中空门技术领域
本发明涉及一门板装置，尤其涉及应用在半导体晶圆制造设备中的门板装置。
背景技术
在半导体晶圆制造的XeF2刻蚀系统的气柜中，因为XeF2这一物质需要在一
定的温度下才可以达到气化状态，温度越高气化速率会越快。通常气柜内的温度
保持在45摄氏度或者以上。现有的设备中是采用单层的金属门，外界的温度较低，
会造成大量的温度损失，使内部温度不容易保持，并且受外界影响更大。
此外，在涂胶机的设备上，光刻胶的供液瓶需要一定的温度才可以供应充足。
由于光刻胶的粘度比较大，在温度比较高的时候更容易输运，因此也需要更好的
隔热条件。
发明内容
以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述
不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决
定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给
出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之序。
本发明的目的在于解决上述问题，提供了一种中空门，减少热量损失，有利
于保持环境温度，能满足半导体晶圆工艺中的某些保温上的需求。
本发明的技术方案为：本发明揭示了一种中空门，包括第一面板、第二面板
以及夹在该第一面板和第二面板之间的中空层。
根据本发明的中空门的一实施例，该第一面板上覆盖一金属镜面涂层。
根据本发明的中空门的一实施例，该第二面板上覆盖一金属镜面涂层。
根据本发明的中空门的一实施例，该中空门安装在晶圆制造的刻蚀设备中。
根据本发明的中空门的一实施例，该中空门安装在晶圆制造的涂胶机中。
本发明对比现有技术有如下的有益效果：本发明的方案是在两块面板之中设
计一个用于隔热的中空层，使某一空间内部与外界隔热。相比传统技术，本发明
的中空门可使得半导体晶圆工艺中的XeF2刻蚀系统或者涂胶机等需要保持一定
环境温度的设备能较好的满足温度上的条件。
附图说明
图1A至1D从不同的视角示出了本发明的中空门的较佳实施例的结构。
具体实施方式
在结合以下附图阅读本公开的实施例的详细描述之后，能够更好地理解本发
明的上述特征和优点。在附图中，各组件不一定是按比例绘制，并且具有类似的
相关特性或特征的组件可能具有相同或相近的附图标记。
图1A至1D从不同的视角示出了本发明的中空门的较佳实施例的结构。请同
时参见图1A至1D，本实施例的中空门包括第一面板1、第二面板2以及夹在第
一面板1和第二面板2之间的中空层3。这种中空层3中可以是充入空气，也可
以是充入惰性气体，也可以是中间真空，均是为了保证良好的隔热效果。
较佳的，在第一面板1上覆盖一金属镜面涂层，也可以在第二面板2上覆盖
一金属镜面涂层。镜面涂层的效果是为了保障更好的隔热效果，从而减少热量损
失。
本发明的中空门可以有两种应用场合，其中之一是安装在晶圆制造的刻蚀设
备中，另一种是安装在晶圆制造的涂胶机中。对于晶圆制造的刻蚀设备，本发明
的中空门和传统的单层金属门相比，中空层可以使得刻蚀系统的气柜中的温度得
到更好的保持。对于涂胶机，本发明的中空门和传统的单层金属门相比，涂胶机
的光刻胶的输运系统可以保持在中空门形成的空间内，从而形成稳定的供应源。
提供对本公开的先前描述是为使得本领域任何技术人员皆能够制作或使用本
公开。对本公开的各种修改对本领域技术人员来说都将是显而易见的，且本文中
所定义的普适原理可被应用到其他变体而不会脱离本公开的精神或范围。由此，
本公开并非旨在被限定于本文中所描述的示例和设计，而是应被授予与本文中所
公开的原理和新颖性特征相一致的最广范围。