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1、(10)申请公布号 CN 103042612 A (43)申请公布日 2013.04.17 CN 103042612 A *CN103042612A* (21)申请号 201110321495.4 (22)申请日 2011.10.12 B28D 5/04(2006.01) (71)申请人 赵钧永 地址 200335 上海市仙霞西路 300 弄 14 号 1101 室 (72)发明人 赵钧永 (54) 发明名称 太阳能晶体硅线切割砂浆 (57) 摘要 本发明一般涉及专用于太阳能晶体硅线切割 的砂浆及其制造方法。现有的专用于太阳能晶体 硅线切割的砂浆, 使用时容易发生硬点异常现象, 并且切割力低,。
2、 切割效率低, 切割成本较高。本发 明采用的新型太阳能晶体硅线切割砂浆, 在保持 了较低的成本的前提下, 能避免太阳能晶体硅线 切割剖方或切片时的硬点异常现象, 并且切割力 大幅度提高, 可使切割效率显著提高, 切割成本下 降。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 6 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 6 页 1/1 页 2 1. 一种太阳能晶体硅线切割砂浆, 由重量百分比占 30 70的硬质磨料和悬浮分散 硬质磨料的分散液组成, 本发明的特征是, 组成砂浆的硬质磨料, 至少包含有一种硬度高于 碳化硅的研磨材料。 2. 。
3、根据权利要求 1 的线切割砂浆, 其特征是, 所述的硬质磨料主要成分为包含重量百 分比 1 30的至少一种选自金刚石、 立方氮化硼、 碳化硼、 氮化硅的研磨材料, 和 70 99的至少一种选自碳化硅、 氧化铝、 碳硅硼、 钪碳化硅、 铈碳化硅、 其它稀土碳化硅的研磨 材料。 3. 根据权利要求 2 的线切割砂浆, 其特征是, 所述的金刚石、 立方氮化硼或碳化硼、 氮 化硅研磨材料颗粒的平均直径大于碳化硅、 氧化铝或铈碳化硅、 碳硅硼磨料颗粒的平均直 径。 4. 根据权利要求 2 的线切割砂浆, 其特征是, 所述的金刚石、 立方氮化硼、 碳化硼、 氮化 硅研磨材料颗粒的平均直径小于碳化硅、 氧化。
4、铝或钪碳化硅、 铈碳化硅、 碳硅硼、 其它稀土 碳化硅研磨材料颗粒的平均直径。 5. 根据权利要求 1 的线切割砂浆, 其特征是, 所述的碳化硅、 氧化铝或钪碳化硅、 碳硅 硼、 铈碳化硅、 其它稀土碳化硅研磨材料颗粒大小在过 400 3500 目筛之间。 6.根据权利要求25的线切割砂浆, 其特征是, 所述的硬质磨料的碳化硅组分是黑碳 化硅。 7.根据权利要求25的线切割砂浆, 其特征是, 所述的硬质磨料的氧化铝组分是微晶 氧化铝。 8. 根据权利要求 1 的线切割砂浆, 其特征是, 所述的硬质磨料包含至少一种选自稀土 碳化硅和钪碳化硅的研磨材料。 9.一种权利要求18的所述的专用于太阳能晶。
5、体硅线切割切片或剖方的砂浆的制造 方法, 包括步骤 : 1、 取新配置好的本发明的砂浆用于硅晶锭的线切割剖方或切片 ; 2、 将剖方或切片后的 砂浆回收, 任选分离分散液和磨料, 任选除去砂浆或磨料、 分散液中的硅切屑和其他杂质成 分, 任选补充部分分散液和部分新磨料, 任选将分散液和磨料重新混配成悬浮液, 获得本发 明的线切割砂浆。 权 利 要 求 书 CN 103042612 A 2 1/6 页 3 太阳能晶体硅线切割砂浆 技术领域 0001 本发明涉及专用于太阳能晶体硅的线切割开方或切片的悬浮砂浆及其专用制造 方法。 背景技术 0002 现有的专用于太阳能晶体硅线切割开方或切片的悬浮砂浆。
6、是由具有磨削作用的 硬质磨料和使磨料分散悬浮的分散液混配而成。 目前业内广泛使用的太阳能晶体硅线切割 开方或切片的悬浮砂浆, 其磨料采用碳化硅微粉, 分散液采用聚乙二醇或聚丙醇等, 并可混 配有助于磨料颗粒分散和悬浮、 以及可改善悬浮砂浆的物理、 化学指标的其他助剂。 0003 使用现有的切割砂浆用于太阳能晶体硅的线切割中, 经常会发生硬点导致的异 常, 包括硬点线痕、 硬点缺损、 切割面呈阶梯状、 断线等等。 其中, 切片过程中发生断线时, 甚 至可以造成整个装载硅锭的全部损失。此外, 现有的线切割砂浆, 切割效率较低, 切割速度 也较慢, 切割成本高。 0004 对于硅晶体中的引起线切割硬。
7、点异常的硬点, 一般认为与硅晶体中的多种杂质、 例如氮、 金属杂质、 碳等有关。然而, 本发明人经深入研究发现, 引起线切割硬点异常的杂 质, 并不是氮和金属杂质, 而主要是与碳杂质有关。 0005 本发明人发现, 太阳能晶体硅锭相对于半导体领域使用的高纯晶体硅锭, 含有较 多的碳杂质, 特别是铸造硅晶体, 其碳杂质含量往往可以达到110ppm。 本发明人发现, 有 些情况下, 哪怕是仅仅超过 0.5ppm 的碳含量, 也会在例如铸造或直拉硅晶体中形成碳化硅 晶体, 并生长聚集形成微小的硬质点。即引起线切割异常的硬质点主要是微小的碳化硅晶 体。由于现有的线切割砂浆采用的磨料是碳化硅微粒, 具有。
8、和上述硅晶体中的碳化硅晶体 的硬点相同的硬度, 因而, 磨料遇到该硬点时, 就无法完成切割而导致切割中出现硬点异常 现象。 0006 此外, 本发明人发现, 在晶体硅线切割悬浮砂浆技术领域存在着如下的技术认知 : 当悬浮砂浆中含有两种或两种以上的磨料颗粒时, 磨粒之间因硬度不同将彼此磨削消耗, 导致切割能力受到损害 ; 以及, 参与切割的磨料颗粒, 总是尺寸较大的磨料颗粒, 尺寸较小 的颗粒将被掩盖, 而不同断裂韧性的磨料颗粒彼此磨削将导致韧性较小的磨料破碎成小颗 粒, 无法参与硅晶体的切割。 0007 由于碳化硅的断裂韧性略高于诸如金刚石、 立方氮化硼等高硬度磨料, 上述技术 认知, 导致以。
9、碳化硅为主体的线切割悬浮砂浆, 无从配合使用更高硬度的磨料。 发明内容 0008 因此, 本发明的目的之一是提供新型的改进的太阳能晶体硅线切割悬浮砂浆, 以 克服硅晶体线切割中发生的硬点异常, 并提高线切割速度, 降低线切割成本。 本发明的再一 个目的, 是提供该改进的太阳能晶体硅线切割悬浮砂浆的一种制造方法, 使用该方法获得 的本发明的太阳能晶体硅线切割悬浮砂浆综合成本最低。 说 明 书 CN 103042612 A 3 2/6 页 4 0009 本发明人经过仔细分析和研究发现, 在太阳能晶体硅线切割中, 事实上与上述认 知不同, 切割悬浮砂浆中不同尺寸的磨料颗粒都参与硅晶体的切割, 而由于。
10、悬浮液的粘滞、 悬浮和分散作用, 不同种类的磨料颗粒之间并不会发生明显的磨削消耗, 特别是当不同磨 料的比例相差悬殊或粒径差异较大时, 彼此间的磨削消耗几乎可以忽略不计, 因而完全可 以采用两种或两种以上的磨料混合共同切割。本发明人发现, 只要在磨料中加入适当比例 的硬度高于碳化硅的磨料颗粒, 例如, 金刚石、 立方氮化硼或碳化硼、 氮化硅等超硬磨料, 就 可以避免太阳能晶体硅的悬浮砂浆线切割过程中发生硬点引起的切割异常现象。 0010 由此, 本发明提供了一种新型太阳能晶体硅线切割砂浆, 由重量百分比占 30 70的硬质磨料和 70 30的分散硬质磨料的分散液组成, 其中, 组成砂浆的硬质磨。
11、料, 至少包含有一种硬度高于碳化硅的磨料 ; 分散液可以采用商品切割油等油性或水性液体, 并可包含分散或悬浮等性能改善助剂。 本发明发现, 采用该砂浆对太阳能硅晶体作线切割, 可以避免硬点引起的切割异常, 并大幅度提高切割效率。 0011 根据本发明, 所述的硬度高于碳化硅的磨料, 包括但不限于金刚石、 立方氮化硼、 碳化硼磨料, 或其他超硬磨料, 包括一些氮化物如氮化硅和碳化物如碳化钨等。 0012 根据本发明的方案, 所述的硬质磨料的优选主要成分为包含重量百分比 1 30 的至少一种选自金刚石、 立方氮化硼、 碳化硼、 氮化硅的研磨材料, 和 70 99的至少一种 选自碳化硅、 氧化铝、 。
12、碳硅硼、 铈碳化硅、 其它稀土碳化硅的研磨材料。根据本发明, 硬质磨 料的主要成分也可以采用单一的铈碳化硅等稀土碳化硅磨料 ( 包括其它铈组稀土和钇组 稀土 ) 或钪碳化硅。 0013 除作为主要成分的上述磨料之外, 其他任意磨料的加入, 根据磨料的种类和硬度 的不同, 可以获得增强或减弱本发明的混合磨料的切割力的不同效果。例如, 加入石英砂, 将减弱砂浆的切割力, 加入碳化钨 _ 铈钴, 将增强切割力。 0014 根据本发明, 上述硬度远超过碳化硅的金刚石、 立方氮化硼、 碳化硼、 氮化硅磨料, 由于数量相对较少而作为辅助磨料 ; 上述碳化硅磨料和硬度与碳化硅接近的氧化铝、 铈碳 化硅、 碳。
13、硅硼磨料由于数量较多而作为主磨料。本发明按一定比例搭配主、 辅磨料制成砂 浆, 获得了可避免线切割中发生硬点异常的意外效果, 同时, 又保持了较低的切割砂浆成 本。 0015 本发明还发现, 所提供的硬度远高于碳化硅的辅助磨料磨粒的尺寸相对于主磨料 的尺寸存在差异时, 较两者的颗粒尺寸相同时, 所获得的线切割砂浆具有特殊的有益效果。 例如, 当辅助磨料的颗粒尺寸 ( 以平均粒径、 D50 等衡量 ) 较大时, 更适合用作硅晶锭开方 砂浆, 而在悬浮砂浆用于晶体硅锭开方砂浆使用后, 超硬的辅助磨料的颗粒尺寸降低, 颗粒 在砂浆中的占空比增加, 这时, 悬浮砂浆经过除去硅切屑等杂质后, 更适合用作。
14、硅锭切片砂 浆。发明人发现, 这是由于硅晶锭开方时, 在晶锭的顶部有更多和尺寸更大、 分布更为集中 的碳化硅硬点, 它们需要砂浆有更强的切割力并容易使大颗粒的磨粒破损。而剖方后的硅 方锭切片时, 硅晶体中混杂的碳化硅硬点较少、 较小、 更为分散, 尺寸较小但在砂浆中占空 比更大的超硬磨粒颗粒具有更好的硬点切割效果。 0016 又例如, 用作硅晶体切片时, 当辅助磨料的颗粒尺寸 ( 以平均粒径衡量 ) 较大时 ( 例如大 1 微米以上 ), 更适合切割的入刀口或入线端面是硅方锭的硬点杂质较多的面。 0017 另一方面, 当辅助磨料的颗粒尺寸 ( 以平均粒径、 D50、 D90 等衡量 ) 较小时。
15、 ( 例如 说 明 书 CN 103042612 A 4 3/6 页 5 小 1 微米以上 ), 本发明的线切割砂浆更适合用于硅方锭的切片, 或者入刀口面是硅方锭的 硬点杂质较少的面的硅方锭切片。 这时, 当硅方锭切割到后期接近出刀口时, 主磨料的尺寸 经过磨削损耗大为降低, 辅助磨料此时显现出更强的相对切割能力, 使得出刀口的切割更 锋利、 冲击力更小, 能降低出刀口的切割不良例如崩边、 硅落、 亮边的发生率。 0018 根据本发明, 所述的磨料颗粒尺寸 ( 以平均粒径、 D50、 D90 等衡量 ), 最好介于 400 3500 目之间, 低于 400 目的磨料颗粒容易使切割面粗糙不平, 。
16、而高于 3500 目的磨料 颗粒切削力降低, 影响切割效率。同时, 磨料颗粒尺寸的分布越集中越好。例如, 本发明的 过 1100 目筛、 1600 目筛余的磨料颗粒粒径, 集中分布在 10 13 微米, 较仅仅过 1100 目筛 的磨料颗粒, 具有更好的切削效果。 0019 根据本发明, 构成所述的主磨料的碳化硅, 可以是绿碳化硅, 但最好是黑碳化硅。 相比绿碳化硅, 黑碳化硅具有较高的断裂韧性, 更适合在超硬磨料存在时起到与超硬磨料 的良好配合作用。 0020 根据本发明, 构成所述的主磨料的氧化铝, 可以是任意的含氧化铝的磨料, 包括刚 玉、 棕刚玉、 锆刚玉、 铬刚玉、 白刚玉、 黑刚玉。
17、等等, 但最好使用微晶氧化铝。 0021 本发明发现, 由于铈碳化硅具有较碳化硅更高的硬度, 同时成本较其它超硬磨料 低很多, 与碳化硅接近, 因此, 可以单独使用铈碳化硅作为本发明的太阳能晶体硅线切割悬 浮砂浆的磨料。 本发明所述的铈碳化硅, 是指在碳化硅生产中, 在原料中加入微量或少量的 稀土元素铈(通常以铈的氧化物形式加入), 获得的含铈的碳化硅。 本发明发现, 类似的, 添 加其它稀土元素, 例如稀土 La 和 Y, 也可以获得硬度和韧性较绿碳化硅或黑碳化硅更好的 稀土碳化硅, 适合用作本发明的磨料或主磨料。本发明人发现, 稀散元素钪, 也有类似稀土 元素的增强碳化硅磨削性能的作用, 。
18、因此, 也可以使用钪碳化硅作为本发明的主磨料。 0022 本发明还提供了一种制造本发明的线切割砂浆的专用制造方法, 分别包括切片用 砂浆和剖方用砂浆, 其包括步骤 : 1、 取新配置好的本发明的砂浆用于硅晶锭的线切割剖方 或切片 ; 2、 将经剖方或切片使用后的砂浆回收, 任选分离悬浮液和磨料, 任选除去砂浆中硅 切屑和其他杂质成分, 任选补充部分悬浮液和新磨料, 任选将悬浮液和磨料重新混配, 获得 本发明的线切割砂浆。 以下结合具体实施方式进一步说明本发明。 具体实施方式 0023 实施例 1, 本实施例砂浆的各组分及重量百分比为 : 聚乙二醇 53 绿碳化硅 32.9 ( 占磨料重量百分比。
19、 70 ) 立方氮化硼 14.1 ( 占磨料重量百分比 30 ) 将上述组分按下述方法制成悬浮砂浆, 即获得本发明的太阳能晶体硅线切割专用砂 浆 : 将充分干燥的立方氮化硼、 绿碳化硅磨料缓慢加入聚乙二醇液体中, 在超声处理下作机 械搅拌直到磨料均匀分散形成悬浮液。 0024 实施例 1 中, 绿碳化硅和立方氮化硼研磨材料的颗粒粒径, 可以任选一定的大小, 但优选 400 3500 目之间的粒径大小。例如, 取 400 目 (38 微米 ), 450 目, 500 目, 600 目, 700 目, 800 目, 900 目, 1000 目, 1100 目, 1200 目, 1300 目, 14。
20、00 目, 1500 目, 1600 目, 1800 说 明 书 CN 103042612 A 5 4/6 页 6 目, 2000 目, 2500 目, 3000 目, 3500 目 (3.6 微米 ) 等等。本发明发现, 目数越大, 磨料颗粒 越小, 砂浆的粘度越大, 磨料悬浮效果越好, 切割表面的损伤越小, 但切割力下降。因此, 可 根据磨料的种类和砂浆的磨料浓度, 优选在 400 3500 目的颗粒范围内 0025 实施例 2, 本实施例砂浆的各组分及重量百分比为 : 将上述组分按下述方法制成悬浮砂浆, 即获得本发明的太阳能晶体硅线切割专用砂 浆 : 将充分干燥的立方氮化硼微粉磨料加入一。
21、半数量的煤油中, 超声分散形成分散液, 加入 硬脂酸搅拌混合, 煮沸后冷却, 再加入剩余的煤油, 搅拌成立方氮化硼磨料悬浮液 ; 将绿碳 化硅微粉磨料缓慢加入聚乙二醇液体中, 搅拌直到均匀分散形成悬浮液, 再加入所述的立 方氮化硼磨料悬浮液, 充分搅拌直到混合均匀。本实施例中, 煤油、 硬脂酸分别作为分散和 悬浮助剂。也可以将煤油和硬脂酸作为本发明的砂浆主分散剂。 0026 实施例 3, 本实施例砂浆的各组分及重量百分比为 : 聚乙二醇 48 绿碳化硅 51.48 ( 占磨料重量百分比 99 ) 金刚石 0.52 ( 占磨料重量百分比 1 ) 将以上磨料和聚乙二醇液体混合搅拌成悬浮液, 获得本。
22、发明的太阳能晶体硅线切割专 用砂浆。 0027 实施例 4, 本实施例砂浆的各组分及重量百分比为 : 丙二醇 55 微晶氧化铝 38.25 ( 占磨料重量百分比 85 ) 碳化硼 6.75 ( 占磨料重量百分比 15 ) 将以上磨料和丙二醇液体混合搅拌成悬浮液, 获得本发明的太阳能晶体硅线切割专用 砂浆。其中, 微晶氧化铝优选采用高温烧结成具有适当粒径的氧化铝陶瓷颗粒。 0028 实施例 5, 本实施例砂浆的各组分及重量百分比为 : 聚乙二醇 60 微晶氧化铝 36 ( 占磨料重量百分比 90 ) 碳化硼 2 ( 占磨料重量百分比 5 ) 立方氮化硼 2 ( 占磨料重量百分比 5 ) 将以上磨。
23、料和聚乙二醇液体搅拌成悬浮液, 获得本发明的太阳能晶体硅线切割专用砂 浆。 0029 实施例 6-1 和 6-2, 本实施例线切割砂浆的各组分及重量百分比为 : 6-1 6-2 聚乙二醇 51 52 铈碳化硅 49 14.4 碳化硅 - 33.6 说 明 书 CN 103042612 A 6 5/6 页 7 将铈碳化硅或铈碳化硅与碳化硅磨料和分散剂聚乙二醇液体搅拌成悬浮液, 获得本发 明的太阳能晶体硅线切割专用砂浆。其中, 优选 ( 但不限于 ) 含铈量 0.1 2的铈碳化硅 微粒用做本实施例的铈碳化硅磨料。 0030 实施例 7-1、 7-2, 本实施例线切割砂浆的各主要组分及重量百分比为 。
24、: 本发明发现, 使用硅油 ( 聚硅氧烷 ) 作为分散剂, 获得的太阳能晶体硅线切割专用砂 浆, 具有更好的切割效果, 其中, 硅油可以采用例如二甲基硅油、 羟基硅油、 氨基硅油等商用 硅油或其混合物。这时, 可以使用煤油或柴油等烃类液体作为硅油粘度调配或磨料分散的 助剂。本实施例中, 优选 ( 但不限于 ) 含钪 0.01 0.5的钪碳化硅微粒用做本实施例的 钪碳化硅磨料。 0031 实施例 8, 本实施例线切割砂浆的各主要组分及重量百分比为 : 硬脂酸 20 煤油 28 绿碳化硅 48.36 ( 占磨料重量百分比 93 ) 氮化硅 3.64 ( 占磨料重量百分比 1 ) 其中, 绿碳化硅磨。
25、料的平均粒径, 以 D50 计, 为 8 微米, 氮化硅颗粒粒径为 4 6 微米。 0032 实施例 9, 本实施例砂浆的各主要组分及重量百分比为 : 聚乙二醇 50 绿碳化硅 48 ( 占磨料重量百分比 96 ) 立方氮化硼 2 ( 占磨料重量百分比 4 ) 其中, 绿碳化硅磨料的平均粒径, 以 D50 计, 为 9 微米, 立方氮化硼颗粒粒径为 12 微米。 0033 实施例 10, 本实施例砂浆的各主要组分及重量百分比为 : 聚乙二醇 50 黑碳化硅 47 ( 占磨料重量百分比 96 ) 立方氮化硼 3 ( 占磨料重量百分比 6 ) 其中, 黑碳化硅磨料的平均粒径, 以 D50 计, 为。
26、 10 微米, 立方氮化硼颗粒粒径为 8 微米。 0034 根据本发明的专用于切片的线切割砂浆的制造方法的一个实施例, 包括步骤 : 1、 取新配置好的本发明的实施例 9 的砂浆作至少一次硅晶锭的线切割剖方 ; 2、 将剖方后的砂 浆回收, 任选分离分散液和磨料, 任选除去砂浆中硅切屑和其他杂质成分, 任选补充部分分 散液和部分新磨料, 任选将分散液和磨料重新混配成悬浮液, 获得本发明的线切割砂浆。 采 用本方法获得的切割砂浆, 不仅综合成本较低, 同时, 由于剖方时的高速切割中, 较大的立 方氮化硼颗粒破碎变小, 立方氮化硼在砂浆的空间密度增加, 可以获得更好的切片效果。 0035 根据本发。
27、明的专用于太阳能晶硅锭剖方的线切割砂浆的制造方法的一个实施例, 包括步骤 : 1、 取新配置好的本发明的实施例10的砂浆作至少一次硅晶锭(剖方锭)的线切 割切片 ; 2、 将切片后的砂浆回收, 任选分离分散液和磨料, 任选除去砂浆或磨料、 分散液的 说 明 书 CN 103042612 A 7 6/6 页 8 硅切屑和其他杂质成分, 任选补充部分分散液和部分新磨料, 任选将分散液和磨料重新混 配成悬浮液, 获得本发明的线切割砂浆。采用本方法获得的切割砂浆, 不仅综合成本较低, 同时, 由于切片时的切割中, 较大的黑碳化硅颗粒破碎变小, 立方氮化硼对碳化硅颗粒的粒 径比值较切片切割处理前增加, 。
28、弥补了切割砂浆中切片后碳化硅颗粒切削力的减弱, 加上 剖方时采用的线径较粗, 带砂量较大, 保证了剖方需要的切割能力。 0036 本发明的太阳能晶硅线切割砂浆, 在找到了引起切割硬点异常的真实原因的基础 上, 克服了行业技术偏见, 首创采用成本较低但硬度较低的主磨削磨料和成本较高但硬度 较高的辅磨削磨料配合使用, 可以避免线切割中出现的硬点异常, 并大大提高砂浆的切割 能力, 提高了切割效率。 0037 本发明的太阳能晶硅线切割砂浆, 在找到了引起切割硬点异常的真实原因主要是 硅晶锭中的碳化硅杂质的基础上, 首创采用硬度和韧性高于碳化硅但成本和目前使用的绿 碳化硅比较相近或略低的稀土碳化硅、 。
29、钪碳化硅磨料用作研磨磨削材料, 可以避免线切割 中出现的硬点异常现象, 提高砂浆的切割能力, 提高了切割效率, 降低了切割成本。 0038 在现有技术中, 太阳能晶体硅线切割砂浆的回收砂浆, 均局限于用作同种切割方 式, 并且, 回收砂浆的切割能力大幅度降低, 切割效率低下。本发明的专用于太阳能晶硅线 切割砂浆的制造方法, 充分利用了本发明的砂浆的硬度不同的磨料组分经过切割磨耗后的 变化特性, 获得的剖方或切片专用砂浆, 不仅避免了一般切割回收砂浆切割力大幅降低的 缺点, 而且获得了切割力相对一般回收砂浆有较大提高的出人意料的效果, 可以大幅度降 低砂浆成本和切割成本。 0039 本发明的砂浆, 不仅具有较高的切割能力, 而且也具有较广的使用范围, 并不限于 太阳能晶体硅的线切割, 例如, 可用于半导体晶体硅的线切割, 和用于硅锗合金的线切割, 或用于其它硬脆材料的线切割或表面研磨。 0040 本领域的技术人员显而易见, 在不偏离本发明的范围或构思的情况下, 可以对所 披露的方案和方法做出各种修改和变化。 0041 本发明的说明书和实施方案只是示例性的, 考虑到说明书以及实践本文中披露的 发明精神, 本领域的技术人员可以显而易见本发明的其他实施方案。 说 明 书 CN 103042612 A 8 。