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1、10申请公布号CN104209239A43申请公布日20141217CN104209239A21申请号201410265714522申请日20140530201311527720130531JPB05C11/10200601B05C11/0820060171申请人株式会社东芝地址日本东京都72发明人佐藤强贵志寿之74专利代理机构永新专利商标代理有限公司72002代理人夏斌54发明名称成膜装置以及成膜方法57摘要本发明涉及成膜装置以及成膜方法。实施方式的成膜装置为，从移动的喷嘴向旋转的基板的表面供给处理液，在上述基板的表面上螺旋状地涂布上述处理液，通过上述基板的旋转由所涂布的上述处理液形成膜。该。
2、成膜装置具备保持上述基板的保持部、使上述保持部旋转的驱动部、向上述保持部所保持的上述基板的表面供给上述处理液的处理液供给部以及至少控制上述驱动部的控制部。而且，上述控制部使上述保持部以比涂布上述处理液时的第一转速慢的第二转速旋转，而由所涂布的上述处理液形成膜。30优先权数据51INTCL权利要求书2页说明书7页附图4页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书2页说明书7页附图4页10申请公布号CN104209239ACN104209239A1/2页21一种成膜装置，从移动的喷嘴向旋转的基板的表面供给处理液，在上述基板的表面上螺旋状地涂布上述处理液，通过上述基板的旋转由所涂布的。
3、上述处理液形成膜，其中，具备保持部，保持上述基板；驱动部，使上述保持部旋转；处理液供给部，向上述保持部所保持的上述基板的表面供给上述处理液；以及控制部，至少控制上述驱动部，上述控制部使上述保持部以比涂布上述处理液时的第一转速慢的第二转速旋转，而由所涂布的上述处理液形成膜。2根据权利要求1所述的成膜装置，其中，上述控制部在使上述保持部以上述第二转速旋转之后，使上述保持部以比上述第二转速快的第三转速旋转。3根据权利要求1所述的成膜装置，其中，上述控制部在使上述保持部以上述第二转速旋转之后，依次转换到比上述第二转速快的第三转速以及比上述第三转速慢的第四转速而使上述保持部旋转。4根据权利要求1所述的成。
4、膜装置，其中，还具备第一流动性控制部，该第一流动性控制部进行控制，以使由所涂布的上述处理液形成的膜的处于上述基板的外周端附近的区域的流动性提高。5根据权利要求1所述的成膜装置，其中，还具备罩，该罩被设置为至少包围上述保持部的周围。6根据权利要求1所述的成膜装置，其中，还具备第二流动性控制部，该第二流动性控制部进行控制，以使由所涂布的上述处理液形成的膜的流动性变低。7根据权利要求1所述的成膜装置，其中，上述处理液供给部具有吐出上述处理液的喷嘴、使上述喷嘴的位置变化的移动部以及向上述喷嘴供给上述处理液的供给部，上述控制部控制上述驱动部、上述移动部以及上述供给部，在使上述喷嘴从上述基板的中心侧朝向外。
5、周端侧移动的同时，从上述喷嘴向旋转的上述基板的表面供给上述处理液。8根据权利要求7所述的成膜装置，其中，通过从上述喷嘴向旋转的上述基板的表面供给上述处理液，由此在上述基板的表面上螺旋状地涂布上述处理液。9根据权利要求1所述的成膜装置，其中，上述控制部使上述保持部以比涂布上述处理液时的上述第一转速慢的上述第二转速旋转，由此使集中在上述基板的外周端附近的上述处理液的一部分向上述基板的中心侧移动。10根据权利要求2所述的成膜装置，其中，上述控制部在使上述保持部以上述第二转速旋转之后，使上述保持部以比上述第二转速快的上述第三转速旋转，由此使集中在上述基板的外周端附近的上述处理液的一部分向权利要求书CN。
6、104209239A2/2页3上述基板的中心侧移动，然后使移动到上述基板的中心侧的上述处理液的一部分向上述基板的外周端侧移动。11根据权利要求3所述的成膜装置，其中，上述控制部在使上述保持部以上述第二转速旋转之后，依次转换到比上述第二转速快的上述第三转速以及比上述第三转速慢的上述第四转速而使上述保持部旋转，由此使上述处理液的一部分在上述基板的外周端侧与上述基板的中心侧之间反复移动。12根据权利要求7所述的成膜装置，其中，上述控制部根据上述喷嘴的位置的变化来使上述基板的转速变化。13根据权利要求4所述的成膜装置，其中，上述第一流动性控制部向上述区域供给溶剂。14根据权利要求6所述的成膜装置，其中。
7、，上述第二流动性控制部具有使上述膜所含的溶剂蒸发的干燥单元。15根据权利要求14所述的成膜装置，其中，上述干燥单元是红外线加热器以及热风加热器中的至少某一种。16根据权利要求1所述的成膜装置，其中，上述处理液是光致抗蚀剂液。17一种成膜方法，从移动的喷嘴向旋转的基板的表面供给处理液，在上述基板的表面上螺旋状地涂布上述处理液，通过上述基板的旋转由所涂布的上述处理液形成膜，其中，使上述基板以比涂布上述处理液时的第一转速慢的第二转速旋转，而由所涂布的上述处理液形成膜。18根据权利要求17所述的成膜方法，其中，在使上述基板以上述第二转速旋转之后，使上述基板以比上述第二转速快的第三转速旋转。19根据权利。
8、要求17所述的成膜方法，其中，在使上述基板以上述第二转速旋转之后，依次转换到比上述第二转速快的第三转速以及比上述第三转速慢的第四转速而使上述基板旋转。20根据权利要求17所述的成膜方法，其中，以由所涂布的上述处理液形成的膜的处于上述基板的外周端附近的区域的流动性变高的方式，向上述区域供给溶剂。权利要求书CN104209239A1/7页4成膜装置以及成膜方法0001关联文献的引用本申请以2013年5月31日申请的在先日本专利申请2013115277号的优先权利益为基础且要求该优先权利益，并通过引用将上述专利申请的内容全部包含于本申请。技术领域0002后述的实施方式总体上涉及成膜装置以及成膜方法。。
9、背景技术0003以往，存在如下的技术在使喷嘴从基板的中心侧朝向外周端侧移动的同时，从该喷嘴向旋转的基板的表面供给处理液，在基板的表面上螺旋状地涂布处理液，然后，使基板以比涂布处理液时的转速快的转速旋转，而由所涂布的处理液形成膜。0004如果采用这种技术，则能够实现膜厚的均匀化。0005然而，在处理液的涂布结束后，当使基板以比涂布处理液时的转速快的转速旋转时，处于基板表面的处理液的一部分飞散，处理液的利用效率变差。0006因此，希望开发出能够实现处理液的利用效率提高以及膜厚的均匀化的技术。发明内容0007本发明的目的在于提供能够实现处理液的利用效率提高以及膜厚的均匀化的成膜装置以及成膜方法。00。
10、08实施方式的成膜装置为，从移动的喷嘴向旋转的基板的表面供给处理液，在上述基板的表面上螺旋状地涂布上述处理液，通过上述基板的旋转而由所涂布的上述处理液形成膜。0009该成膜装置具备保持上述基板的保持部；使上述保持部旋转的驱动部；向上述保持部所保持的上述基板的表面供给上述处理液的处理液供给部；以及至少控制上述驱动部的控制部。0010而且，上述控制部使上述保持部以比涂布上述处理液时的第一转速慢的第二转速旋转，由所涂布的上述处理液形成膜。0011本发明能够提供能够实现处理液的利用效率提高以及膜厚的均匀化的成膜装置以及成膜方法。附图说明0012图1是用于例示本实施方式的成膜装置1的模式截面图。0013。
11、图2是用于例示本实施方式的成膜装置1的模式平面图。0014图3是用于例示处理液110的供给和基板100的表面上的处理液110的涂布方式的模式图。0015图4是用于例示比较例的膜120的形成的模式图。说明书CN104209239A2/7页50016图5是用于例示比较例的膜120的形成的模式图。0017图6是用于例示成膜装置1的作用以及成膜方法的流程图。具体实施方式0018以下，参照附图来例示实施方式。另外，在各附图中，对于相同的构成要素赋予相同的符号，并适当省略详细说明。0019图1是用于例示本实施方式的成膜装置1的模式截面图。0020图2是用于例示本实施方式的成膜装置1的模式平面图。0021此。
12、外，图2是图1的AA线向视图。0022图3是用于例示处理液110的供给和基板100的表面上的处理液110的涂布方式的模式图。0023如图1和图2所示，在成膜装置1中设置有保持部2、驱动部3、罩4、处理液供给部5、第一流动性控制部6、第二流动性控制部7以及控制部8。0024保持部2用于载放基板100并且保持所载放的基板100。0025保持部2设置在罩4的内部。保持部2具有载放部2A和轴部2B。0026载放部2A呈圆板状，一个面成为载放基板100的载放面2A1。另外，载放部2A对载放面2A1上所载放的基板100进行保持。例如，能够通过使用了未图示的真空泵等的吸附来进行基板100的保持。0027轴部。
13、2B的一个端部设置在载放部2A的与载放面2A1相反侧的面上。另外，轴部2B的另一个端部与驱动部3连接。0028驱动部3使保持部2旋转。0029驱动部3设置在罩4的内部。驱动部3例如能够具备能够使转速变化的伺服马达等控制马达。0030罩4被设置为至少包围保持部2的周围。0031罩4抑制被涂布到基板100的表面上的处理液110向成膜装置1的外部飞散。0032罩4在中央部具有设置保持部2的空间4A。在空间4A的外侧，设置有朝向罩4的底部倾斜的空间4B。空间4A以及空间4B的上方开口。另外，罩4的上面4E处于比载放部2A所载放的基板100的表面上面高的位置。0033另外，在罩4的底部设置有排出口4C。。
14、在排出口4C连接有未图示的回收部。从基板100排出的处理液110经由空间4B被导向到罩4的底部，并经由排出口4C由未图示的回收部回收。0034处理液供给部5向由保持部2保持并旋转的基板100的表面供给处理液110。0035在该情况下，如图3所示，在使喷嘴5A从基板100的中心侧朝向外周端侧移动的同时，从喷嘴5A向旋转的基板100的表面供给处理液110。0036于是，在基板100的表面上螺旋状地涂布处理液110。0037处理液供给部5具有喷嘴5A、收容部5B、供给部5C以及移动部5D。0038在喷嘴5A的一端设置有吐出口5A1，在另一端设置有供给口5A2。0039收容部5B收容处理液110。00。
15、40处理液110例如能够为光致抗蚀剂PHOTORESIST液等。说明书CN104209239A3/7页60041供给部5C经由喷嘴5A将收容部5B所收容的处理液110向基板100的表面供给。供给部5C例如能够具有泵、流量调节阀等。0042移动部5D具有保持部5D1、轴部5D2、支持部5D3以及驱动部5D4。0043保持部5D1设置在轴部5D2上，并沿着轴部5D2移动。另外，保持部5D1使吐出口5A1侧朝向载放部2A地保持喷嘴5A。0044轴部5D2被设置为横跨载放面2A1的上方。0045支持部5D3分别设置在轴部5D2的两端。支持部5D3能够设置在罩4的上面4E等上。0046驱动部5D4与轴部。
16、5D2的一个端部连接。0047移动部5D使保持部5D1所保持的喷嘴5A的位置变化。0048例如，能够使保持部5D1为螺母，使轴部5D2为滚珠丝杠，使驱动部5D4为伺服马达等控制马达。0049第一流动性控制部6进行控制，以使由所涂布的处理液110形成的膜120的处于基板100的外周端附近的区域的流动性提高。0050第二流动性控制部7进行控制，以使由所涂布的处理液110形成的膜120的流动性降低。0051此外，与第一流动性控制部6以及第二流动性控制部7相关的详细内容将后述。0052控制部8对成膜装置1中所设置的各要素的动作进行控制。0053控制部8例如进行如下的控制基于载放部2A的基板100的保持。
17、控制；基于驱动部3的保持部2的转速控制基板100的转速控制；基于供给部5C的处理液110的供给控制；基于驱动部5D4的喷嘴5A的位置控制；基于供给部6C的溶剂的供给控制；基于干燥单元7A的溶剂的蒸发控制；以及基于驱动部5D4的干燥单元7A的位置控制等。0054在此，对于比较例的由处理液110形成的膜120的状态进行例示。0055图4和图5是用于例示比较例的膜120的状态的模式图。0056在基板100的表面上形成膜120时，首先，如在图3中例示的那样，在使喷嘴5A从基板100的中心侧朝向外周端侧移动的同时，从喷嘴5A向旋转的基板100的表面供给处理液110。0057于是，在基板100的表面上螺旋。
18、状地涂布处理液110。0058接下来，使基板100以比涂布处理液110时的转速快的转速旋转。0059如此，基板100的表面上螺旋状地涂布的处理液110朝向基板100的外侧扩展，能够形成由处理液110形成的膜厚均匀的膜120。0060然而，当使基板100以比涂布处理液110时的转速快的转速旋转时，如图4所示，处于基板100的表面的处理液110的一部分飞散，处理液110的利用效率变差。0061在该情况下，在处理液110的涂布后，即使维持涂布处理液110时的基板100的转速，也能够形成膜120。0062如此，能够减少飞散的处理液110的数量，因此能够提高处理液110的利用效率。0063然而，由于完全。
19、硬化前的膜120具有流动性，因此通过基板100的旋转，处理液100容易集中在基板100的外周端附近。0064因此，如图5所示，在基板100的外周端附近的上方，容易形成膜120的隆起部分说明书CN104209239A4/7页7120A。0065即，在处理液110的涂布后，如果还维持涂布处理液110时的基板100的转速，则能够提高处理液110的利用效率，但难以实现膜120的膜厚均匀化。0066在该情况下，膜120的流动性越高，则越容易形成隆起部分120A，因此更难以实现膜120的膜厚均匀化。0067例如，在处理液110为光致抗蚀剂液等的情况下，膜120的流动性变高，因此非常难以实现膜120的膜厚均。
20、匀化。0068因此，在本实施方式的成膜装置1中，通过适宜地转换基板100的转速，来实现处理液110的利用效率提高以及膜120的膜厚均匀化。0069例如，控制部8使保持部2以比涂布处理液110时的第一转速慢的第二转速旋转，而由所涂布的处理液110形成膜120。0070如此，通过基板100的旋转，能够使集中在基板100的外周端附近的处理液100的一部分向基板100的中心侧移动。即，通过使集中在基板100的外周端附近的处理液110的一部分向基板100的中心侧移动，由此能够抑制在图5中例示的隆起部分120A的形成。0071另外，通过使转速比涂布处理液110时的基板100的第一转速降低，能够使飞散的处理。
21、液100的量进一步减少。0072因此，能够实现处理液110的利用效率提高以及膜120的膜厚均匀化。0073此外，在供给处理液110时，存在使基板100的转速变化的情况。0074例如，存在如下情况随着喷嘴5A的位置从基板100的中心侧朝向基板100的外周端侧而提高基板100的转速，或者与此相反，随着喷嘴5A的位置从基板100的外周端侧朝向基板100的中心侧而降低基板100的转速。0075在这种情况下，使基板100以比供给处理液110时的最高转速慢的第二转速旋转即可。0076另外，控制部8还能够在使保持部2以第二转速旋转之后，使保持部2以比第二转速快的第三转速旋转。0077如此，能够使集中在基板1。
22、00的外周端附近的处理液110的一部分向基板100的中心侧移动，然后，使移动到基板100的中心侧的处理液110的一部分向基板100的外周端侧移动。0078因此，能够使处理液110移动而均匀，所以能够进一步实现膜120的膜厚均匀化。0079另外，第三转速与第一转速可以相同、也可以不同。0080另外，控制部8还能够在使保持部2以第二转速旋转之后，依次转换到比第二转速快的第三转速、比第三转速慢的第四转速而使保持部2旋转。0081如此，能够使处理液110的一部分在基板100的外周端侧与基板100的中心侧之间反复移动。0082因此，能够进一步实现膜120的膜厚均匀化。0083另外，第四转速与第二转速可以。
23、相同、也可以不同。0084另外，在第三转速和第四转速的转换进行多次的情况下，每次转换时的第三转速可以分别相同、也可以分别不同。另外，每次转换时的第四转速可以分别相同、也可以分别不同。说明书CN104209239A5/7页80085此处，处理液110的移动状态会受到处理液110的粘度、处理液110的硬化性、处理液110的量、基板100的大小、温度等环境条件等的影响。0086然而，基板100的转速、转速的维持时间、转速的转换次数等的适当值能够预先通过进行实验、模拟来求取。0087接下来，对第一流动性控制部6进行进一步说明。0088如图1或图2所示，第一流动性控制部6具备喷嘴6A、收容部6B、供给部。
24、6C以及保持部6D。0089在喷嘴6A的一端设置有吐出口6A1，在另一端设置有供给口6A2。喷嘴6A使由供给部6C供给的溶剂成为雾状而进行喷雾。0090收容部6B收容溶剂。溶剂例如能够与处理液110所含的溶剂相同。在处理液110为光致抗蚀剂液的情况下，溶剂例如能够为酮系溶剂、乙醇系溶剂等。0091供给部6C经由喷嘴6A将收容部6B所收容的溶剂向膜120的处于基板100的外周端附近的区域供给。供给部6C例如能够向收容部6B供给氮气等。通过由供给部6C向收容部6B供给氮气等，由此收容部6B所收容的溶剂被向喷嘴6A压送。保持部6D使吐出口6A1侧朝向载放部2A地将喷嘴6A保持在基板100的外周端附近。
25、的上方。保持部6D设置在罩4的上面4E上。0092第一流动性控制部6向膜120的处于基板100的外周端附近的区域供给溶剂。0093如果向膜120的处于基板100的外周端附近的区域供给溶剂，则能够提高该区域的膜120的流动性。0094因此，能够抑制在图5中例示的隆起部分120A的形成，因此能够实现膜120的膜厚均匀化。0095接下来，对第二流动性控制部7进行进一步说明。0096如图1或图2所示，第二流动性控制部7具有干燥单元7A和保持部7B。0097干燥单元7A使膜120所含的溶剂蒸发而降低膜120的流动性。干燥单元7A例如能够是红外线加热器、热风加热器等。在该情况下，当对膜120施加外力时，膜。
26、厚的均匀性有可能变差。因此，干燥单元7A优选为红外线加热器等那样的不对膜120施加外力的构成。0098保持部7B设置在轴部5D2上，并沿着轴部5D2移动。另外，保持部7B将干燥单元7A保持在载放部2A的上方。0099保持部7B通过轴部5D2、支持部5D3以及驱动部5D4而沿着轴部5D2移动。0100处理液供给部5和第二流动性控制部7的使用时期不同，因此处理液供给部5和第二流动性控制部7能够共用轴部5D2、支持部5D3以及驱动部5D4。另外，也可以对处理液供给部5和第二流动性控制部7分别设置轴部5D2、支持部5D3以及驱动部5D4。但是，如果共用轴部5D2、支持部5D3以及驱动部5D4，则能够实。
27、现机构的简化、省空间化。0101此处，基板100的表面上所形成的膜120有时未完全硬化。因此，在后工序中，有时通过烘烤炉等使膜120干燥而使其完全硬化。0102在该情况下，当膜120的流动性保持比较高的状态时，在从成膜装置1向烘烤炉等搬送基板100时，膜120有可能变形而膜厚均匀性变差。0103因此，在本实施方式的成膜装置1中，设置第二流动性控制部7，能够降低膜120的流动性。说明书CN104209239A6/7页90104而且，通过降低膜120的流动性，能够抑制膜120变形而膜厚均匀性变差。0105而且，干燥单元7A在载放面2A1基板100的上方向规定方向移动。因此，通过基板100的旋转以及。
28、干燥单元7A的移动，能够降低基板100的表面上所形成的膜120的特定区域的流动性，或者降低膜120的全部区域的流动性。0106接下来，例示成膜装置1的作用以及本实施方式的成膜方法。0107图6是用于例示成膜装置1的作用以及成膜方法的流程图。0108如图6所示，首先，通过未图示的搬送装置等将基板100载放到载放部2A的载放面2A1上步骤S1。0109接下来，通过使用了未图示的真空泵等的吸附等，对载放面2A1上所载放的基板100进行保持步骤S2。0110接下来，向旋转的基板100的表面上供给处理液110步骤S3。0111首先，控制部8控制驱动部3，而使保持部2以第一转速旋转。0112然后，在使喷嘴。
29、5A从基板100的中心侧朝向外周端侧移动的同时，从喷嘴5A向旋转的基板100的表面供给处理液110。0113于是，如图3所示，在基板100的表面上螺旋状地涂布处理液110。0114然后，使基板100以比涂布处理液110时的基板100的转速慢的转速旋转步骤S4。0115即，控制部8控制驱动部3，而使保持部2以比涂布处理液110时的第一转速慢的第二转速旋转。0116通过使保持有基板100的保持部2旋转，能够由螺旋状地涂布的处理液110形成膜120。0117另外，通过使保持部2以比涂布处理液110时的第一转速慢的第二转速旋转，能够使集中在基板100的外周端附近的处理液110的一部分向基板100的中心。
30、侧移动。因此，能够抑制在图5中例示的隆起部分120A的形成。0118另外，通过使保持部2以比涂布处理液110时的第一转速慢的第二转速旋转，能够减少飞散的处理液110的量。0119因此，能够实现处理液110的利用效率提高以及膜120的膜厚均匀化。0120另外，如上所述，控制部8还能够在使保持部2以第二转速旋转之后，使保持部2以比第二转速快的第三转速旋转。0121另外，控制部8还能够在使保持部2以第二转速旋转之后，依次转换到比第二转速快的第三转速以及比第三转速慢的第四转速而使保持部2旋转。0122并且，能够根据需要进行以下的处理。0123例如，能够进行控制，以使膜120的处于基板100的外周端附近。
31、的区域的流动性提高。0124例如，从喷嘴6A朝向膜120的处于基板100的外周端附近的区域喷雾雾状的溶剂。通过所喷雾的溶剂，膜120的该区域的流动性提高。因此，膜120难以形成隆起部分120A。0125另外，例如，在膜厚的均匀化结束之后，还能够以膜120的流动性变低的方式进行控制。说明书CN104209239A7/7页100126在该情况下，首先，通过驱动部3使基板100保持部2以规定速度旋转。0127接着，使干燥单元7A工作，并且通过移动部5D使干燥单元7A的位置移动。例如，能够使干燥单元7A的位置从基板100的中心侧朝向外周端侧移动，或使干燥单元7A的位置从基板100的外周端侧朝向中心侧移。
32、动，或以在基板100的中心侧和外周端侧之间往复的方式使干燥单元7A的位置移动。0128通过干燥单元7A能够使膜120所含的溶剂蒸发，所以能够降低膜120的流动性。另外，通过使基板100旋转并且使干燥单元7A的位置移动，能够降低膜120的全部区域或膜120的特定区域的膜120的流动性。0129在该情况下，膜120的流动性能够成为如下程度在对基板100进行搬送等时，能够防止膜120变形而膜厚均匀性变差的程度。0130通过干燥单元7A的工作条件例如温度、移动速度等、基板100的转速等，能够控制膜120的流动性。0131此处，干燥单元7A的工作条件、基板100的转速等，会受到溶剂的种类、所要求的膜12。
33、0的流动性等的影响。0132然而，干燥单元7A的工作条件、基板100的转速等的适当值，能够预先通过进行实验、模拟来求取。0133接着，通过未图示的搬送装置等，将形成有膜120的基板100从成膜装置1中取出。0134而且，所取出的基板100能够通过烘烤炉等进一步干燥。0135在该情况下，在膜厚均匀化结束之后，只要预先以膜120的流动性变低的方式进行控制，则在从成膜装置1向烘烤炉等搬送基板100时，能够抑制膜120变形而膜厚均匀性变差。0136接下来，例示使用了本实施方式的成膜装置1或成膜方法的电子设备的制造方法。0137作为电子设备的制造方法，例如能够例示半导体装置的制造方法。此处，在半导体装置。
34、的制造工序中，存在所谓的前工序中的通过成膜、抗蚀剂涂布、曝光、显影、蚀刻、抗蚀剂除去等在基板晶片表面上形成图案的工序、检查工序、清洗工序、热处理工序、杂质导入工序、扩散工序、平坦化工序等。另外，在所谓的后工序中，存在切片DICING、安装、焊接、密封等装配工序、进行功能、可靠性检查的检查工序等。0138本实施方式的成膜装置1或成膜方法例如能够在抗蚀剂涂布工序等中使用。0139虽然说明了本发明的几个实施方式，但这些实施方式是作为例子而提示的，并不意图限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其它各种方式实施，在不脱离发明的主旨的范围内能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式、其变形包含于发明的范围、主旨，并包含于专利请求的范围所记载的发明和与其等同的范围。说明书CN104209239A101/4页11图1说明书附图CN104209239A112/4页12图2说明书附图CN104209239A123/4页13图3图4说明书附图CN104209239A134/4页14图5图6说明书附图CN104209239A14。