一种超痕量HGⅡ去除方法.pdf

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1、(10)申请公布号 CN 104310522 A (43)申请公布日 2015.01.28 C N 1 0 4 3 1 0 5 2 2 A (21)申请号 201410594955.4 (22)申请日 2014.10.30 C02F 1/28(2006.01) C02F 1/62(2006.01) B01J 20/22(2006.01) B01J 20/30(2006.01) (71)申请人东华理工大学 地址 344000 江西省抚州市学府路56号 (72)发明人罗峰 罗明标 陈景丽 李建强 刘淑娟 (74)专利代理机构南昌洪达专利事务所 36111 代理人刘凌峰 (54) 发明名称 一种超痕。

2、量Hg()去除方法 (57) 摘要 本发明公开了一种超痕量Hg()去除方 法，其特征在于：将一种羟基修饰的MOF材料浸 泡在含有超痕量Hg()的废水中。本发明中的 羟基修饰的MOF材料对汞离子有较高的吸附容量 和高选择性，以快速、高效地去除水溶液中的痕量 Hg()离子，吸附效果远高于其他吸附材料，最 大吸附容量为278mg/g，对初始浓度为100ppb的 汞离子溶液一次处理后去除率高达87.5%，残留 汞离子浓度低于12.5g/L，远低于国家废水排 放标准（50g/L)。 (51)Int.Cl. 权利要求书1页 说明书5页 附图3页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 。

3、权利要求书1页 说明书5页 附图3页 (10)申请公布号 CN 104310522 A CN 104310522 A 1/1 页 2 1. 一 种 超 痕 量 Hg( ) 去 除 方 法， 其 特 征 在 于 ： 将 一 种 羟 基 修 饰 的 MOF 材 料 浸 泡 在 含 有超痕量 Hg( ) 的水中。 2.根据权利要求 1所述的超痕量 Hg( )去除方法， 其特征在于 ： 其步骤为 ： 首先调节 含 Hg( ) 离子废水的 pH， 然后加入羟基修饰的 MOF 材料， 最后放入恒温振荡器中振荡。 3. 根 据 权 利 要 求 2 所 述 的 超 痕 量 Hg( ) 去 除 方 法， 其 特。

4、 征 在 于 ： 采 用 HCl（3M) 和 NH 3 H 2 O(1 ： 1) 调节汞离子水溶液的酸度。 4. 根 据 权 利 要 求 2 所 述 的 超 痕 量 Hg( ) 去 除 方 法， 其 特 征 在 于 ： 所 述 pH 的 数 值 为 4-7。 5. 根据权利要求 4 所述的超痕量 Hg( ) 去除方法， 其特征在于 ： 最佳 pH 为 5。 6.根据权利要求 2所述的超痕量 Hg( )去除方法， 其特征在于 ： 振荡吸附时间 20-40 分钟， 温度 25-35。 7.根据权利要求 2所述的超痕量 Hg( )去除方法， 其特征在于 ： 水中羟基修饰的 MOF 材料的添加量为 ：。

5、 0.05mg/ml。 8. 根 据 权 利 要 求 1 或 2 所 述 的 超 痕 量 Hg( ) 去 除 方 法， 其 特 征 在 于 ： 所 述 羟 基 修 饰 的 MOF 材料由以下步骤制得 ： （1） 酰胺双吡啶配体 L 的合成 1） 干燥 DMF (N,N- 二甲基甲酰胺 ） 、 二氯甲烷、 三乙胺 ； 2） 称取 2.42g 4,4- 联苯二甲酸， 置于 250mL 圆底烧瓶中， 滴加 2-3 滴干燥的 DMF， 盖上 玻璃塞 ； 3） 向 1000ml 的玻璃杯中倒入 200mL 二甲基硅油， 再将步骤 2） 中的圆底烧瓶置于玻璃 杯中 ； 向圆底烧瓶内加入 15mL 二氯亚砜。

6、后， 于 160条件下冷凝回流 2 小时 ； 4） 对步骤 3） 中的反应产物进行真空抽滤 ； 5) 抽 滤 完 成 后， 向 圆 底 烧 瓶 中 加 入 40mL 混 有 1.88g4- 氨 基 吡 啶 且 经 过 处 理 的 二 氯 甲 烷， 搅拌反应 5分钟后， 再加入 4.5mL三乙胺， 密封冰浴 2小时， 更改为装置 1， 于 120加热 冷凝回流 3 小时 ; 6) 将圆底烧瓶中产物取出， 用 NaHCO 3 溶液冲洗抽滤， 自然晾干得酰胺双吡啶配体 L; MOF 材料的合成 在 万 分 之 一 天 平 上 准 确 称 取 1 mmol 的 酰 胺 双 吡 啶 配 体 L， 然 后。

7、 倒 入 活 化 好 的 23mL 聚 四 氟 乙 烯 反 应 釜 中， 同 时 准 确 称 取 1 mmol 5- 羟 基 间 苯 二 甲 酸 和 Zn(NO 3 ) 2 6H 2 O 于 23mL 聚 四 氟 乙 烯 反 应 釜 中， 并 加 入 5mL 干 燥 好 的 DMF 于 23mL 聚 四 氟 乙 烯 反 应 釜 中 ; 随 后， 在 23mL 聚 四 氟 乙 烯 反 应 釜 中 通 入 N 2 30 分 钟， 盖 上 盖 子， 并 超 声 2 个 小 时， 最 后 密 封 于 程 序 控 温 马 弗 炉 中， 先 通 过 10 个 小 时 升 温 到 115， 然 后 恒 温 。

8、115 三 天， 最 后 通 过 20 个 小 时 降 温 到 80， 20 个 小 时 降 温 到 30， 得 到 无 色 透 明 晶 体， 为 MOF 材 料 的 前 驱 体， 其 分 子 式 为 Zn(HO-m-C 6 H 4 (COO) 2 (L).(DMF)(H 2 O); 对前驱体先进行 DMF活化处理， 即将 MOF材料前驱体浸泡在干燥好的 DMF中一天， 然后 再 进 行 溶 剂 交 换， 即 浸 泡 在 干 燥 处 理 过 后 的 丙 酮 中 三 天， 经 过 这 些 处 理 后， 在 真 空 干 燥 线 上 进 行 初 步 的 真 空 处 理 24 个 小 时， 粗 略 的。

9、 去 除 丙 酮 分 子， 最 后 迅 速 转 移 至 Belsorp（ 日 本 拜 尔 ） 中进行分子泵超真空处理 24 个小时， 制得羟基修饰的 MOF 材料。 权 利 要 求 书CN 104310522 A 1/5 页 3 一种超痕量 Hg( ) 去除方法 技术领域 0001 本 发 明 涉 及 含 Hg( ) 水 体 的 处 理 方 法， 特 别 涉 及 水 体 中 超 痕 量 Hg( ) 去 除 方 法。 背景技术 0002 随 着 人 类 现 代 化 进 程 的 加 快， 重 金 属 污 染 已 成 为 水 环 境 面 临 的 污 染 问 题 之 一。 其 中， 汞 是 一 种 有。

10、 剧 毒 的 重 金 属 元 素， 氯 碱 工 业、 有 色 金 属 冶 炼 工 业、 造 纸 工 业、 仪 器 仪 表 制 造 业 等 生 产 过 程 都 会 产 生 大 量 的 含 汞 废 水， 可 能 造 成 水 体 环 境 污 染、 对 人 类 的 生 存 与 发 展 构 成 严 重 的 威 胁。 环 境 中 尤 其 是 水 体 中 的 痕 量 汞 可 以 通 过 生 物 富 集、 生 物 放 大 和 生 物 甲 基 化 作 用， 生 成 有 机 汞 化 合 物 在 生 物 体 中 积 聚， 有 强 烈 的 神 经 毒 性 和 遗 传 毒 性。 即 使 在 低 浓 度 时， 也 会 造。

11、 成 肝、 肾、 胃 肠 道 的 功 能 减 退， 神 经 系 统 损 伤。 因 此， 去 除 水 体 中 的 超 痕 量 汞 对 环 境及人类健康具有重要作用。 0003 对 于 含 汞 水 体， 目 前 常 用 的 治 理 方 法 包 括 硫 化 汞 沉 淀 法、 絮 凝 - 共 沉 淀 法、 还 原 法、 膜分离法、 离子交换法以及吸附法等。 其中， 吸 附法因其简单、 便捷、 高效而广受关注。 研 究 结 果 表 明 多 种 材 料 均 可 作 为 吸 附 剂 用 于 水 体 中 Hg 2+ 的 去 除， 包 括 黏 土、 活 性 炭、 聚 合 物、 分子筛、 生物吸附剂等。 但是这些。

12、材料对汞的亲和力较弱、 吸附容量较低、 基本无选择性、 吸 附效果不佳、 容易造成二次污染， 且在低浓度时对 Hg( ) 没有吸附效果。 0004 MOFs 材 料 具 有 新 颖 的 拓 扑 结 构， 具 有 高 孔 隙 率、 大 比 表 面 积、 孔 径 可 调、 可 功 能 化 后修饰等性能， 使得 MOFs 材料在去除水中超痕量 Hg( ) 方面具有潜在应用价值。 发明内容 0005 为 克 服 现 有 技 术 的 不 足， 本 发 明 提 供 了 一 种 含 汞 水 溶 液 处 理 方 法， 对 低 浓 度 （ppb 级 ） 含 汞 水 溶 液 具 有 优 良 的 去 除 效 果， 。

13、使 处 理 后 的 水 溶 液 达 到 国 家 废 水 排 放 标 准， 甚 至 达 到 一级饮用水标准。该方法工艺简单、 操作成本低、 处理效果显著且不会引起二次污染。 0006 为解决上述技术问题， 本发明采用了下述技术方案 ： 一种超痕量 Hg( )去除方法， 其特征在于 ： 将一种 羟基修饰的 MOF材料浸泡在含有超 痕量 Hg( )（100ppb 以下 ） 的水溶液中。所述 MOF（ 即 metal-organic framework） 材料 是金属 - 有机框架材料。所述羟基修饰的 MOF 材料的分子式为 Zn(HO-m-C 6 H 4 (COO) 2 (L)（ 其 中 Zn 为金。

14、属锌离子， HO-m-C 6 H 4 (COO) 2 为 5- 羟基间苯二甲酸阴离子， L 为一种酰胺双吡啶配 体， 化学式为 N4,N4-di(pyridin-4-yl)biphenyl- N4,N4- dicarboxamide） ， 将此材料作 为一种吸附剂吸附水溶液中的微量汞离子。 0007 其步骤为 ： 首先调节含 Hg( ) 离子废水的 pH， 然后加入羟基修饰的 MOF 材料， 最 后放入恒温振荡器中振荡。 0008 采用 HCl（3M) 和 NH 3 H 2 O(1 ： 1) 调节汞离子水溶液的酸度。 0009 所述 pH 的数值为 1-7 ； 优选为 4-7， 最佳 pH 为。

15、 5。 0010 废水中 汞离子的浓度为 0.005-0.1g/mL。 说 明 书CN 104310522 A 2/5 页 4 0011 振荡吸附时间 20-40 分钟， 温度 25-35。 0012 废水中羟基修饰的 MOF 材料的添加量为 ： 0.05mg/ml。 0013 所述羟基修饰的 MOF 材料由以下步骤制得 ： （1） 酰胺双吡啶配体 L 的合成 1） 干燥 DMF (N,N- 二甲基甲酰胺 ） 、 二氯甲烷、 三乙胺 ； 2） 称取 2.42g 4,4- 联苯二甲酸， 置于 250mL 圆底烧瓶中， 滴加 2-3 滴干燥的 DMF， 盖上 玻璃塞 ； 3） 向 1000ml 的。

16、玻璃杯中倒入 200mL 二甲基硅油， 再将步骤 2） 中的圆底烧瓶置于玻璃 杯中。向圆底烧瓶内加入 15mL 二氯亚砜后， 于 160条件下冷凝回流 2 小时 ； 4） 对步骤 3） 中的反应产物进行真空抽滤 ； 5) 抽 滤 完 成 后， 向 圆 底 烧 瓶 中 加 入 40mL 混 有 1.88g4- 氨 基 吡 啶 且 经 过 处 理 的 二 氯 甲 烷， 搅拌反应 5分钟后， 再加入 4.5mL三乙胺， 密封冰浴 2小时， 更改为装置 1， 于 120加热 冷凝回流 3 小时 ; 6) 将 圆底烧瓶中产物取出， 用 NaHCO 3 溶液冲洗抽滤， 自然晾干得酰胺双吡啶配体 L; （2。

17、） MOF 材料的合成 在万分之一天平上准确称取 1 mmol的酰胺双吡啶配体 L， 然后倒入活化好的 23mL聚四 氟乙烯反应釜中 （ 活化步骤 ： 用洗洁精多次冲洗， 然后用 1 ： 3的硝酸 /盐酸的混合液浸泡 24 小时， 最后清水浸泡 24 小时 ） ， 同时准确称取 1 mmol 5- 羟基间苯二甲酸和 Zn(NO 3 ) 2 6H 2 O 于 23mL 聚 四 氟 乙 烯 反 应 釜 中， 并 加 入 5mL 干 燥 好 的 DMF 于 23mL 聚 四 氟 乙 烯 反 应 釜 中 ; 随 后， 在 23mL聚四氟乙烯反应釜中通入 N 2 30分钟， 盖上盖子， 并超声 2个小时。

18、， 最后密封于程 序控温马弗炉中， 先通过 10个小时升温到 115， 然后恒温 115三天， 最后通过 20个小时 降温到 80， 20 个小时降温到 30， 得到无色透明晶体， 为 MOF 材料的前驱体， 其分子式为 Zn(HO-m-C 6 H 4 (COO) 2 (L).(DMF)(H 2 O); 对 前 驱 体 先 进 行 DMF 活 化 处 理， 即 将 MOF 材 料 前 驱 体 浸 泡 在 干 燥 好 的 DMF 中 一 天 （ 其 间， 需要更换三次新鲜的 DMF） ， 然后再进行溶剂交换 （ 交换本例 MOF 材料前驱体中的 DMF 和 水 分 子 ） ， 即 浸 泡 在 干。

19、 燥 处 理 过 后 的 丙 酮 中 三 天 （ 其 间， 需 要 更 换 九 次 新 鲜 的 丙 酮， 一 天 换 三 次 ） ， 经 过 这 些 处 理 后， 在 真 空 干 燥 线 上 进 行 初 步 的 真 空 处 理 24 个 小 时， 粗 略 的 去 除 丙 酮 分 子， 最后迅速转移至 Belsorp（ 日本拜尔 ） 中进行分子泵超真空处理 24 个小时， 制得羟基修 饰的 MOF 材料。 0014 本发明利用 MOF材料的多孔性及可修饰性特征， 对 MOF材料进行改性， 使其对汞离 子具有更高的选择性。 吸附能力显著提高的同时， 对低浓度含汞溶液的去除率也明显提高， 常温下所述。

20、材料对汞的吸附容量达到 278 mg/g， 一次处理过的较低初始浓度的含汞溶液达 到我国废水排放标准， 甚至国家一级引用水标准。 对汞初始浓度为 100 ng/mL的水溶液， 一 次处理后去除率达 87.5% 以上。 残留汞离子浓度低于 12.5 g/L， 远低于国家废水排放标 准 （50g/L)。 对初始浓度为 5 ng/mL 的汞离子水溶液去除率高达 66.4%， 残留汞离子浓度 完 全 超 过 我 国 和 美 国 一 级 饮 用 水 标 准 （ 分 别 为 5g/L 和 2g/L） ， 接 近 欧 盟 一 级 饮 用 水 标 准 （1g/L） 。 附图说明 说 明 书CN 1043105。

21、22 A 3/5 页 5 0015 图 1 表示干燥试剂的减压蒸馏装置。 0016 图 2 回流装置。 0017 图 3 简易减压蒸馏装置。 0018 图 4 表示溶液 pH 对 Hg( ) 离子吸附效果的影响。 0019 图 5 表示振荡吸附时间对 Hg( ) 离子吸附效果的影响。 0020 图 6 表示吸附容量随 Hg( ) 离子初始浓度的变化。 具体实施方式 0021 一种超痕量 Hg( )去除方法， 是用吸附剂吸附水体中的汞离子， 所述吸附剂为用 羟基修饰的 MOF 材料。 0022 所述羟基修饰的 MOF 材料由以下步骤制得 ： （1） 酰胺双吡啶配体 L 的合成 干 燥 DMF (。

22、N,N- 二 甲 基 甲 酰 胺 ） ： 在 常 温 条 件 下 向 500mlLDMF 溶 液 中 加 入 5g 活 化 处 理过后的 4A分子筛 （ 在 400下， 煅烧 12个小时 ） ， 干燥 24小时后， 然后进行减压蒸馏， 得到 干燥的 DMF 溶剂。蒸馏装置如附图 1。 0023 干燥二氯甲烷 ： 将 10 g 无水 CaCl 2 加入到装有 200 mL 二氯甲烷的 250 mL 圆底 烧 瓶 中， 加 入 搅 拌 子， 密 封， 常 温 下 搅 拌 反 应 12 小 时。 同 时 准 备 放 有 滤 纸 的 玻 璃 漏 斗， 搅 拌 结束后， 在通风橱中快速过滤， 最后将过滤。

23、得到的二氯甲烷密封保存在干燥的玻璃容器中。 0024 干燥三乙胺 ： 取约 10 g无水 KOH加入到装有 200 mL三乙胺的 250 mL圆底烧瓶 中， 加 入 搅 拌 子， 密 封， 常 温 搅 拌 12 小 时， 准 备 放 有 滤 纸 的 玻 璃 漏 斗， 搅 拌 结 束 后 在 通 风 橱 中快速过滤， 再将滤后得到的三乙胺密封保存在干燥的玻璃容器中。 0025 称 取 2.42g 4,4- 联 苯 二 甲 酸， 置 于 250mL 圆 底 烧 瓶 中， 滴 加 2-3 滴 步 骤 中 干 燥的 DMF， 盖上玻璃塞。 0026 向 1000ml的玻璃杯中倒入 200mL二甲基硅油。

24、， 再将步骤中的圆底烧瓶置于玻 璃杯中。 向圆底烧瓶内加入 15mL 二氯亚砜后， 于 160条件下冷凝回流 2 小时。 回流装置 1， 如附图 2。 0027 步骤反应完成 后更换装置 2， 如附图 3， 进行真空抽滤。 0028 抽 滤 完 成 后， 将 装 置 拆 卸， 向 圆 底 烧 瓶 中 加 入 40mL 混 有 1.88g4- 氨 基 吡 啶 且 经 过处理的二氯甲烷， 搅拌反应 5分钟后， 再加入 4.5mL三乙胺， 密封冰浴 2小时， 更改为装置 1， 于 120加热冷凝回流 3 小时。 0029 将 圆 底 烧 瓶 中 产 物 取 出， 用 NaHCO 3 溶 液 冲 洗 。

25、抽 滤， 自 然 晾 干 得 酰 胺 双 吡 啶 配 体 L。 0030 （2） MOF 材料的合成 在万分之一天平上准确称取 1 mmol的酰胺双吡啶配体 L， 然后倒入活化好的 23mL聚四 氟乙烯反应釜中 （ 活化步骤 ： 用洗洁精多次冲洗， 然后用 1 ： 3的硝酸 /盐酸的混合液浸泡 24 小时， 最后清水浸泡 24 小时 ） ， 同时准确称取 1 mmol 5- 羟基间苯二甲酸和 Zn(NO 3 ) 2 6H 2 O 于 23mL 聚 四 氟 乙 烯 反 应 釜 中， 并 加 入 5mL 经 步 骤 干 燥 好 的 DMF 于 23mL 聚 四 氟 乙 烯 反 应 釜中。 随后， 。

26、在 23mL聚四氟乙烯反应釜中通入 N 2 30分钟， 盖上盖子， 并超声 2个小时， 最后 密 封 于 程 序 控 温 马 弗 炉 中， 先 通 过 10 个 小 时 升 温 到 115， 然 后 恒 温 115 三 天， 最 后 通 过 说 明 书CN 104310522 A 4/5 页 6 20 个 小 时 降 温 到 80， 20 个 小 时 降 温 到 30， 得 到 无 色 透 明 晶 体， 为 本 发 明 所 述 MOF 材 料 的前驱体， 其分子式为 Zn(HO-m-C 6 H 4 (COO) 2 (L).(DMF)(H 2 O)。 0031 对 前 驱 体 先 进 行 DMF。

27、 活 化 处 理， 即 将 本 例 中 的 MOF 材 料 前 驱 体 浸 泡 在 经 步 骤 干 燥好的 DMF中一天 （ 其间， 需要更换三次新鲜的 DMF） ， 然后再进行溶剂交换 （ 交换本例 MOF材 料前驱体中的 DMF和水分子 ） ， 即浸泡在干燥处理过后的丙酮中三天 （ 其间， 需要更换九次新 鲜的丙酮， 一天换三次 ） ， 经过这些处理后， 在真空干燥线上进行初步的真空处理 24个小时， 粗略的去除丙酮分子， 最后迅速转移至 Belsorp（ 日本拜尔 ） 中进行分子泵超真空处理 24 个 小时， 制得本发明所述的羟基修饰的 MOF 材料。 0032 实施例 1 溶液 pH 。

28、对吸附效果影响 以 前 述 的 羟 基 修 饰 的 MOF 材 料 作 为 吸 附 剂 吸 附 水 溶 液 中 的 Hg( ) 离 子， 包 括 以 下 步 骤 ： （1） 调节待吸附汞溶液的酸度， pH 值分别为 1、 2、 3、 4、 5、 6、 7， 每种溶液体积为 40 mL， 汞 初始浓度均为 100 ng/mL。 0033 （2） 向步骤 （1） 所述的七种溶液中分别加入 2 mg 吸附剂， 并放入恒温振荡器中振 荡。 0034 （3） 吸 附 试 验 在 25 下 进 行， 振 荡 时 间 30 分 钟， 振 荡 完 成 后， 离 心， 取 上 清 液 检 测。 0035 比较七。

29、种溶液的汞离子吸附效果 （ 如图 4 所示 ） ， 发现 pH 为 5 时吸附效果最好。 本 实施例说明了最佳吸附效果的 pH 值为 5。 0036 实施例 2 振荡吸附时间对吸附效果的影响 以 前 述 的 羟 基 修 饰 的 MOF 材 料 作 为 吸 附 剂， 吸 附 溶 液 中 的 痕 量 Hg( ) 离 子， 吸 附 试 验在 25条件下进行， 分别振荡 5 min、 10 min、 15 min、 20 min、 25 min、 30 min、 40 min、 50 min、 60 min、 90 min、 120 min。 溶液 pH为 5， 汞离子初始浓度 为 100 ng/mL。

30、， 溶液体积 40 mL， 吸附剂加入量 2 mg。 0037 对 比 本 实 施 例 中 数 据 （ 如 图 5 所 示 ） ， 本 发 明 中 所 述 吸 附 剂 对 汞 离 子 的 去 除 率 首 先 会 随 着 时 间 的 增 加 而 增 大， 在 30 分 钟 时 基 本 达 到 吸 附 平 衡， 对 汞 离 子 的 去 除 率 高 达 75%， 汞离子残留量远低于国家废水排放标准。 0038 实施例 3 吸附量随初始浓度的变化 以前述的羟基修饰的 MOF材料作为吸附剂， 吸附溶液中的微量 Hg( )离子， 汞离子的 初始浓度分别为 1g/mL、 5g/mL、 10g/mL、 15g。

31、/mL、 20g/mL、 25g/mL。 振荡时间 30 min， 其他条件同实施例 2。 0039 对 比 本 实 施 例 中 测 得 的 数 据 （ 如 图 6 所 示 ） ， 本 发 明 中 所 述 吸 附 剂 对 汞 的 最 大 吸 附 容量为 278 mg/g。 0040 实施例 4 温度对吸附能力的影响 以 前 述 的 羟 基 修 饰 的 MOF 材 料 作 为 吸 附 剂， 分 别 在 25， 35， 45 条 件 下 进 行 吸 附， 振荡时间 30 min， 其他吸附条件同实施例 2。 0041 测得在 25， 35， 45条件下， 所述吸附剂对 Hg( )离子的去除率分别为。

32、 82.1 %、 77.8 %、 72.1 %。本实施例说明了温度对本发明中所述吸附剂对汞离子的吸附效果具有 较大影响， 温度越高越不利于汞的吸附， 常温条件下具有很好的吸附效果。 说 明 书CN 104310522 A 5/5 页 7 0042 实施例 5 吸附去除水溶液中的超痕量汞 以前述的羟基修饰的 MOF材料作为吸附剂， 在以上实施例 1， 2， 4中得出的最佳条件下， 即 pH=5， 时间 30 min， 温度 25， 吸附剂加入量 2 mg， 溶液体积 40 mL， 进行吸附试验。 汞离 子的初始浓度分别为 5 ng/mL、 10 ng/mL、 20 ng/mL、 50 ng/mL。

33、。 0043 测得在这四种初始浓度下， 去除率依次为 66.38 %、 75.53 %、 79.76 %、 80.75 %。 本 实 施 例 中 数 据 说 明 本 发 明 中 所 述 羟 基 修 饰 的 MOF 材 吸 附 剂 对 超 痕 量 汞 具 有 非 常 显 著 的 吸 附效果。 0044 实施例 6 共存离子的影响 以 前 述 的 羟 基 修 饰 的 MOF 材 料 作 为 吸 附 剂， 向 初 始 浓 度 为 100 ng/mL 的 Hg( ) 溶 液 中分别加入 50 ng/mL、 100 ng/mL、 500 ng/mL、 1000 ng/mL 的 Pb 2+ 离子， 吸附条。

34、件同实施例 5。考 察不同浓度的 Pb 2+ 对吸附过程的影响。 0045 结 果 表 明， 只 有 在 离 子 浓 度 与 Hg( ) 的 初 始 浓 度 相 同 时 才 会 对 吸 附 过 程 有 一 定 的影响 （ 汞离子去除率 69%） ， 其他浓度对 Hg( ) 去除没有明显的影响 （ 去除率 80% 左右 ） 。 可 见 本 发 明 中 用 羟 基 修 饰 的 MOF 材 料 对 水 溶 液 中 的 痕 量 汞 离 子 具 有 较 高 的 选 择 性 及 较 高 的抗干扰能力。 说 明 书CN 104310522 A 1/3 页 8 图 1 图 2 图 3 说 明 书 附 图CN 104310522 A 2/3 页 9 图 4 图 5 说 明 书 附 图CN 104310522 A 3/3 页 10 图 6 说 明 书 附 图CN 104310522 A 10 。