溅射源水处理装置和水处理方法.pdf

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摘要
申请专利号:

CN201410629553.3

申请日:

2014.11.10

公开号:

CN104451577A

公开日:

2015.03.25

当前法律状态:

驳回

有效性:

无权

法律详情:

发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):C23C 14/35申请公布日:20150325|||实质审查的生效IPC(主分类):C23C14/35申请日:20141110|||公开

IPC分类号:

C23C14/35; C02F1/00; C02F9/04; C02F103/02(2006.01)N

主分类号:

C23C14/35

申请人:

芜湖真空科技有限公司

发明人:

薛辉; 任俊春; 金海涛

地址:

241000安徽省芜湖市经济技术开发区科技创业中心B座320室

优先权:

专利代理机构:

北京润平知识产权代理有限公司11283

代理人:

孙向民; 董彬

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内容摘要

本发明公开了一种溅射源水处理装置和水处理方法,其中,所述装置包括依次设置的进水管(1)、溅射源组件(2)和出水管(3),其中,所述溅射源组件(2)中还包括有至少一个表面附着有陶瓷薄膜的磁体(4)。本发明通过将溅射源组件中的磁体表面附着有陶瓷薄膜,从而使得在实际使用过程中,当水通过溅射源组件时,使得溅射源组件中最易于被腐蚀的磁体得到保护,进而使得该溅射源组件的被腐蚀程度大大降低,从而使得溅射装置得到有效的保护,大大增加其使用寿命。

权利要求书

权利要求书
1.  一种溅射源水处理装置,其特征在于,所述装置包括依次设置的进水管(1)、溅射源组件(2)和出水管(3),其中,所述溅射源组件(2)中还包括有至少一个表面附着有陶瓷薄膜的磁体(4)。

2.  根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述进水管(1)和所述溅射源组件(2)之间还设置有水处理设备,且所述水处理设备中包括过滤单元(5),所述过滤单元(5)的过滤粒径不大于25μm。

3.  根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述水处理装置中还包括连接于所述过滤单元(5)的离子交换单元(6),且所述离子交换单元(6)中填充有离子交换树脂。

4.  根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述水处理装置中还包括连接于所述过滤单元(5)的水清洁单元(7),且所述水清洁单元(7)中至少包括水清洁剂。

5.  根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述水清洁剂为溶氧剂和/或腐蚀抑制剂。

6.  一种水处理方法,其特征在于,所述方法使用权利要求5所述的装置,所述方法包括将冷却水依次流经进水管(1)、磁体(4)上附着有陶瓷薄膜的溅射源组件(2)和出水管(3)。

7.  根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述方法还包括将冷却水流经过滤单元(5)后再流经溅射源组件(2),以将冷却水中粒径大于25μm的杂质滤除。

8.  根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述方法还包括将冷却水流经离子交换单元(6),所述离子交换单元(6)连接于所述过滤单元(5)以去除冷却水中的离子。

9.  根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述方法还包括将冷却水流经含有水清洁剂的水清洁单元(7)。

说明书

说明书溅射源水处理装置和水处理方法
技术领域
本发明涉及溅射源中的冷却水的处理领域,具体地,涉及一种溅射源水处理装置和水处理方法。
背景技术
在磁控溅射装置中,都需要采用冷却水,且该冷却水会流入该磁控溅射装置中的溅射源组件中,但是溅射源组件在使用过程中,往往会因其内部结构的材料间彼此电势序列不同,因而产生较多的置换等化学反应,尤其是溅射源组件中的磁体,极易与其发生反应。
因此,提供一种对溅射源组件腐蚀较小,延长磁体使用寿命的溅射源水处理装置和水处理方法是本发明亟需解决的问题。
发明内容
针对上述现有技术,本发明的目的在于克服现有技术中磁控溅射装置中的水对溅射源组件在使用过程中腐蚀较大的问题,从而提供一种对溅射源组件腐蚀较小,延长磁体使用寿命的溅射源水处理装置和水处理方法。
为了实现上述目的,本发明提供了一种溅射源水处理装置,其中,所述装置包括依次设置的进水管、溅射源组件和出水管,其中,所述溅射源组件中还包括有至少一个表面附着有陶瓷薄膜的磁体。
优选地,所述进水管和所述溅射源组件之间还设置有水处理设备,且所述水处理设备中包括过滤单元,所述过滤单元的过滤粒径不大于25μm。
优选地,所述水处理装置中还包括连接于所述过滤单元的离子交换单元,且所述离子交换单元中填充有离子交换树脂。
优选地,所述水处理装置中还包括连接于所述过滤单元的水清洁单元,且所述水清洁单元中至少包括水清洁剂。
优选地,所述水清洁剂为溶氧剂和/或腐蚀抑制剂。
本发明还提供了一种水处理方法,其中,所述方法使用上述所述的装置,所述方法包括将冷却水依次流经进水管、磁体上附着有陶瓷薄膜的溅射源组件和出水管。
优选地,所述方法还包括将冷却水流经过滤单元后再流经溅射源组件,以将冷却水中粒径大于25μm的杂质滤除。
优选地,所述方法还包括将冷却水流经离子交换单元,所述离子交换单元连接于所述过滤单元以去除冷却水中的离子。
优选地,所述方法还包括将冷却水流经含有水清洁剂的水清洁单元。
根据上述技术方案,本发明通过将溅射源组件中的磁体表面附着有陶瓷薄膜,从而使得在实际使用过程中,当水通过溅射源组件时,使得溅射源组件中最易于被腐蚀的磁体得到保护,进而使得该溅射源组件的被腐蚀程度大大降低,从而使得溅射装置得到有效的保护,大大增加其使用寿命。
本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本发明,但并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1是本发明提供的一种水处理装置的结构示意图。
附图标记说明
1-进水管                        2-溅射源组件
3-出水管                        4-磁体
5-过滤单元                      6-离子交换单元
7-水清洁单元。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明,并不用于限制本发明。
本发明提供了一种溅射源水处理装置,其中,所述装置包括依次设置的进水管1、溅射源组件2和出水管3,其中,所述溅射源组件2中还包括有至少一个表面附着有陶瓷薄膜的磁体4。
上述设计通过将溅射源组件2中的磁体4表面附着有陶瓷薄膜,从而使得在实际使用过程中,当水通过溅射源组件2时,使得溅射源组件2中最易于被腐蚀的磁体4得到保护,进而使得该溅射源组件2的被腐蚀程度大大降低,从而使得溅射装置得到有效的保护,大大增加其使用寿命。
为了使得进入所述溅射源组件2中的水得到更进一步的清洁,在本发明的一种优选的实施方式中,所述进水管1和所述溅射源组件2之间还设置有水处理设备,且所述水处理设备中包括过滤单元5,所述过滤单元5的过滤粒径不大于25μm。所述过滤方式可以为本领域常规使用的方式,例如,使用滤网等,在此不作赘述。
为了使水得到更进一步的处理,使得水中的大部分离子得到清洁,避免水对溅射源组件2的进一步腐蚀,在本发明的一种更为优选的实施方式中,所述水处理装置中还包括连接于所述过滤单元5的离子交换单元6,且所述离子交换单元6中填充有离子交换树脂。当然,此处的离子交换树脂可以为本领域常规使用的离子交换树脂类型,例如,可以是阳离子交换树脂,也可 以是阴离子交换树脂,也可以是二者的结合,在此均可以实现,因而不作进一步的限定。
为了更进一步清洁水中的杂质,在本发明的一种优选的实施方式中,所述水处理装置中还包括连接于所述过滤单元5的水清洁单元7,且所述水清洁单元7中至少包括水清洁剂。
所述水清洁剂可以为本领域常规使用的水清洁剂类型,例如,在本发明的一种优选的实施方式中,所述水清洁剂可以为溶氧剂和/或腐蚀抑制剂。所述溶氧剂和所述腐蚀抑制剂可以为本领域常规使用的类型,在此不作赘述。
本发明还提供了一种水处理方法,其中,所述方法使用上述所述的装置,所述方法包括将冷却水依次流经进水管1、磁体4上附着有陶瓷薄膜的溅射源组件2和出水管3。
为了尽可能减少冷却水对溅射源组件2的腐蚀,在本发明的一种优选的实施方式中,所述方法还包括将冷却水流经过滤单元5后再流经溅射源组件2,以将冷却水中粒径大于25μm的杂质滤除。
在本发明的一种更为优选的实施方式中,所述方法还包括将冷却水流经离子交换单元6,所述离子交换单元6连接于所述过滤单元5以去除冷却水中的离子。
为了进一步去除水中的溶氧等,在本发明的一种优选的实施方式中,所述方法还包括将冷却水流经含有水清洁剂的水清洁单元7。所述水清洁剂与前述一致,在此不作赘述。
以上结合附图详细描述了本发明的优选实施方式,但是,本发明并不限于上述实施方式中的具体细节,在本发明的技术构思范围内,可以对本发明的技术方案进行多种简单变型,这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是,在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征,在不矛盾的情况下,可以通过任何合适的方式进行组合,为了避免不必 要的重复,本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外,本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合,只要其不违背本发明的思想,其同样应当视为本发明所公开的内容。

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资源描述

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1、(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201410629553.3 (22)申请日 2014.11.10 C23C 14/35(2006.01) C02F 1/00(2006.01) C02F 9/04(2006.01) C02F 103/02(2006.01) (71)申请人 芜湖真空科技有限公司 地址 241000 安徽省芜湖市经济技术开发区 科技创业中心 B 座 320 室 (72)发明人 薛辉 任俊春 金海涛 (74)专利代理机构 北京润平知识产权代理有限 公司 11283 代理人 孙向民 董彬 (54) 发明名称 溅射源水处理装置和水处理方法 (57) 摘要 本发明。

2、公开了一种溅射源水处理装置和水处 理方法, 其中, 所述装置包括依次设置的进水管 (1)、 溅射源组件 (2) 和出水管 (3), 其中, 所述溅 射源组件 (2) 中还包括有至少一个表面附着有陶 瓷薄膜的磁体 (4)。本发明通过将溅射源组件中 的磁体表面附着有陶瓷薄膜, 从而使得在实际使 用过程中, 当水通过溅射源组件时, 使得溅射源组 件中最易于被腐蚀的磁体得到保护, 进而使得该 溅射源组件的被腐蚀程度大大降低, 从而使得溅 射装置得到有效的保护, 大大增加其使用寿命。 (51)Int.Cl. (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书3页 附图1页。

3、 (10)申请公布号 CN 104451577 A (43)申请公布日 2015.03.25 CN 104451577 A 1/1 页 2 1. 一种溅射源水处理装置, 其特征在于, 所述装置包括依次设置的进水管 (1)、 溅射源 组件 (2) 和出水管 (3), 其中, 所述溅射源组件 (2) 中还包括有至少一个表面附着有陶瓷薄 膜的磁体 (4)。 2.根据权利要求1所述的装置, 其特征在于, 所述进水管(1)和所述溅射源组件(2)之 间还设置有水处理设备, 且所述水处理设备中包括过滤单元 (5), 所述过滤单元 (5) 的过滤 粒径不大于 25m。 3. 根据权利要求 2 所述的装置, 其。

4、特征在于, 所述水处理装置中还包括连接于所述过 滤单元 (5) 的离子交换单元 (6), 且所述离子交换单元 (6) 中填充有离子交换树脂。 4. 根据权利要求 2 所述的装置, 其特征在于, 所述水处理装置中还包括连接于所述过 滤单元 (5) 的水清洁单元 (7), 且所述水清洁单元 (7) 中至少包括水清洁剂。 5. 根据权利要求 4 所述的装置, 其特征在于, 所述水清洁剂为溶氧剂和 / 或腐蚀抑制 剂。 6. 一种水处理方法, 其特征在于, 所述方法使用权利要求 5 所述的装置, 所述方法包 括将冷却水依次流经进水管 (1)、 磁体 (4) 上附着有陶瓷薄膜的溅射源组件 (2) 和出水。

5、管 (3)。 7. 根据权利要求 6 所述的方法, 其特征在于, 所述方法还包括将冷却水流经过滤单元 (5) 后再流经溅射源组件 (2), 以将冷却水中粒径大于 25m 的杂质滤除。 8. 根据权利要求 7 所述的方法, 其特征在于, 所述方法还包括将冷却水流经离子交换 单元 (6), 所述离子交换单元 (6) 连接于所述过滤单元 (5) 以去除冷却水中的离子。 9. 根据权利要求 7 所述的方法, 其特征在于, 所述方法还包括将冷却水流经含有水清 洁剂的水清洁单元 (7)。 权 利 要 求 书 CN 104451577 A 2 1/3 页 3 溅射源水处理装置和水处理方法 技术领域 0001。

6、 本发明涉及溅射源中的冷却水的处理领域, 具体地, 涉及一种溅射源水处理装置 和水处理方法。 背景技术 0002 在磁控溅射装置中, 都需要采用冷却水, 且该冷却水会流入该磁控溅射装置中的 溅射源组件中, 但是溅射源组件在使用过程中, 往往会因其内部结构的材料间彼此电势序 列不同, 因而产生较多的置换等化学反应, 尤其是溅射源组件中的磁体, 极易与其发生反 应。 0003 因此, 提供一种对溅射源组件腐蚀较小, 延长磁体使用寿命的溅射源水处理装置 和水处理方法是本发明亟需解决的问题。 发明内容 0004 针对上述现有技术, 本发明的目的在于克服现有技术中磁控溅射装置中的水对溅 射源组件在使用过。

7、程中腐蚀较大的问题, 从而提供一种对溅射源组件腐蚀较小, 延长磁体 使用寿命的溅射源水处理装置和水处理方法。 0005 为了实现上述目的, 本发明提供了一种溅射源水处理装置, 其中, 所述装置包括依 次设置的进水管、 溅射源组件和出水管, 其中, 所述溅射源组件中还包括有至少一个表面附 着有陶瓷薄膜的磁体。 0006 优选地, 所述进水管和所述溅射源组件之间还设置有水处理设备, 且所述水处理 设备中包括过滤单元, 所述过滤单元的过滤粒径不大于 25m。 0007 优选地, 所述水处理装置中还包括连接于所述过滤单元的离子交换单元, 且所述 离子交换单元中填充有离子交换树脂。 0008 优选地, 。

8、所述水处理装置中还包括连接于所述过滤单元的水清洁单元, 且所述水 清洁单元中至少包括水清洁剂。 0009 优选地, 所述水清洁剂为溶氧剂和 / 或腐蚀抑制剂。 0010 本发明还提供了一种水处理方法, 其中, 所述方法使用上述所述的装置, 所述方法 包括将冷却水依次流经进水管、 磁体上附着有陶瓷薄膜的溅射源组件和出水管。 0011 优选地, 所述方法还包括将冷却水流经过滤单元后再流经溅射源组件, 以将冷却 水中粒径大于 25m 的杂质滤除。 0012 优选地, 所述方法还包括将冷却水流经离子交换单元, 所述离子交换单元连接于 所述过滤单元以去除冷却水中的离子。 0013 优选地, 所述方法还包。

9、括将冷却水流经含有水清洁剂的水清洁单元。 0014 根据上述技术方案, 本发明通过将溅射源组件中的磁体表面附着有陶瓷薄膜, 从 而使得在实际使用过程中, 当水通过溅射源组件时, 使得溅射源组件中最易于被腐蚀的磁 体得到保护, 进而使得该溅射源组件的被腐蚀程度大大降低, 从而使得溅射装置得到有效 说 明 书 CN 104451577 A 3 2/3 页 4 的保护, 大大增加其使用寿命。 0015 本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。 附图说明 0016 附图是用来提供对本发明的进一步理解, 并且构成说明书的一部分, 与下面的具 体实施方式一起用于解释本发明, 但并不构。

10、成对本发明的限制。在附图中 : 0017 图 1 是本发明提供的一种水处理装置的结构示意图。 0018 附图标记说明 0019 1- 进水管 2- 溅射源组件 0020 3- 出水管 4- 磁体 0021 5- 过滤单元 6- 离子交换单元 0022 7- 水清洁单元。 具体实施方式 0023 以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是, 此处所描 述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明, 并不用于限制本发明。 0024 本发明提供了一种溅射源水处理装置, 其中, 所述装置包括依次设置的进水管 1、 溅射源组件 2 和出水管 3, 其中, 所述溅射源组件 2 中还包括有至少一。

11、个表面附着有陶瓷薄 膜的磁体 4。 0025 上述设计通过将溅射源组件 2 中的磁体 4 表面附着有陶瓷薄膜, 从而使得在实际 使用过程中, 当水通过溅射源组件 2 时, 使得溅射源组件 2 中最易于被腐蚀的磁体 4 得到保 护, 进而使得该溅射源组件 2 的被腐蚀程度大大降低, 从而使得溅射装置得到有效的保护, 大大增加其使用寿命。 0026 为了使得进入所述溅射源组件 2 中的水得到更进一步的清洁, 在本发明的一种优 选的实施方式中, 所述进水管1和所述溅射源组件2之间还设置有水处理设备, 且所述水处 理设备中包括过滤单元 5, 所述过滤单元 5 的过滤粒径不大于 25m。所述过滤方式可以。

12、为 本领域常规使用的方式, 例如, 使用滤网等, 在此不作赘述。 0027 为了使水得到更进一步的处理, 使得水中的大部分离子得到清洁, 避免水对溅射 源组件 2 的进一步腐蚀, 在本发明的一种更为优选的实施方式中, 所述水处理装置中还包 括连接于所述过滤单元 5 的离子交换单元 6, 且所述离子交换单元 6 中填充有离子交换树 脂。当然, 此处的离子交换树脂可以为本领域常规使用的离子交换树脂类型, 例如, 可以是 阳离子交换树脂, 也可以是阴离子交换树脂, 也可以是二者的结合, 在此均可以实现, 因而 不作进一步的限定。 0028 为了更进一步清洁水中的杂质, 在本发明的一种优选的实施方式中。

13、, 所述水处理 装置中还包括连接于所述过滤单元5的水清洁单元7, 且所述水清洁单元7中至少包括水清 洁剂。 0029 所述水清洁剂可以为本领域常规使用的水清洁剂类型, 例如, 在本发明的一种优 选的实施方式中, 所述水清洁剂可以为溶氧剂和 / 或腐蚀抑制剂。所述溶氧剂和所述腐蚀 抑制剂可以为本领域常规使用的类型, 在此不作赘述。 说 明 书 CN 104451577 A 4 3/3 页 5 0030 本发明还提供了一种水处理方法, 其中, 所述方法使用上述所述的装置, 所述方法 包括将冷却水依次流经进水管 1、 磁体 4 上附着有陶瓷薄膜的溅射源组件 2 和出水管 3。 0031 为了尽可能减。

14、少冷却水对溅射源组件 2 的腐蚀, 在本发明的一种优选的实施方式 中, 所述方法还包括将冷却水流经过滤单元 5 后再流经溅射源组件 2, 以将冷却水中粒径大 于 25m 的杂质滤除。 0032 在本发明的一种更为优选的实施方式中, 所述方法还包括将冷却水流经离子交换 单元 6, 所述离子交换单元 6 连接于所述过滤单元 5 以去除冷却水中的离子。 0033 为了进一步去除水中的溶氧等, 在本发明的一种优选的实施方式中, 所述方法还 包括将冷却水流经含有水清洁剂的水清洁单元 7。所述水清洁剂与前述一致, 在此不作赘 述。 0034 以上结合附图详细描述了本发明的优选实施方式, 但是, 本发明并不。

15、限于上述实 施方式中的具体细节, 在本发明的技术构思范围内, 可以对本发明的技术方案进行多种简 单变型, 这些简单变型均属于本发明的保护范围。 0035 另外需要说明的是, 在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征, 在不矛 盾的情况下, 可以通过任何合适的方式进行组合, 为了避免不必要的重复, 本发明对各种可 能的组合方式不再另行说明。 0036 此外, 本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合, 只要其不违背本 发明的思想, 其同样应当视为本发明所公开的内容。 说 明 书 CN 104451577 A 5 1/1 页 6 图 1 说 明 书 附 图 CN 104451577 A 6 。

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