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1、(10)申请公布号 CN 102272970 A (43)申请公布日 2011.12.07 CN 102272970 A *CN102272970A* (21)申请号 201080004030.X (22)申请日 2010.02.09 028970/2009 2009.02.10 JP H01L 51/50(2006.01) H05B 33/10(2006.01) H05B 33/12(2006.01) H05B 33/22(2006.01) (71)申请人 松下电器产业株式会社 地址 日本大阪府 (72)发明人 西山诚司 (74)专利代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 段承恩。
2、 杨光军 (54) 发明名称 发光元件、 具备发光元件的发光装置以及发 光元件的制造方法 (57) 摘要 在第 1 电极 2 与第 2 电极 8 之间， 至少层叠有 空穴注入层 4 和发光层 6， 并且在由堤 5 规定的区 域存在发光层6。 空穴注入层4在由堤5规定的区 域形成为上面下沉的凹入结构。空穴注入层 4 的 凹入结构的凹部的边缘 4c 由堤 5 的一部分覆盖。 (30)优先权数据 (85)PCT申请进入国家阶段日 2011.07.06 (86)PCT申请的申请数据 PCT/JP2010/000782 2010.02.09 (87)PCT申请的公布数据 WO2010/092796 JA。
3、 2010.08.19 (51)Int.Cl. (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 8 页 附图 8 页 CN 102272980 A1/1 页 2 1.一种发光元件， 所述发光元件在第1电极与第2电极之间， 至少夹插有电荷注入输送 层与发光层的层叠体， 并且在由堤规定的区域存在所述发光层， 所述电荷注入输送层在由所述堤规定的区域中形成为上面下沉的凹入结构， 所述电荷注入输送层的凹入结构的凹部的边缘由所述堤的一部分覆盖。 2. 如权利要求 1 所述的发光元件， 构成所述电荷注入输送层的材料为被在形成所述堤时所使用的液体侵蚀的材料。 3. 如权。
4、利要求 1 所述的发光元件， 构成所述电荷注入输送层的材料为金属氧化物、 金属氮化物或金属氮氧化物。 4. 如权利要求 1 所述的发光元件， 所述堤的一部分到达所述电荷注入输送层的凹入结构的凹部的底面， 所述堤的侧面从 到达所述凹部底面的到达点到顶点为上升斜面。 5. 如权利要求 1 所述的发光元件， 所述堤的一部分没有到达所述电荷注入输送层的凹入结构的凹部的底面。 6. 如权利要求 1 所述的发光元件， 所述堤包含具有绝缘性的材料。 7. 如权利要求 1 所述的发光元件， 所述发光层为有机 EL 层。 8. 如权利要求 1 所述的发光元件， 所述电荷注入输送层沿着所述堤的底面向所述堤的侧方延。
5、伸出去。 9. 如权利要求 1 所述的发光元件， 所述电荷注入输送层的凹部的边缘为由在所述电荷注入输送层的上面没有凹入的区 域和所述凹部的侧面形成的凸角部分。 10. 一种发光装置， 具备多个权利要求 1 9 的任一项所述的发光元件。 11. 一种发光元件的制造方法， 所述发光元件在第 1 电极与第 2 电极之间， 至少夹插有 电荷注入输送层与发光层的层叠体， 并且在由堤规定的区域存在所述发光层， 所述制造方 法包括 ： 形成电荷注入输送层的工序 ； 在所述电荷注入输送层上形成由构成堤的材料构成的堤材料层的工序 ； 除去所述堤材料层的一部分来使所述电荷注入输送层的一部分露出的工序 ； 对所述电。
6、荷注入输送层上的所述堤材料层的残留部实施热处理的工序 ； 和 在所述热处理工序后， 在所述露出的电荷注入输送层上形成发光层的工序， 所述电荷注入输送层由被在所述电荷注入输送层的一部分露出的状态下所使用的液 体侵蚀的材料构成， 所述电荷注入输送层的露出面， 通过所述液体的侵蚀而形成为从所述堤材料层的残留 部底面的水平面下沉的凹入结构， 在所述热处理工序中， 通过对所述堤材料层的残留部赋予流动性， 使构成所述堤的材 料从所述残留部延伸到所述凹入结构的凹部的边缘。 权 利 要 求 书 CN 102272970 A CN 102272980 A1/8 页 3 发光元件、 具备发光元件的发光装置以及发光。
7、元件的制造 方法 技术领域 0001 本发明涉及发光元件、 具备发光元件的发光装置以及发光元件的制造方法。 背景技术 0002 近年来， 研究、 开发不断进展的有机电致发光元件(下面， 记载为 “有机EL元件” 。 ) 是利用了有机材料的场致发光现象的发光元件。有机 EL 元件具有在第 1 电极 ( 阳极 ) 与 第 2 电极 ( 阴极 ) 之间夹插有发光层的结构。在发光层的侧方形成有由绝缘材料构成的 堤， 通过该堤规定发光层的形状。在第 1 电极与发光层之间， 例如根据需要夹插有空穴注入 层、 空穴输送层或者空穴注入兼输送层， 在第 2 电极与发光层之间， 例如根据需要夹插有电 子注入层、 。
8、电子输送层或者电子注入兼输送层 ( 下面， 将空穴注入层、 空穴输送层、 空穴注 入兼输送层、 电子注入层、 电子输送层以及电子注入兼输送层总称并记载为 “电荷注入输送 层” )。 0003 在以往的有机 EL 元件中， 使用 PEDOT( 聚噻吩与聚苯乙烯磺酸的混合物 ) 等的导 电性高分子材料形成电荷注入输送层， 但提出了使用过渡金属氧化物等的金属化合物形成 电荷注入输送层的方案 ( 例如参照专利文献 1 等 )。金属化合物与 PEDOT 相比， 其电压 - 电 流密度特性优异， 另外， 认为即使在使大电流流动而提高发光强度的情况下也不容易劣化。 因此， 金属化合物在电荷注入输送层的利用备。
9、受期待。 0004 专利文献 1 ： 日本特开 2005-203339 号公报 发明内容 0005 发明要解决的课题 0006 但是， 在如上所述作为电荷注入输送层应用了金属化合物的构成中， 也具有对发 光特性谋求进一步的改善的必要。 0007 因此， 本发明的目的在于提供一种具有良好的发光特性的发光元件、 具备发光元 件的发光装置以及发光元件的制造方法。 0008 用于解决课题的手段 0009 本发明的一种方式的发光元件， 在第1电极与第2电极之间， 至少夹插有电荷注入 输送层与发光层的层叠体， 并且在由堤规定的区域存在所述发光层， 所述电荷注入输送层 在由所述堤规定的区域形成为上面下沉的凹。
10、入结构， 所述电荷注入输送层的凹入结构的凹 部的边缘由所述堤的一部分覆盖。 0010 发明的效果 0011 根据上述构成， 因为形成于电荷注入输送层的凹部的边缘由堤的一部分覆盖， 所 以能够抑制发光时电场集中于凹部的边缘， 其结果， 能够抑制电流在发光层局部流动。因 此， 能够抑制发光面内的辉度不均， 能够进一步改善发光特性。 说 明 书 CN 102272970 A CN 102272980 A2/8 页 4 附图说明 0012 图 1 是用于说明得到本发明的一种方式的经过的端面图。 0013 图 2 是表示本发明的实施方式的有机 EL 显示器的一部分的俯视图。 0014 图3是示意性地表示。
11、本发明的实施方式的有机EL显示器的一部分剖面的端面图。 0015 图 4 是图 3 中的由一点划线包围的 B 部的放大端面图。 0016 图 5 是说明本发明的实施方式的有机 EL 显示器的制造方法的工序图。 0017 图 6 是说明本发明的实施方式的有机 EL 显示器的制造方法的工序图。 0018 图 7 是说明本发明的实施方式的有机 EL 显示器的制造方法的工序图。 0019 图 8 是示意性地表示本发明的变形例的有机 EL 显示器的一部分剖面的端面图。 0020 图 9 是说明本发明的变形例的有机 EL 显示器的制造方法的工序图。 0021 图 10 是示意性地表示本发明的变形例的有机 。
12、EL 显示器的一部分剖面的端面图。 0022 图 11 是表示本发明的变形例的有机 EL 显示器的一部分的俯视图。 0023 附图标记说明 0024 1 ： TFT 基板 0025 2 ： 第 1 电极 0026 3 ： ITO 层 0027 4 ： 空穴注入层 0028 4a ： 凹部 0029 4b ： 凹部的底面 0030 4c ： 凹部的边缘 0031 4d ： 凹部的侧面 0032 4e ： 在空穴注入层的上面没有凹入的区域 0033 5 ： 堤 0034 5a、 5b ： 堤的底面 0035 5c ： 堤的底面的水平面 0036 5d ： 覆盖层 0037 6 ： 发光层 0038。
13、 7 ： 电子注入层 0039 8 ： 第 2 电极 0040 9 ： 封止层 0041 10a、 10b、 10c ： 有机 EL 元件 0042 11 ： 薄膜 0043 12 ： 堤材料层 0044 13 ： 空穴输送层 0045 55 ： 像素堤 0046 55a ： 堤要素 0047 55b ： 堤要素 0048 56a1、 56a2、 56b1、 56b2、 56c1、 56c2 ： 发光层 0049 65 ： 线堤 说 明 书 CN 102272970 A CN 102272980 A3/8 页 5 0050 66a、 66b、 66c ： 发光层 0051 100 ： 有机 E。
14、L 显示器 具体实施方式 0052 ( 得到本发明的一个方式的经过 ) 0053 本发明者关于在 “背景技术” 一栏中记载的应用了金属化合物的有机 EL 元件， 通 过锐意研究新发现了 ： 存在由于发光面内的辉度不均的产生和 / 或局部劣化引起的寿命的 降低的可能性。 0054 并且， 本发明者对这点进行不断研究， 结果得到了下面的见解。 0055 图 1 是表示有机 EL 显示器的制造工序的端面图。图 1(a) 示出了在 TFT 基板 1 上 形成有第 1 电极 2、 ITO 层 3、 空穴注入层 4 以及堤 5 的状态。另外， 图 1(b) 示出了还形成 有发光层 6、 电子注入层 7、 。
15、第 2 电极 8 以及封止层 9 的状态。 0056 根据在电荷注入输送层 ( 在该例中为空穴注入层 4) 应用了金属化合物的构成， 在堤 5 的形成过程中在空穴注入层 4 的上面会形成凹部 4a( 参照图 1(a)。在该状态下形 成了发光层 6 的情况下 ( 参照图 1(b)， 在发光时电场会集中在凹部的边缘 4c 附近。其结 果， 有时会有电流在发光层 6 局部流动的情况， 由于该局部的电流的产生， 恐怕会发生由发 光面内的辉度不均和 / 或局部劣化引起的短寿命化的问题。 0057 上述课题以及认识是应用了金属化合物的有机 EL 元件所特有的， 并且在考虑到 此前没有得到明确这一点， 其具。
16、有技术意义。 0058 如上所述， 通过一系列的研究以及探讨， 本发明者能够想到如下所述的技术特征 ： 通过堤的一部分覆盖形成于电荷注入输送层的凹部的边缘， 从而抑制发光时的凹部边缘附 近的电荷集中， 其结果， 抑制发光层中的局部的电流流动。 0059 ( 发明的一个方式的概要 ) 0060 本发明的一个方式的发光元件， 在第1电极与第2电极之间， 至少夹插有电荷注入 输送层与发光层的层叠体， 并且在由堤规定的区域存在所述发光层， 所述电荷注入输送层 在由所述堤规定的区域中形成为上面下沉的凹入结构， 所述电荷注入输送层的凹入结构的 凹部的边缘由所述堤的一部分覆盖。 0061 根据上述构成， 因。
17、为形成于电荷注入输送层的凹部的边缘由堤的一部分覆盖， 所 以能够抑制发光时电场集中于凹部的边缘， 其结果， 能够抑制电流在发光层局部流动。因 此， 能够抑制发光面内的辉度不均， 能够进一步改善发光特性。 0062 另外， 可以设为， 构成所述电荷注入输送层的材料为被在形成所述堤时所使用的 液体侵蚀的材料。由此， 在形成堤的工序中， 不必特别追加工序而能够形成凹部。 0063 另外， 可以设为， 构成所述电荷注入输送层的材料为金属氧化物、 金属氮化物或金 属氮氧化物。这些材料一般是亲水性的。因此， 能够在形成堤的工序中的纯水的洗净工序 中形成凹部。 0064 另外， 可以设为， 所述堤的一部分到。
18、达所述电荷注入输送层的凹入结构的凹部的 底面， 所述堤的侧面从到达所述凹部底面的到达点到顶点为上升斜面。 由此， 在通过喷墨法 等印刷技术形成发光层的情况下， 能够使墨容易进入到由堤规定的区域内的各角落， 能够 抑制空隙等的产生。 说 明 书 CN 102272970 A CN 102272980 A4/8 页 6 0065 另外， 可以设为， 所述堤的一部分没有到达所述电荷注入输送层的凹入结构的凹 部的底面。考虑为了将凹部的边缘由堤的一部分覆盖， 例如通过对堤材料实施热处理来使 堤材料流动， 使凹部的边缘由堤材料的一部分覆盖。 根据上述构成， 因为可以无需使堤材料 流动至凹部底面， 所以能够。
19、将热处理的温度和时间设为低温且短时间。 0066 另外， 可以设为， 所述堤包含具有绝缘性的材料。由此， 能够使得相邻的发光层彼 此绝缘。 0067 另外， 可以设为， 所述发光层为有机 EL 层。 0068 另外， 可以设为， 所述电荷注入输送层沿着所述堤的底面向所述堤的侧方延伸出 去。 0069 另外， 可以设为， 所述电荷注入输送层的凹部的边缘为由在所述电荷注入输送层 的上面没有凹入的区域和所述凹部的侧面形成的凸角部分。 0070 本发明的一个方式的发光装置具备多个上述的发光元件。 0071 另外， 本发明的一个方式的发光元件的制造方法， 所述发光元件在第 1 电极与第 2 电极之间， 。
20、至少夹插有电荷注入输送层与发光层的层叠体， 并且在由堤规定的区域存在 所述发光层， 所述制造方法包括 ： 形成电荷注入输送层的工序 ； 在所述电荷注入输送层上 形成由构成堤的材料构成的堤材料层的工序 ； 除去所述堤材料层的一部分来使所述电荷注 入输送层的一部分露出的工序 ； 对所述电荷注入输送层上的所述堤材料层的残留部实施热 处理的工序 ； 和在所述热处理工序后， 在所述露出的电荷注入输送层上形成发光层的工序， 所述电荷注入输送层由被在所述电荷注入输送层的一部分露出的状态下所使用的液体侵 蚀的材料构成， 所述电荷注入输送层的露出面， 通过所述液体的侵蚀而形成为从所述堤材 料层的残留部底面的水平。
21、面下沉的凹入结构， 在所述热处理工序中， 通过对所述堤材料层 的残留部赋予流动性， 使构成所述堤的材料从所述残留部延伸到所述凹入结构的凹部的边 缘。 0072 下面， 参照附图对用于实施本发明的方式进行详细说明。 在此， 作为发光元件以在 发光层使用了有机 EL 材料的有机 EL 元件为例、 作为具备多个发光元件的发光装置以有机 EL 显示器为例进行说明。另外， 各附图中的部件的缩尺与实际不同。 0073 ( 概略构成 ) 0074 图 2 是表示本发明的实施方式的有机 EL 显示器的一部分的俯视图。 0075 有机 EL 显示器 100 为将具备 RGB 的任一发光层的有机 EL 元件 10。
22、a、 10b、 10c 呈矩 阵状配置而成的顶部发射型的有机 EL 显示器。各有机 EL 元件作为子像素起作用， RGB 的 3 色的有机 EL 元件以一组而作为像素起作用。 0076 在图 2 的例子中， 采用了井字格状的像素堤 55， 通过在 Y 轴方向延伸的堤要素 55a 将在 X 轴方向相邻的发光层 56a1、 56b1、 56c1 划分开， 并且将发光层 56a2、 56b2、 56c2 划分 开。 0077 另一方面， 通过在X方向延伸的堤要素55b将在Y轴方向相邻的发光层56a1、 56a2 划分开， 将发光层 56b1、 56b2 划分开， 并且将发光层 56c1、 56c2 。
23、划分开。 0078 图3是示意性地表示本发明的实施方式的有机EL显示器的一部分剖面的端面图， 示出了图 2 的 A-A 的剖面。图 4 是图 3 中的由一点划线包围的 B 部的放大端面图。 0079 在 TFT 基板 1( 下面简称为 “基板 1” ) 上， 呈矩阵状形成有作为阳极的第 1 电极 2， 说 明 书 CN 102272970 A CN 102272980 A5/8 页 7 在第 1 电极 2 上按顺序层叠有 ITO( 氧化铟锡 ) 层 3 以及空穴注入层 4。另外， 相对于 ITO 层 3 仅在第 1 电极 2 上层叠， 空穴注入层 4 则不仅在第 1 电极 2 上而是遍及基板 。
24、1 的上面 整体而形成。 0080 在第1电极2的周边上部介由空穴注入层4形成有堤5， 在由堤5规定的区域内层 叠有发光层 6。而且， 在发光层 6 上， 电子注入层 7、 作为阴极的第 2 电极 8 以及封止层 9 以 分别超过由堤 5 规定的区域并与相邻的有机 EL 元件 10a、 10b、 10c 的各部连续的方式形成。 0081 ( 各部构成 ) 0082 基板 1 是由例如无碱玻璃、 钠钙玻璃 (soda glass)、 无荧光玻璃、 磷酸系玻璃、 硼 酸系玻璃、 石英、 丙烯酸系树脂 (acrylic resin)、 苯乙烯系树脂、 聚碳酸酯系树脂、 环氧系 树脂、 聚乙烯、 聚酯。
25、、 硅系树脂或者氧化铝 (alumina) 等绝缘性材料形成。 0083 第 1 电极 2 由 Ag( 银 ) 形成。另外， 第一电极 2 可以由例如 APC( 银、 钯、 铜的合 金 )、 ARA( 银、 铷、 金的合金 )、 MoCr( 钼与铬的合金 )、 NiCr( 镍与铬的合金 ) 等形成。在顶 部发射型的发光元件的情况下， 优选由高反射性的材料形成。 0084 ITO 层 3 介于第 1 电极 2 和空穴注入层 4 之间， 具有使各层间的接合性良好的功 能。 0085 空穴注入层 4 由 WOx( 氧化钨 ) 或者 MoxWyOz( 钼钨氧化物 ) 形成。另外， 空穴注 入层 4 由。
26、具备空穴注入功能的金属化合物形成即可， 作为这样的金属化合物举例有例如金 属氧化物、 金属氮化物或者金属氮氧化物。 0086 在空穴注入层 4 由特定的金属化合物形成的情况下， 能够容易地注入空穴， 在发 光层 6 内电子有效地赋予发光， 因此能够得到良好的发光特性。作为所述特定的金属化合 物， 优选过渡金属。过渡金属能够通过取多个氧化数而取多个能级， 其结果， 空穴注入变得 容易， 能够降低驱动电压。 0087 如图 4 所示， 空穴注入层 4 沿着堤 5 的底面 5a、 5b 向侧方延伸出去， 并且上面的一 部分凹入而形成凹部 4a。作为凹部 4a 的内底面部的底面 4b 比堤底面 5a 。
27、的水平面 5c 下 沉。凹部 4a 由底面 4b 和与其连接的作为内侧面部的侧面 4d 构成， 凹部 4a 的深度大致为 5nm 30nm 左右。凹部的边缘 4c 为由在空穴注入层 4 的上面没有凹入的区域 4e 和凹部的 侧面 4d 形成的凸角部分， 由作为堤 5 的一部分的覆盖部 5d 覆盖。 0088 凹部的边缘 4c 相对于凹部的底面 4b 突出， 所以如果凹部的边缘 4c 不被绝缘性的 覆盖部 5d 覆盖， 则会在此处产生电场集中， 电流在发光层 6 局部地流动， 其结果， 产生由在 发光面内的辉度不均和/或发光层6的局部劣化所引起的产品的短寿命化的问题。 然而， 在 本实施方式中，。
28、 凹部的边缘 4c 被绝缘性的覆盖部 5d 覆盖， 所以能够抑制产生这样的问题。 另外， 为了有效地抑制电场集中， 优选将覆盖部 5d 的厚度 ( 从凹部的边缘 4c 到发光层 6 的 最短距离 ) 设为 2nm 5nm。 0089 另外， 通过将凹部的边缘 4c 的形状， 与作为一例而表示的图 4 那样的棱角形状相 比使之为多边形或者带圆角的形状， 能够进一步抑制电场集中。 0090 另外， 在本实施方式中， 覆盖部 5d 到达凹部 4a 的底面 4b， 堤 5 的侧面从到达凹部 底面 4b 的到达点到顶点为上升斜面。由此在通过喷墨法等印刷技术形成发光层 6 的情况 下， 能够容易地使墨进入。
29、由堤规定的区域内的各角落， 能够抑制空隙等的产生。 0091 堤 5 是用于按每个子像素划分发光层 6 的， 由树脂等有机材料形成， 具有绝缘性。 说 明 书 CN 102272970 A CN 102272980 A6/8 页 8 作为有机材料的例子， 可以列举丙烯系树脂、 聚酰亚胺系树脂、 酚醛清漆型酚醛树脂等。堤 5 优选具有耐有机溶剂性。进而， 堤 5 有时被实施蚀刻处理、 烘烤 (bake) 处理等， 所以优选 由对于这些处理不会过度变形、 变质等的耐性高的材料形成。 0092 发光层 6 优选由例如日本特开平 5-163488 号公报中所记载的类喔星 (oxinoid) 化合物、 。
30、苝化合物、 香豆素化合物、 氮杂香豆素化合物、 噁唑化合物、 噁二唑化合物、 紫环酮 (perinone) 化合物、 吡咯并吡咯化合物、 萘化合物、 蒽化合物、 芴化合物、 荧蒽化合物、 并四 苯化合物、 芘化合物、 晕苯化合物、 喹诺酮化合物及氮杂喹诺酮化合物、 吡唑啉衍生物及吡 唑啉酮衍生物、 若丹明化合物、(chrysene) 化合物、 菲化合物、 环戊二烯化合物、 茋化合 物、 二苯基苯醌化合物、 苯乙烯基化合物、 丁二烯化合物、 双氰亚甲基吡喃化合物、 双氰亚甲 基噻喃化合物、 荧光素化合物、 吡喃鎓化合物、 噻喃鎓化合物、 硒杂环己二烯鎓化合物、 碲杂 环己二烯鎓化合物、 芳香族坎。
31、利酮化合物、 低聚亚苯基化合物、 噻吨化合物、 蒽化合物、 花青 苷化合物、 吖啶化合物、 8- 羟基喹啉化合物的金属配合物、 2， 2 - 联吡啶化合物的金属配合 物、 席夫碱与 III 族金属的配合物、 8- 羟基喹啉 ( 喔星 ) 金属配合物、 稀土类配合物等荧光 物质形成。 0093 电子注入层 7 具有将从第 2 电极 8 注入的电子向发光层 6 输送的功能， 例如， 优选 由钡、 酞菁、 氟化锂或者这些物质的组合形成。 0094 第 2 电极 8 由例如 ITO、 IZO( 氧化铟锌 ) 等形成。在顶部发射型的发光元件的情 况下， 优选由透光性的材料形成。 0095 封止层 9 具。
32、有能够抑制发光层 6 等暴露于水分中或者暴露于空气中的功能， 由例 如 SiN( 氮化硅 )、 SiON( 氮氧化硅 ) 等材料形成。在顶部发射型的发光元件的情况下， 优选 由透光性的材料形成。 0096 ( 制造方法 ) 0097 图 5 图 7 是说明本发明的实施方式的有机 EL 显示器的制造方法的工序图。 。 0098 首先， 如图 5(a) 所示， 在基板 1 上通过例如溅射法形成 Ag 薄膜， 通过例如光刻法 将该 Ag 薄膜图案化， 由此呈矩阵状形成第 1 电极 2。另外， Ag 薄膜可以通过真空蒸镀法等 来形成。 0099 接下来， 如图 5(b) 所示， 通过例如溅射法形成 I。
33、TO 薄膜， 通过例如光刻法将该 ITO 薄膜图案化， 由此形成 ITO 层 3。接着， 使用包含 WOx 或 MoxWyOz 的组成物通过溅射法等技 术形成 WOx 或 MoxWyOz 的薄膜 11。 0100 接下来， 如图 5(c) 所示， 在薄膜 11 上形成堤材料层 12， 除去堤材料层 12 的一部 分来使薄膜 11 的一部分露出。堤材料层 12 的形成能够通过例如涂敷等来进行。堤材料层 12 的除去能够通过在堤材料层 12 上形成配准图案 (registration pattern)、 然后对其进 行蚀刻来进行。配准图案在蚀刻后通过例如水系或非水系的剥离剂来除去。 0101 接下。
34、来， 使用纯水洗净蚀刻残渣。 此时， 由于构成薄膜11的材料的WOx或MoxWyOz 具有容易溶于纯水的性质， 所以如图 6(a) 所示， 薄膜 11 的露出部分被侵蚀而形成凹入结 构。其结果， 形成具备凹部 4a 的空穴注入层。 0102 接下来， 如图 6(b) 所示， 实施热处理， 对堤材料层 12 的残留部赋予某种程度的流 动性， 使堤材料从残留部延伸至凹部的边缘 4c。由此， 凹部的边缘 4c 被覆盖部 5d 覆盖。热 处理例如可以采用热硫化 (heat cure)。热硫化的温度以及时间只需根据堤材料的种类和 说 明 书 CN 102272970 A CN 102272980 A7/。
35、8 页 9 / 或所需要的覆盖部 5d 的厚度等而适当设定即可。然后， 根据需要， 对堤材料层 12 的残留 部表面， 实施例如由氟等离子体等进行的拨液处理， 形成堤 5。 0103 接下来， 如图 6(c) 所示， 在由堤 5 规定的区域内通过例如喷墨法滴加包含有机 EL 材料的组成物墨 ( 下面简称为 “墨” )， 使该墨干燥而形成发光层 6。另外， 也可以通过分配 器 ( 分墨器、 dispenser) 法、 喷嘴涂敷 (nozzle coat) 法、 旋转涂敷法、 凹版印刷、 凸版印刷 等来滴加墨。 0104 接下来， 如图7(a)所示， 通过例如真空蒸镀法形成成为电子注入层7的钡薄膜。
36、， 如 图 7(b) 所示， 通过例如溅射法形成成为第 2 电极 8 的 ITO 薄膜， 如图 7(c) 所示， 进一步形 成封止层 9。 0105 根据上述制造方法， 即使在制造过程中在空穴注入层 4 的露出部分形成凹部 4a， 因为凹部的边缘 4c 由覆盖部 5d 覆盖， 并在其后形成发光层 6， 所以能够抑制电场在凹部的 边缘 4c 集中。 0106 以上基于实施方式进行了说明， 但本发明并不限于这些实施方式。例如可以考虑 如下这样的变形例。 0107 (1) 在上述实施方式中， 作为构成空穴注入层 4 的材料， 使用 WOx 或 MoxWyOz 进行 了说明， 但一般而言， 因为金属氧。
37、化物、 金属氮化物、 金属氮氧化物容易被纯水侵蚀， 所以在 使用了 Mo( 钼 )、 W( 钨 ) 以外的金属的情况下， 也可以通过应用本实施方式来起到同样的效 果。 0108 (2) 在上述实施方式中， 空穴注入层在洗净时被纯水侵蚀而形成了凹部， 但若采用 本发明， 即使通过除此以外的理由来形成凹部， 也能够起到抑制电场在凹部的边缘集中这 样的效果。除此以外的理由例如举例有 ： 空穴注入层在蚀刻时被蚀刻液侵蚀的情况 ； 在配 准图案剥离时被剥离剂侵蚀的情况等。如此， 在空穴注入层由被在形成堤时所使用的液体 侵蚀的材料构成的情况下、 更详细而言在由被在空穴注入层的一部分露出的状态下所使用 的液。
38、体侵蚀的材料构成的情况下， 本发明有效。 0109 (3) 在上述实施方式中， 从堤延伸出去的覆盖部超过凹部的边缘 4c 而到达了凹部 的底面 4b， 但本发明只要是覆盖凹部的边缘 4c， 并不限于此。例如， 如图 8 所示， 在覆盖部 5d没有到达凹部的底面4b的情况下也没关系。 在采用了图8的构成的情况下， 因为可以不 必使堤材料流至凹部底面， 所以能够将热处理的温度和时间设为低温且短时间。 0110 在上述实施方式中， 作为形成空穴注入层 4 的凹部 4a 的方法的一例， 示出了由在 堤形成工序中的蚀刻后的洗净进行的工序， 但本发明作为其他的形成方法也可以使用掩模 图案化等。 0111 。
39、(4) 在图 6(a) 中， 堤材料 12 的斜面的下端与凹部的边缘 4c 一致， 但并不限于此。 也有时如图 9(a) 所示， 通过堤材料， 使堤材料 12 的斜面后退， 由此使没有凹入的区域 4e 的 一部分露出。在该情况下， 也通过对堤材料 12 适当实施热处理， 使凹部的边缘 4c 由堤材料 的一部分覆盖即可 ( 参照图 9(b)。 0112 (5) 在上述实施方式中， 作为电荷注入输送层， 仅空穴注入层 4 夹插于第 1 电极与 发光层之间， 但本发明并不限于此。例如， 如图 10 所示， 可以在空穴注入层 4 上形成空穴输 送层 13， 将它们作为电荷注入输送层来夹插。在该情况下，。
40、 在空穴输送层 13 的上面形成凹 部， 由覆盖部覆盖形成于空穴输送层的凹部的边缘。 说 明 书 CN 102272970 A CN 102272980 A8/8 页 10 0113 (6) 在上述实施方式中， 由 Ag 薄膜形成了第 1 电极 2， 因此在其上形成 ITO 层 3。 在将第 1 电极 2 设为铝系时， 可以无需 ITO 层 3 而将阳极设为单层结构。 0114 (7) 在上述实施方式中， 作为具备多个发光元件的发光装置， 以有机 EL 显示器为 例进行了说明， 但本发明并不限于此， 也可以适用于照明装置等。 0115 (8) 在上述实施方式中， 采用了所谓的像素堤 ( 井字格。
41、状堤 )， 但本发明并不限于 此。例如可以采用线堤 ( 线状的堤 )。在图 11 的例子中， 采用了线堤 65， 将在 X 轴方向相 邻的发光层 66a、 66b、 66c 划分开。另外， 如图 11 所示， 在采用线堤 65 的情况下， 在 Y 轴方 向相邻的发光层彼此没有通过堤要素来规定， 但通过适当设定驱动方法和阳极的尺寸以及 间隔等， 能够不相互影响地使其发光。 0116 (9) 在上述实施方式中， 以顶部发射型进行了说明， 但并不限于此， 也可以是底部 发射型。 0117 (10) 在上述实施方式中， 在发光层与第 2 电极之间仅夹插了电子注入层， 但也可 以设为除此以外还夹插有电子。
42、输送层。 0118 产业上的可利用性 0119 本发明能够在有机 EL 显示器等中进行利用。 说 明 书 CN 102272970 A CN 102272980 A1/8 页 11 图 1 说 明 书 附 图 CN 102272970 A CN 102272980 A2/8 页 12 图 2 说 明 书 附 图 CN 102272970 A CN 102272980 A3/8 页 13 图 3 图 4 说 明 书 附 图 CN 102272970 A CN 102272980 A4/8 页 14 图 5 说 明 书 附 图 CN 102272970 A CN 102272980 A5/8 页 15 图 6 说 明 书 附 图 CN 102272970 A CN 102272980 A6/8 页 16 图 7 说 明 书 附 图 CN 102272970 A CN 102272980 A7/8 页 17 图 8 图 9 说 明 书 附 图 CN 102272970 A CN 102272980 A8/8 页 18 图 10 图 11 说 明 书 附 图 CN 102272970 A 。