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1、(10)申请公布号 CN 103525421 A (43)申请公布日 2014.01.22 CN 103525421 A (21)申请号 201310022674.7 (22)申请日 2013.01.22 10-2012-0072161 2012.07.03 KR C09K 11/80(2006.01) C09K 11/59(2006.01) C09K 11/62(2006.01) H01L 33/50(2010.01) G02F 1/13357(2006.01) B82Y 20/00(2011.01) B82Y 40/00(2011.01) (71)申请人 三星显示有限公司 地址 韩国京畿道。
2、龙仁市 (72)发明人 申明洲 白昇桓 李荣培 朴赞宰 (74)专利代理机构 北京铭硕知识产权代理有限 公司 11286 代理人 王占杰 韩芳 (54) 发明名称 制造纳米磷光体的方法、 发光二极管及其制 造方法 (57) 摘要 本发明提供了一种制造纳米磷光体的方法、 一种发光二极管、 一种制造发光二极管的方法以 及一种液晶显示器。 制造纳米磷光体的方法包括 ： 使纳米磷光体原料与熔剂接触以形成混合物 ； 烧 结混合物以形成纳米前驱物 ； 球磨纳米前驱物 ； 以及将球磨的纳米前驱物进行干燥， 以形成纳米 磷光体， 其中， 纳米磷光体的平均颗粒尺寸为大于 等于大约 50 纳米 (nm) 且小于等。
3、于 7 微米 (m)。 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 7 页 附图 3 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 说明书7页 附图3页 (10)申请公布号 CN 103525421 A CN 103525421 A 1/2 页 2 1. 一种制造纳米磷光体的方法， 所述方法包括 ： 使纳米磷光体原料与熔剂接触以形成混合物， 烧结混合物以形成纳米前驱物， 球磨纳米前驱物， 以及 将球磨的纳米前驱物进行干燥， 以形成纳米磷光体， 其中， 纳米磷光体的平均颗粒尺寸大于等于 50 纳米且小于等于 7 微米。 2. 根据权利。
4、要求 1 所述的制造纳米磷光体的方法， 其中 ： 纳米磷光体原料是以粉末的形式。 3. 根据权利要求 2 所述的制造纳米磷光体的方法， 其中 ： 纳米磷光体是由 Y3Al5O12:Ce3+、 Ca2SiO4:(Ce3+， Li+)、 Sr2SiO4:(Eu2+， Dy3+)、 SrGa2S4:Eu2+和 (S r， Ba)2Ga2SiO7:Eu2+中的任何一个表示的化合物。 4. 根据权利要求 2 所述的制造纳米磷光体的方法， 其中 ： 纳米磷光体是由 Y3Al5O12:Ce3+表示的化合物， 纳米磷光体原料包括具有大于等于 40 纳 米且小于等于 400 纳米的颗粒尺寸的 Y2O3、 具有大。
5、于等于 30 纳米且小于等于 1 微米的颗粒 尺寸的 Al2O3以及具有大于等于 50 纳米且小于等于 500 纳米的颗粒尺寸的 CeO2。 5. 根据权利要求 1 所述的制造纳米磷光体的方法， 其中 ： 烧结混合物以形成纳米前驱物的步骤包括在大于等于1400摄氏度且小于等于1600摄 氏度的温度下进行烧结。 6. 一种制造发光二极管的方法， 所述方法包括 ： 在基板上设置发光部分， 以及设置覆 盖发光部分的密封层， 密封层包括分散在其中的纳米磷光体， 其中， 通过包括下述步骤的方法来制造所述纳米磷光体 ： 使纳米磷光体原料与熔剂接触以形成混合物， 烧结混合物以形成纳米前驱物， 球磨纳米前驱物。
6、， 以及 将球磨的纳米前驱物进行干燥， 以形成纳米磷光体， 其中， 纳米磷光体的平均颗粒尺寸为大于等于 50 纳米且小于等于 7 微米。 7. 根据权利要求 6 所述的制造发光二极管的方法， 其中， 纳米磷光体原料是以粉末的形式。 8. 一种发光二极管， 所述发光二极管包括 ： 基板， 在基板上的发光部分， 以及 密封层， 覆盖发光部分， 并且包括分散在其中的磷光体， 其中， 磷光体包括纳米磷光体和大块磷光体的混合物， 纳米磷光体填充大块磷光体的颗粒之间的空隙， 纳米磷光体的颗粒尺寸为大于等于 50 纳米且小于等于 7 微米， 以及 大块磷光体的颗粒尺寸为大于等于 8 微米且小于等于 30 微。
7、米。 9. 根据权利要求 8 所述的发光二极管， 其中 ： 纳米磷光体是由 Y3Al5O12:Ce3+、 Ca2SiO4:(Ce3+， Li+)、 Sr2SiO4:(Eu2+， Dy3+)、 SrGa2S4:Eu2+和 权 利 要 求 书 CN 103525421 A 2 2/2 页 3 (Sr， Ba)2Ga2SiO7:Eu2+中的任何一个表示的化合物。 10. 一种液晶显示器， 所述液晶显示器包括液晶面板和背光单元， 背光单元包括发光二 极管， 其中， 发光二极管包括 ： 基板， 在基板上的发光部分， 以及 密封层， 覆盖发光部分， 并且包括分散在其中的磷光体， 其中， 磷光体包括纳米磷光。
8、体和大块磷光体的混合物， 纳米磷光体填充大块磷光体的颗粒之间的空隙， 纳米磷光体的颗粒尺寸为大于等于 50 纳米且小于等于 7 微米， 以及 大块磷光体的颗粒尺寸为大于等于 8 微米且小于等于 30 微米。 权 利 要 求 书 CN 103525421 A 3 1/7 页 4 制造纳米磷光体的方法、 发光二极管及其制造方法 技术领域 0001 本发明涉及一种制造纳米磷光体的方法、 发光二极管 ( “LED” ) 和制造发光二极管 的方法。 背景技术 0002 发光二极管 (“LED” ) 是当电连接至光源时自动发光的光电装置。与已知的电灯 泡相比， LED 具有各种优点， 即， 尺寸缩减和重量。
9、减轻是可行的， 发出的热量少， 寿命长， 高速 度响应是可行的， 从而在各种电气和电子产品中使用 LED。 0003 用于转化用在 LED 中的波长的磷光体材料可以被用作将各种光源的具有预定波 长的光转化成具有期望波长的光。具体地， 在各种光源中， 由于低功率驱动和优良的光效 率， LED 可以被有效地用作液晶显示 (“LCD” ) 背光以及汽车和家庭用灯， 从而作为用于制 造白光发光设备的重要技术， 目前磷光体材料备受关注。 0004 需要提高亮度以便 LED 展示优良的特性。需要通过使晶体缺陷最少化、 使磷光体 颗粒之间的散射最小化和增加比表面积来形成具有有助于发光的尺寸的纳米磷光体以提 。
10、高 LED 封装件的亮度。 0005 在相关技术中， 通过液相反应法和气相反应法形成纳米荧光粉。使用液相反应法 或者气相反应法， 在低温下执行结晶化并且可以合成磷光体以具有小球形式。 然而， 存在的 问题是劣化了将形成的颗粒尺寸的再现性和磷光体的特性。 发明内容 0006 本发明提供了一种通过使用固相反应法制造纳米磷光体的方法、 一种制造包括通 过固相反应法形成的纳米磷光体的发光二极管的方法以及一种包括在其中混合有纳米磷 光体和大块磷光体的磷光体的发光二极管。 0007 本发明的示例性实施例提供了一种制造纳米磷光体的方法， 所述方法包括 ： 使纳 米磷光体原料与熔剂接触以形成混合物 ； 烧结混。
11、合物以形成纳米前驱物 ； 球磨纳米前驱 物 ； 以及将球磨的纳米前驱物进行干燥， 以形成纳米磷光体， 其中， 纳米磷光体的平均颗粒 尺寸为大于等于大约 50 纳米 (nm) 且小于等于大约 7 微米 (m)。 0008 与熔剂混合的纳米磷光体原料可以是以粉末的形式。 0009 纳米磷光体可以包括由 Y3Al5O12:Ce3+、 Ca2SiO4:(Ce3+， Li+)、 Sr2SiO4:(Eu2+， Dy3+)、 SrGa2S4:Eu2+和 (Sr， Ba)2Ga2SiO7:Eu2+中的任何一个表示的化合物。 0010 在混合纳米磷光体原料和熔剂的过程中， 纳米磷光体原料包括具有大于等于大约 4。
12、0nm 且小于等于大约 400nm 的颗粒尺寸的 Y2O3、 具有大于等于大约 30nm 且小于等于大约 1m 的颗粒尺寸的 Al2O3以及具有大于等于大约 50nm 且小于等于大约 500nm 的颗粒尺寸 的 CeO2。 0011 纳米磷光体可以包括由 Y3Al5O12:Ce3+表示的化合物。 0012 在大于等于大约 1400 摄氏度 ( ) 且小于等于 1600的温度下执行烧结纳米磷 说 明 书 CN 103525421 A 4 2/7 页 5 光体原料和熔剂以形成纳米前驱物的步骤。 0013 烧结纳米磷光体原料和熔剂以形成纳米前驱物的步骤可以包括 ： 在大于等于大约 1500且小于等于。
13、大约1600的温度下执行大于等于大约1小时且小于等于大约1.5小时 的第一烧结， 以及在大于等于大约 1400且小于等于大约 1500的温度下执行大于等于 大约 3 小时且小于等于大约 5 小时的第二烧结。 0014 熔剂可以包括含有卤素的化合物。 0015 熔剂可以包括 NH4Cl、 BaCl2、 AlF3和 BaF2中的至少一种。 0016 本发明的另一个示例性实施例提供了一种制造发光二极管的方法， 所述方法包 括 ： 在基板上设置发光部分， 以及设置覆盖发光部分的密封层。 密封层包括分散在其中的纳 米磷光体。纳米磷光体包括纳米磷光体原料， 纳米磷光体的平均颗粒尺寸为大于等于大约 50纳米。
14、且小于等于大约7微米。 混合纳米磷光体原料和熔剂的步骤提供了包括纳米磷光体 原料和熔剂的混合物。烧结纳米磷光体原料和熔剂的混合物的步骤形成了纳米前驱物。球 磨前驱物的步骤形成了球磨的纳米前驱物， 将球磨的纳米前驱物进行干燥的步骤形成了具 有大于等于大约 50 纳米且小于等于大约 7 微米的平均颗粒尺寸的纳米磷光体。 0017 与熔剂混合的纳米磷光体原料可以处于粉末状态。 0018 纳米磷光体可以包括由从 Y3Al5O12:Ce3+、 Ca2SiO4:(Ce3+， Li+)、 Sr2SiO4:(Eu2+， Dy3+)、 SrGa2S4:Eu2+和 (Sr， Ba)2Ga2SiO7:Eu2+中选择。
15、的任何一个表示的化合物。 0019 在混合纳米磷光体原料和熔剂的过程中， 纳米磷光体原料包括具有大于等于大 约 40nm 且小于等于大约 400nm 的颗粒尺寸的 Y2O3、 具有大于等于大约 30nm 且小于等于大 约 1m 的颗粒尺寸的 Al2O3以及具有大于等于大约 50nm 且小于等于 500nm 的颗粒尺寸的 CeO2。 0020 纳米磷光体可以包括由 Y3Al5O12:Ce3+表示的化合物。 0021 可以在大于等于大约 1400且小于等于大约 1600的温度下执行烧结纳米磷光 体原料和熔剂以形成纳米前驱物的步骤。 0022 烧结纳米磷光体原料和熔剂以形成纳米前驱物的步骤可以包括在。
16、大于等于大约 1500且小于等于大约1600的温度下执行大于等于大约1小时且小于等于大约1.5小时 的第一烧结， 以及在大于等于大约 1400且小于等于大约 1500的温度下执行大于等于 大约 3 小时且小于等于大约 5 小时的第二烧结。 0023 熔剂可以包括含有卤素的化合物。 0024 熔剂可以包括 NH4Cl、 BaCl2、 AlF3和 BaF2中的至少一种。 0025 所述方法还可以包括在基板的上表面的外侧上设置模框。 0026 密封层还可以包括大块磷光体。 0027 本发明的另一个示例性实施例提供了一种发光二极管， 所述发光二极管包括基 板、 设置在基板上的发光部分以及覆盖发光部分且。
17、包括分散在其中的磷光体的密封层， 其 中， 磷光体包括纳米磷光体和大块磷光体的混合物， 纳米磷光体填充大块磷光体的颗粒之 间的空隙， 纳米磷光体的颗粒尺寸为大于等于大约 50nm 且小于等于大约 7m， 大块磷光体 的颗粒尺寸为大于等于大约 8m 且小于等于大约 30m。 0028 纳米磷光体可以是由从 Y3Al5O12:Ce3+、 Ca2SiO4:(Ce3+， Li+)、 Sr2SiO4:(Eu2+， Dy3+)、 SrGa2S4:Eu2+和 (Sr， Ba)2Ga2SiO7:Eu2+中选择的任何一个表示的化合物。 说 明 书 CN 103525421 A 5 3/7 页 6 0029 纳米。
18、磷光体的含量可以是密封层的大于等于大约20重量(wt)且小于等于大 约 80wt。 0030 本发明的另一个示例性实施例提供了一种液晶显示器， 所述液晶显示器包括液晶 面板和背光单元， 背光单元包括发光二极管。 发光二极管包括基板、 设置在基板上的发光部 分以及覆盖发光部分且包括分散在其中的磷光体的密封层。 磷光体包括纳米磷光体和大块 磷光体的混合物。纳米磷光体填充大块磷光体的颗粒之间的空隙。纳米磷光体的颗粒尺寸 为大于等于大约 50nm 且小于等于大约 7m， 大块磷光体的颗粒尺寸为大于等于大约 8m 且小于等于大约 30m。 0031 根据本发明的一个或多个示例性实施例， 可以采用固相反应。
19、法通过控制合成温度 和时间以使颗粒之间的散射最小化并增加比表面积来形成纳米磷光体， 从而增加了具有有 助于发光的尺寸的磷光体的量， 以提供发光亮度。 附图说明 0032 通过参照附图更加详细地描述本公开的示例性实施例， 本公开的上述和其他特点 将会变得更加清楚， 其中 ： 0033 图 1 是示意性地示出根据本发明的制造纳米磷光体的方法的示例性实施例的流 程图 ； 0034 图 2 是示出在图 1 的烧结过程中根据时间的温度条件的示例性实施例的曲线图 ； 0035 图 3 示出根据本发明制造的纳米磷光体和普通磷光体彼此对比的示例性实施例 的照片 ； 0036 图 4 包括示出根据本发明的磷光体。
20、的另一个示例性实施例的图 ； 0037 图 5 是示出根据本发明的发光二极管 (“LED” ) 的示例性实施例的剖视图。 具体实施方式 0038 在下文中， 将参照附图更充分地描述本发明， 在附图中示出了本发明的示例性实 施例。然而， 正如本领域技术人员将认识到的， 在均未脱离本发明的精神或范围的情况下， 可以以各种不同形式来修改描述的实施例。 提供这里公开的示例性实施例使得公开的内容 可以变得彻底和完整的， 并且本领域普通技术人员可以充分理解本发明的精神。 0039 在图中， 为清晰起见， 夸大了层、 膜、 板、 区域等的厚度。应该理解的是， 当诸如层、 膜、 区域或者基板的元件被称作 “在。
21、” 另一元件 “上” 时， 该元件可以直接在另一元件上， 或 者也可以存在中间元件。在整个说明书中， 相同的标号指定相同的元件。如在这里使用的， 术语 “和 / 或” 包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。 0040 应该理解， 尽管在这里会用术语第一、 第二、 第三等来描述不同的元件、 组件、 区 域、 层和 / 或部分， 但是这些元件、 组件、 区域、 层和 / 或部分不应被这些术语所限制。这些 术语仅用来将一个元件、 组件、 区域、 层或部分与另一区域、 层或部分区别开来。因此， 在不 脱离本发明教导的情况下， 下面讨论的第一元件、 组件、 区域、 层或部分可被称为第二元件、 组。
22、件、 区域、 层或部分。 0041 为了便于描述， 在这里可使用空间相对术语， 如 “下” 、“上” 等来描述如在图中所示 的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应该理解的是， 空间相对术语意在包含除了 说 明 书 CN 103525421 A 6 4/7 页 7 在附图中描述的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如， 如果附图中的装置被 翻转， 则描述为相对于其它元件或特征处于 “下方” 的元件随后将被定位为在其它元件或特 征 “上方” 。因而， 示例性术语 “在 . 下方” 可包括 “在 . 上方” 和 “在 . 下方” 两种方 位。所述装置可被另外定位 ( 旋转 90 度或者在其。
23、它方位 )， 并对在这里使用的空间相对描 述语做出相应的解释。 0042 这里使用的术语仅为了描述具体实施例的目的， 而不意图限制本发明。如这里所 使用的， 除非上下文另外明确指出， 否则单数形式的 “一个 ( 种 )” 和 “所述 ( 该 )” 也意图包 括复数形式。还应理解的是， 当在本说明书中使用术语 “包含” 和 / 或 “包括” 时， 说明存在 所述特征、 整体、 步骤、 操作、 元件和 / 或组件， 但不排除存在或附加一个或多个其它特征、 整体、 步骤、 操作、 元件、 组件和 / 或它们的组。 0043 这里参照作为本发明的理想实施例(以及中间结构)的示意图的剖视图来描述本 发明。
24、的实施例。 这样， 预计会出现例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。 因 此， 本发明的实施例不应该被解释为局限于在此示出的区域的具体形状， 而将包括例如由 制造导致的形状偏差。 0044 除非另有定义， 否则这里使用的所有术语 ( 包括技术术语和科学术语 ) 具有与本 发明所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是， 除非这里明 确定义， 否则术语 ( 诸如在通用字典中定义的术语 ) 应该被解释为具有与相关领域的环境 中它们的意思一致的意思， 而将不以理想的或者过于形式化的含义来解释它们。 0045 除非这里另外指示或另外与上下文明显地矛盾， 否则这里描述的所有。
25、方法可以以 合适的顺序执行。除非另外地声明， 否则使用的任何和全部示例或示例性文字 ( 例如，“诸 如” ) 仅意图更好地对本发明进行举例说明而并不限制本发明的范围。如这里所使用的， 说 明书中的文字不应理解为表示实施本发明所必需的任何未声明的元件。 0046 在下文中， 将参照附图详细地描述本发明。 0047 图 1 是示意性地示出根据本发明的制造纳米磷光体的方法的示例性实施例的流 程图。图 2 是示出在图 1 的烧结步骤中根据时间的温度条件的示例性实施例的曲线图。 0048 在根据本发明的制造纳米磷光体的方法的示例性实施例中， 准备用于形成纳米磷 光体的原料 (S1)。纳米磷光体原料可以以。
26、粉末状态存在， 但是不限于此。在一个示例性实 施例中， 例如， 纳米磷光体原料可总体上包括具有大于等于大约40纳米(nm)且小于等于大 约 400nm 的颗粒尺寸的 Y2O3、 具有大于等于大约 30nm 且小于等于大约 1 微米 (m) 的颗粒 尺寸的 Al2O3、 以及具有大于等于大约 50nm 且小于等于大约 500nm 颗粒尺寸的 CeO2。 0049 将准备好的纳米磷光体原料与熔剂组合并填充在诸如坩埚的容器中(S2)。 因为纳 米磷光体原料以粉末形式存在， 所以反应性低， 熔剂可以起到增加纳米磷光体原料的反应 性的作用。在示例性实施例中， 熔剂可以是包括卤素的化合物， 可以是卤化物，。
27、 但是不限于 此。在示例性实施例中， 熔剂可以包括 NH4Cl、 BaCl2、 AlF3和 BaF2中的至少一种。 0050 在修改的示例性实施例中， 代替通过 Y2O3+Al2O3+CeO2的组合形成的上述化合 物， 可 以 使 用 通 过 CaCO3+H2SiO3+Li2CO3+CeO2的 组 合、 SrCO3+SiO2+Eu2O3+Dy2O3的 组 合、 SrS+Ca2S3+EuS 的组合或者 SrCO3+BaCO3+SiO2+Ga2O3+Eu2O3的组合形成的化合物作为纳米磷 光体原料。 0051 然后， 在相对高的温度下烧结填充在容器中的纳米磷光体原料和熔剂的混合物。 说 明 书 C。
28、N 103525421 A 7 5/7 页 8 0052 参照图 2， 执行缓慢加热达最初的 4 小时 20 分钟 (4h20m)， 以使温度增加到 1600 摄氏度 ( )。然后， 在 1600执行加热大约 1 小时 (1h)， 使温度稍微降低到 1550， 保持 1550的加热状态大约 4 小时 10 分钟 (4h10m)。 0053 在烧结过程中， 惰性气体或者还原性气体 ( 例如， 与体积比为大于等于大约 5且 小于等于大约 10的氢气 (H2) 和氮气 (N2) 中的至少一种混合的气体 ) 可以被用作惰性气 体， 但不应该限于此。 0054 在一个示例性实施例中， 大约 1400可以。
29、被设置为用于确保纳米磷光体特性的下 限， 大约 1600可以被设置为用于通过使反应性不过度增加来确保纳米颗粒尺寸的控制 性质的上限。在温度低于 1400的情况下， 纳米磷光体的特性会劣化， 在温度高于 1600 的情况下， 反应性会提高， 因此， 会难以控制纳米磷光体的尺寸并且颗粒尺寸会不期望地增 加。在本发明的一个示例性实施例中， 高温烧结温度大于等于大约 1400且小于等于大约 1600。 0055 当完成烧结过程时， 纳米磷光体原料彼此反应以形成纳米前驱物。 0056 然后， 球磨形成的纳米前驱物 (S4)。 0057 纳米前驱物的球磨起到使纳米磷光体原料反应的作用， 从而破坏纳米磷光体。
30、颗粒 之间的连接部分。可以通过湿磨来执行球磨， 但是不限于此。在一个示例性实施例中， 球磨 可以包括使乙醇与纳米前驱物混合。 0058 然后， 将球磨的纳米前驱物进行干燥 (S5)。 0059 可以合成具有大于等于大约 50nm 且小于等于大约 500nm 的普通纳米尺寸到大于 等于大约 500nm 且小于等于大约 1m 的亚微米尺寸的纳米磷光体。根据纳米磷光原料的 类型， 形成和合成的纳米磷光体可以是用Y3-xAl5O12:Ce3+x(其中， x为大约0.1到大约0.15)、 Ca2SiO4:(Ce3+， Li+)、 Sr2SiO4:(Eu2+， Dy3+)、 SrGa2S4:Eu2+或者 。
31、(Sr， Ba)2Ga2SiO7:Eu2+中的任何 一个表示的化合物。 0060 上述示例性实施例可以被认为不包括液相反应法或者气相反应法。 0061 与用液相反应法或者气相反应法制造的纳米磷光体相比， 通过这种方法制造的纳 米磷光体具有大致均匀的形状和 / 或颗粒尺寸、 高重复性和优良的亮度特性。 0062 图 3 示出根据本发明制造的纳米磷光体和普通磷光体彼此对比的示例性实施例 的照片。 0063 参照图 3， 左图示出通过根据本发明的制造纳米磷光体的方法的示例性实施例所 形成的具有大于等于大约 50nm 且小于等于 7m 的纳米尺寸的纳米磷光体， 右照片示出具 有已知微米尺寸的传统的磷光。
32、体。 0064 图 4 包括示出根据本发明的磷光体的另一个示例性实施例的图。 0065 参照图 4， 最左边的图示出颗粒尺寸为微米尺寸而不是纳米尺寸的已知的大块磷 光体， 中间的图示出根据本发明示例性实施例的上述纳米磷光体， 最右边的图示出混合的 纳米磷光体和大块磷光体。 0066 在下面的表 1 中， 当将色坐标调整为彼此大致相同时， 对比了对比示例、 示例 1 和 示例 2 的相对亮度。 0067 表 1 说 明 书 CN 103525421 A 8 6/7 页 9 0068 0069 在表 1 中， 对比示例是具有大约 8m 的颗粒尺寸的大块磷光体， 示例 1 是具有大 约 500m 的。
33、颗粒尺寸的纳米磷光体， 示例 2 是以 1 1 的比例混合的对比示例的大块磷光 体和示例 1 的纳米磷光体。 0070 关于示例1， 与纳米颗粒的粉末的亮度为60相比， 包括具有大约500nm的颗粒尺 寸的纳米磷光体的发光二极管 ( “LED” ) 封装件的亮度为大约 97， 因此， 亮度增加了 30 或更多。如果在根据本发明的示例性实施例中通过混合大块磷光体和纳米磷光体来形成 LED封装件， 与在示例2中一样， 与仅包括大块磷光体的对比示例的LED封装件相比， 亮度提 高了6.8。 在示例2中， 具有纳米尺寸的颗粒可以填充大块磷光体颗粒之间的空隙并且可 以增加每单位体积的比表面积， 从而提高。
34、了亮度。 0071 图 5 是示出根据本发明的 LED 的示例性实施例的剖视图。 0072 参照图5， 根据本发明的LED的示例性实施例包括 ： 基板100 ； 模框120， 在基板100 的上表面上且沿基板 100 的外围 ； 以及发光部分 140， 设置在被模框 120 包围的基板 100 的 上表面的暴露部分上。基板 100 和模框 120 可以是整体的， 从而形成单个的、 整体的、 不可 分割的构件， 但不应该限于此。 0073 总体上包括基板 100 和模框 120 的封装件 150 起到保护发光部分 140 不受外部湿 气影响的作用。 0074 LED1 还可以包括填充由基板 10。
35、0、 模框 120 和发光部分 140 限定的空间的密封层 200。密封层 200 总体上包括分散在空间内的纳米磷光体 170 和大块磷光体 180 的混合物。 0075 尽管图中没有示出， 但是发光部分140可以包括发光芯片、 引线图案和/或连接发 光芯片和引线图案的布线。 引线图案是电极图案并且起到将外部电能施加到发光芯片的作 用。 0076 发光芯片可以是在其相同的平面或者平坦表面上包括N型电极和P型电极的水平 型发光芯片， 并且发光芯片安装在引线图案上， 但是不应限于此。可选择地， 发光芯片可以 是包括位于板的上部分上的 P 型电极和位于板的下部分上的 N 型电极的垂直型发光芯片。 0。
36、077 密封层200密封发光部分140以保护发光部分140， 并且起到保护主体的作用。 分 散在密封层 200 中的磷光体 170 和磷光体 180 可以包括绿色磷光体、 红色磷光体和 / 或黄 色磷光体， 但不应该限于此。在磷光体 170 和磷光体 180 包括绿色磷光体、 红色磷光体和 / 或黄色磷光体的情况下， 发光部分 140 可以是蓝光发射芯片， 从而从蓝光发射芯片发射的 蓝光和使用磷光体 170 和磷光体 180 发射的光可以混合， 以输出白光。 0078 在纳米磷光体170和大块磷光体180的混合物中的纳米磷光体的含量可以是大于 等于大约20重量(wt)且小于等于大约80wt。 。
37、在包括LED1的LED封装件中， 如果纳 米磷光体的含量小于 20， 则 LED1 的亮度劣化， 如果纳米磷光体的含量大于 80， 则 LED1 的发光效率会由于磷光体的散射和光的再吸收而劣化。 说 明 书 CN 103525421 A 9 7/7 页 10 0079 包括在 LED1 的示例性实施例中的纳米磷光体 170 可以是由 Y3Al5O12:Ce3+、 Ca2SiO4:(Ce3+， Li+)、 Sr2SiO4:(Eu2+， Dy3+)、 SrGa2S4:Eu2+或者 (Sr， Ba)2Ga2SiO7:Eu2+中的任何 一个表示的化合物。纳米磷光体 170 的颗粒尺寸可以是大于等于大约。
38、 50nm 且小于等于大 约 7m 的纳米尺寸， 大块磷光体 180 的颗粒尺寸可以大于等于大约 8m 且小于等于大约 30m。 0080 密封层 200 还可以包括透明硅树脂或者环氧树脂， 但是不限于此。在可替代的示 例性实施例中， 根据LED1的用途， 密封层200还可以包括能够使光透射穿过的不透明树脂。 0081 在根据本发明的 LED1 的示例性实施例中， 涂层 300 还可以在密封层 200 上。涂层 300 覆盖被模框 120 暴露的密封层 200 和模框 120。尽管没有在图中示出， 但是涂层 300 可 以延伸以覆盖封装件 150 的侧表面， 但不限于此。在可替代的示例性实施例。
39、中， 涂层 300 可 以被省略。 0082 再次参照图 5， 将简要地描述制造 LED 的方法的示例性实施例。 0083 参照图5， 在基板100的上部分上并沿基板100的外部或者外围设置(例如， 形成) 模框 120。将发光部分 140 设置在被模框 120 包围的基板 100 的暴露的上部分上。在一个 示例性实施例中， 可以诸如通过注塑成型使模框 120 与基板 100 一体地形成， 以形成单个 的、 整体的、 不可分割的构件， 但不应该限于此。 0084 设置密封层 200 以填充由包括基板 100 和模框 120 的封装件 150 中的模框 120 和 发光部分 140 限定的空间。。
40、将分散的纳米磷光体 170 和大块磷光体 180 的混合物设置在上 述空间内以形成密封层 200， 其中， 纳米磷光体 170 可以通过上述制造纳米磷光体的方法形 成。在可替代的示例性实施例中， 大块磷光体 180 可以不与纳米磷光体 170 混合， 可以只有 纳米磷光体 170 被分散在上述空间内以形成密封层 200。 0085 还可以将涂层 300 设置在密封层 200 上， 但是在可替代的示例性实施例中可以省 略涂层 300。 0086 包括上述纳米磷光体的 LED 可以用在液晶显示器等中。因为液晶显示器是自身不 发光而是控制从外部提供的光的透射率以显示图像的光接收设备， 所以需要用于将。
41、光辐射 在液晶面板上的单独设备， 即背光设备。 0087 背光设备起到引导和扩散诸如 LED 的光源中产生的光以将光传递到液晶面板的 作用。LED 可以包括根据本发明的纳米磷光体的一个或多个示例性实施例， 可以制造包括 LED 的背光设备并将其用在液晶显示器中。 0088 虽然已经结合目前被认为是实际的示例性实施例的内容描述了本发明， 但是将理 解的是， 本发明不限于公开的实施例， 而是相反， 本发明意图覆盖包括在权利要求的精神和 范围内的各种修改和等同布置。 说 明 书 CN 103525421 A 10 1/3 页 11 图 1 图 2 说 明 书 附 图 CN 103525421 A 11 2/3 页 12 图 3 图 4 说 明 书 附 图 CN 103525421 A 12 3/3 页 13 图 5 说 明 书 附 图 CN 103525421 A 13 。