一种晶体生长的温度梯度控制装置及其方法.pdf

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摘要
申请专利号:

CN201110443454.2

申请日:

2011.12.18

公开号:

CN103160913A

公开日:

2013.06.19

当前法律状态:

撤回

有效性:

无权

法律详情:

发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):C30B 15/20申请公布日:20130619|||实质审查的生效IPC(主分类):C30B 15/20申请日:20111218|||公开

IPC分类号:

C30B15/20

主分类号:

C30B15/20

申请人:

洛阳金诺机械工程有限公司

发明人:

刘朝轩; 王晨光

地址:

471009 河南省洛阳市国家高新技术开发区金鑫路2号

优先权:

专利代理机构:

代理人:

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内容摘要

一种晶体生长的温度梯度控制装置及其方法,涉及一种晶体生长温度控制装置,筒形结构的加热套(4)外部面由上至下为相同直径,加热套(4)的内面(1)为上部直径大于下部直径的上扩口结构,所述筒形加热套(4)的筒壁上部壁厚为下部壁厚的二分之一至四分之三之间形成对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度;本发明通过将加热套的上部厚度小于下部厚度;或利用上开口上部拓宽;或将加热套的上部只作为喇叭状形成上部温度低于下部温度;本发明实现了对坩埚内的晶体材料由下至上融化。

权利要求书

权利要求书一种晶体生长的温度梯度控制装置,包括加热套(4)本体,在加热套(4)下部两侧分别设有连接腿(5),由两个连接腿(5)分别连通正极和负极,所述加热套(4)呈筒形结构,在筒形结构加热套(4)的上部面(8)至下部均匀设有复数个上开口(3),在筒形结构加热套(4)的底部面(7)至上部均匀设有复数个下开口(2),形成上开口(3)位置对应两两下开口(2)之间,下开口(2)位置对应两两上开口(3)之间,其特征是:筒形结构的加热套(4)外部面由上至下为相同直径,加热套(4)的内面(1)为上部直径大于下部直径的上扩口结构,所述筒形加热套(4)的筒壁上部壁厚为下部壁厚的二分之一至四分之三之间形成对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度。
根据权利要求1所述的晶体生长的温度梯度控制装置,其特征是:所述对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度的另一替换结构,所述加热套(4)呈筒形结构,在筒形结构加热套(4)的上部面至下部均匀设有复数个“V”形上开口(3),在筒形结构加热套(4)的底部面(7)至上部均匀设有复数个下开口(2),形成“V”形上开口(3)位置对应两两下开口(2)之间,下开口(2)位置对应两两“V”形上开口(3)之间。
根据权利要求1所述的晶体生长的温度梯度控制装置,其特征是:所述筒形结构的加热套(4)外缘面由上至下为上部直径大于下部直径的喇叭状结构。
根据权利要求1所述的晶体生长的温度梯度控制装置,其特征是:所述对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度的第三替换结构,所述加热套(4)呈筒形结构,在筒形结构加热套(4)的上部面至下部均匀设有复数个上开口(3),在筒形结构加热套(4)的底部面(7)至上部均匀设有复数个下开口(2),形成上开口(3)位置对应两两下开口(2)之间,下开口(2)位置对应两两上开口(3)之间,所述筒形结构的加热套(4)外缘面由上至下为上部直径大于下部直径的喇叭状结构。
实施权利要求1~4任一权利要求所述的晶体生长的温度梯度控制装置的一种晶体生长的温度梯度控制方法,其特征是:将筒形结构加热套(4)下部两侧连接腿(5)的连接电极孔(6)分别连通电源正极和负极,在筒形结构加热套(4)的上部面(8)至下部均匀设有复数个上开口(3),在筒形结构加热套(4)的底部面(7)至上部均匀设有复数个下开口(2),所述上开口(3)位置对应两两下开口(2)之间,筒形结构的加热套(4)外部面由上至下为相同直径,加热套(4)的内面(1)为上部直径大于下部直径的上扩口结构,获取对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度;
或所述加热套(4)呈筒形结构,在筒形结构加热套(4)的上部面至下部均匀设有复数个“V”形上开口(3),在筒形结构加热套(4)的底部面(7)至上部均匀设有复数个下开口(2),形成“V”形上开口(3)位置对应两两下开口(2)之间,下开口(2)位置对应两两“V”形上开口(3)之间,获取对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度。
或所述筒形结构的加热套(4)外缘面由上至下为上部直径大于下部直径的喇叭状结构,获取对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度。
或所述加热套(4)呈筒形结构,在筒形结构加热套(4)的上部面至下部均匀设有复数个上开口(3),在筒形结构加热套(4)的底部面(7)至上部均匀设有复数个下开口(2),形成上开口(3)位置对应两两下开口(2)之间,所述筒形结构的加热套(4)外缘面由上至下为上部直径大于下部直径的喇叭状结构,获取对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度。
根据权利要求5所述的晶体生长的温度梯度控制方法,其特征是:所述加热套(4)为石墨材质。

说明书

说明书一种晶体生长的温度梯度控制装置及其方法
【技术领域】
本发明涉及一种晶体生长温度控制装置,具体地说本发明涉及一种晶体生长的温度梯度控制装置及其方法。
【背景技术】
已知的,在利用坩埚加热晶体材料时,加热套通常为圆形结构,在加热套的上部面开有多个间隔且等距至套体下部的开口,在加热套的下部面对应加热套上部面的两两开口之间位置开有多个间隔且等距至套体上部的开口,使所述加热套通过上部面开口和下部面开口形成条状迂回结构,在加热套的两侧或下部相对位置设置电极连接点;在实际对坩埚加热时,往往需要上部温度低于下部温度,以便使坩埚内的晶体材料由下至上融化,待到坩埚内的晶体材料全部溶化后且底部设置的引晶便可由底部开始逐渐结晶,形成所需按照顺序排列的晶体块,。
【发明内容】
为了克服背景技术中的不足,本发明公开了一种晶体生长的温度梯度控制装置及其方法,本发明通过将加热套的上部厚度小于下部厚度;或利用上开口上部拓宽;或将加热套的上部只作为喇叭状形成上部温度低于下部温度;本发明实现了对坩埚内的晶体材料由下至上融化。
为了实现上述发明的目的,本发明采用如下技术方案:
一种晶体生长的温度梯度控制装置,包括加热套本体,在加热套下部两侧分别设有连接腿,由两个连接腿分别连通正极和负极,所述加热套呈筒形结构,在筒形结构加热套的上部面至下部均匀设有复数个上开口,在筒形结构加热套的底部面至上部均匀设有复数个下开口,形成上开口位置对应两两下开口之间,下开口位置对应两两上开口之间;筒形结构的加热套外部面由上至下为相同直径,加热套的内面为上部直径大于下部直径的上扩口结构,所述筒形加热套的筒壁上部壁厚为下部壁厚的二分之一至四分之三之间形成对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度。
所述的晶体生长的温度梯度控制装置,所述对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度的另一替换结构,所述加热套呈筒形结构,在筒形结构加热套的上部面至下部均匀设有复数个“V”形上开口,在筒形结构加热套的底部面至上部均匀设有复数个下开口,形成“V”形上开口位置对应两两下开口之间,下开口位置对应两两“V”形上开口之间。
所述的晶体生长的温度梯度控制装置,所述筒形结构的加热套外缘面由上至下为上部直径大于下部直径的喇叭状结构。
所述的晶体生长的温度梯度控制装置,所述对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度的第三替换结构,所述加热套呈筒形结构,在筒形结构加热套的上部面至下部均匀设有复数个上开口,在筒形结构加热套的底部面至上部均匀设有复数个下开口,形成上开口位置对应两两下开口之间,下开口位置对应两两上开口之间,所述筒形结构的加热套外缘面由上至下为上部直径大于下部直径的喇叭状结构。
一种晶体生长的温度梯度控制方法,将筒形结构加热套下部两侧连接腿的连接电极孔分别连通电源正极和负极,在筒形结构加热套的上部面至下部均匀设有复数个上开口,在筒形结构加热套的底部面至上部均匀设有复数个下开口,所述上开口位置对应两两下开口之间,筒形结构的加热套外部面由上至下为相同直径,加热套的内面为上部直径大于下部直径的上扩口结构,获取对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度;
或所述加热套呈筒形结构,在筒形结构加热套的上部面至下部均匀设有复数个“V”形上开口,在筒形结构加热套的底部面至上部均匀设有复数个下开口,形成“V”形上开口位置对应两两下开口之间,下开口位置对应两两“V”形上开口之间,获取对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度。
或所述筒形结构的加热套外缘面由上至下为上部直径大于下部直径的喇叭状结构,获取对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度。
或所述加热套呈筒形结构,在筒形结构加热套的上部面至下部均匀设有复数个上开口,在筒形结构加热套的底部面至上部均匀设有复数个下开口,形成上开口位置对应两两下开口之间,所述筒形结构的加热套外缘面由上至下为上部直径大于下部直径的喇叭状结构,获取对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度。
所述的晶体生长的温度梯度控制方法,所述加热套为石墨材质。
通过上述公开内容,本发明的有益效果是:
本发明所述的晶体生长的温度梯度控制装置及其方法,通过将加热套的上部厚度小于下部厚度形成上部温度低于下部温度的温差;或利用上开口上部拓宽形成上部温度低于下部温度的温差;或将加热套的上部只作为喇叭状形成上部温度低于下部温度;本发明实现了对坩埚内的晶体材料由下至上融化。
【附图说明】
图1是本发明的立体结构示意图;
图2是本发明的结构示意图;
图3是本发明另一实施例立体结构示意图;
图4是本发明的第三实施例立体结构示意图;
图5是本发明的第四实施例立体结构示意图;
在图中:1、内面;2、下开口;3、上开口;4、加热套;5、连接腿;6、连接电极孔;7、底部面;8、上部面。
【具体实施方式】
下面结合实施例对本发明进行进一步的说明;下面的实施例并不是对于本发明的限定,仅作为支持实现本发明的方式,在本发明所公开的技术框架内的任意等同结构替换,均为本发明的保护范围;
结合附图1~5中所述的晶体生长的温度梯度控制装置,附图1或2中包括加热套4本体,在加热套4下部两侧分别设有连接腿5,由两个连接腿5分别连通正极和负极,所述加热套4呈筒形结构,在筒形结构加热套4的上部面8至下部均匀设有复数个上开口3,在筒形结构加热套4的底部面7至上部均匀设有复数个下开口2,形成上开口3位置对应两两下开口2之间,下开口2位置对应两两上开口3之间;筒形结构的加热套4外部面由上至下为相同直径,加热套4的内面1为上部直径大于下部直径的上扩口结构,所述筒形加热套4的筒壁上部壁厚为下部壁厚的二分之一至四分之三之间形成对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度。
所述的晶体生长的温度梯度控制装置,结合附图3中所述对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度的另一替换结构,所述加热套4呈筒形结构,在筒形结构加热套4的上部面至下部均匀设有复数个“V”形上开口3,在筒形结构加热套4的底部面7至上部均匀设有复数个下开口2,形成“V”形上开口3位置对应两两下开口2之间,下开口2位置对应两两“V”形上开口3之间。
所述的晶体生长的温度梯度控制装置,结合附图4中所述筒形结构的加热套4外缘面由上至下为上部直径大于下部直径的喇叭状结构。
所述的晶体生长的温度梯度控制装置,结合附图5中所述对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度的第三替换结构,所述加热套4呈筒形结构,在筒形结构加热套4的上部面至下部均匀设有复数个上开口3,在筒形结构加热套4的底部面7至上部均匀设有复数个下开口2,形成上开口3位置对应两两下开口2之间,下开口2位置对应两两上开口3之间,所述筒形结构的加热套4外缘面由上至下为上部直径大于下部直径的喇叭状结构。
一种晶体生长的温度梯度控制方法,将筒形结构加热套4下部两侧连接腿5的连接电极孔6分别连通电源正极和负极,在筒形结构加热套4的上部面8至下部均匀设有复数个上开口3,在筒形结构加热套4的底部面7至上部均匀设有复数个下开口2,所述上开口3位置对应两两下开口2之间,筒形结构的加热套4外部面由上至下为相同直径,加热套4的内面1为上部直径大于下部直径的上扩口结构,获取对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度;
或所述加热套4呈筒形结构,在筒形结构加热套4的上部面至下部均匀设有复数个“V”形上开口3,在筒形结构加热套4的底部面7至上部均匀设有复数个下开口2,形成“V”形上开口3位置对应两两下开口2之间,下开口2位置对应两两“V”形上开口3之间,获取对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度。
或所述筒形结构的加热套4外缘面由上至下为上部直径大于下部直径的喇叭状结构,获取对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度。
或所述加热套4呈筒形结构,在筒形结构加热套4的上部面至下部均匀设有复数个上开口3,在筒形结构加热套4的底部面7至上部均匀设有复数个下开口2,形成上开口3位置对应两两下开口2之间,所述筒形结构的加热套4外缘面由上至下为上部直径大于下部直径的喇叭状结构,获取对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度;所述加热套4为石墨材质。
本发明适用于晶体材料的多晶硅、单晶硅和蓝宝石的拉制使用。
本发明未详述部分为现有技术。
为了公开本发明的目的而在本文中选用的实施例,当前认为是适宜的,但是,应了解的是,本发明旨在包括一切属于本构思和发明范围内的实施例的所有变化和改进。

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1、(10)申请公布号 CN 103160913 A (43)申请公布日 2013.06.19 CN 103160913 A *CN103160913A* (21)申请号 201110443454.2 (22)申请日 2011.12.18 C30B 15/20(2006.01) (71)申请人 洛阳金诺机械工程有限公司 地址 471009 河南省洛阳市国家高新技术开 发区金鑫路 2 号 (72)发明人 刘朝轩 王晨光 (54) 发明名称 一种晶体生长的温度梯度控制装置及其方法 (57) 摘要 一种晶体生长的温度梯度控制装置及其方 法, 涉及一种晶体生长温度控制装置, 筒形结构的 加热套 (4) 外。

2、部面由上至下为相同直径, 加热套 (4) 的内面 (1) 为上部直径大于下部直径的上扩 口结构, 所述筒形加热套 (4) 的筒壁上部壁厚为 下部壁厚的二分之一至四分之三之间形成对坩埚 的晶体生长加热上部温度低于下部温度 ; 本发明 通过将加热套的上部厚度小于下部厚度 ; 或利用 上开口上部拓宽 ; 或将加热套的上部只作为喇叭 状形成上部温度低于下部温度 ; 本发明实现了对 坩埚内的晶体材料由下至上融化。 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 3 页 附图 2 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 说明书3页 附图2页 (10)申请公布号 。

3、CN 103160913 A CN 103160913 A *CN103160913A* 1/2 页 2 1. 一种晶体生长的温度梯度控制装置, 包括加热套 (4) 本体, 在加热套 (4) 下部两侧 分别设有连接腿(5), 由两个连接腿(5)分别连通正极和负极, 所述加热套(4)呈筒形结构, 在筒形结构加热套 (4) 的上部面 (8) 至下部均匀设有复数个上开口 (3), 在筒形结构加热 套(4)的底部面(7)至上部均匀设有复数个下开口(2), 形成上开口(3)位置对应两两下开 口 (2) 之间, 下开口 (2) 位置对应两两上开口 (3) 之间, 其特征是 : 筒形结构的加热套 (4) 外。

4、部面由上至下为相同直径, 加热套 (4) 的内面 (1) 为上部直径大于下部直径的上扩口结 构, 所述筒形加热套 (4) 的筒壁上部壁厚为下部壁厚的二分之一至四分之三之间形成对坩 埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度。 2. 根据权利要求 1 所述的晶体生长的温度梯度控制装置, 其特征是 : 所述对坩埚的晶 体生长加热上部温度低于下部温度的另一替换结构, 所述加热套 (4) 呈筒形结构, 在筒形 结构加热套 (4) 的上部面至下部均匀设有复数个 “V” 形上开口 (3), 在筒形结构加热套 (4) 的底部面 (7) 至上部均匀设有复数个下开口 (2), 形成 “V” 形上开口 (3) 位置对应。

5、两两下开 口 (2) 之间, 下开口 (2) 位置对应两两 “V” 形上开口 (3) 之间。 3. 根据权利要求 1 所述的晶体生长的温度梯度控制装置, 其特征是 : 所述筒形结构的 加热套 (4) 外缘面由上至下为上部直径大于下部直径的喇叭状结构。 4. 根据权利要求 1 所述的晶体生长的温度梯度控制装置, 其特征是 : 所述对坩埚的晶 体生长加热上部温度低于下部温度的第三替换结构, 所述加热套 (4) 呈筒形结构, 在筒形 结构加热套(4)的上部面至下部均匀设有复数个上开口(3), 在筒形结构加热套(4)的底部 面 (7) 至上部均匀设有复数个下开口 (2), 形成上开口 (3) 位置对应。

6、两两下开口 (2) 之间, 下开口 (2) 位置对应两两上开口 (3) 之间, 所述筒形结构的加热套 (4) 外缘面由上至下为 上部直径大于下部直径的喇叭状结构。 5. 实施权利要求 1 4 任一权利要求所述的晶体生长的温度梯度控制装置的一种晶 体生长的温度梯度控制方法, 其特征是 : 将筒形结构加热套(4)下部两侧连接腿(5)的连接 电极孔 (6) 分别连通电源正极和负极, 在筒形结构加热套 (4) 的上部面 (8) 至下部均匀设 有复数个上开口 (3), 在筒形结构加热套 (4) 的底部面 (7) 至上部均匀设有复数个下开口 (2), 所述上开口 (3) 位置对应两两下开口 (2) 之间,。

7、 筒形结构的加热套 (4) 外部面由上至 下为相同直径, 加热套(4)的内面(1)为上部直径大于下部直径的上扩口结构, 获取对坩埚 的晶体生长加热上部温度低于下部温度 ; 或所述加热套 (4) 呈筒形结构, 在筒形结构加热套 (4) 的上部面至下部均匀设有复数 个 “V” 形上开口 (3), 在筒形结构加热套 (4) 的底部面 (7) 至上部均匀设有复数个下开口 (2), 形成 “V” 形上开口 (3) 位置对应两两下开口 (2) 之间, 下开口 (2) 位置对应两两 “V” 形上开口 (3) 之间, 获取对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度。 或所述筒形结构的加热套 (4) 外缘面由上至。

8、下为上部直径大于下部直径的喇叭状结 构, 获取对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度。 或所述加热套 (4) 呈筒形结构, 在筒形结构加热套 (4) 的上部面至下部均匀设有复数 个上开口 (3), 在筒形结构加热套 (4) 的底部面 (7) 至上部均匀设有复数个下开口 (2), 形 成上开口 (3) 位置对应两两下开口 (2) 之间, 所述筒形结构的加热套 (4) 外缘面由上至下 为上部直径大于下部直径的喇叭状结构, 获取对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温 度。 权 利 要 求 书 CN 103160913 A 2 2/2 页 3 6. 根据权利要求 5 所述的晶体生长的温度梯度控制方法。

9、, 其特征是 : 所述加热套 (4) 为石墨材质。 权 利 要 求 书 CN 103160913 A 3 1/3 页 4 一种晶体生长的温度梯度控制装置及其方法 【技术领域】 0001 本发明涉及一种晶体生长温度控制装置, 具体地说本发明涉及一种晶体生长的温 度梯度控制装置及其方法。 【背景技术】 0002 已知的, 在利用坩埚加热晶体材料时, 加热套通常为圆形结构, 在加热套的上部面 开有多个间隔且等距至套体下部的开口, 在加热套的下部面对应加热套上部面的两两开口 之间位置开有多个间隔且等距至套体上部的开口, 使所述加热套通过上部面开口和下部面 开口形成条状迂回结构, 在加热套的两侧或下部相。

10、对位置设置电极连接点 ; 在实际对坩埚 加热时, 往往需要上部温度低于下部温度, 以便使坩埚内的晶体材料由下至上融化, 待到坩 埚内的晶体材料全部溶化后且底部设置的引晶便可由底部开始逐渐结晶, 形成所需按照顺 序排列的晶体块, 。 【发明内容】 0003 为了克服背景技术中的不足, 本发明公开了一种晶体生长的温度梯度控制装置及 其方法, 本发明通过将加热套的上部厚度小于下部厚度 ; 或利用上开口上部拓宽 ; 或将加 热套的上部只作为喇叭状形成上部温度低于下部温度 ; 本发明实现了对坩埚内的晶体材料 由下至上融化。 0004 为了实现上述发明的目的, 本发明采用如下技术方案 : 0005 一种晶。

11、体生长的温度梯度控制装置, 包括加热套本体, 在加热套下部两侧分别设 有连接腿, 由两个连接腿分别连通正极和负极, 所述加热套呈筒形结构, 在筒形结构加热套 的上部面至下部均匀设有复数个上开口, 在筒形结构加热套的底部面至上部均匀设有复数 个下开口, 形成上开口位置对应两两下开口之间, 下开口位置对应两两上开口之间 ; 筒形结 构的加热套外部面由上至下为相同直径, 加热套的内面为上部直径大于下部直径的上扩口 结构, 所述筒形加热套的筒壁上部壁厚为下部壁厚的二分之一至四分之三之间形成对坩埚 的晶体生长加热上部温度低于下部温度。 0006 所述的晶体生长的温度梯度控制装置, 所述对坩埚的晶体生长加。

12、热上部温度低于 下部温度的另一替换结构, 所述加热套呈筒形结构, 在筒形结构加热套的上部面至下部均 匀设有复数个 “V” 形上开口, 在筒形结构加热套的底部面至上部均匀设有复数个下开口, 形 成 “V” 形上开口位置对应两两下开口之间, 下开口位置对应两两 “V” 形上开口之间。 0007 所述的晶体生长的温度梯度控制装置, 所述筒形结构的加热套外缘面由上至下为 上部直径大于下部直径的喇叭状结构。 0008 所述的晶体生长的温度梯度控制装置, 所述对坩埚的晶体生长加热上部温度低于 下部温度的第三替换结构, 所述加热套呈筒形结构, 在筒形结构加热套的上部面至下部均 匀设有复数个上开口, 在筒形结。

13、构加热套的底部面至上部均匀设有复数个下开口, 形成上 开口位置对应两两下开口之间, 下开口位置对应两两上开口之间, 所述筒形结构的加热套 说 明 书 CN 103160913 A 4 2/3 页 5 外缘面由上至下为上部直径大于下部直径的喇叭状结构。 0009 一种晶体生长的温度梯度控制方法, 将筒形结构加热套下部两侧连接腿的连接电 极孔分别连通电源正极和负极, 在筒形结构加热套的上部面至下部均匀设有复数个上开 口, 在筒形结构加热套的底部面至上部均匀设有复数个下开口, 所述上开口位置对应两两 下开口之间, 筒形结构的加热套外部面由上至下为相同直径, 加热套的内面为上部直径大 于下部直径的上扩。

14、口结构, 获取对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度 ; 0010 或所述加热套呈筒形结构, 在筒形结构加热套的上部面至下部均匀设有复数个 “V” 形上开口, 在筒形结构加热套的底部面至上部均匀设有复数个下开口, 形成 “V” 形上开 口位置对应两两下开口之间, 下开口位置对应两两 “V” 形上开口之间, 获取对坩埚的晶体生 长加热上部温度低于下部温度。 0011 或所述筒形结构的加热套外缘面由上至下为上部直径大于下部直径的喇叭状结 构, 获取对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度。 0012 或所述加热套呈筒形结构, 在筒形结构加热套的上部面至下部均匀设有复数个上 开口, 在筒形结构加热。

15、套的底部面至上部均匀设有复数个下开口, 形成上开口位置对应两 两下开口之间, 所述筒形结构的加热套外缘面由上至下为上部直径大于下部直径的喇叭状 结构, 获取对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度。 0013 所述的晶体生长的温度梯度控制方法, 所述加热套为石墨材质。 0014 通过上述公开内容, 本发明的有益效果是 : 0015 本发明所述的晶体生长的温度梯度控制装置及其方法, 通过将加热套的上部厚度 小于下部厚度形成上部温度低于下部温度的温差 ; 或利用上开口上部拓宽形成上部温度低 于下部温度的温差 ; 或将加热套的上部只作为喇叭状形成上部温度低于下部温度 ; 本发明 实现了对坩埚内的晶体。

16、材料由下至上融化。 【附图说明】 0016 图 1 是本发明的立体结构示意图 ; 0017 图 2 是本发明的结构示意图 ; 0018 图 3 是本发明另一实施例立体结构示意图 ; 0019 图 4 是本发明的第三实施例立体结构示意图 ; 0020 图 5 是本发明的第四实施例立体结构示意图 ; 0021 在图中 : 1、 内面 ; 2、 下开口 ; 3、 上开口 ; 4、 加热套 ; 5、 连接腿 ; 6、 连接电极孔 ; 7、 底 部面 ; 8、 上部面。 【具体实施方式】 0022 下面结合实施例对本发明进行进一步的说明 ; 下面的实施例并不是对于本发明的 限定, 仅作为支持实现本发明的。

17、方式, 在本发明所公开的技术框架内的任意等同结构替换, 均为本发明的保护范围 ; 0023 结合附图 1 5 中所述的晶体生长的温度梯度控制装置, 附图 1 或 2 中包括加热 套4本体, 在加热套4下部两侧分别设有连接腿5, 由两个连接腿5分别连通正极和负极, 所 述加热套 4 呈筒形结构, 在筒形结构加热套 4 的上部面 8 至下部均匀设有复数个上开口 3, 说 明 书 CN 103160913 A 5 3/3 页 6 在筒形结构加热套4的底部面7至上部均匀设有复数个下开口2, 形成上开口3位置对应两 两下开口 2 之间, 下开口 2 位置对应两两上开口 3 之间 ; 筒形结构的加热套 4。

18、 外部面由上至 下为相同直径, 加热套4的内面1为上部直径大于下部直径的上扩口结构, 所述筒形加热套 4 的筒壁上部壁厚为下部壁厚的二分之一至四分之三之间形成对坩埚的晶体生长加热上部 温度低于下部温度。 0024 所述的晶体生长的温度梯度控制装置, 结合附图 3 中所述对坩埚的晶体生长加热 上部温度低于下部温度的另一替换结构, 所述加热套4呈筒形结构, 在筒形结构加热套4的 上部面至下部均匀设有复数个 “V” 形上开口 3, 在筒形结构加热套 4 的底部面 7 至上部均匀 设有复数个下开口 2, 形成 “V” 形上开口 3 位置对应两两下开口 2 之间, 下开口 2 位置对应 两两 “V” 形。

19、上开口 3 之间。 0025 所述的晶体生长的温度梯度控制装置, 结合附图 4 中所述筒形结构的加热套 4 外 缘面由上至下为上部直径大于下部直径的喇叭状结构。 0026 所述的晶体生长的温度梯度控制装置, 结合附图 5 中所述对坩埚的晶体生长加热 上部温度低于下部温度的第三替换结构, 所述加热套4呈筒形结构, 在筒形结构加热套4的 上部面至下部均匀设有复数个上开口3, 在筒形结构加热套4的底部面7至上部均匀设有复 数个下开口 2, 形成上开口 3 位置对应两两下开口 2 之间, 下开口 2 位置对应两两上开口 3 之间, 所述筒形结构的加热套 4 外缘面由上至下为上部直径大于下部直径的喇叭状。

20、结构。 0027 一种晶体生长的温度梯度控制方法, 将筒形结构加热套 4 下部两侧连接腿 5 的连 接电极孔 6 分别连通电源正极和负极, 在筒形结构加热套 4 的上部面 8 至下部均匀设有复 数个上开口 3, 在筒形结构加热套 4 的底部面 7 至上部均匀设有复数个下开口 2, 所述上开 口 3 位置对应两两下开口 2 之间, 筒形结构的加热套 4 外部面由上至下为相同直径, 加热套 4 的内面 1 为上部直径大于下部直径的上扩口结构, 获取对坩埚的晶体生长加热上部温度 低于下部温度 ; 0028 或所述加热套 4 呈筒形结构, 在筒形结构加热套 4 的上部面至下部均匀设有复数 个 “V” 。

21、形上开口 3, 在筒形结构加热套 4 的底部面 7 至上部均匀设有复数个下开口 2, 形成 “V” 形上开口 3 位置对应两两下开口 2 之间, 下开口 2 位置对应两两 “V” 形上开口 3 之间, 获取对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度。 0029 或所述筒形结构的加热套 4 外缘面由上至下为上部直径大于下部直径的喇叭状 结构, 获取对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度。 0030 或所述加热套 4 呈筒形结构, 在筒形结构加热套 4 的上部面至下部均匀设有复数 个上开口 3, 在筒形结构加热套 4 的底部面 7 至上部均匀设有复数个下开口 2, 形成上开口 3 位置对应两两下开。

22、口 2 之间, 所述筒形结构的加热套 4 外缘面由上至下为上部直径大于 下部直径的喇叭状结构, 获取对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度 ; 所述加热套 4 为石墨材质。 0031 本发明适用于晶体材料的多晶硅、 单晶硅和蓝宝石的拉制使用。 0032 本发明未详述部分为现有技术。 0033 为了公开本发明的目的而在本文中选用的实施例, 当前认为是适宜的, 但是, 应了 解的是, 本发明旨在包括一切属于本构思和发明范围内的实施例的所有变化和改进。 说 明 书 CN 103160913 A 6 1/2 页 7 图 1 图 2 图 3 说 明 书 附 图 CN 103160913 A 7 2/2 页 8 图 4 图 5 说 明 书 附 图 CN 103160913 A 8 。

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