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本发明提供具有低熔点,优良的蒸发特性和基质上低成膜温度的有机金属铱化合物,其用于经CVD法形成含铱薄膜。该有机金属铱化合物由如式(1)或(2)表示,其中R1表示氢或低级烷基;R2R7分别表示氢、卤素等,其前提是排除R1R7的特定组合;R8表示低级烷基;R9R12分别表示氢、卤素等,其前提是排除R8R12的特定组合。用CVD法使用该化合物作为母体制备含铱薄膜。 。