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1、(10)申请公布号 CN 102899633 A (43)申请公布日 2013.01.30 C N 1 0 2 8 9 9 6 3 3 A *CN102899633A* (21)申请号 201210369319.2 (22)申请日 2012.09.27 C23C 16/30(2006.01) C23C 16/04(2006.01) H01L 31/18(2006.01) (71)申请人东方电气集团（宜兴）迈吉太阳能科 技有限公司 地址 214203 江苏省无锡市宜兴市经济开发 区文庄路6号 (72)发明人卢春晖 黄仑 吴俊清 王金伟 史孟杰 (74)专利代理机构南京天华专利代理有限责任 公司 。
2、32218 代理人夏平 (54) 发明名称 一种选择性发射极电池掩膜的制备方法 (57) 摘要 本发明公开一种选择性发射极电池掩膜的制 备方法，其特征在于它包括以下步骤：将印有刻 蚀二氧化硅掩膜的硅片送入等离子体增强化学气 相沉积法PECVD反应炉腔，炉腔内压强抽真空；升 高压强，同时通入N 2 O；检测炉管压强，30s内降低 压强；进行预沉积处理，通入NH 3 、SiH 4 和N 2 O；沉积 处理，同时向炉管内通入NH 3 、 SiH 4 和N 2 O；沉积完 毕后降温，同时通入N 2 进行吹扫及冷却处理。本 发明方法制作氮氧化硅掩膜的低温效果降低了温 度对硅片少子寿命的影响，同时在二次扩。
3、散时不 会因为高温导致部分氢键断裂造成氮化硅掩膜结 构损伤而引起掩膜功能失效，掩膜效果优于氮化 硅薄膜，同时还能阻挡其他杂质金属离子，降低硅 片污染。 (51)Int.Cl. 权利要求书1页 说明书3页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 3 页 1/1页 2 1.一种选择性发射极电池掩膜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤： (1)将印有刻蚀二氧化硅掩膜的硅片送入等离子体增强化学气相沉积法PECVD反应炉 管，炉管内温度加热至400430，在4min内压强抽真空至80mTorr； (2)升高压强至1700mTorr；持续3min，同时通入N。
4、 2 O流量为4.4slm； (3)检测炉管压强，30s内降低压强至50mTorr； (4)进行预沉积处理，在0.3min内维持压强9001200mTorr，电源功率4300W，通入NH 3 流量为11.2slm，SiH 4 流量为230270sccm，N 2 O流量为44.2slm； (5)沉积处理，升高炉温至450，持续1.5min，同时向炉管内通入NH 3 流量为 24502600sccm，SiH 4 流量为9001000sccm，N 2 O 流量为1417slm，低频电源功率维持 4300W； (6)沉积完毕后降温至420，压强升至10000mTorr，持续5min，同时通入N 2 进。
5、行吹扫 及冷却处理。 2.根据权利要求1所述的一种选择性发射极电池掩膜的制备方法，其特征在于步骤 (1)中炉管内温度加热至420。 3.根据权利要求1所述的一种选择性发射极电池掩膜的制备方法，其特征在于步骤 (4)中温度为420，维持压强1000mTorr，通入的NH 3 流量为1slm，SiH 4 流量为250sccm， N 2 O流量为4slm。 4.根据权利要求1所述的一种选择性发射极电池掩膜的制备方法，其特征在于步骤 (5)中通入的NH 3 流量为2500sccm，SiH 4 流量为900sccm，N 2 O流量为14slm。 5.根据权利要求1所述的一种选择性发射极电池掩膜的制备方法。
6、，其特征在于步骤 (6)通入流量为912slm的N 2 进行吹扫及冷却处理。 6.根据权利要求5所述的一种选择性发射极电池掩膜的制备方法，其特征在于步骤 (6)中N 2 流量为10slm。 权 利 要 求 书CN 102899633 A 1/3页 3 一种选择性发射极电池掩膜的制备方法 技术领域 0001 本发明涉及一种选择性发射极太阳能电池的掩膜，主要应用于晶硅电池片方面， 具体地说是一种晶硅太阳能选择性发射极电池掩膜的制备方法。 背景技术 0002 当前选择性发射极电池的掩膜大多使用二氧化硅或氮化硅制备，二氧化硅一般采 用高温生长的方法，高温对硅片存在一定的热损伤，会影响硅片的少子寿命。另。
7、外，高温生 长制备二氧化硅掩膜使用生产周期长，二氧化硅结构质量不高，起到阻挡层的作用低；氮化 硅阻挡层在二次扩散时由于高温造成表面结构损伤，一定程度降低了阻挡作用，两者均影 响选择性发射极电池原理的完全实现。 发明内容 0003 本发明的目的是针对目前通过热氧化制备选择性发射极电池片掩膜后造成硅片 由于高温导致少子寿命降低的问题提供一种新型掩膜的制备方法。 0004 本发明的目的可以通过以下技术方案实现： 0005 一种选择性发射极电池掩膜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤： 0006 (1)将印有刻蚀二氧化硅掩膜的硅片送入等离子体增强化学气相沉积法PECVD反 应炉管，炉管内温度加热至40。
8、0430，在4min内压强抽真空至80mTorr； 0007 (2)升高压强至1700mTorr；持续3min，同时通入N 2 O流量为4.4slm； 0008 (3)检测炉管压强，30s内降低压强至50mTorr； 0009 (4)进行预沉积处理，在0.3min内维持压强9001200mTorr，电源功率4300W，通入 NH 3 流量为11.2slm，SiH 4 流量为230270sccm，N 2 O流量为44.2slm； 0010 (5)沉积处理，升高炉温至450，持续1.5min，同时向炉管内通入NH 3 流量为 24502600sccm，SiH 4 流量为9001000sccm，N 。
9、2 O流量为1417slm，低频电源功率维持 4300W； 0011 (6)沉积完毕后降温至420，压强升至10000mTorr，持续5min，同时通入N 2 进行 吹扫及冷却处理。 0012 本发明步骤(1)中炉管内温度加热至420。 0013 本发明步骤(4)中温度为420，维持压强1000mTorr，通入的NH 3 流量为1slm， SiH 4 流量为250sccm，N 2 O流量为4slm。 0014 本发明步骤(5)中通入的NH 3 流量为2500sccm，SiH 4 流量为900sccm，N 2 O流量为 14slm。 0015 本发明步骤(6)通入流量为912slm的N 2 进行。
10、吹扫及冷却处理。 0016 步骤(6)中N 2 流量为10slm。 0017 本发明的有益效果：本发明所用的氮氧化硅薄膜采用低温等离子增强型化学气象 沉积制备，沉积温度是高温氧化制备二氧化硅膜的温度的50%，降低高温对硅片的损伤；相 说 明 书CN 102899633 A 2/3页 4 比氮化硅掩膜，该新型掩膜在二次高温扩散后硅片损伤较小，掩膜效果优于氮化硅薄膜，同 时还能阻挡其他杂质金属离子，降低硅片污染。 具体实施方式 0018 下面结合具体实施例对本发明作进一步详细说明。 0019 实施例1 0020 一种选择性发射极电池掩膜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤： 0021 (1)将印有。
11、刻蚀二氧化硅掩膜的硅片送入等离子体增强化学气相沉积法PECVD反 应炉管，炉管内温度加热至400，在4min内将炉管内压强抽真空至80mTorr； 0022 (2)升高压强至1700mTorr；持续3min，同时通入N 2 O流量为4.4slm； 0023 (3)检测炉管压强，30s内降低压强至50mTorr； 0024 (4)进行预沉积处理，在0.3min内维持压强900mTorr，电源功率4300W，通入NH 3 流量为1.2slm，SiH 4 流量为270sccm，N 2 O流量为4.2slm； 0025 (5)沉积处理，升高炉温至450，持续1.5min，同时向炉管内通入NH 3 流量。
12、为 2450sccm，SiH 4 流量为1000sccm，N 2 O流量为17slm，低频电源功率维持4300W； 0026 (6)沉积完毕后降温至420，压强升至10000mTorr，持续5min，同时通入N 2 进行 吹扫及冷却处理，N 2 流量为9slm。 0027 实施例2 0028 一种选择性发射极电池掩膜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤： 0029 (1)将印有刻蚀二氧化硅掩膜的硅片送入等离子体增强化学气相沉积法PECVD反 应炉管，炉管内温度加热至420，在4min内将炉管内压强抽真空至80mTorr； 0030 (2)升高压强至1700mTorr；持续3min，同时通入N 。
13、2 O流量为4.4slm； 0031 (3)检测炉管压强，30s内降低压强至50mTorr； 0032 (4)进行预沉积处理，在0.3min内维持压强1000mTorr，电源功率4300W，通入NH 3 流量为1slm，SiH 4 流量为250sccm，N 2 O流量为4slm； 0033 (5)沉积处理，升高炉温至450，持续1.5min，同时向炉管内通入NH 3 流量为 2500sccm，SiH 4 流量为900sccm，N 2 O流量为14slm，低频电源功率维持4300W； 0034 (6)沉积完毕后降温至420，压强升至10000mTorr，持续5min，同时通入N 2 进行 吹扫及。
14、冷却处理，N 2 流量为10slm。 0035 实施例3 0036 一种选择性发射极电池掩膜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤： 0037 (1)将印有刻蚀二氧化硅掩膜的硅片送入等离子体增强化学气相沉积法PECVD反 应炉管，炉管内温度加热至430，在4min内将炉管内压强抽真空至80mTorr； 0038 (2)升高压强至1700mTorr；持续3min，同时通入N 2 O流量为4.4slm； 0039 (3)检测炉管压强，30s内降低压强至50mTorr； 0040 (4)进行预沉积处理，在0.3min内维持压强950mTorr，电源功率4300W，通入NH 3 流量为1.1slm，SiH 4 流量为230sccm，N 2 O流量为4.1slm； 0041 (5)沉积处理，升高炉温至450，持续1.5min，同时向炉管内通入NH 3 流量为 2600sccm，SiH 4 流量为950sccm，N 2 O流量为15slm，低频电源功率维持4300W； 说 明 书CN 102899633 A 3/3页 5 0042 (6)沉积完毕后降温至420，压强升至10000mTorr，持续5min，同时通入N 2 进行 吹扫及冷却处理，N 2 流量为12slm。 说 明 书CN 102899633 A 。