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1、10申请公布号CN104204291A43申请公布日20141210CN104204291A21申请号201380012023822申请日20130228102012101717420120301DEC23C16/46200601C23C16/52200601H01L21/67200601C30B25/10200601G05D23/1920060171申请人艾克斯特朗欧洲公司地址德国黑措根拉特72发明人R莱尔斯M利南伯格GK斯特劳克B沙因勒KH比歇尔74专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105代理人贾静环54发明名称用于控制基板涂布装置的基座表面温度的方法及装置57摘要本发明涉及一种处理反应。
2、器壳体的处理室101内的至少一个基板105，106，107的方法，其中，将所述一个或多个基板105，106，107放置于可使用加热元件109，110，111加热的基座108上，其中，使用加热元件109，110，111来加热基座108的空间配属区域，所述加热元件分别对应该基座108的朝向处理室101一侧的表面区域112，113，113，114，其中，在多个测量点上通过光学测量传感器1至35对表面区域112，113，113，114的温度和/或配置于此处的至少一个基板105，106，107的温度进行测量，将传感器1至35所测得的测量值输入用于控制加热元件109，110，110，111的热功率的控制装。
3、置115，116，117，122。为了对温度控制进行优化，本发明提出，分别使用温度测量值的组合来控制加热元件109，110，110，111的热功率。30优先权数据85PCT国际申请进入国家阶段日2014090186PCT国际申请的申请数据PCT/EP2013/0539862013022887PCT国际申请的公布数据WO2013/127891DE2013090651INTCL权利要求书3页说明书10页附图9页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书3页说明书10页附图9页10申请公布号CN104204291ACN104204291A1/3页21一种处理反应器壳体的处理室101中。
4、的至少一基板105，106，107的方法，其中，将一个或多个基板105，106，107放置于可使用加热元件109，110，110，111加热的基座108上，其中，利用所述加热元件109，110，111来加热所述基座108的空间配属的区域，所述加热元件分别分配有所述基座108的朝向所述处理室101一侧的表面区域112，113，113，114，其中，在多个测量点上藉由测量传感器1至35对所述表面区域112，113，113，114的温度和/或布置在那里的的至少一基板105，106，107的温度进行测量，将所述传感器1至35所测得的测量值输入用于控制所述加热元件109，110，110，111的热功率的。
5、控制装置115，116，117，122，其特征在于，分别使用温度测量值的组合来控制所述加热元件109，110，110，111的热功率。2一种用于处理至少一基板105，106，107的装置，所述装置包含反应器壳体及配置于所述反应器壳体内的处理室101，所述处理室具有用于承载至少一基板105，106，107的基座108，所述装置还包含多个用于加热所述基座的配属表面区域112，113，113，114的加热元件109，110，110，111以及多个温度传感器1至35，所述等温度传感器分别在测量点上提供所述基座108的表面的温度测量值或者布置在那里的基板105，106，107的温度测量值，其中控制装置1。
6、15，116，117，122将受到控制的热功率提供给所述加热元件109，110，110，111，并且其中所述温度测量值被输入所述控制装置115，116，117，122，其特征在于，所述控制装置115，116，117，122使用多个温度传感器1至35的温度测量值的组合来控制所述各个表面区域112，113，113，114中的温度。3根据权利要求1或特别是在此之后所述的方法，其中，所述温度测量值组合被分配给一个或多个工作参数P，其中所述工作参数P选自所述表面区域112，113，113，114的额定温度、所述处理室101内的总气压、所述处理室101内的气相的化学组成、所述基座108的材料，所述基板10。
7、5，106，107的类型、所述基座108的装配基板105，106，107情况和/或所述基座108的老化状态。4根据权利要求2或特别是在此之后所述的装置，其中，通过包含一个或多个以下工作参数作为输入变量P的选择装置118根据所述输入变量P来确定用于实施控制的温度测量值的组合，所述工作参数选自所述表面区域112，113，113，114的额定温度、所述处理室101内的总气压、所述处理室101内的气相的化学组成、所述基座108的材料，所述基板105，106，107的类型、所述基座108的装配基板105，106，107情况和/或所述基座108的老化状态。5如根据一项或多项前述权利要求或特别是在此之后所述。
8、的方法或装置，其中，所述用于实施控制的测量值的组合在相应表面区域112，113，113，114的所使用或未使用的测量点的个性及数量方面和/或在相对于相应表面区域112，113，113，114的加权方面存在差别，其中，所述值的加权介于01之间和/或既在基板105，106，107的表面上又在基座108的未被其中的基板105，106，107覆盖的表面区段上将测得的测量值用来实施控制和/或利用成像法测定所述测量值。6如根据一项或多项前述权利要求或特别是在此之后所述的方法或装置，其中，每个加热元件109，110，110，111分别配有单个控制器115、116、117、122，所述控制器以选择值的形式从所。
9、述选择装置118接收测量值的组合，其中分属不同工作参数P的组合互不相同，或者所述温度测量值为个别分配给所述表面区域112，113，113，114中任一权利要求书CN104204291A2/3页3个表面区域的特征温度T1，T2，T3，TN，在实施控制的过程中根据所述特征温度获取个别分配给所述表面区域112，113，113，114中任一个表面区域的第一值U1至UN，所述第一值被去耦装置123转化为第二值U1至UN，所述第二值使得所述第一值U1至UN的耦合得到补偿且所述第二值对应于所述加热元件109，110，110，111的热功率。7如根据一项或多项前述权利要求或特别是在此之后所述的方法或装置，其中。
10、，为选择所述用于实施控制的温度传感器1至35而使用与工作参数P相关的加热元件109，110，110，111的热功率的贡献值，所述热功率同样影响并非分配给该加热元件109，110，110，111的表面区域112，113，113，114的温度。8根据一项或多项前述权利要求或特别是在此之后所述的方法或装置，其中，利用预试验或电脑辅助的模型计算来测定所述组合，其中，选择所规定的温度曲线，特别是在所述基座108的朝向所述处理室101的整个表面上的侧向温度梯度的最小化作为收敛准则和/或应用类神经网络来测定用于实施控制的控制参数。9根据一项或多项前述权利要求或特别是在此之后所述的方法或装置，其中，根据所述温。
11、度测量传感器1至35来为每个表面区域112，113，113，114获取特征温度T1，T2，T3，TN，所述特征温度分别输入提供第一耦合值U1至UN的控制器115、116、116、117，所述第一耦合值被去耦装置123特别利用去耦矩阵L转化为第二值U1至UN以对耦合进行补偿，所述第二值分别对应于单独输入加热元件109，110，110，111的热功率。10一种处理反应器壳体的处理室101中的至少一基板105，106，107的方法，其中，将一个或多个基板105，106，107放置于可使用加热元件109，110，110，111加热的基座108上，其中，利用所述加热元件109，110，111来加热所述基。
12、座108的空间配属区域，所述加热元件分别分配有所述基座108的朝向所述处理室101一侧的表面区域112，113，113，114，其中，为每个表面区域112，113，113，114测定特征温度T1，T2，T3，TN，将所述特征温度输入用于对所述加热元件109，110，110，111的热功率进行控制的控制装置115，116，116，117，其中，所述特征温度T1，T2，T3，TN彼此耦合，其特征在于，在实施控制的过程中使用第一耦合值U1至UN，所述第一耦合值被去耦装置123特别利用去耦矩阵L转化为第二值U1至UN以达到对该耦合进行补偿的目的。11一种用于处理至少一基板105，106，107的装置，。
13、该装置包含反应器壳体及配置于所述反应器壳体中的处理室101，所述处理室具有用于承载至少一基板105，106，107的基座108，所述装置还包含多个用于加热所述基座的对应表面区域112，113，113，114的加热元件109，110，110，111，其中，设有可为每个表面区域112，113，113，114测定特征温度T1，T2，T3，TN的构件，将所述特征温度输入控制装置115，116，116，117以便对所述加热元件109，110，110，111的热功率进行控制，其中，所述特征温度T1，T2，T3，TN彼此耦合，其特征在于，设有去耦装置123，其为补偿耦合而特别利用去耦矩阵L从所述第一耦合值U。
14、1至UN中产生第二值U1至UN。12根据权利要求10或11或特别是在此之后所述的方法和装置，其中，将所述特征温度T1，T2，T3，TN分别输入提供所述第一耦合值U1至UN的控制器115、116、116、117。13根据一项或多项前述权利要求或特别是在此之后所述的方法或装置，其中，为测定所述去耦矩阵L而利用预试验或模型计算来确定耦合矩阵K，其中，测定每个加热元件权利要求书CN104204291A3/3页4109，110，110，111对每个表面区域112，113，113，114的特征温度T1至TN的贡献值，其中，所述去耦矩阵L特别为经反转的耦合矩阵K。14根据一项或多项前述权利要求或特别是在此之。
15、后所述的方法或装置，其中，所述特征温度T1至TN为在表面区域112，113，113，114的特别选择的表面区段上所测得的多个温度测量值的平均值，其中，所述测量值以三维或二维方式分布于所述基座108的表面上。15根据一项或多项前述权利要求或特别是在此之后所述的方法或装置，其中，所述表面区段为所述对应表面区域112，113，113，114的沿周向彼此间隔一定距离的区域。16根据一项或多项前述权利要求或特别是在此之后所述的方法或装置，其中，通过记录并分析所述受加热的基座108的一或多个热像来测定所述特征温度T1至TN。权利要求书CN104204291A1/10页5用于控制基板涂布装置的基座表面温度的。
16、方法及装置技术领域0001本发明涉及一种处理反应器壳体的处理室中的至少一个基板的方法，其中，将一个或多个基板放置于可使用加热元件自下而上加热的基座上，其中，使用加热元件来加热该基座的空间配属区域ZUGEORDNETEZONEN。所述加热元件分别一一对应于该基座的朝向处理室一侧的表面区域，其中，在多个测量点上通过光学测量传感器对所述表面区的温度或者配置于此处的至少一个基板的温度进行测量，将所述传感器测得的测量值输入用于控制加热元件的热功率的控制装置。0002本发明还涉及一种用于处理至少一个基板的装置，该装置包括反应器壳体和配置于其中的处理室，该处理室具有用于承载至少一个基板的基座；该装置还包括多。
17、个配置于基座下方的加热元件和多个温度传感器，所述温度传感器分别在测量点上提供基座表面的温度测量值或者配置于此处的基板的温度测量值；该装置另包含控制装置，将测量值输入该控制装置，并且该控制装置利用在功能性分配给相应的加热元件的测量点上测得的测量值对加热元件进行控制。背景技术0003DE102004007984A1描述了一种CVD反应器，其反应器壳体内配置有处理室。处理室底部由基座构成，该基座支撑TRAGEN待处理的特别是待涂布的基板。处理室顶部由进气机构GASEINLASSORGAN构成，该进气机构具有供处理气体进入处理室的进气口。基座下方设有用于将基座加热至处理温度的加热装置。通过多个温度测量。
18、传感器来测量基座表面温度。0004US6,492,625B1描述一种用于热处理，特别是用于对放置于基座上的基板进行涂布的装置，其中，自下而上地加热基座。基座下方设有多个可受到单独控制的加热元件。每个加热元件皆分配有控制器，其接收基座表面温度的实际值。利用相应的光学测量传感器来测定实际值。每个加热区皆功能性分配有多个测量传感器。0005根据EP1481117B1，承载基板的基座的朝向处理室的表面上的温度曲线对沉积于基板上的层的品质具有重要意义。特别希望的是，对侧向的温度剖面TEMPERATURPROL施加影响从而尽可能降低侧向LATERAL的温度梯度。应尽可能使基座各处具有同一基座表面温度值。0。
19、006DE102007023970A1描述一种基座，其具有用于分别容置基板的多个六角形排列的凹槽TASCHEN基板。通常情况下，基板表面或沉积于基板表面上的层所具有的光学特性如吸收率或辐射率与包围基板的基座表面有所不同。在涂布的过程中，不需要为所有用于容置基板的容置凹槽装配基板。此外亦需要注意，仅为选用的容置槽凹装配待处理的基板。0007US6,706,541B1描述一种利用自动过程控制单元来实施CVD方法的装置，该过程控制单元能够控制多个表面区温度。使用其中所描述的装置来涂布基板。提供在层生长过程中对基板层厚进行观察的感测元件。这些测量值为该控制单元的输入数据。说明书CN104204291A。
20、2/10页60008US2003/0038112A1描述一种稳定等离子反应器的处理室中的等离子的方法。其中设有控制系统，其使用的是光学传感器所测定的多个测量值。0009US2006/0027169A1描述一种对基板座的表面进行温度剖面监测的方法。其中，采用控制器来从用于测定加热区温度的温度传感器确定测量值。0010US5,782,974描述一种示温PYROMETRISCH测定基座背面温度的温度测量系统。0011US5,970,214描述一种热处理半导体基板的装置，其包含多个测定基板表面温度的光敏传感器。传感器的测量值被输入控制若干灯管的控制器。0012US6,079,874描述一种用于测量基板。
21、的不同地方的表面温度的装置。通过控制器来控制加热装置。该控制器使用高温计PYROMETERN所提供的测量值来进行控制。0013US5,871,805描述一种CVD装置，其通过控制单元来控制承载基板的基座温度。0014US6,034,357描述一种测定处理室中的基板表面温度的装置，其中，温度传感器与应用校正因数的控制器进行共同作用从而对灯管加热装置LAMPENHEIZUNG进行控制。0015除基座装配基板的装配度BESTCKUNGSGRAD以外，基座的温度剖面亦与其它过程参数相关，例如，处理室内的总气压、为实施基板处理而输入处理室的气体的化学组成、基座材料、基板类型以及基座特别是其涂层的老化状态。
22、。0016就用于对处理室内的半导体基板进行处理的装置与相应方法而言，加热元件位于基座的其中一面。其中，加热元件位于被其直接加热的表面区域的正下方。旋转对称式基座上的表面区域及其对应加热元件配置于相邻的环形区上。温度传感器位于基座的与加热元件相对配置的一侧。由加热元件输入基座的热功率不仅对对应的表面区进行加热。基座内部存在热传输机制，特别是任一加热元件皆与基座的其他表面区域存在导热及热辐射，因此，单独的加热元件的热功率除了影响对应表面区域的温度外，还对所有表面区域的温度产生影响。其中，紧邻的表面区域受影响最大，距离最远的表面区受影响最小。因此，各测量传感器提供的是彼此耦合的温度测量值。发明内容0。
23、017本发明的目的在于在温度控制方面对同类型的方法与同类型的装置进行进一步优化。0018上述目的是通过本发明的权利要求的技术方案来达成的解。0019权利要求提出了同类型的方法和同类的型装置的不同实施方案，其中，输入加热元件的热功率并非仅确定个别分配给该加热元件的测量传感器所提供的测量值，或者个别分配给与该加热元件对应的表面区域的测量传感器所提供的测量值。确切而言，所使用的是多个温度测量传感器的测量值的组合。0020根据第一实施方案，利用测量值的不同组合进行控制。现有技术中，每个控制装置皆与分配给它的温度传感器形式的实际值发送器ISTWERTGEBERN作功能性固定连接，而本发明的方案则对此种功。
24、能性连接采用可变设计。仅需选用，而非所有提供的测量值或温度测量传感器来进行控制。此处的选用AUSWAHL是指与工作参数相关的测量值的组合。影响组合的品质的工作参数包括表面区域的设定温度SOLLTEMPERATUREN、处理室中的总气压、处理室中的气相的化学组成、基座的材料、待涂布的基板的类型、基座装配基板说明书CN104204291A3/10页7情况以及基座的老化状态。用于实施该方法的装置具有优选呈圆盘状的基座，该基座可围绕其对称轴被旋转驱动。配置于该基座上方的进气机构可呈莲蓬头状。正如现有技术所揭露的，该莲蓬头的开口可用作光学通道，通过配置于开口上方的温度测量传感器能获得关于基座表面的特别的。
25、光学高温资讯。设有多个径向配置的传感器，其中，各温度传感器之间可具有相同距离。每个温度传感器皆优选以光学/高温PYROMETRISCH的方式测定其下方的对应地点上的基座表面温度。这些测量点在基座旋转过程中沿该基座上的圆形轨道移动并同时覆盖基板表面。透过已知方式将气体混合物送入进气机构。该进气机构可具多个腔室，以便不同类型的气体混合物以彼此隔开的方式进入该处理室。根据一种涂布方法如MOCVD方法，将第II或第III主族的金属有机化合物送入该处理室。将第V或第VI主族的组分以氢化物的形式送入该处理室。该处理气体发生热分解从而在基板上沉积相应的层。所述层主要取决于气体组成。但该层的组成也与基板表面温。
26、度密切相关。基板表面温度不仅与配置于基座下方的加热元件的热功率相关，也与其它的特别是对基板表面的散热造成影响的生长参数相关。该参数是指前述的过程参数。若处理室采用可变高度，则基座表面上的热流及温度分布亦与处理室高度相关。各个加热区域与基座的局部表面区域相对应，所述基座的表面温度主要受下方加热元件影响。然而，相邻表面区域上的温度同样受到很大影响。这样的影响与工作参数相关。因此，当本发明的用于实施控制的温度测量传感器根据相应的工作参数在不同地点上侦测基座的表面温度时，是有利的。利用本发明的方法能够改变用于实施控制的测量点的位置而毋需对传感器感测区域采取结构性措施。从多个可供使用的分别仅测量测量点上。
27、的温度的温度中选用部分的温度传感器，视情况亦可仅限于单个温度传感器。在最简单的情况下，当工作参数变化时对用于实施控制的温度传感器进行切换。但优选使用在质与量上彼此不同的温度传感器的组合。用于实施控制的测量值的组合可在针对相应表面所使用的或未使用的测量点的数量方面以及在基于相应表面区域的加权方面WICHTUNG存在差别。举例而言，为了对一个或多个径向表面区进行温度控制，可仅使用配置于该表面区域边缘的测量传感器，作为替代方案，亦可仅使用配置于表面区域中央的温度传感器。此外根据本发明，为了对加热区域的加热元件进行控制，可同时使用分配给邻接的加热区的温度传感器。根据优选的实施方案，加热区域围绕旋转中心。
28、旋转对称配置，其中，加热区域沿径向方向并排配置。因此，加热区域彼此同心配置。此外，单个温度传感器的测量值可被多个控制装置使用。亦可在实施控制时将单个温度传感器的贡献值BEITRAG加权。所述加权可介于01之间。根据预试验VORVERSUCHEN或电脑辅助模拟计算的结果来确定在特定工作参数下使用哪些传感器以及在实施控制时不考虑哪些传感器。重要之处在于，不同的工作参数分别对应用于实施控制的测量值的不同的组合。0021作为输入变量而输入选择装置的工作参数亦可直接作用于控制装置。举例而言，可输入用作附加输入变量的控制特性值REGELKENNWERTE，例如，针对比例积分微分控制器输入比例分量、积分分量。
29、及/或微分分量。另一方面，亦可使该选择装置根据过程参数来例如从储存在选择装置内的表格中测定特征值。0022本发明的另一方面涉及以下课题由测量值所提供的温度测量值因为相应的加热元件朝向基座的热传输机制而彼此耦合。每个加热元件原则上皆对基座的每个表面区域的表面温度造成影响。根据本发明对对应于任一表面区域的特征温度进行测定。每个说明书CN104204291A4/10页8特征值皆可为多个温度传感器的温度测量值的平均值，特别是加权平均值。本发明的装置的结构大致与前述装置的结构相同。多个测量传感器沿径向方向依次配置于该旋转驱动的基座上方。温度测量传感器的数量可远大于独立受热的表面区域的数量。但是要为每个独。
30、立受热的表面区皆分配单独的传感器。根据本发明的优选的实施方案，在基座的旋转过程中获得多个温度测量值，从而在旋转完毕后拥有完整的侧向温度剖面。该温度剖面由栅格状栏位分布GITTERNETZARTIGENFELDVERTEILUNG所构成，其中，每一测量栏的温度皆为已知温度。所述测量栏沿径向及周向均匀分布于基座表面上。也就是说，测量栏既包括位于基板表面上的栏位，又包括位于未被基板覆盖的基座区域上的栏位。可透过以下方式来获取特征温度就特定的表面区而言，仅考虑位于基板上的测量栏或者仅对并不位于基板上的测量栏。根据栏位大小或者栏位位置来加权单个栏位的贡献值BEITRAG，从而测定平均值，即该特征温度。透。
31、过这样的方式测得的特征温度被输入控制装置。所述特征温度的数量优选等于加热元件的数量或者表面区域的数量。所述控制装置包括去耦装置ENTKOPPLUNGSEINRICHTUNG，该去耦装置从一定程度上对彼此耦合的特征温度测量值进行去耦。因此，所述控制装置提供在一定程度上被去耦的控制信号，从而为加热元件提供热功率。该控制装置具有输入端，其为每个表面区域接收用作输入数据的特征温度测量值。该控制装置具有输出端，其为每个分配给单个表面区域的加热元件提供控制信号，该控制信号确定将输入加热元件的热功率。根据本发明，所述控制信号是从耦合值中转化而来的，其中，每个转化后的值皆具有多个特征温度的贡献值BEITRAG。
32、，或者每个转化后的值皆包含多个特征温度的贡献值。根据本发明的实施方案，每个特征温度被作为输入变量输入单个控制器中。控制器的数量优选等于受温度控制的表面域的数量。所述控制器提供彼此耦合的第一值。该值被去耦装置转化。举例而言，所述去耦装置使用基于第一值的去耦矩阵，从而算出在一定程度上经去耦的第二值。所述第二值被放大器放大并作为热功率控制值被分配给表面区域的加热元件。所述去耦装置的作用在于将对应于单个特征温度但受多个加热元件影响的第一值转化为第二值。将每个第二值皆分配给单个加热元件。所述加热元件的高度与其热功率相应。使用去耦装置使第二值与第一值相关联，使得每个第二值皆包含多个第一值的贡献值。所述加热。
33、元件向基座进行热传输，故而第一值特征温度具有多个第二值热功率的贡献值，与此相同，第二值热功率具有多个第一值特征温度的相应贡献值。使用所述去耦装置来对控制路径所引起的耦合进行补偿。因此，第二值热功率值是对第一值特征温度值的耦合进行补偿的结果。所述控制路径由控制器、放大器、加热元件、受加热的基座以及温度传感器所构成。本发明为所述控制路径增设去耦构件。该去耦构件连同控制器、放大器、加热元件、基座及温度传感器皆为所述控制电路的元件。从控制器的角度来看，所述去耦构件属于控制路径并且对加热元件及基座内的耦合进行补偿。在去耦构件被完美设计的情况下，独立控制器使用增设有去解耦构件的控制路径来进行工作，且控制路。
34、径内的加热区域的耦合对外部即对该控制器而言是不可见的。藉此便能提高控制特性并简化控制器的调谐操作。透过测定放大矩阵来测出所述去耦装置中所使用的去耦矩阵。为此，利用预试验或模型计算来测定若干贡献值，以便某个表面区的加热元件对所有表面区的特征温度造成影响。在采用例如由四个表面区域构成的配置方案的情况下，四个加热元件中的任一个皆对所有四个表面区域的温度造成影响，其中，直接对应该加热元件的表面区域受影响最大，而距离该加热元件最远的表面区域受影响最小。因此，说明书CN104204291A5/10页9所述放大矩阵的对角线元素具有最大值，而距离对角线最远的矩阵元素具有最小值。由于四个表面区域中的每个皆提供四。
35、个矩阵元，故该实施例中的放大矩阵由44个矩阵元素构成。透过将该放大矩阵反转来产生去耦矩阵。透过将第一值与去耦矩阵进行矩阵相乘来产生第二值。根据本发明的改良方案，可透过重复记录热像来测定特征温度。可用前述测量传感器记录热像，其中，沿径向线条配置的测量传感器提供相应表面的三维热像。为此，基座在可被实施为光电二极管PHOTODIODEN的测量传感器下方旋转。亦可用透镜系统来对热像进行光学记录。透过以下处理步骤来实施利用热像测定特征温度的方法记录热像，分析该热像，其中对特征温度进行计算，将特征温度作为温度实际值传输给相应的温度控制器，在考虑工作参数的情况下计算热功率，调节热功率，记录下一热像。本发明的。
36、改良方案提出，利用类神经网络NEURONALESNETZWERK来选择测量点或者用于实施控制的测量传感器。可采用双极类神经网络ZWEISTUGENEURONALENETZWERKE。其中，每个测量传感器即每个测量二极管皆与该类神经网络的掩盖层VERDECKTENSCHICHT的节点连接。该层的每个点皆与类神经网络的所有用作针对下一控制的输入电路的输出节点连接。此方案的优点在于，除选择测量传感器外亦可在各测量传感器之间实施最佳加权。可利用学习模式LERNMODUS来传授该系统。为此，将该系统设置为恒定温度。将所设温度告知该类神经网络。学习序列LERNSEQUENZ可包含最多100个不同剖面。剖面。
37、可采用某种设计方案，使得测量点仅位于基板上、仅位于基座的曝露FREI表面区域上或者仅位于这两个区上。该类神经网络可与一维即线性的测量传感器矩阵共同作用。亦可与二维的测量传感器矩阵共同作用。因此，能将温度影像作为输入变量来进行处理。在此情况下，掩盖层中除了存在节点列EINEREIHEVONKNOTEN外还存在整面的节点。每个测量点皆可与该类神经网络的节点连接。加权因子可介于01之间。附图说明0023图1为MOCVD反应器的处理室的横截面图，共设三十五个温度传感器，其分别在基座的测量点上测定表面温度，其中，测量点与基座108的旋转中心存在不同径向距离，0024图2为基座108的俯视图，图中示出同轴。
38、配置的加热区109、110、111，0025图3为加热元件对沿图2中的线条IVIV的表面的影响，0026图4为图1的视图，其中，温度传感器135采用第一组合进行温度控制，0027图5为图4的视图，其中，温度传感器135采用第二组合进行温度控制，0028图6为图1的视图，其中，温度传感器135采用第三组合进行温度控制，0029图7为与图1相应的另一实施例的视图，0030图8为基座以及表面区域及其用于测定特征温度的面区域的配置方案的俯视图，以及0031图9为类似于图3的用于测定放大矩阵K的视图。具体实施方式0032下面将依据附图并对本发明的实施例进行说明。0033图1为处理室的横截面图。处理室10。
39、1的底部由基座108构成，该基座可围绕旋转轴120被旋转驱动。基座108下方设有三个同心配置的加热区域109、110、111。加热区域说明书CN104204291A6/10页10109位于基座108的中心下方且被加热区110环状包围。后者同样被最外侧的加热器111环状包围。加热区域109、110、111由红外加热元件或RF加热元件构成且能够对三个表面区112、113、114中的基板108的表面进行加热。0034图2表示图1、4、5和6中为清楚起见而未予显示的容置槽119，容置槽围绕旋转中心环形配置且分别容置基板105、106、107。因此，基板105、106、107与旋转轴120存在不同径向距。
40、离。0035处理室101的顶部与基座108的延伸方向平行，该顶部由莲蓬头状进气机构103构成。该进气机构仅作示意性图示。该进气机构具有多个筛状配置的开口104，以便将储存在莲蓬头103的配气室中的处理气体输进处理室101。处理气体可为第III或第II族元素的金属有机化合物以及第V或第VI主族的氢化物。此外亦可将载气如氢气或另一惰性气体输入该处理室。该处理气体在基板表面105、106、107上热分解从而层被沉积于其上。0036排气口104上方设有包含光学温度传感器1至35的感测机构102。光学温度传感器1至35采用某种配置方案，使其例如以高温方式测量分别与其对应的测量点上的温度，其中，测量点与旋。
41、转轴120存在不同径向距离。由于基座108围绕旋转轴120旋转，该测量点沿同心圆周在基座108的表面上或者在该基座所承载的基板105、106、107的表面上移动。0037温度传感器1至35通过数据线121与选择电子设备118连接。该选择电子设备118将感测机构102所提供的测量值与控制装置115、116、117进行关联。加热元件109、110、111中的每一个分别对应控制装置115、116、117。相应的控制装置115、116、117接收用于控制表面区域112、113、114的温度作为额定值。该控制装置115、116、117接收温度传感器1至35所测得的测量值作为实际值。但控制装置115、11。
42、6、117并不接收所有温度测量值，而是仅接收从温度传感器1至35中选用的温度传感器所测得的测量值。此处是指输入表示该控制装置的矩形115、116、117的数字。0038选择电子设备118接收输入变量P。该输入变量P包含关于该处理室内所实施的方法的工作参数的资讯。所述工作参数包括表面区域112、113、114的额定温度、处理室101内的总压、处理室101内的气相的化学组成即所用处理气体的类型、基座108的材料如石墨或涂层石墨、基板的类型即基板的晶体特性及晶体组成、基座108的装配基板情况即在并非所有容置槽119皆装配基板的情况下，基板在容置槽119上的分布状况和/或基座108的老化状态，例如需要。
43、对基座所采取的生产步骤的数量。0039选择电子设备118根据上述工作参数P确定用于实施控制的测量值的组合。在未示出的最简单的情况下，仅用单个配置于表面区域112上方的温度传感器即例如温度传感器1至12中的一个来控制加热元件109。同理，用单个配置于表面区域113上方的温度传感器13至23来控制加热元件110。且同样用单个配置于表面区域114上方的温度传感器23至35来控制加热元件111。作为补充方案，亦可使用多个其他温度传感器，重要之处在于，所用温度测量传感器的个性随工作参数P的变化而变化。举例而言，若于温度升高时实施涂布程序，则处理室内或基座108内的热流发生相应变化，在此情况下就必须测量另。
44、一表面上的控制相关的表面温度。这可以通过切换相关温度传感器1至35来实现。说明书CN104204291A107/10页110040当使用控制装置115控制表面区域112的温度时，图4所示实施例仅使用温度传感器2至11，图5所示实施例仅使用传感器1至10，图6所示实施例仅使用传感器3至11。当使用控制装置116控制表面区温度113时，图4所示实施例仅选用所提供的的测量值，即温度传感器14、15、16、17、18、19、21、22、24的测量值。图5所示实施例使用的是温度传感器12至21的测量值，图6所示实施例使用的是温度传感器12以及15至24的测量值。在图4所示实施例中，分配给表面区域114的。
45、用于控制加热元件111的控制装置117仅使用温度测量传感器25至33的测量值，该控制装置在图5所示实施例中仅使用温度测量传感器25至34的测量值，在图6所示实施例中仅使用温度测量传感器26至35的测量值。0041图4至6所示组合仅起示例作用。例如亦可仅使用每一个第二或第三个测量传感器，或者仅使用测量传感器1、11、12、13、22、23、24、34、35，也就是分配给相应表面区域112、113、114的边缘的测量传感器。亦可仅使用传感器6、7、18、19、28、29，也就是分配给每个表面区域112、113、114的中央区域的温度测量传感器。0042图3为在对角线上的各个加热元件109、110、。
46、111对基座上的温度分布的影响。曲线A为中央加热元件109的影响。该加热元件109除影响基座中央区域内的温度外还对周边区域内的温度造成影响尽管较为轻微。这同样适用于加热元件110所造成的影响，这样的影响在图3中用曲线B表示。加热元件110除影响基座的径向中间区域即表面区域113内的温度外，还对邻接表面区域112、114内的温度造成影响。曲线C表示径向最外侧的加热器111对表面温度的影响。该加热元件111同样对邻接表面区域113内的温度造成影响。0043曲线A、B、C的基本走向与前述过程参数相关。不同的测量值组合会在控制过程中产生明显差别。0044上述实施例中对各传感器的测量值予以考虑或者不予考。
47、虑。亦可为控制不同的加热元件109、110、111而使用相应温度测量传感器的测量值，举例而言，温度传感器12、13或者23、24的测量值可分别被两个控制装置115、116、117使用。此外亦可例如用介于01之间的加权因子对相应测量值进行加权，以便实施控制。0045图7为如图1、4、5及6所示的处理室横截面图。此处仅以符号表示各温度传感器。该温度传感器提供特征温度T1、T2、T3至TN。每个特征温度T1至TN分别分配给表面区域112、113、113、114。特征温度T1至TN可用图1、4、5及6所示的感测机构测定。特征温度T1至TN的测定将在下文中进一步说明。图7所示装置具有控制装置122，其包。
48、含控制器115、116、116、117、去耦装置123及放大器124。控制装置122根据特征测量值T1至TN提供用于分别控制加热元件109、110、110、111的控制数据P1、P2、P3至PN。0046加热元件109、110、110、111位于基座108下方，该基座可围绕旋转轴120旋转。加热元件110、110、111围绕中央加热元件109同心配置。加热元件109至111与前述表面区域112至114局部对应。因此，表面区域112至114以同心配置的方式位于加热元件109至111上方。同样，表面区域112至114上方配置有若干温度测量传感器，其在本实施例中被构造为配置于板条LEISTE上的光学。
49、传感器。在最简单的情况下，为每个表面区域112至114设置单个用于提供特征温度T1至TN的温度测量传感器即可。0047对每个表面区域112至114而言，皆存在单个分配给它的控制器115、116、116、117。控制器115至117接收特征温度T1至TN作为输入值。说明书CN104204291A118/10页120048加热元件109至111除朝向分配给它的表面区域112至114进行热辐射外，还朝向邻接表面区域进行热辐射，并且例如由石墨、钼或其他导热材料构成的基座108内部存在热传导，此外，处理室内部存在热对流，因此，每个加热元件109至111皆对每个表面区域112至114的特征温度T1至TN造成影响。因此，控制器115至117所提供的第一值U1、U2、U3至UN彼此耦合。第一值U1至UN被去耦装置123转化为去耦后的第二值U1、U2、U3至UN并被放大器124放大。透过去耦装置123内的去耦操作，每个控制器115至117所提供的第一值U1至UN对去耦装置123所提供的第二值U1至UN中的每一个造成影响。放大器124仅对第二值U1至UN起放大作用，以便产生用于相应加热元件109至111的控制值P1至PN。0049所述去耦装置用于提高多变量系统的。