度5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为4μm。
优选地，所述的p型AlGaN层，Al掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm³，Mg掺杂浓度为5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为48nm。
优选地，所述的p型GaN层，Mg掺杂浓度1E+19～1E+20atom/cm³， 厚度为170nm。
本实施例还提供一种LED结构，包括衬底，设置在所述衬底上的外延片，以及设置在所述外延片上的P电极和N电极，其特征在于，所述的外延片为带量子阱垒层的外延片。
实施例9
本实施例的生长方法与实施例1的a，b，c，d，f，g，h生长步骤相同，步骤e：
反应腔压力维持在390mbar，低温740℃，通入NH₃，TEGa、TMIn生长掺杂In的厚度为2.8nm的In_xGa_(1-x)N层(x＝0.15～0.25)，In掺杂浓度1E+20～3E+20atom/cm³，升温至850℃通入NH₃，TEGa、TMIn生长厚度为13nm的In_yGa_(1-y)N层(y＝0.05～0.10)，In掺杂浓度1E+18～2E+18atom/cm³；In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N量子阱层周期数为5。
接着，反应腔压力维持在390mbar，低温740℃，通入NH₃，TEGa、TMIn生长掺杂In的厚度为2.8nm的In_mGa_(1-m)N层(m＝0.15-0.25)，In掺杂浓度1E+20～3E+20atom/cm³，升温至850℃，通入NH₃，TEGa、TMAl生长厚度为13nm的Al_nGa_(1-n)N层(n＝0.10～0.15)，Al掺杂浓度1E+18～2E+18atom/cm³；In_mGa_(1-m)N/Al_nGa_(1-n)N量子阱层周期数为6。
优选地，处理衬底的反应腔压力在200mbar，温度在1100℃。
优选地，生长GaN缓冲层的反应腔压力在300mbar，温度在555℃。
优选地，生长非掺杂GaN层的反应腔压力在209mbar，温度在1300℃。
优选地，生长p型AlGaN层的反应腔压力在300mbar，温度在1000℃。
优选地，生长p型GaN层的反应腔压力在680mbar，温度在1000℃。
优选地，所述的低温GaN缓冲层的厚度为50nm。
优选地，所述的非掺杂GaN层的厚度为2.1μm。
优选地，所述的n型GaN层掺杂Si，Si掺杂浓度5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为2.1μm。
优选地，所述的p型AlGaN层，Al掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm³，Mg掺杂浓度为5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为22nm。
优选地，所述的p型GaN层，Mg掺杂浓度1E+19～1E+20atom/cm³，厚度为100nm。
本实施例还提供一种LED结构，包括衬底，设置在所述衬底上的外延片， 以及设置在所述外延片上的P电极和N电极，其特征在于，所述的外延片为带量子阱垒层的外延片。
实施例10
本实施例的生长方法与实施例1的生长步骤相同。
优选地，处理衬底的反应腔压力在200mbar，温度在1050℃。
优选地，生长GaN缓冲层的反应腔压力在4550mbar，温度在750℃。
优选地，生长非掺杂GaN层的反应腔压力在335mbar，温度在1300℃。
优选地，生长p型AlGaN层的反应腔压力在300mbar，温度在900℃。
优选地，生长p型GaN层的反应腔压力在900mbar，温度在1100℃。
优选地，所述的低温GaN缓冲层的厚度为50nm。
优选地，所述的非掺杂GaN层的厚度为2.1μm。
优选地，所述的n型GaN层掺杂Si，Si掺杂浓度5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为2.1μm。
优选地，所述的p型AlGaN层，Al掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm³，Mg掺杂浓度为5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为20nm。
优选地，所述的p型GaN层，Mg掺杂浓度1E+19～1E+20atom/cm³，厚度为200nm。
本实施例还提供一种LED结构，包括衬底，设置在所述衬底上的外延片，以及设置在所述外延片上的P电极和N电极，其特征在于，所述的外延片为带量子阱垒层的外延片。
实施例11
本实施例的生长方法与实施例1的a，b，c，d，f，g，h生长步骤相同，步骤e：
反应腔压力维持在385mbar，低温710℃，通入NH₃，TEGa、TMIn生长掺杂In的厚度为3.5nm的In_xGa_(1-x)N层(x＝0.15～0.25)，In掺杂浓度1E+20～3E+20atom/cm³，升温至810℃通入NH₃，TEGa、TMIn生长厚度为11nm的In_yGa_(1-y)N层(y＝0.05～0.10)，In掺杂浓度1E+18～2E+18atom/cm³；In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N量子阱层周期数为6。
接着，反应腔压力维持在385mbar，低温710℃，通入NH₃，TEGa、TMIn生长掺杂In的厚度为3.5nm的In_mGa_(1-m)N层(m＝0.15-0.25)，In掺杂浓度1E+20～3E+20atom/cm³，升温至810℃，通入NH₃，TEGa、TMAl生长厚 度为11nm的Al_nGa_(1-n)N层(n＝0.10～0.15)，Al掺杂浓度1E+18～2E+18atom/cm³；In_mGa_(1-m)N/Al_nGa_(1-n)N量子阱层周期数为6。
优选地，处理衬底的反应腔压力在200mbar，温度在1100℃。
优选地，生长GaN缓冲层的反应腔压力在600mbar，温度在750℃。
优选地，生长非掺杂GaN层的反应腔压力在400mbar，温度在1290℃。
优选地，生长p型AlGaN层的反应腔压力在300mbar，温度在1000℃。
优选地，生长p型GaN层的反应腔压力在650mbar，温度在1100℃。
优选地，所述的低温GaN缓冲层的厚度为50nm。
优选地，所述的非掺杂GaN层的厚度为4μm。
优选地，所述的n型GaN层掺杂Si，Si掺杂浓度5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为4μm。
优选地，所述的p型AlGaN层，Al掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm³，Mg掺杂浓度为5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为50nm。
优选地，所述的p型GaN层，Mg掺杂浓度1E+19～1E+20atom/cm³，厚度为190nm。
本实施例还提供一种LED结构，包括衬底，设置在所述衬底上的外延片，以及设置在所述外延片上的P电极和N电极，其特征在于，所述的外延片为带量子阱垒层的外延片。
实施例12
本实施例的生长方法与实施例1的生长步骤相同。
优选地，处理衬底的反应腔压力在200mbar，温度在1000～1100℃。
优选地，生长GaN缓冲层的反应腔压力在300mbar，温度在550～750℃。
优选地，生长非掺杂GaN层的反应腔压力在300mbar，温度在1200～1300℃。
优选地，生长p型AlGaN层的反应腔压力在300mbar，温度在980℃。
优选地，生长p型GaN层的反应腔压力在600～900mbar，温度在1050℃。
优选地，所述的低温GaN缓冲层的厚度为50nm。
优选地，所述的非掺杂GaN层的厚度为3.4μm。
优选地，所述的n型GaN层掺杂Si，Si掺杂浓度5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为3.4μm。
优选地，所述的p型AlGaN层，Al掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm³，Mg掺杂浓度为5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为38nm。
优选地，所述的p型GaN层，Mg掺杂浓度1E+19～1E+20atom/cm³，厚度为177nm。
本实施例还提供一种LED结构，包括衬底，设置在所述衬底上的外延片，以及设置在所述外延片上的P电极和N电极，其特征在于，所述的外延片为带量子阱垒层的外延片。
实施例13
本实施例的生长方法与实施例1的a，b，c，d，f，g，h生长步骤相同，步骤e：
反应腔压力维持在310mbar，低温745℃，通入NH₃，TEGa、TMIn生长掺杂In的厚度为2.8nm的In_xGa_(1-x)N层(x＝0.15～0.25)，In掺杂浓度1E+20～3E+20atom/cm³，升温至850℃通入NH₃，TEGa、TMIn生长厚度为15nm的In_yGa_(1-y)N层(y＝0.05～0.10)，In掺杂浓度1E+18～2E+18atom/cm³；In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N量子阱层周期数为6。
接着，反应腔压力维持在310mbar，低温745℃，通入NH₃，TEGa、TMIn生长掺杂In的厚度为2.8nm的In_mGa_(1-m)N层(m＝0.15-0.25)，In掺杂浓度1E+20～3E+20atom/cm³，升温至850℃，通入NH₃，TEGa、TMAl生长厚度为15nm的Al_nGa_(1-n)N层(n＝0.10～0.15)，Al掺杂浓度1E+18～2E+18atom/cm³；In_mGa_(1-m)N/Al_nGa_(1-n)N量子阱层周期数为6。
优选地，处理衬底的反应腔压力在200mbar，温度在1100℃。
优选地，生长GaN缓冲层的反应腔压力在600mbar，温度在590℃。
优选地，生长非掺杂GaN层的反应腔压力在290mbar，温度在1300℃。
优选地，生长p型AlGaN层的反应腔压力在300mbar，温度在1000℃。
优选地，生长p型GaN层的反应腔压力在880mbar，温度在1090℃。
优选地，所述的低温GaN缓冲层的厚度为50nm。
优选地，所述的非掺杂GaN层的厚度为2.6μm。
优选地，所述的n型GaN层掺杂Si，Si掺杂浓度5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为2.6μm。
优选地，所述的p型AlGaN层，Al掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm³，Mg掺杂浓度为5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为50nm。
优选地，所述的p型GaN层，Mg掺杂浓度1E+19～1E+20atom/cm³，厚度为200nm。
本实施例还提供一种LED结构，包括衬底，设置在所述衬底上的外延片，以及设置在所述外延片上的P电极和N电极，其特征在于，所述的外延片为带量子阱垒层的外延片。
实施例14
本实施例的生长方法与实施例1的生长步骤相同。
优选地，处理衬底的反应腔压力在150mbar，温度在1010℃。
优选地，生长GaN缓冲层的反应腔压力在300mbar，温度在540℃。
优选地，生长非掺杂GaN层的反应腔压力在200mbar，温度在1100～1300℃。
优选地，生长p型AlGaN层的反应腔压力在250～300mbar，温度在950～1000℃。
优选地，生长p型GaN层的反应腔压力在700～900mbar，温度在1080℃。
优选地，所述的低温GaN缓冲层的厚度为50nm。
优选地，所述的非掺杂GaN层的厚度为3.1μm。
优选地，所述的n型GaN层掺杂Si，Si掺杂浓度5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为3.1μm。
优选地，所述的p型AlGaN层，Al掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm³，Mg掺杂浓度为5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为44nm。
优选地，所述的p型GaN层，Mg掺杂浓度1E+19～1E+20atom/cm³，厚度为177nm。
本实施例还提供一种LED结构，包括衬底，设置在所述衬底上的外延片，以及设置在所述外延片上的P电极和N电极，其特征在于，所述的外延片为带量子阱垒层的外延片。
实施例15
本实施例的生长方法与实施例1的a，b，c，d，f，g，h生长步骤相同，步骤e：
反应腔压力维持在355mbar，低温750℃，通入NH₃，TEGa、TMIn生长掺杂In的厚度为3.5nm的In_xGa_(1-x)N层(x＝0.15～0.25)，In掺杂浓度1E+20～3E+20atom/cm³，升温至800℃通入NH₃，TEGa、TMIn生长厚度 为10nm的In_yGa_(1-y)N层(y＝0.05～0.10)，In掺杂浓度1E+18～2E+18atom/cm³；In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N量子阱层周期数为6。
接着，反应腔压力维持在355mbar，低温750℃，通入NH₃，TEGa、TMIn生长掺杂In的厚度为3.5nm的In_mGa_(1-m)N层(m＝0.15-0.25)，In掺杂浓度1E+20～3E+20atom/cm³，升温至800℃，通入NH₃，TEGa、TMAl生长厚度为10nm的Al_nGa_(1-n)N层(n＝0.10～0.15)，Al掺杂浓度1E+18～2E+18atom/cm³；In_mGa_(1-m)N/Al_nGa_(1-n)N量子阱层周期数为6。
优选地，处理衬底的反应腔压力在200mbar，温度在1100℃。
优选地，生长GaN缓冲层的反应腔压力在300～500mbar，温度在750℃。
优选地，生长非掺杂GaN层的反应腔压力在400mbar，温度在1300℃。
优选地，生长p型AlGaN层的反应腔压力在300mbar，温度在900℃。
优选地，生长p型GaN层的反应腔压力在900mbar，温度在1100℃。
优选地，所述的低温GaN缓冲层的厚度为50nm。
优选地，所述的非掺杂GaN层的厚度为4μm。
优选地，所述的n型GaN层掺杂Si，Si掺杂浓度5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为4μm。
优选地，所述的p型AlGaN层，Al掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm³，Mg掺杂浓度为5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为50nm。
优选地，所述的p型GaN层，Mg掺杂浓度1E+19～1E+20atom/cm³，厚度为200nm。
本实施例还提供一种LED结构，包括衬底，设置在所述衬底上的外延片，以及设置在所述外延片上的P电极和N电极，其特征在于，所述的外延片为带量子阱垒层的外延片。
实施例16
本实施例的生长方法与实施例1的生长步骤相同。
优选地，处理衬底的反应腔压力在199mbar，温度在1000℃。
优选地，生长GaN缓冲层的反应腔压力在600mbar，温度在750℃。
优选地，生长非掺杂GaN层的反应腔压力在200mbar，温度在1300℃。
优选地，生长p型AlGaN层的反应腔压力在300mbar，温度在900℃。
优选地，生长p型GaN层的反应腔压力在600mbar，温度在1090℃。
优选地，所述的低温GaN缓冲层的厚度为50nm。
优选地，所述的非掺杂GaN层的厚度为4μm。
优选地，所述的n型GaN层掺杂Si，Si掺杂浓度5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为4μm。
优选地，所述的p型AlGaN层，Al掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm³，Mg掺杂浓度为5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为50nm。
优选地，所述的p型GaN层，Mg掺杂浓度1E+19～1E+20atom/cm³，厚度为199nm。
本实施例还提供一种LED结构，包括衬底，设置在所述衬底上的外延片，以及设置在所述外延片上的P电极和N电极，其特征在于，所述的外延片为带量子阱垒层的外延片。
实施例17
本实施例的生长方法与实施例1的a，b，c，d，f，g，h生长步骤相同，步骤e：
反应腔压力维持在397mbar，低温715℃，通入NH₃，TEGa、TMIn生长掺杂In的厚度为3.2nm的In_xGa_(1-x)N层(x＝0.15～0.25)，In掺杂浓度1E+20～3E+20atom/cm³，升温至850℃通入NH₃，TEGa、TMIn生长厚度为14nm的In_yGa_(1-y)N层(y＝0.05～0.10)，In掺杂浓度1E+18～2E+18atom/cm³；In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N量子阱层周期数为6。
接着，反应腔压力维持在397mbar，低温715℃，通入NH₃，TEGa、TMIn生长掺杂In的厚度为3.2nm的In_mGa_(1-m)N层(m＝0.15-0.25)，In掺杂浓度1E+20～3E+20atom/cm³，升温至850℃，通入NH₃，TEGa、TMAl生长厚度为14nm的Al_nGa_(1-n)N层(n＝0.10～0.15)，Al掺杂浓度1E+18～2E+18atom/cm³；In_mGa_(1-m)N/Al_nGa_(1-n)N量子阱层周期数为5。
优选地，处理衬底的反应腔压力在200mbar，温度在1100℃。
优选地，生长GaN缓冲层的反应腔压力在600mbar，温度在740℃。
优选地，生长非掺杂GaN层的反应腔压力在400mbar，温度在1300℃。
优选地，生长p型AlGaN层的反应腔压力在300mbar，温度在900℃。
优选地，生长p型GaN层的反应腔压力在900mbar，温度在1000℃。
优选地，所述的低温GaN缓冲层的厚度为50nm。
优选地，所述的非掺杂GaN层的厚度为2μm。
优选地，所述的n型GaN层掺杂Si，Si掺杂浓度5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为4μm。
优选地，所述的p型AlGaN层，Al掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm³，Mg掺杂浓度为5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为40nm。
优选地，所述的p型GaN层，Mg掺杂浓度1E+19～1E+20atom/cm³，厚度为160nm。
本实施例还提供一种LED结构，包括衬底，设置在所述衬底上的外延片，以及设置在所述外延片上的P电极和N电极，其特征在于，所述的外延片为带量子阱垒层的外延片。
实施例18
本实施例的生长方法与实施例1的生长步骤相同。
优选地，处理衬底的反应腔压力在190mbar，温度在1090℃。
优选地，生长GaN缓冲层的反应腔压力在590mbar，温度在7000℃。
优选地，生长非掺杂GaN层的反应腔压力在200mbar，温度在1300℃。
优选地，生长p型AlGaN层的反应腔压力在300mbar，温度在900℃。
优选地，生长p型GaN层的反应腔压力在600mbar，温度在1000℃。
优选地，所述的低温GaN缓冲层的厚度为50nm。
优选地，所述的非掺杂GaN层的厚度为2μm。
优选地，所述的n型GaN层掺杂Si，Si掺杂浓度5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为2μm。
优选地，所述的p型AlGaN层，Al掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm³，Mg掺杂浓度为5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为22nm。
优选地，所述的p型GaN层，Mg掺杂浓度1E+19～1E+20atom/cm³，厚度为133nm。
本实施例还提供一种LED结构，包括衬底，设置在所述衬底上的外延片，以及设置在所述外延片上的P电极和N电极，其特征在于，所述的外延片为带量子阱垒层的外延片。
实施例19
本实施例的生长方法与实施例1的a，b，c，d，f，g，h生长步骤相同，步骤e：
反应腔压力维持在400mbar，低温700℃，通入NH₃，TEGa、TMIn生 长掺杂In的厚度为3.1nm的In_xGa_(1-x)N层(x＝0.15～0.25)，In掺杂浓度1E+20～3E+20atom/cm³，升温至810℃通入NH₃，TEGa、TMIn生长厚度为13nm的In_yGa_(1-y)N层(y＝0.05～0.10)，In掺杂浓度1E+18～2E+18atom/cm³；In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N量子阱层周期数为6。
接着，反应腔压力维持在400mbar，低温700℃，通入NH₃，TEGa、TMIn生长掺杂In的厚度为3.1nm的In_mGa_(1-m)N层(m＝0.15-0.25)，In掺杂浓度1E+20～3E+20atom/cm³，升温至810℃，通入NH₃，TEGa、TMAl生长厚度为13nm的Al_nGa_(1-n)N层(n＝0.10～0.15)，Al掺杂浓度1E+18～2E+18atom/cm³；In_mGa_(1-m)N/Al_nGa_(1-n)N量子阱层周期数为5。
优选地，处理衬底的反应腔压力在200mbar，温度在1100℃。
优选地，生长GaN缓冲层的反应腔压力在300～600mbar，温度在550～750℃。
优选地，生长非掺杂GaN层的反应腔压力在300～400mbar，温度在1100～1300℃。
优选地，生长p型AlGaN层的反应腔压力在300mbar，温度在970℃。
优选地，生长p型GaN层的反应腔压力在600～900mbar，温度在1000～1100℃。
优选地，所述的低温GaN缓冲层的厚度为50nm。
优选地，所述的非掺杂GaN层的厚度为3.4μm。
优选地，所述的n型GaN层掺杂Si，Si掺杂浓度5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为3.5μm。
优选地，所述的p型AlGaN层，Al掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm³，Mg掺杂浓度为5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为31nm。
优选地，所述的p型GaN层，Mg掺杂浓度1E+19～1E+20atom/cm³，厚度为111nm。
本实施例还提供一种LED结构，包括衬底，设置在所述衬底上的外延片，以及设置在所述外延片上的P电极和N电极，其特征在于，所述的外延片为带量子阱垒层的外延片。
实施例20
本实施例的生长方法与实施例1的生长步骤相同。
优选地，处理衬底的反应腔压力在200mbar，温度在1100℃。
优选地，生长GaN缓冲层的反应腔压力在305～590mbar，温度在750℃。
优选地，生长非掺杂GaN层的反应腔压力在205～300mbar，温度在1300℃。
优选地，生长p型AlGaN层的反应腔压力在200～300mbar，温度在1000℃。
优选地，生长p型GaN层的反应腔压力在900mbar，温度在1100℃。
优选地，所述的低温GaN缓冲层的厚度为50nm。
优选地，所述的非掺杂GaN层的厚度为3.9μm。
优选地，所述的n型GaN层掺杂Si，Si掺杂浓度5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为3.9μm。
优选地，所述的p型AlGaN层，Al掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm³，Mg掺杂浓度为5E+18～1E+19atom/cm³，厚度为29nm。
优选地，所述的p型GaN层，Mg掺杂浓度1E+19～1E+20atom/cm³，厚度为150nm。
本实施例还提供一种LED结构，包括衬底，设置在所述衬底上的外延片，以及设置在所述外延片上的P电极和N电极，其特征在于，所述的外延片为带量子阱垒层的外延片。
试验一
根据现有技术制备样品1，根据本发明的方法制备样品2；样品1和样品2不同点在于发光层参数不同，生长其它外延层生长条件完全一样。请参考表1样品1和样品2在相同的前工艺条件下镀ITO层2300约埃，相同的条件下镀Cr/Pt/Au电极约1500埃，相同的条件下镀保护层SiO₂约500埃，然后在相同的条件下将样品研磨切割成762μm*762μm(30mi*30mil)的芯片颗粒，然后样品1和样品2在相同位置各自挑选150颗晶粒，在相同的封装工艺下，封装成白光LED。然后采用积分球在驱动电流350mA条件下测试样品1和样品2的光电性能。
所述的In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N量子阱层，其中，In_xGa_(1-x)N的厚度为2.8～3.5nm；In_yGa_(1-y)N的厚度为10～15nm；
所述的In_mGa_(1-m)N/Al_nGa_(1-n)N量子阱层，其中，In_mGa_(1-m)N的厚度为2.8～ 3.5nm，Al_nGa_(1-n)N的厚度为10～15nm。
表1

从图3中的数据得出本发明的LED结构的光输出高出约8％。
本发明的有益效果为：
第一，发光层量子阱垒层由传统的InGaN/GaN超晶格材料设计为In_mGa_(1-m)N/Al_nGa_(1-n)N量子阱层的组合，减少电子在量子阱的溢出，增加空穴对量子阱的注入，提高电子和空穴在量子阱中的浓度，增加器件发光效率。
第二，不改变势阱，势垒GaN变成AlGaN导带提高，能适当降低电子的迁移率，使得势阱的电子不会由于过多泄漏至p层消耗空穴；空穴运动阻挡势垒降低，利于空穴的运动，提高空穴的注入。
上述说明示出并描述了本申请的若干优选实施例，但如前所述，应当理解本申请并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述申请构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本申请的精神和范围，则都应在本申请所附权利要求的保护范围内。