真空蒸镀装置和真空蒸镀方法.pdf

本发明提供能提高有机EL膜整体的厚度均等性的真空蒸镀装置和真空蒸镀方法。真空蒸镀装置包括：引导通道，输送利用蒸发源得到的蒸发材料；以及释放构件，向被蒸镀构件释放从引导通道流入的蒸发材料。释放构件包括：分散容器(7)，用于扩散蒸发材料；以及多个喷嘴构件(8)，朝向被蒸镀构件突出设置，且在前端具有用于向被蒸镀构件释放蒸发材料的收缩开口部。各喷嘴构件(8)具有喷嘴构件(8)的内直径(D)、喷嘴构件(8)的长度(L)和收缩开口部(8a)的直径(D’)。释放构件具有调整各喷嘴构件(8)的蒸发材料的流量的装置(13)，以使各喷嘴构件(8)的蒸发材料的流量为规定值。喷嘴构件(8)的内直径(D)(mm)、喷嘴构件(8)的长度(L)(mm)和收缩开口部的直径(D’)(mm)满足关系式：L≥9D且D’≤2.7D2/L，或者L<9D且D’≤D/3。

权利要求书
1.  一种真空蒸镀装置，包括：
蒸发源，加热用于形成有机EL膜的蒸镀材料而得到蒸发材料；
引导通道，输送利用所述蒸发源得到的蒸发材料；以及
释放构件，向被蒸镀构件释放从所述引导通道流入的蒸发材料，
所述释放构件包括：
分散容器，用于扩散所述蒸发材料；以及
多个喷嘴构件，朝向所述被蒸镀构件突出设置，且在前端具有用于向所述被蒸镀构件释放蒸发材料的收缩开口部，
所述真空蒸镀装置的特征在于，
各喷嘴构件具有喷嘴构件的内直径D(mm)、喷嘴构件的长度L(mm)和收缩开口部的直径D’(mm)，
所述喷嘴构件的内直径D(mm)、所述喷嘴构件的长度L(mm)和所述收缩开口部的直径D’(mm)满足关系式：
L≥9D且D’≤2.7D2/L，或者L<9D且D’≤D/3，
所述释放构件具有以各喷嘴构件中的蒸发材料的流量成为规定值的方式调整各喷嘴构件中的蒸发材料的流量的装置。

2.  一种真空蒸镀方法，使用真空蒸镀装置，所述真空蒸镀装置包括：
蒸发源，加热用于形成有机EL膜的蒸镀材料而得到蒸发材料；
引导通道，输送利用所述蒸发源得到的蒸发材料；以及
释放构件，向被蒸镀构件释放从所述引导通道流入的蒸发材料，
所述释放构件包括：
分散容器，用于扩散所述蒸发材料；以及
多个喷嘴构件，朝向所述被蒸镀构件突出设置，且在前端具有用于向所述被蒸镀构件释放蒸发材料的收缩开口部，
所述真空蒸镀方法的特征在于，
使用的各喷嘴构件具有喷嘴构件的内直径D(mm)、喷嘴构件的长度L(mm)和收缩开口部的直径D’(mm)，所述喷嘴构件的内直径D(mm)、所述喷嘴构件的长度L(mm)和所述收缩开口部的直径D’(mm)满足关系式：
L≥9D且D’≤2.7D2/L，或者L<9D且D’≤D/3，
以各喷嘴构件中的蒸发材料的流量成为规定值的方式调整各喷嘴构件中的蒸发材料的流量。

3.  根据权利要求2所述的真空蒸镀方法，其特征在于，测量从各喷嘴构件释放的蒸发材料的量，基于测量结果调整各喷嘴构件中的蒸发材料的流量。

说明书真空蒸镀装置和真空蒸镀方法
技术领域
本发明涉及用于形成有机EL(Electro Luminescence)膜的真空蒸镀装置和真空蒸镀方法。
背景技术
以往的用于形成有机EL膜的真空蒸镀装置包括：蒸发源，用于加热蒸镀材料而得到蒸发材料；引导通道，输送利用蒸发源得到的蒸发材料；以及释放构件，向被蒸镀构件释放从引导通道流入的蒸发材料(例如参照专利文献1)。
上述的释放构件包括：分散容器，用于扩散蒸发材料；以及多个喷嘴构件，朝向被蒸镀构件突出设置，且在前端具有用于向被蒸镀构件释放蒸发材料的收缩开口部。
作为提高膜厚的均等性的方法，可以列举通过改变各喷嘴的收缩开口部的直径来调整从各喷嘴构件向被蒸镀构件释放的蒸发材料的量。
专利文献1：日本专利公开公报特开2007-332458号
但是，具有从各喷嘴构件向被蒸镀构件释放的蒸发材料的量和扩散程度因喷嘴构件的收缩开口部的直径而同时大幅变化的情况，膜厚同时受到蒸发材料的量和扩散程度的影响而变化。因此，很难通过改变各喷嘴构件的收缩开口部的直径来同时精确地调整从各喷嘴构件向被蒸镀构件释放的蒸发材料的量和扩散程度，从而很难提高膜整体的厚度均等性。
发明内容
因此，本发明的目的是提供真空蒸镀装置和真空蒸镀方法，能够精确地调整从各喷嘴构件向被蒸镀构件释放的蒸发材料的量和扩散程度，从而提高有机EL膜整体的厚度均等性。
本发明提供一种真空蒸镀装置，其包括：蒸发源，加热用于形成有 机EL膜的蒸镀材料而得到蒸发材料；引导通道，输送利用所述蒸发源得到的蒸发材料；以及释放构件，向被蒸镀构件释放从所述引导通道流入的蒸发材料，所述释放构件包括：分散容器，用于扩散所述蒸发材料；以及多个喷嘴构件，朝向所述被蒸镀构件突出设置，且在前端具有用于向所述被蒸镀构件释放蒸发材料的收缩开口部，其中，各喷嘴构件具有喷嘴构件的内直径D(mm)、喷嘴构件的长度L(mm)和收缩开口部的直径D’(mm)，所述喷嘴构件的内直径D(mm)、所述喷嘴构件的长度L(mm)和所述收缩开口部的直径D’(mm)满足关系式：L≥9D且D’≤2.7D2/L，或者L<9D且D’≤D/3，所述释放构件具有以各喷嘴构件中的蒸发材料的流量成为规定值的方式调整各喷嘴构件中的蒸发材料的流量的装置。
并且，本发明提供一种真空蒸镀方法，其使用真空蒸镀装置，所述真空蒸镀装置包括：蒸发源，加热用于形成有机EL膜的蒸镀材料而得到蒸发材料；引导通道，输送利用所述蒸发源得到的蒸发材料；以及释放构件，向被蒸镀构件释放从所述引导通道流入的蒸发材料，所述释放构件包括：分散容器，用于扩散所述蒸发材料；以及多个喷嘴构件，朝向所述被蒸镀构件突出设置，且在前端具有用于向所述被蒸镀构件释放蒸发材料的收缩开口部，其中，使用的各喷嘴构件具有喷嘴构件的内直径D(mm)、喷嘴构件的长度L(mm)和收缩开口部的直径D’(mm)，所述喷嘴构件的内直径D(mm)、所述喷嘴构件的长度L(mm)和所述收缩开口部的直径D’(mm)满足关系式：L≥9D且D’≤2.7D2/L，或者L<9D且D’≤D/3，以各喷嘴构件中的蒸发材料的流量成为规定值的方式调整各喷嘴构件中的蒸发材料的流量。
按照本发明，能够提供如下真空蒸镀装置和真空蒸镀方法，能够精确地调整从各喷嘴构件向被蒸镀构件释放的蒸发材料的量和扩散程度，从而提高有机EL膜整体的厚度均等性。
附图说明
图1是表示(喷嘴构件的长度L)×(收缩开口部的直径D’)/(喷嘴构件的内直径D)2与cosnθ定则的n值之间关系的图。
图2是表示(收缩开口部的直径D’)/(喷嘴构件的内直径D)与cosnθ 定则的n值之间关系的图。
图3是表示L=30mm、D=7mm、D’=2mm时从收缩开口部释放的蒸发材料的角度分布的图。
图4是表示L=30mm、D=7mm、D’=4mm时从收缩开口部释放的蒸发材料的角度分布的图。
图5是表示本发明一个实施方式的真空蒸镀装置的简要结构图。
图6是放大了图5所示的真空蒸镀装置的释放构件的喷嘴构件附近的要部剖视图。
图7是表示图5所示的真空蒸镀装置的各喷嘴构件在流量测量时的状态的要部剖视图。
图8是放大了本发明其他实施方式的真空蒸镀装置的释放构件的喷嘴构件附近的要部剖视图。
图9是放大了图6所示的喷嘴构件的收缩开口部附近的剖视图。
附图标记说明
1 真空蒸镀装置
2 蒸发材料
3 坩埚
4 引导通道
5 基板
5a 基板托架
6 释放构件
7 歧管
8 喷嘴构件
8a 收缩开口部
9 蒸发容器
10 加热器
11 闸门
12 膜厚检测传感器
13 针阀
14 膜厚检测传感器
15 隔离壁
23 遮挡板
23a旋转轴
具体实施方式
本发明的真空蒸镀装置包括：蒸发源，将用于形成有机EL膜的蒸镀材料加热从而得到蒸发材料；引导通道，输送利用蒸发源得到的蒸发材料；以及释放构件，将从引导通道流入的蒸发材料向被蒸镀构件释放。释放构件包括：分散容器，用于扩散蒸发材料；以及多个喷嘴构件，朝向被蒸镀构件突出设置，且在前端具有用于向被蒸镀构件释放蒸发材料的收缩开口部。
本发明的真空蒸镀装置所使用的多个喷嘴构件具有彼此大致相同的形状和尺寸。多个喷嘴构件既可以配置成一列也可以并列地配置多列。
上述的蒸镀在真空状态下进行。由此，只要喷嘴构件朝向被蒸镀构件突出设置即可，从喷嘴构件向被蒸镀构件释放蒸发材料的方向例如可以是水平方向或者上下方向。
各喷嘴构件具有喷嘴构件的内直径D(mm)、喷嘴构件的长度L(mm)和收缩开口部的直径D’(mm)。喷嘴构件的长度L是指喷嘴构件的内侧的长度。例如在图6所示的装置的情况下，喷嘴构件的长度L是指由图6中的L表示的、在喷嘴构件8的内侧沿着喷嘴构件8的轴向的长度尺寸。
并且，喷嘴构件的内直径D(mm)、喷嘴构件的长度L(mm)和收缩开口部的直径D’(mm)满足以下关系式(1)：
L≥9D且D’≤2.7D2/L，或者L<9D且D’≤D/3。
上述的式(1)是针对用于形成有机EL膜的有机材料而得到的。在满足上述的式(1)时(图1(L≥9D时)所示的L×D’/D2大于0且为2.7以下的区域，或者图2(L<9D时)所示的D’/D大于0且为1/3以下的区域)，从各喷嘴构件的收缩开口部向被蒸镀构件释放的蒸发材料的扩散程度遵从 cosnθ定则。即，由cosnθ曲线近似。这时，从各喷嘴构件的收缩开口部释放的蒸发材料充分地向被蒸镀构件的表面扩散而堆积，因此能够提高膜厚的均等性。如图1所示，在L≥9D时，在L×D’/D2大于0且为2.7以下的区域内，cosnθ定则的n值大约是4～4.25。并且，如图2所示，在L<9D时，在D’≤D/3的区域内，cosnθ定则的n值大约是4.05～4.25。
cosnθ定则的n值越小，蒸发材料越容易向被蒸镀构件的表面扩散而堆积，并能够提高膜厚的均等性。优选cosnθ定则的n值大约是4～4.1，为了能够进一步提高膜厚的均等性，在L≥9D时，D’≤2D2/L。优选cosnθ定则的n值大约是4.05～4.1，为了能够进一步提高膜厚的均等性，在L<9D时，D’≤0.2D。
从收缩开口部的直径D’的尺寸精度的观点考虑，收缩开口部的直径D’例如是1mm以上。
如果L≥9D且D’>2.7D2/L、或者L<9D且D’>D/3，则从各喷嘴构件的收缩开口部向被蒸镀构件释放的蒸发材料的扩散程度不遵从cosnθ定则。因此，从各喷嘴构件的收缩开口部释放的蒸发材料不充分向被蒸镀构件的表面扩散而堆积。其结果是，蒸发材料堆积于被蒸镀构件的与各喷嘴构件的收缩开口部相对的区域的量变得过多，膜厚的均等性下降。
在此，图3表示满足式（1）时从收缩开口部释放的蒸发材料的角度分布的一例。图4表示不满足式（1）时从收缩开口部释放的蒸发材料的角度分布的一例。图中的横轴表示蒸发材料从收缩开口部的喷嘴中心的放射角度，纵轴表示与放射角度相对应的蒸发材料的释放量。图中的实线是cosnθ曲线，黑点表示与各放射角度相对应的蒸发材料的量。
放射角度是指，在图5和图6所示的装置的情况下，在图9所示的放大了收缩开口部8a附近的剖视图中，蒸发材料2从喷嘴构件8的收缩开口部8a分别向正上的方向（基板5的方向）的左右扩展的角度θ。放射角度θ最大是90°。例如放射角度θ为45°是指，蒸发材料2从喷嘴构件8的收缩开口部8a分别向正上的方向的左右扩展45°的角度、即实质上以90°的角度从收缩开口部8a向基板5释放蒸发材料2。
图3表示L=30mm、D=7mm、D’=2mm的情况，在L<9D时满足D’ ≤D/3。这时，如图3所示，得到了沿着cosnθ曲线的角度分布。另一方面，图4表示L=30mm、D=7mm、D’=4mm的情况，在L<9D时不满足D’≤D/3。这时，如图4所示，在比放射角度为20°附近小的区域，得到了从cosnθ曲线大幅偏离的角度分布。
图3和图4表示在L<9D时从收缩开口部释放的蒸发材料的角度分布的一例，但是在L≥9D时也表示与图3和图4相同的倾向。具体地说，在L≥9D时满足D’≤2.7D2/L的情况下，如图3所示，在所有的区域得到了与cosn曲线近似的角度分布。在L≥9D时不满足D’≤2.7D2/L的情况下，如图4所示，在放射角度小的区域得到了从cosnθ曲线大幅偏离的角度分布。
在L的尺寸比D的尺寸足够大时，蒸发材料的分子与喷嘴内壁碰撞的概率变高。因此，从收缩开口部释放蒸发材料的分子变得困难，且在从收缩开口部释放的蒸发材料的分子中，沿着喷嘴的内壁的方向释放的蒸发材料的分子的比例增大。即，在从喷嘴收缩开口部释放的蒸发材料的分子中，朝向喷嘴正上方释放的蒸发材料的分子的比例增大。其结果是，由收缩开口部释放的蒸发材料不扩散的倾向变大。喷嘴变得越长该倾向越明显。
对此，在本发明中，即使在L的值比D的值足够大的L≥9D时，也能够通过使收缩开口部的直径D’小到2.7D2/L以下从而增大与收缩开口部碰撞的蒸发材料的分子的比例，以使从收缩开口部释放的蒸发材料扩散，从而使蒸发材料的扩散程度接近cosnθ曲线。
即使在使用满足上述的式(1)且具有大致相同的形状和尺寸的多个喷嘴构件时，也因分散容器的多个喷嘴构件的配置方式、引导通道与分散容器的连接位置、分散容器的形状等，发生释放的蒸发材料的量在各喷嘴构件之间存在差异。
因此，在本发明的真空蒸镀装置中，使用包括上述的喷嘴构件的释放构件，并设置调整各喷嘴构件中的蒸发材料的流量的装置以使各喷嘴构件中的蒸发材料的流量为规定值。例如设置能够调整各喷嘴的分散容器侧的基部附近的开口程度的机构（例如针阀或者能够滑动的遮挡板）， 作为上述的装置。
设定对各喷嘴构件调整的规定的流量，以减少上述的差异。例如，在使用满足上述的式(1)且具有大致相同的形状和尺寸的多个喷嘴构件时，在实际使用装置之前，预先对用于减少上述的差异的膜厚分布进行模拟，由此得到规定的流量。通过合成从各喷嘴构件的收缩开口部向被蒸镀构件释放的蒸发材料的量和扩散程度来得到膜厚分布。
能够通过使用满足上述的式(1)的喷嘴构件(收缩开口部的直径的尺寸固定)，并调整各喷嘴构件内部的流量，来精确地调整从喷嘴构件的收缩开口部向被蒸镀构件释放的蒸发材料的量和扩散程度。其结果是，能够大幅提高在被蒸镀构件的表面堆积蒸发材料而形成的膜整体的厚度均等性。在本发明中，能够在固定释放构件和被蒸镀构件的状态下得到大致均等的膜。
例如可以使用测量从各喷嘴构件释放的蒸发材料的量的装置，来确认是否将喷嘴构件的流量调整为基于模拟的值。优选的是，测量从各喷嘴构件释放的蒸发材料的量的装置是测量形成于喷嘴构件的出口（收缩开口部）的正上方的蒸镀膜的厚度的膜厚检测装置。膜厚检测装置可以列举石英振子型的膜厚检测传感器。膜厚检测传感器分别设置于各喷嘴构件的出口（收缩开口部）的正上方。在实际使用时撤去测量蒸镀膜的厚度的装置。
本发明的真空蒸镀方法是使用了真空蒸镀装置的方法，真空蒸镀装置包括：蒸发源，加热用于形成有机EL膜的蒸镀材料从而得到蒸发材料；引导通道，输送利用蒸发源得到的蒸发材料；以及释放构件，向被蒸镀构件释放从引导通道流入的蒸发材料。释放构件包括：分散容器，用于扩散蒸发材料；以及多个喷嘴构件，朝向被蒸镀构件突出设置，并在前端具有用于向被蒸镀构件释放蒸发材料的收缩开口部。
并且，各喷嘴构件使用在上述的本发明的真空蒸镀装置中所使用的喷嘴构件。并且，利用上述的本发明的真空蒸镀装置中的调整各喷嘴构件中的蒸发材料的流量的装置，进行各喷嘴构件中的蒸发材料的流量的调整。
由此，能够容易且精确地调整从设置于分散容器的多个喷嘴构件的收缩开口部向被蒸镀构件释放的蒸发材料的量和扩散程度。其结果是，能够大幅地提高在被蒸镀构件的表面堆积蒸发材料而形成的膜整体的厚度均等性。
优选的是，基于测量从各喷嘴构件释放的蒸发材料的量而得到的测量结果，进行上述的蒸发材料的流量调整。由此，能够调整为预先利用膜厚分布的模拟求得的规定的流量。
优选的是，基于测量形成于喷嘴构件的出口（收缩开口部）的正上方的蒸镀膜的厚度而得到的测量结果，进行上述的蒸发材料的量的测量。能够通过利用石英振子型的膜厚检测传感器这样的膜厚检测装置等测量蒸镀膜的厚度，从而容易地求出从喷嘴构件释放的蒸发材料的量。
在此，参照图5和图6对本发明的真空蒸镀装置的一个实施方式进行说明。
如图5所示，真空蒸镀装置1包括：作为蒸发源的坩埚3，加热用于形成有机EL膜的蒸镀材料2而得到蒸发材料；引导通道4，输送利用坩埚3得到的蒸发材料；以及释放构件6，将从引导通道4流入的蒸发材料向作为被蒸镀构件的基板5释放。释放构件6包括：作为分散容器的大致圆柱状的歧管7，用于扩散蒸发材料；以及多个喷嘴构件8，朝向基板5突出设置。
此外，真空蒸镀装置1包括：基板托架5a，用于保持基板5；加热器10，作为对放入了蒸镀材料2的坩埚3进行加热的装置；闸门11，作为对从各喷嘴构件8向基板5释放蒸发材料的路径进行开关的装置；以及膜厚检测传感器12，作为对形成于基板5表面的蒸镀膜（制造的有机EL膜）的厚度进行测量的装置。构成真空蒸镀装置1的上述的各种构成构件被容纳在蒸发容器9内。真空蒸镀装置1连接有用于使蒸发容器9的内部成为真空状态的除气装置。除气装置例如使用真空泵。
如图6所示，多个喷嘴构件8沿着大致圆柱状的歧管7的轴向等间隔地配置为一列。各喷嘴构件8在前端具有用于向基板5释放蒸发材料的收缩开口部8a。多个喷嘴构件8具有彼此大致相同的形状和尺寸。各 喷嘴构件8的形状呈大致圆筒状，收缩开口部8a的形状呈大致圆形。各喷嘴构件8具有喷嘴构件8的内直径D、喷嘴构件8的长度L和收缩开口部8a的直径D’。
喷嘴构件8的内直径D(mm)、喷嘴构件8的长度L(mm)和收缩开口部8a的直径D’(mm)满足以下关系式(1)：
L≥9D且D’≤2.7D2/L，或者L<9D且D’≤D/3。
释放构件6具有前端部为大致圆锥状的针阀13，作为调整各喷嘴构件8的蒸发材料的流量的装置，以使各喷嘴构件8的蒸发材料的流量为规定值。更具体地说，针阀13分别设置于多个喷嘴构件8，且在各喷嘴构件8的分散容器7侧的基部的开口附近配置成能够调整开口的程度。通过这样配置，能够精确地调整从歧管7向各喷嘴构件8的内部供给的蒸发材料的流量。其结果是，能够不改变收缩开口部8a的直径而精确地调整从收缩开口部8a释放的蒸发材料的量。
在图5和图6所示的装置中，在确认是否将各喷嘴构件8的流量调整为基于模拟的值时，例如图7所示，只要在各喷嘴构件8的出口（收缩开口部8a）的正上方设置作为膜厚检测装置的石英振子型的膜厚检测传感器14即可。这时，为了不受从相邻的喷嘴构件8释放的蒸发材料的影响，设置用于隔离各喷嘴构件8的隔离壁15。膜厚检测传感器14和隔离壁15在检测膜厚时设置并在实际使用时撤去。
以下示出使用了本实施方式的真空蒸镀装置的真空蒸镀方法的具体例。
使用图5和图6所示的真空蒸镀装置，并在歧管7的中央部配置坩埚3和引导通道4。各喷嘴构件8的长度L是30mm，各喷嘴构件8的内直径D是7mm，收缩开口部8a的直径D’是2mm。喷嘴构件8的收缩开口部8a与基板5（尺寸为100mm×100mm）的间隔是50mm。在释放构件6中，以规定的间隔配置16个喷嘴构件8。
预先以的蒸镀速率，以膜厚均等性为±3%以下的方式进行膜厚分布的模拟，从而求出蒸发材料从各喷嘴构件8的适当的释放量。
膜厚分布的模拟例如通过以下的步骤进行。
从一个喷嘴释放的蒸发材料按cosnθ定则扩散。求出因这样的扩散而附着于基板的蒸发材料的量、即利用一个喷嘴释放的蒸发材料在基板的表面形成的膜厚分布。例如使用已知的方法（例如参照新版真空手册，ULVAC株式会社编，250页）通过计算求得膜厚分布。
分别针对各喷嘴求出上述的蒸发材料的附着量（膜厚分布）。在基板各部分对从各喷嘴到达基板的蒸发材料的附着量进行积分。求出基板各部分的蒸发材料的附着量的积分值的最大值和最小值，从而通过以下的公式来求得膜厚均等性。
膜厚均等性(%)=(最大值-最小值)/(最大值+最小值)×100
并且，逐渐改变蒸发材料从各喷嘴的释放量，从而求出膜厚均等性为±3%以下的蒸发材料的释放量。
在喷嘴构件8的出口（收缩开口部8a）的正上方设置石英振子型的膜厚检测传感器14，并设置隔离各喷嘴构件8的隔离板15。
接着，向真空蒸镀装置1的坩埚3内投入作为蒸镀材料的三(8-羟基喹啉)铝(以下称为Alq3)。利用膜厚检测传感器14测量从各喷嘴构件8释放的蒸发材料的量。基于该测量结果，以成为通过模拟求得的规定的流量的方式，调整设置于喷嘴构件8的分散容器侧的基部附近的开口部的针阀13。
撤去石英振子型的膜厚检测传感器14。之后，以的蒸镀速率在基板5上生成Alq3的蒸镀膜。这时，能够将蒸镀膜的膜厚均等性保持在±3%以内。
在本实施方式中，歧管7的形状呈大致圆柱状，但是歧管7的形状不限于此。例如也可以是大致椭圆柱状或者是大致四角柱状等大致多角柱状。
在本实施方式中，等间隔地将多个喷嘴构件8配置为一列，但多个喷嘴构件8的配置方式不限于此。例如也可以并排配置多列。
在本实施方式中，作为调整各喷嘴构件8的蒸发材料的流量的装置使用了针阀13，但是也可以替代针阀13，而如图8所示，使用大致圆板 状的遮挡板23。通过使与遮挡板23的端部连接的旋转轴23a旋转，而使遮挡板23滑动，来调整喷嘴构件8的开口程度。
并且，虽然在图8中使用了大致圆板状的遮挡板23，但是只要是能够调整喷嘴构件8的开口程度的形状，遮挡板23的形状也可以是大致圆板状以外的形状。