一种有机发光显示装置 技术领域
一种电子显示装置，尤其是一种有机发光显示装置。
背景技术
目前的有机发光器件都是一种二极式的结构，所谓二极式的结构就是每个显示单元都只有两个电极，分别是阴极和阳极，电流通过这两个电极分别注入电子和空穴，电子和空穴最后到达有机发光器件的发光层发生复合发光。这是目前二极式发光器件的基本原理，它具有结构简单的优点，但它也存在着一些问题，因为有机发光器件是属于电流驱动的，所以驱动电流比较大，有很大部分电能消耗在驱动线路上，电能转化为热能，使器件温度升高，对器件寿命很不利。尤其在制造大尺寸高分辨率的显示屏上：第一，由于采用TFT(薄膜晶体管)有源矩阵驱动技术，而有机发光器件的TFT技术制造工艺比较复杂，只有多晶硅TFT技术比较适合有机发光器件，其TFT面板成本较高；第二，由于TFT技术和有机发光器件制造技术不兼容，增加了工艺流程；第三，还有目前的TFT技术还不能做成柔性的面板，这将限制显示器的应用场合。
发明内容
本发明需要解决的技术问题是提供一种三极式有机发光显示装置。
为实现本发明，三极式有机发光显示装置包括电源，显示单元，所述电源的负极通过与所述显示单元中的阳极，电子传输层，复合发光层，阳极和正极依次连接，在所述电子传输层中插入P型材料，所述P型材料的一端与电源的正极连接，电源的负极与所述阴极连接；或者：在所述空穴传输层插入N型材料，所述N型材料地一端与电源的负极连接，所述电源的正极与所述阳极连接。
本发明的有益效果：
1.针对二极式有机发光器件驱动电流大的弱点，采用一种三极式的结构，除了二极式中的阴极和阳极，我们在它们之间加入的控制极，它的作用是用一个小的电流去控制发光电流，这样就可以减少驱动电路上的电能消耗；
2.可提高有机发光显示屏的性价比；.
3.由于采用的工艺可以和制造发光器件兼容，可简化工艺流程，降低成本；
4.由于这种结构可采用全有机材料，可做成柔性的显示器，大大拓展有机
发光显示屏的使用场合。
附图说明
图1是二极式有机发光显示装置图；
图2是二极式有机发光显示装置的等效图；
图3是第1种三极式有机发光显示装置图；
图4是第1种三极式有机发光显示装置图的等效图；
图5是第2种三极式有机发光显示装置图；
图6是第2种三极式有机发光显示装置图的等效图；
图7是三极式有机发光显示装置第一个实施例；
图8是三极式有机发光显示装置第二个实施例；
图中：第1电源1，显示单元2，阴极3，电子传输层4，复合发光层5，空穴传输层6，阳极7，P型材料8，N型材料9，第2电源10，第3电源11，NPN型三极管12，PNP型三极管13.
具体实施方式
下面结合附图对本发明作详细描述：
本发明实现方案是在二极式有机发光显示单元2中电子传输层4中加入一层P型材料8，或在空穴传输层6中加入一层N型材料9，作为控制极，如图3，5所示，图4，6是它们的等效图。由于电子传输材料是N型材料，在其中间加入一层P型材料，这就构成了一个NPN的结构，由于P型材料的LUMO(最低占据轨道)能级较高，N型材料的LUMO能级较低，就会在PN结的界面附近形一个电子的势垒，当器件两端加正向电压时，由于这个势垒的存在，电子不会穿过电子传输层到达发光层，因此不会发光；当在控制极与阴极之间加个第2电源10，即把正电压加到P型材料上，这时PN结附近的电子势垒会降低，在电子将会穿过P型材料层进入N型电子传输层，最后到达发光层与空穴复合发光。类似双极型的三极管的原理，就可以用控制极的电流来控制有机发光件的发光，由于三极管具有放大作用，只要一个很小的控制电流就可以驱动有机发光器件，这样就可以减少驱动电路上的电能消耗。对于在空穴传输层中加入一层N型材料的结构，它是一种PNP的结构，它是控制空穴从阳极进入发光层，其工作原理和NPN结构类似，在PN结附近的HOMO(最高未占据轨道)能级上会出现一个空穴的势垒，当控制极与阳极之间加个第3电源11时，势垒会降低，这同样可以控制有机发光器件的发光。这两种结构的基本原理都是一致的。
图7是一个实施例：器件结构为ITO/NPB/A1Q3:QA/A1Q3/NPB/A1Q3/Mg:Ag。先在ITO(透明电极)上，蒸镀一层50nmNPB(双萘基二苯基二苯胺)作为空穴传输层；再在NPB上蒸镀一层60nm的A1Q3(八羟基喹啉铝)，其中掺杂AQ(二羟基喹啉并吖啶)，这一层作为发光层；再蒸15nm的A1Q3，是电子传输层；再蒸5nm的NPB，作为控制层；然后再蒸发10nm的A1Q3，作为电子传输层；最后蒸200nm的Mg:Ag(镁银)合金，作为阴极。这里NPB是P型材料，A1Q3是N型材料，由它们构成一个NPN结构，其中NPB由电极引出，作为控制极.
图8是另一个实施例：器件结构为ITO/NPB/A1Q3/NPB/A1Q3:QA/A1Q3/NPB/A1Q3/Mg:Ag。先在ITO(透明电极)上，蒸镀一层50nmNPB(双萘基二苯基二苯胺)作为空穴传输层；在NPB上蒸镀一层5nm的A1Q3(八羟基喹啉铝)，作为控制层；再在A1Q3上蒸镀一层20nmNPB，再在NPB上蒸镀一层60nm的A1Q3，其中掺杂AQ(二羟基喹啉并吖啶)，这一层作为发光层；然后再蒸发25nm的A1Q3，作为电子传输层；最后蒸200nm的Mg:Ag(镁银)合金，作为阴极。这里NPB是P型材料，A1Q3是N型材料，由它们构成一个PNP结构，其中电极由A1Q3引出，作为控制极.