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1、(10)申请公布号 CN 102950841 A (43)申请公布日 2013.03.06 C N 1 0 2 9 5 0 8 4 1 A *CN102950841A* (21)申请号 201210487499.4 (22)申请日 2012.11.26 B32B 17/06(2006.01) C03C 17/36(2006.01) (71)申请人中山市创科科研技术服务有限公司 地址 528400 广东省中山市火炬开发区创业 大厦229号 (72)发明人杨柳 刘昕 (74)专利代理机构中山市汉通知识产权代理事 务所 44255 代理人田子荣 石仁 (54) 发明名称 一种高透光率的单银低辐射玻璃。
2、 (57) 摘要 一种高透光率的单银低辐射玻璃，包括玻璃 基材，其特征在于：还包括由下而上依次设于玻 璃基材上表面的一TiO 2 介质层、一NbO x 折射层、 一CrN x 阻挡层、一AZO平整层、一降辐射镀Ag层、 一CrN x O y 膜层、以及一SnO 2 保护层。本发明可在 保证透光率的同时，降低红外辐射。 (51)Int.Cl. 权利要求书1页 说明书2页 附图1页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 2 页 附图 1 页 1/1页 2 1.一种高透光率的单银低辐射玻璃，包括玻璃基材，其特征在于：还包括由下而上依 次设于玻璃基材上。
3、表面的一TiO 2 介质层、一NbO x 折射层、一CrN x 阻挡层、一AZO平整层、一 降辐射镀Ag层、一CrN x O y 膜层、以及一SnO 2 保护层。 2.根据权利要求1所述的一种高透光率的单银低辐射玻璃，其特征在于：所述TiO 2 介 质层的厚度为1030nm。 3.根据权利要求1所述的一种高透光率的单银低辐射玻璃，其特征在于：所述NbO x 折 射层的厚度为510nm。 4.根据权利要求1所述的一种高透光率的单银低辐射玻璃，其特征在于：所述CrN x 阻 挡层的厚度为0.53nm。 5.根据权利要求1所述的一种高透光率的单银低辐射玻璃，其特征在于：所述AZO平 整层的厚度为52。
4、0nm。 6.根据权利要求1所述的一种高透光率的单银低辐射玻璃，其特征在于：所述降辐射 镀Ag层的厚度为710nm。 7.根据权利要求1所述的一种高透光率的单银低辐射玻璃，其特征在于：所述CrN x O y 膜层的厚度为0.55nm。 8.根据权利要求1所述的一种高透光率的单银低辐射玻璃，其特征在于：所述SnO 2 保 护层的厚度为2050nm。 权 利 要 求 书CN 102950841 A 1/2页 3 一种高透光率的单银低辐射玻璃 技术领域 ： 0001 本发明涉及一种高透光率的单银低辐射玻璃。 背景技术 ： 0002 现有的玻璃，在实现防辐射功能的同时，又导致其透光率较低，故有必要对现。
5、有的 玻璃作出改进，以提供一种既能防辐射，又具有高透光率的玻璃。 发明内容 ： 0003 本发明的目的在于提供一种高透光率的单银低辐射玻璃，其可在保证透光率的同 时，降低红外辐射。 0004 一种高透光率的单银低辐射玻璃，包括玻璃基材，其特征在于：还包括由下而上依 次设于玻璃基材上表面的一TiO 2 介质层、一NbO x 折射层、一CrN x 阻挡层、一AZO平整层、一 降辐射镀Ag层、一CrN x O y 膜层、以及一SnO 2 保护层。 0005 作为上述方案的一种改进，所述TiO 2 介质层的厚度为1030nm。 0006 作为上述方案的进一步改进，所述NbO x 折射层的厚度为510n。
6、m。 0007 作为上述方案的进一步改进，所述CrN x 阻挡层的厚度为0.53nm。防止Ag被氧化。 0008 作为上述方案的进一步改进，所述AZO平整层的厚度为520nm。平滑所述CrN x 阻 挡层，为Ag层作铺垫，降低辐射率。 0009 作为上述方案的进一步改进，所述降辐射镀Ag层的厚度为710nm，可大大降低红 外辐射。 0010 作为上述方案的进一步改进，所述CrN x O y 膜层的厚度为0.55nm。可提高膜层耐 磨性、提高透光率、提高钢化时抗高温氧化性。 0011 作为上述方案的进一步改进，所述SnO 2 保护层的厚度为2050nm。耐腐蚀性好。 0012 本发明具有如下优点。
7、：其透光率可达83%，辐射率小于0.08。 附图说明 ： 0013 图1为本发明结构剖视图。 具体实施方式 ： 0014 如图所示，一种高透光率的单银低辐射玻璃，包括玻璃基材1、以及由下而上依次 设于玻璃基材1上表面的一TiO 2 介质层2、一NbO x 折射层3、一CrN x 阻挡层4、一AZO平整 层5、一降辐射镀Ag层6、一CrN x O y 膜层7、和一SnO 2 保护层8。 0015 所述TiO 2 介质层2的厚度为1030nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电 源溅射陶瓷钛靶，用氧气作反应气体，将靶材上的材料打到玻璃基材表面，最终形成TiO 2 介 质层。 0016 所述NbO。
8、 x 折射层3的厚度为510nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源 说 明 书CN 102950841 A 2/2页 4 溅射陶瓷铌靶，最终在TiO 2 介质层表面形成NbO x 折射层。 0017 所述CrN x 阻挡层4的厚度为0.53nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅 射铬靶，用氮气作反应气体，最终在NbO x 折射层表面形成CrN x 阻挡层。 0018 所述AZO平整层5的厚度为520nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用中频交流电源 溅射陶瓷Zn（AZO）靶，最终在CrN x 阻挡层表面形成AZO平整层，为Ag层作铺垫，降低辐射 率。 0019 所述降辐射镀Ag层6的厚度为。
9、710nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅 射银靶，最终在AZO平整层表面形成降辐射镀Ag层。 0020 所述CrN x O y 膜层7的厚度为0.55nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅 射铬靶，用氮气做反应气体，渗少量氧气，最终在降辐射镀Ag层表面形成CrN x O y 膜层，可提 高膜层耐磨性、提高透光率、提高钢化时抗高温氧化性。 0021 所述SnO 2 保护层8的厚度为2050nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电 源溅射锡靶，用氧气作反应气体，最终在CrN x O y 膜层表面形成SnO 2 保护层，耐腐蚀性好。 0022 以上所述仅为本发明的较佳实施例，并非用来限定本发明实施的范围，凡依本发 明专利范围所做的同等变化与修饰，皆落入本发明专利涵盖的范围。 说 明 书CN 102950841 A 1/1页 5 图1 说 明 书 附 图CN 102950841 A 。