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1、(10)申请公布号 CN 103996722 A (43)申请公布日 2014.08.20 CN 103996722 A (21)申请号 201410258928.X (22)申请日 2014.06.12 H01L 31/0224(2006.01) H01L 31/054(2014.01) (71)申请人 成都聚合科技有限公司 地址 610207 四川省成都市双流县西南航空 港经济开发区双华路二段邻里中心 2 栋 （黄甲街道） (72)发明人 王永向 (54) 发明名称 一种增强型高效率聚光太阳能电池芯片 (57) 摘要 本发明涉及一种增强型高效率聚光太阳能电 池芯片， 属太阳能发电技术领域。。
2、包包括负电极 段层， 聚光太阳能电池基材层， 正电极层和有效面 积， 所述聚光太阳能电池基材层一面覆上正电极 层， 另一面覆上负电极段层， 负电段极为一 “口” 字 形形状， 负电极段之内的部分为有效面积。本发 明的电池芯片在超过 1000 倍的聚光倍数和很强 的光线地域条件下， 能保证大电流很顺畅地通过 正电极和负电极引导出来， 而不损坏电池片 ； 从 菲涅尔透镜汇聚过来的焦斑会在一定时间段内都 完全重合地汇聚在聚光太阳能电池片的有效面积 上 ； 设定一个时间段太阳能跟踪器的电机工作一 次， 这样就极大地减少了给电机的供电功率， 从而 更加的节能 ； 该电池芯片 “口” 字形形状负电极能 迅。
3、速地将电流导出， 减小电流对其他电池材料中 离子的碰撞， 同时该负电极段的形状和设计有效 增大了电池的受光面积， 能将电池芯片的转换效 率整体提高。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 2 页 附图 1 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书2页 附图1页 (10)申请公布号 CN 103996722 A CN 103996722 A 1/1 页 2 1. 一种增强型高效率聚光太阳能电池芯片， 其特征是， 它包括负电极段层， 聚光太阳能 电池基材层， 正电极层和有效面积， 所述聚光太阳能电池基材层一面覆上正电极层， 另一面 覆上负。
4、电极段层， 负电段极为一 “口” 字形形状， 负电极段之内的部分为有效面积。 2. 根据权利要求 1 所述的一种增强型聚光太阳能电池芯片， 其特征是， 所述聚光太阳 能电池基材层为 GaInP/GaAs/Ge 三层结合体。 3. 根据权利要求 1 所述的一种增强型聚光太阳能电池芯片， 其特征是， 所述正电极层 面积形状和聚光太阳能电池基材层面积形状完全一样。 4. 根据权利要求 1 所述的一种增强型聚光太阳能电池芯片， 其特征是， 所述负电极段 层为 “口” 字形形状的电极层， 其中相对两面为负电极段， 另外相对两面为 “一” 字形负电极， 并放置在聚光太阳能电池基材层的四个端面。 5. 根据。
5、权利要求 1 和 4 所述的一种增强型聚光太阳能电池芯片， 其特征是， 所述其 中两个相对负电极层的宽度为 0.52mm， 厚度为 0.21mm， 另外两个相对负电极的宽度为 0.11mm， 厚度为 0.21mm。 6. 根据权利要求 1 所述的一种增强型聚光太阳能电池芯片， 其特征是， 所述有效面积 为一长方形形状， 长和宽之差在 0.011mm 之间。 权 利 要 求 书 CN 103996722 A 2 1/2 页 3 一种增强型高效率聚光太阳能电池芯片 技术领域 0001 本发明涉及一种光伏发电部件， 具体涉及一种增强型高效率聚光太阳能电池芯 片， 属太阳能发电技术领域。 背景技术 0。
6、002 通常， 高倍聚光光伏光电转换接收器所寻求的主要益处是在聚光太阳能电池芯片 的有效面积上得到从菲涅尔透镜汇聚的高密度太阳辐射光。透镜的倍数越高， 得到太阳辐 射光的密度越高， 相同面积上使用的聚光太阳能电池芯片越少， 单位面积上的发电成本就 越低。 0003 目前通常从菲涅尔透镜汇聚过来的焦斑都为正方形， 该焦斑的形状和大小也通常 和聚光太阳能电池片的形状和大小一致， 从而使菲涅尔透镜汇聚过来的焦斑完全汇聚到聚 光太阳能电池片上。 但是在实际应用中， 太阳是随时在移动的， 这样就会造成一个时间段后 从菲涅尔透镜汇聚过来的焦斑不会完全和聚光太阳能电池片的有效面积重合， 从而导致转 换效率的。
7、降低 ； 同时如果聚光太阳能电池片时时刻刻都跟随太阳移动的话， 就必然会让跟 踪器时时刻刻都跟随太阳移动， 这样就会用很多电来驱动跟踪器的电机工作 ； 另外， 由于负 电极上的电流是通过电池材料中的离子通过碰撞而产生的， 离子离负电极越远， 电流到达 负电极的损耗就越大， 从而降低光电转换效率。 发明内容 0004 本发明的目的是提供一种增强型高效率聚光太阳能电池芯片， 该电池片在于克服 现有技术的不足。 0005 为了实现上述技术目的， 本发明采取的技术方案是 ： 一种增强型高效率聚光太 阳能电池芯片， 其特征是， 它包括负电极段层， 聚光太阳能电池基材层， 正电极层和有效面 积， 所述聚光。
8、太阳能电池基材层一面覆上正电极层， 另一面覆上负电极段层， 负电段极为一 “口” 字形形状， 负电极段之内的部分为有效面积。 0006 所述聚光太阳能电池基材层为 GaInP/GaAs/Ge 三层结合体。 0007 所述正电极层面积形状和聚光太阳能电池基材层面积形状完全一样。 0008 所述负电极段层为 “口” 字形形状的电极层， 其中相对两面为负电极段， 另外相对 两面为 “一” 字形负电极段， 并放置在聚光太阳能电池基材层的四个端面。 0009 所述其中两个相对负电极段层的宽度为 0.52mm， 厚度为 0.21mm， 另外两个相对 负电极段的宽度为 0.11mm， 厚度为 0.21mm。。
9、 0010 所述有效面积为一长方形形状， 长和宽之差在 0.011mm 之间。 0011 本发明的优点和积极效果是 ： 1宽度为 0.51.5mm 和厚度为 0.21mm 的负电极段 能够承受超过1050安培的额定电流 ； 2。 从菲涅尔透镜汇聚过来的焦斑会在一定时间段内 都完全重合地汇聚在聚光太阳能电池片的有效面积上 ； 3. 设定一个时间段太阳能跟踪器 的电机工作一次， 这样就极大地减少了给电机的供电功率， 从而更加的节能 ； 4. 该电池芯 说 明 书 CN 103996722 A 3 2/2 页 4 片 “口” 字形形状负电极段能迅速地将电流导出， 减小电流对其他电池材料中离子的碰撞，。
10、 同时该负电极段的形状和设计有效增大了电池的受光面积， 能将电池芯片的转换效率整体 提高。 附图说明 0012 图 1 为一种增强型高效率聚光太阳能电池芯片主视图。 0013 图 2 为一种增强型高效率聚光太阳能电池芯片侧视图。 0014 图 3 为一种增强型高效率聚光太阳能电池芯片有效面积和负电极段示意图。 0015 其中 ： 1、 负电极段层， 2、 聚光太阳能电池基材层， 3、 正电极层， 4、 有效面积， A、 有效 面积的长， B 有效面积的宽， L 为其中两相对负电极段的宽， W 为另外两相对负电极段的宽。 具体实施方式 0016 下面结合附图对本发明作进一步的说明。 0017 一。
11、种增强型高效率聚光太阳能电池芯片， 如图13所示， 聚光太阳能电池基材层 2 一面覆上正电极层 3， 另一面覆上负电极段层 1， 负电极段之内的部分为有效面积 4， 其中 有效面积 4 的长为 A， 有效面积 4 的宽为 B， 长和宽之差为 0.011mm 之间， 负电极段层 1 中 两相对负电极段的宽为 L， 负电极段层 1 中另外两相对负电极段的宽为 W， 宽度较窄的负电 极段将附近的电流迅速地导入宽度较宽的负电极段上， 然后将电池芯片的电流通过宽度较 宽的的负电极段汇入电路回路中。 0018 聚光太阳能电池基材层 2 通过特殊工艺将正电极 3 和负电极段 1 巧妙地结合在一 起， 既能保。
12、证大电流很顺畅地通过正电极3和负电极段1引导出来， 同时也能保证各电极和 连接线能承受 1050 安培的额定电流。 0019 在聚光太阳能电池基材层 2 上加工负电极段 1， 负电极段 1 的宽度为 0.52mm， 厚 度为 0.21mm， 便于大电流的顺利导通， 负电极段 1 的宽度为 0.11mm， 厚度为 0.21mm 上的 电流直接汇入到宽度较宽的负电极段上。 0020 负电极段层 1 为 “口” 字形形状电极段， 可以有效地增大聚光太阳能电池片的相对 受光面积， 可以迅速地将电流导出， 减小电流对其他电池材料中离子的碰撞概率， 从而提高 转换效率。 0021 具体操作如下 ： 首先将。
13、聚光太阳能电池芯片有效面积的长边保持和东西方向一 致， 当太阳从东向西运动一段时间段时， 能保证从菲涅尔透镜汇聚过来的太阳光焦斑完全 汇聚到聚光太阳能电池芯片的有效面积上。 0022 本发明中， 作为变行实施例， 有效面积的长和宽可以交换过来设定制作， 聚光太阳 能电池芯片的正、 负电极段也可以交换过来设定制作，“口” 字形形状的负电极段宽度可以 做为一致宽度和厚度的电极，“口” 字形负电极段中相对的负电极段个数为 521 个。故本发 明的权利保护范围以权利要求书限定的范围为准。 说 明 书 CN 103996722 A 4 1/1 页 5 图 1 图 2 图 3 说 明 书 附 图 CN 103996722 A 5 。