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1、(10)申请公布号 CN 104037233 A (43)申请公布日 2014.09.10 CN 104037233 A (21)申请号 201410256092.X (22)申请日 2014.06.10 H01L 29/786(2006.01) H01L 29/06(2006.01) H01L 21/336(2006.01) (71)申请人 京东方科技集团股份有限公司 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路 10 号 (72)发明人 王灿 (74)专利代理机构 北京中博世达专利商标代理 有限公司 11274 代理人 申健 (54) 发明名称 薄膜晶体管及其制作方法、 OLED 背板和显示 。
2、装置 (57) 摘要 本发明实施例公开了一种薄膜晶体管及其制 作方法、 OLED 背板和显示装置， 涉及显示领域， 能 够有效减少铝膜表面小丘 (hillock) 的产生， 提 高有源层性能的稳定性， 并且降低产品的功耗。 本 发明的实施例提供一种薄膜晶体管， 包括 ： 栅电 极、 栅绝缘层、 有源层、 源电极和漏电极， 其中， 所 述栅电极形成于基板和所述栅绝缘层之间， 所述 栅电极和所述基板之间设置有第一过渡层， 所述 第一过渡层形成材料的热膨胀系数介于所述基板 的形成材料的热膨胀系数和所述栅电极的形成材 料的热膨胀系数之间 ； 且， 所述栅绝缘层形成材 料的成膜温度低于第一极限温度。 (。
3、51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 7 页 附图 2 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 说明书7页 附图2页 (10)申请公布号 CN 104037233 A CN 104037233 A 1/2 页 2 1. 一种薄膜晶体管， 包括 ： 栅电极、 栅绝缘层、 有源层、 源电极和漏电极， 其中， 所述栅 电极形成于基板和所述栅绝缘层之间， 其特征在于， 所述栅电极和所述基板之间设置有第一过渡层， 所述第一过渡层形成材料的热膨胀 系数介于所述基板的形成材料的热膨胀系数和所述栅电极的形成材料的热膨胀系数之间 ； 且， 所述栅绝缘层形成材料。
4、的成膜温度低于第一极限温度。 2. 根据权利要求 1 所述的薄膜晶体管， 其特征在于， 所述栅电极的形成材料为铝， 所述第一极限温度为 150。 3. 根据权利要求 2 所述的薄膜晶体管， 其特征在于， 所述基板为玻璃基板， 所述第一过渡层的形成材料为氧化铝。 4. 根据权利要求 3 所述的薄膜晶体管， 其特征在于， 所述第一过渡层的厚度为 50 200nm。 5. 根据权利要求 1-4 任一项所述的薄膜晶体管， 其特征在于， 所述有源层的形成材料为氧化物半导体材料。 6. 根据权利要求 5 所述的薄膜晶体管， 其特征在于， 所述栅绝缘层的形成材料为氧化铝。 7. 根据权利要求 5 所述的薄膜。
5、晶体管， 其特征在于， 所述有源层和所述栅绝缘层之间 还设置有第二过渡层， 所述第二过渡层的材料为所述有源层形成材料的高氧化物。 8. 根据权利要求 7 所述的薄膜晶体管， 其特征在于， 所述高氧化物中含氧量的质量百分比为 50 80。 9. 一种 OLED 背板， 其特征在于， 包括 ： 权利要求 1-8 任一项所述的薄膜晶体管。 10. 一种显示装置， 其特征在于， 包括 ： 权利要求 1-8 任一项所述的薄膜晶体管， 或者， 权利要求 9 所述的 OLED 背板。 11. 一种薄膜晶体管的制造方法， 其特征在于， 包括 ： 在基板上形成第一过渡层， 所述第一过渡层形成材料的热膨胀系数介于。
6、所述基板的形 成材料的热膨胀系数和栅电极的形成材料的热膨胀系数之间， 所述栅电极设置在所述第一 过渡层上 ； 形成包括所述栅电极在内的栅金属层图形 ； 在低于第一极限温度的条件下， 形成栅绝缘层 ； 继续后续工序形成有源层、 源电极和漏电极。 12. 根据权利要求 11 所述的制造方法， 其特征在于， 所述形成包括所述栅电极在内的 栅金属层图形， 具体为 ： 在所述第一过渡层上形成铝薄膜， 并通过构图工艺形成包括栅电极 在内的栅金属层图形 ； 所述第一极限温度为 150。 13. 根据权利要求 12 所述的制造方法， 其特征在于， 所述基板为玻璃基板， 所述第一过渡层的形成材料为氧化铝。 14。
7、. 根据权利要求 13 所述的制造方法， 其特征在于， 所述在基板上形成第一过渡层， 具 体为 ： 采用溅射方法在基板上形成氧化铝薄膜 ； 所述在所述第一过渡层上形成铝薄膜， 具体为 ： 采用溅射方法在所述氧化铝薄膜上形 权 利 要 求 书 CN 104037233 A 2 2/2 页 3 成铝薄膜。 15. 根据权利要求 11 或 12 所述的制造方法， 其特征在于， 所述有源层的形成材料为氧 化物半导体材料 ； 在形成有源层之前， 所述制造方法还包括 ： 在所述栅绝缘层上形成第二过渡层， 所述第二过渡层的材料为所述有源层形成材料的 高氧化物。 权 利 要 求 书 CN 104037233 。
8、A 3 1/7 页 4 薄膜晶体管及其制作方法、 OLED 背板和显示装置 技术领域 0001 本发明涉及显示领域， 尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、 OLED 背板和显示 装置。 背景技术 0002 薄膜晶体管是一种绝缘栅场效应晶体管， 应用广泛。于显示领域如 OLED(Organic Light Emitting Diode， 有机发光)显示， 薄膜晶体管主要用于形成驱动电路， 控制一个独立 像素上显示信号的加载。 0003 薄膜晶体管主要包括 ： 有源层、 栅电极、 栅绝缘层、 源电极和漏电极。目前， 在 OLED 显示领域中， 一般先在基板上沉积一层铝膜(或者铝的合金薄膜， 本文以。
9、下统称铝膜)用以 形成栅电极 ； 栅电极之上， 使用 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition， 等离 子体增强化学气相沉积法 ) 方法沉积氧化硅作为栅绝缘层， 但用以形成栅电极的铝膜再经 该工序后， 表面容易出现小丘 (hillock)， 变得不平整， 影响栅绝缘层与后续形成的有源层 之间的匹配性， 导致薄膜晶体管的性能受到影响。 发明内容 0004 本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、 OLED 背板和显示装置， 能够有效减少 铝膜表面小丘 (hillock) 的产生， 提高有源层性能的稳定性， 并且降低产品的功耗， 提高产 品市场竞。
10、争力。 0005 为达到上述目的， 本发明的实施例采用如下技术方案 ： 0006 一方面， 本发明的实施例提供一种薄膜晶体管， 包括 ： 栅电极、 栅绝缘层、 有源层、 源电极和漏电极， 其中， 所述栅电极形成于基板和所述栅绝缘层之间， 所述栅电极和所述基 板之间设置有第一过渡层， 所述第一过渡层形成材料的热膨胀系数介于所述基板的形成材 料的热膨胀系数和所述栅电极的形成材料的热膨胀系数之间 ； 且， 所述栅绝缘层形成材料 的成膜温度低于第一极限温度。 0007 优选地， 所述栅电极的形成材料为铝， 所述第一极限温度为 150。 0008 优选地， 所述基板为玻璃基板， 所述第一过渡层的形成材料。
11、为氧化铝。 0009 优选地， 所述第一过渡层的厚度为 50 200nm。 0010 优选地， 所述有源层的形成材料为氧化物半导体材料。 0011 优选地， 所述栅绝缘层的形成材料为氧化铝。 0012 进一步地， 所述有源层和所述栅绝缘层之间还设置有第二过渡层， 所述第二过渡 层的材料为所述有源层形成材料的高氧化物。 0013 可选地， 所述高氧化物中含氧量的质量百分比为 50 80。 0014 本发明还提供一种 OLED 背板， 包括 ： 任一项所述的薄膜晶体管。 0015 本发明还提供一种显示装置， 包括 ： 任一项所述的薄膜晶体管， 或者， 所述的 OLED 背板。 说 明 书 CN 1。
12、04037233 A 4 2/7 页 5 0016 另一方面， 本发明还提供一种薄膜晶体管的制造方法， 包括 ： 0017 在基板上形成第一过渡层， 所述第一过渡层形成材料的热膨胀系数介于所述基板 的形成材料的热膨胀系数和栅电极的形成材料的热膨胀系数之间， 所述栅电极设置在所述 第一过渡层上 ； 0018 形成包括所述栅电极在内的栅金属层图形 ； 0019 在低于第一极限温度的条件下， 形成栅绝缘层 ； 0020 继续后续工序形成有源层、 源电极和漏电极。 0021 可选地， 所述形成包括所述栅电极在内的栅金属层图形， 具体为 ： 在所述第一过渡 层上形成铝薄膜， 并通过构图工艺形成包括栅电极。
13、在内的栅金属层图形 ； 所述第一极限温 度为 150。 0022 可选地， 所述基板为玻璃基板， 所述第一过渡层的形成材料为氧化铝。 0023 可选地， 所述在基板上形成第一过渡层， 具体为 ： 采用溅射方法在基板上形成氧化 铝薄膜 ； 所述在所述第一过渡层上形成铝薄膜， 具体为 ： 采用溅射方法在所述氧化铝薄膜 上形成铝薄膜。 0024 可选地， 所述有源层的形成材料为氧化物半导体材料 ； 在形成有源层之前， 所述制 造方法还包括 ： 在所述栅绝缘层上形成第二过渡层， 所述第二过渡层的材料为所述有源层 形成材料的高氧化物。 0025 现有技术中， 栅电极一般是在基板沉积一层铝膜(或铝的合金)。
14、然后刻蚀而成 ； 栅 电极之上， 使用 PECVD 方法沉积氧化硅 ( 或氮化硅 ) 作为栅绝缘层， 发明人发现 ： PECVD 成 膜温度较高 ( 一般大于 300 )， 而用以形成栅电极的铝膜再经高温处理， 很容易造成铝膜 的 hillock( 表面出现小丘 ) 问题。发明人仔细研究后发现产生 hillock 的原因是由于基 板 ( 一般为玻璃 ) 与铝膜之间的热膨胀大小不同， 因此导致铝膜发生膨胀变形时其在基板 一侧的膨胀将受到限制， 随温度的不断升高， 铝膜的弹性形变增大， 在某一极限温度下 ( 对 纯铝膜而言， 大约在100150之间)， 铝膜内部承受的压缩应力达到极限， 这时它将通。
15、过 原子扩散的方式释放压缩应力， 此时就会在薄膜表面就形成小丘， 即 hillock。 0026 本发明实施例提供的薄膜晶体管及其制作方法、 OLED 背板和显示装置， 在栅电极 和基板之间设置热膨胀系数介于基板形成材料的热膨胀系数和栅电极形成材料的热膨胀 系数之间的第一过渡层 ； 且， 改变栅绝缘层的材料或成膜方式以使栅绝缘层形成材料的成 膜温度低于栅电极材料内部承受的压缩应力的极限值 ( 栅电极形成材料如果为铝膜， 则该 极限值对应的温度在 100 150之间， 具体取值可以预先通过试验确定 )， 这样可以有效 缓解基板与栅电极形成膜层 ( 如铝膜 ) 之间受热时应力释放不一致的问题， 从。
16、而在一定程 度下减少 hillock 的产生， 提高有源层性能的稳定性， 并且降低产品的功耗， 提高产品市场 竞争力。 附图说明 0027 为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案， 下面将对实施例中所需要使用的 附图作简单地介绍， 显而易见地， 下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例， 对于本领 域普通技术人员来讲， 在不付出创造性劳动的前提下， 还可以根据这些附图获得其它的附 图。 说 明 书 CN 104037233 A 5 3/7 页 6 0028 图 1 为本发明实施例一提供的薄膜晶体管的结构示意图一 ； 0029 图 2 为本发明实施例一提供的薄膜晶体管的结构示意图二 ； 003。
17、0 图 3 为本发明实施例一提供的薄膜晶体管的制造方法流程图 ； 0031 图 4 为本发明实施例一提供的 IPS 阵列基板的结构示意图。 0032 附图标记 0033 10- 基板， 11- 第一过渡层， 12- 栅电极， 13- 栅绝缘层， 14- 有源层， 141- 第二过渡 层， 15- 源电极， 16- 漏电极， 17- 刻蚀阻挡层， 18- 钝化层， 19- 第一透明导电层， 20- 第二透 明导电层。 具体实施方式 0034 本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、 OLED 背板和显示装置， 能够有效减少 铝膜表面小丘 (hillock) 的产生， 提高有源层性能的稳定性， 并且。
18、降低产品的功耗， 提高产 品市场竞争力。 0035 下面将结合本发明实施例中的附图， 对本发明实施例中的技术方案进行清楚、 完 整地描述。 0036 实施例一 0037 本发明实施例提供一种薄膜晶体管， 如图 1 所示， 该薄膜晶体管包括栅电极 12、 栅 绝缘层 13、 有源层 14、 源电极 15 和漏电极 16， 其中， 栅电极 12 形成于基板 10 和栅绝缘层 13 之间上， 本实施例在栅电极 12 和基板 10 之间设置有第一过渡层 11， 第一过渡层 11 形成 材料的热膨胀系数介于基板10的形成材料的热膨胀系数和栅电极12的形成材料的热膨胀 系数之间 ； 且， 栅绝缘层 13 。
19、形成材料的成膜温度低于第一极限温度。 0038 基于发明内容部分已经描述过的栅电极形成膜层 ( 如铝膜 ) 出现 hillock 的产生 原因， 本发明实施例提供的薄膜晶体管， 在栅电极和基板之间设置热膨胀系数介于基板的 热膨胀系数和栅电极的热膨胀系数之间的第一过渡层， 同时降低栅绝缘层的成膜温度， 从 而有效缓解基板与栅电极形成膜层之间受热时应力释放不一致的问题， 从而在一定程度下 减少 hillock 的产生， 提高有源层性能的稳定性， 并且降低产品的功耗， 提高产品市场竞争 力。 0039 上述实施例中栅电极 12 的形成材料目前一般为铝或者铝的合金， 也可以是其他 金属或合金材料。显示。
20、领域使用的基板 10 一般为玻璃基板， 实际材料的热膨胀规律为 ： 玻 璃氧化物材料金属物高聚物， 因此第一过渡层 11 一般选择氧化物材料。在一种具体 实施方式中， 基板 10 选择石英玻璃， 栅电极 12 的形成材料为现有技术中常用的纯铝材料， 则第一过渡层 11 一般选择氧化铝， 厚度为 50 200nm， 其中， 铝的热膨胀系数为 23.6x10-6/ K， 石英玻璃的热膨胀系数为 0.5710-6/K ； 氧化铝的热膨胀系数为 8.8x10-6/K， 可以有效缓解 基板与栅电极形成膜层之间受热时应力释放不一致的问题， 而且纯铝薄膜和氧化铝薄膜均 可采用溅射方法在同一腔室内制备， 中途。
21、无需更换制膜设备， 工艺简单， 成本低， 不需额外 的投入。 0040 基于发明内容部分已经描述过的 hillock 的产生原因， 可知本实施例中所述的 第一极限温度指栅电极 12 的形成膜层在其内部承受压缩应力的极限值对应的温度， 超过 该温度， 栅电极 12 的形成膜层将通过原子扩散的方式释放压缩应力， 在薄膜表面就形成 说 明 书 CN 104037233 A 6 4/7 页 7 小丘， 即 hillock。如果栅电极 12 的形成材料为纯铝， 则此第一极限温度对应值在 100 150之间。具体实施时可以根据栅电极 12 的形成材料， 通过实验或理论计算确定栅电极 12 的形成材料对应的。
22、第一极限温度的具体取值。 0041 其中， 上述有源层 14 的形成材料优选为氧化物半导体材料， 所述氧化物半导体材 料包括氧化锌 ZnO、 IGZO、 IZO、 ZTO 等。 0042 氧化物薄膜晶体管中， 氧化物半导体作为有源层材料， 由于其性能较之多晶硅 (LTPS) 薄膜晶体管制作工艺简单， 制造成本低， 并且大多是非晶结构， 具有优异的大面积均 匀性， 非常适合高分辨的 (AMOLED)、 柔性显示 (Flexible) 等新型显示的需求， 尤其适用于 大世代的产线使用。 氧化物薄膜晶体管因其制程与非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)制程的兼 容性好， 可以在原有 a-Si TFT 。
23、生产线基础上通过技术改造实现， 可以大幅度节约设备投资， 降低生产成本。 但随着氧化物薄膜晶体管量产投入使用， 有源层稳定性的问题越来越突出， 氧化物半导体器件在高温或低温长期使用过程中出现电流电压特性(IV特性)中的阈值电 压 Vth 偏移现象， 目前最有可能的原因是氧化物半导体有源层与栅绝缘层材料直接接触， 在性能上存在不匹配， 因此易造成氧化物半导体陷阱态问题放大， 引起电荷的聚集， 导致 IV 特性的漂移。为解决这一问题， 选择合适的栅绝缘层 13 以及改善栅绝缘层 13 和有源层 14 的界面接触就显得尤为重要。本实施例中选择带隙宽度能达到 8.9ev 的氧化铝， 可使载流 子不容易。
24、越过势垒进入栅绝缘层 13， 避免造成有源层 14 不稳定， 实现与氧化物半导体的良 好的接触， 减少界面缺陷， 提高载流子迁移率。 0043 另外， 栅绝缘层 13 形成材料的选择除考虑与氧化物半导体界面匹配性， 以及为避 免栅电极形成膜层 hillock 的产生考虑成膜温度之外， 还需考虑介电常数 K。 0044 常规的栅绝缘层材料一般使用 SiO2， 但 SiO2一般是使用 PECVD 沉积而来， 一方面 PECVD成膜温度较高(300)很容易造成纯铝薄膜hillock的问题， 另一方面SiO2(SiO2 的介电常数 k 3.9) 作为栅极绝缘层的 TFT 电容率较低， 工作电压较高， 。
25、造成器件的功耗 较大。在现今智能机发展的时代， 由于受到电池容量的限制， 低功耗是必须考虑的重要因 素。降低功耗的其中一个途径就是选择高 k 值的栅极绝缘层材料来降低驱动电压， 如像 Al2O3、 Y2O3、 BaSrTiO、 Ta2O5等高 k 值的材料。 0045 综上所述， 本实施例中栅绝缘层 13 形成材料优选为氧化铝 (Al2O3)， 一方面氧化铝 具有较高的介电常数 (k 8.7)， 能实现低工作电压、 高输出电流， 并且有良好的绝缘特性， 是 TFT 器件有很低的泄露电流 ； 另一方面， 氧化铝同时能达到 8.9eV 的带隙宽度， 载流子容 易越过势垒进入栅绝缘层 13， 避免造。
26、成有源层 14 不稳定， 从而实现与氧化物半导体的良好 接触， 减少界面缺陷， 提高载流子迁移率。 同时， 氧化铝薄膜可采用溅射方法制备， 成膜温度 低， 可以避免栅电极形成膜层 hillock 的产生， 而且工艺简单， 成本低， 不需额外的投入。 0046 如图 2 所示， 为进一步地有效改善栅绝缘层与氧化物半导体有源层的界面接触， 降低氧化物半导体有源层与栅绝缘层在性能的不匹配， 本实施例在有源层 14 和栅绝缘层 13 之间还设置有第二过渡层 141， 第二过渡层 141 的材料为有源层 14 形成材料的高氧化 物。具体实施时， 在沉积氧化物半导体形成有源层之前， 首先进行高氧氧化物薄膜。
27、的沉积， 氧含量的质量百分比约为 50 -80， 该薄膜基本为绝缘性薄膜， 其可作为栅绝缘层到氧 化物半导体材料之间的过渡层， 有效的改善栅绝缘层与氧化物有源层的界面匹配。 0047 本发明提供的薄膜晶体管， 能够有效抑制铝膜表面小丘 (hillock) 的产生， 提高 说 明 书 CN 104037233 A 7 5/7 页 8 有源层性能的稳定性， 并且降低产品的功耗， 提高产品市场竞争力。 0048 本发明实施例还提供一种 OLED 背板， 包括 ： 任一项所述的薄膜晶体管。鉴于已描 述的原因， 本实施例提供的 OLED 背板， 有源层性能的稳定性提升， 能在一定程度上消弱阈 值电压 V。
28、th 偏移现象， 降低产品的功耗。 0049 本发明实施例还提供一种显示装置， 包括 ： 上述任一项所述的薄膜晶体管， 或者， 上述的 OLED 背板。鉴于已描述的原因， 本实施例提供的显示装置有源层性能的稳定性提 升， 能在一定程度上消弱阈值电压 Vth 偏移现象， 提高显示效果， 同时所述显示装置驱动电 压小， 节能省电。所述显示装置可以为 ： 液晶面板、 电子纸、 OLED 面板、 手机、 平板电脑、 电视 机、 显示器、 笔记本电脑、 数码相框、 导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。 0050 实施例二 0051 另一方面， 本发明实施例还提供一种薄膜晶体管的制造方法， 如图 3 所。
29、示， 该制造 方法包括 ： 0052 101、 在基板 10 上形成第一过渡层 11， 所述第一过渡层 11 形成材料的热膨胀系数 介于基板 10 的形成材料的热膨胀系数和栅电极 12 的形成材料的热膨胀系数之间， 所述栅 电极 12 设置在第一过渡层 11 上 ； 0053 102、 形成包括栅电极 12 在内的栅金属层图形 ； 0054 103、 在低于第一极限温度的条件下， 形成栅绝缘层 13 ； 0055 104、 继续后续工序形成有源层 14、 源电极 15 和漏电极。 0056 本发明提供的薄膜晶体管的制造方法， 在基板上先沉积热膨胀系数介于基板形成 材料的热膨胀系数和栅电极形成材。
30、料的热膨胀系数之间的第一过渡层， 改变栅绝缘层的材 料或成膜方式以使栅绝缘层形成材料的成膜温度低于栅电极材料内部承受的压缩应力的 极限值， 从而能够有效减少栅电极形成膜层表面小丘 (hillock) 的产生， 提高有源层性能 的稳定性， 并且降低产品的功耗， 提高产品市场竞争力。 0057 其中， 步骤102形成包括所述栅电极12在内的栅金属层图形， 具体为 ： 在所述第一 过渡层11上形成铝薄膜， 并通过构图工艺形成包括栅电极12在内的栅金属层图形 ； 栅电极 12 形成材料为铝薄膜， 对应的所述第一极限温度本实施例中取值为 150。 0058 可选地， 本实施例所述基板10为玻璃基板， 所。
31、述第一过渡层11的形成材料为氧化 铝。步骤 101 在基板 10 上形成第一过渡层 11， 具体为 ： 采用溅射方法在基板 10 上形成氧 化铝薄膜 ； 步骤 102 在第一过渡层 11 上形成铝膜， 具体为 ： 采用溅射方法在氧化铝薄膜上 形成铝薄膜。 氧化铝薄膜可采用溅射方法制备， 成膜温度低， 可以避免栅电极形成膜层即铝 薄膜表面 hillock 的产生， 而且工艺简单， 成本低， 不需额外的投入。 0059 可选地， 所述有源层 14 的形成材料为氧化物半导体材料 ； 在形成有源层 14 之前， 所述制造方法还包括 ： 在栅绝缘层 13 上形成第二过渡层 141， 第二过渡层 141 。
32、的材料为有 源层 14 形成材料的高氧化物。具体实施时， 在沉积氧化物半导体形成有源层之前， 直接在 同一腔室内富氧气氛下， 首先进行高氧氧化物薄膜的沉积 ； 然后改变腔室内的气氛， 再进行 化物半导体膜层的沉积。该高氧氧化物薄膜的氧含量质量百分比约为 50 -80， 该薄膜 基本为绝缘性薄膜， 可作为栅绝缘层到氧化物半导体材料之间的过渡层， 有效的改善栅绝 缘层与氧化物有源层的界面匹配。 0060 为了本领域技术人员更好的理解本发明实施例提供的薄膜晶体管的制造方法， 以 说 明 书 CN 104037233 A 8 6/7 页 9 下列举几种本发明的具体实施方案对本发明提供的制造方法进行详细。
33、说明 ： 0061 实施方案一， 如图 1 所示， 适用于 OLED 背板结构中 ： 0062 步骤一、 首先在基板 10 上进行氧化铝薄膜的制作， 在溅射纯铝腔室中通入氧气 (5左右 )， 进行纯铝反应溅射， 溅射厚度在 50-200 埃， 该膜层作为第一过渡层 11， 不需图 形化。 0063 步骤二、 之后直接原位进行纯铝栅电极的溅射 ( 温度选择 100 150 )， 溅射腔 室中不通入氧气， 并且要重新抽真空避免纯铝氧化， 然后使用常规方法进行图形化， 刻蚀出 栅电极图形。 0064 步骤三、 之后， 在低温下进行栅绝缘层氧化铝薄膜的溅射， 同样在溅射纯铝腔 室中通入氩气 Ar 和氧。
34、气 O2， 氧气浓度在 5左右， 进行氧化铝薄膜的溅射成膜， 厚度约 1000-2000 埃， 之后使用铝刻蚀液进行栅绝缘层图形化过程。 0065 步骤四、 沉积氧化物半导体进行有源层的工艺过程， 该氧化物半导体材料可以为 IGZO、 IZO、 ZnO、 ZTO 等材料。 0066 步骤五、 使用常规的方法完成刻蚀阻挡层 17、 源漏金属层、 钝化层 18 的工艺过程。 0067 实施方案二， 如图 2 所示 , 适用于 OLED 背板结构中 ： 0068 步骤一、 首先在基板 10 上进行氧化铝薄膜的制作， 在溅射纯铝腔室中通入氧气 (5左右 )， 进行纯铝反应溅射， 溅射厚度在 50-20。
35、0 埃， 该膜层作为第一过渡层 11， 不需图 形化。 0069 步骤二、 之后直接原位进行纯铝栅电极的溅射 ( 温度选择 100 150 )， 溅射腔 室中不通入氧气， 并且要重新抽真空避免纯铝氧化， 然后使用常规方法进行图形化， 刻蚀出 栅电极图形。 0070 步骤三、 之后， 在低温下进行栅绝缘层氧化铝薄膜的溅射， 同样在溅射纯铝腔室中 通入Ar和氧气， 氧气浓度在5左右， 进行氧化铝薄膜的溅射成膜， 厚度约1000-2000埃， 之 后使用铝刻蚀液进行栅绝缘层图形化过程。 0071 步骤四、 沉积氧化物半导体进行有源层的工艺过程， 该氧化物半导体材料可以为 IGZO、 IZO、 ZnO。
36、、 ZTO 等材料。与方案一不同的是， 在之前首先进行高氧化物薄膜的沉积， 然 后原位直接进行氧化物半导体薄膜的沉积。上述高氧化物薄膜的氧含量约为 50 80， 该高氧化物薄膜基本为绝缘性薄膜， 其可作为栅绝缘层材料到氧化物半导体材料之间的过 渡层， 可以有效的改善栅绝缘层与氧化物有源层的界面接触。 0072 步骤五、 使用常规的方法完成刻蚀阻挡层 17、 源漏金属层、 钝化层 18 的工艺过程。 0073 实施方案三， 如图 4 所示， 使用在 IPS 液晶显示装置结构中 ： 0074 步骤一、 首先在基板 10 上进行氧化铝薄膜的制作， 在溅射纯铝腔室中通入氧气 (5左右 )， 进行纯铝反。
37、应溅射， 溅射厚度在 50-200 埃， 该膜层作为第一过渡层 11， 不需图 形化。 0075 步骤二、 之后直接原位进行纯铝栅电极的溅射 ( 温度选择 100 150 )， 溅射腔 室中不通入氧气， 并且要重新抽真空避免纯铝氧化， 然后使用常规方法进行图形化， 刻蚀出 包括栅电极 12 在内的栅金属层图形。 0076 步骤三、 之后， 在低温下进行栅绝缘层 13 氧化铝薄膜的溅射， 同样在溅射纯铝腔 室中通入 Ar 和氧气， 氧气浓度在 5左右， 进行氧化铝薄膜的溅射成膜， 厚度约 1000-2000 说 明 书 CN 104037233 A 9 7/7 页 10 埃， 之后使用铝刻蚀液进。
38、行栅绝缘层 13 图形化过程。 0077 步骤四、 沉积氧化物半导体进行有源层 14 的工艺过程， 该氧化物半导体材料可以 为 IGZO、 IZO、 ZnO、 ZTO 等材料。 0078 步骤五、 使用常规的方法完成 IPS 液晶显示装置结构中的刻蚀阻挡 17、 源漏金属 层 ( 包括源电极 15 和漏电极 16)、 第一透明导电层 19、 钝化层 18、 第二透明导电层 20 的工 艺过程。 0079 实施方案四， 参照图 4 所示， 使用在 IPS 液晶显示装置结构中 ： 0080 与方案三的不同之处在于有源层14使用两层结构， 即高氧化物薄膜层+正常氧化 物半导体层。 0081 本发明实。
39、施例提供一种薄膜晶体管的制造方法， 能够有效减少栅电极形成膜层表 面小丘 (hillock) 的产生， 提高有源层性能的稳定性， 并且降低产品的功耗， 提高产品市场 竞争力。 0082 本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述， 各个实施例之间相同相似的部 分互相参见即可， 每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。 尤其， 对于设备实 施例而言， 由于其基本相似于方法实施例， 所以描述得比较简单， 相关之处参见方法实施例 的部分说明即可。 0083 以上所述， 仅为本发明的具体实施方式， 但本发明的保护范围并不局限于此， 任何 熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内， 可轻易想到的变化或替换， 都应 涵盖在本发明的保护范围之内。 因此， 本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。 说 明 书 CN 104037233 A 10 1/2 页 11 图 1 图 2 说 明 书 附 图 CN 104037233 A 11 2/2 页 12 图 3 图 4 说 明 书 附 图 CN 104037233 A 12 。