层叠体的制造方法和层叠体技术领域
本发明涉及一种例如在绝缘膜的两面具有电极的层叠体的制造方
法和层叠体。
背景技术
随着信息技术惊人的发展，现在常使用笔记本电脑、便携式信息终
端等来频繁进行收发信息。因此，众所周知在不久的将来无论在任何场
所都能够交换信息的全面互联（Ubiquitous）社会将会到来。在这样的
社会中，需要更轻型、薄型的信息终端。
现在，半导体材料的主流为硅系，作为其制造方法，通常使用光刻
法。
另一方面，使用印刷技术制造电子部件的印刷电子技术也备受瞩
目。与光刻法相比，印刷电子技术具有如下优点：通过使用印刷技术，
降低了装置、制造的相关成本，并且不需要真空、高温条件，所以可利
用塑料基板等。
印刷电子技术中，常使用可溶于有机溶剂的有机半导体等作为半导
体材料。这是由于能够通过印刷法来形成半导体层。
作为使用可溶于有机溶剂的有机半导体等作为半导体材料的技术，
例如，可举出如专利文献1中记载的技术。在专利文献1中，利用喷墨
法形成有机半导体层。在此，使用了有机半导体的TFT（薄膜晶体管）
被称为有机TFT。
作为构成TFT的部件，除半导体以外还有电极、绝缘膜，从形成低
成本的TFT的角度出发，优选使用印刷法、涂布技术等湿法来形成电
极、绝缘膜。
作为使用湿法形成电极、绝缘膜的技术，例如可举出如专利文献2
和专利文献3中记载的技术。在专利文献2中，使用喷墨法形成电极，
在专利文献3中，使用旋涂法形成栅绝缘膜。
在此，例如在使用有机TFT驱动显示器等的情况下，为了得到驱动
电压、所希望的电流值，通常以1.0［μm］以下的厚度形成栅绝缘膜。
现有技术文献
专利文献1：日本特开2005-210086号公报
专利文献2：日本特开2004-297011号公报
专利文献3：日本特开2007-266355号公报
发明内容
然而，通过如专利文献2和专利文献3中记载的技术形成的电极上
有时局部地形成有微小的突起部。另外，在使用湿法形成的电极上，除
突起以外还时常存在由油墨的凝集所致的局部的厚膜部分以及来自环
境和工艺中的异物等。
在这种情况下，如果使用湿法形成栅绝缘膜，则在栅绝缘膜的一部
分上产生存在于电极的异物等所致的与其他部分的润湿性的差异，有可
能在电极（以下，记载为“下部电极”）上形成不被栅绝缘膜覆盖的部
分。
另外，与溅射法等干法相比，旋涂法等湿法中，由于对衬底形状的
追随性差，所以在下部电极上存在突起物、异物等时，很可能在该下部
电极上形成不被栅绝缘膜覆盖的部分。
进而，在下部电极上形成有不被栅绝缘膜覆盖的部分的状态下，在
栅绝缘膜上层叠电极（以下，记载为“上部电极”）时，下部电极与上
部电极将会接触或接近，因此很可能在下部电极与上部电极之间发生短
路（short）、漏电（leak）。
因此，用湿法形成电极、栅绝缘膜，则在栅绝缘膜上层叠上部电极
的状态下很可能在下部电极与上部电极之间发生短路、漏电。
本发明的课题在于提供一种层叠体的制造方法和层叠体，其在用湿
法形成电极、绝缘膜的情况下，能够抑制在下部电极与上部电极之间发
生短路、漏电。
为了解决上述课题，本发明中，技术方案1中记载的发明的特征在
于，是在形成于基板上的下部电极上形成覆盖该下部电极的基础绝缘膜
的层叠体的制造方法，具有：膜厚减少部形成工序，在上述下部电极中
的未被上述基础绝缘膜覆盖的部分形成如下的膜厚减少部：该未被覆盖
的部分的上述下部电极的膜厚比被上述基础绝缘膜覆盖的部分的上述
下部电极的膜厚薄。
其次，本发明中，技术方案2中记载的发明根据技术方案1中记载
的发明，其特征在于，在上述膜厚减少部形成工序中，通过将上述基础
绝缘膜作为掩模的蚀刻来形成上述膜厚减少部。
其次，本发明中，技术方案3中记载的发明根据技术方案2中记载
的发明，其特征在于，在上述膜厚减少部形成工序中，在形成了上述基
础绝缘膜的至少一部分的状态下，通过将上述基础绝缘膜作为掩模的蚀
刻来形成上述膜厚减少部。
其次，本发明中，技术方案4中记载的发明根据技术方案1～3中
任一项中记载的发明，其特征在于，用湿法形成上述下部电极和上述基
础绝缘膜中的至少一方。
其次，本发明中，技术方案5中记载的发明根据技术方案1～4中
任一项中记载的发明，其特征在于，作为上述膜厚减少部形成工序的后
续工序具有如下的层叠绝缘膜形成工序：在上述基础绝缘膜上形成覆盖
该基础绝缘膜和上述膜厚减少部的层叠绝缘膜；作为上述层叠绝缘膜形
成工序的后续工序具有如下的上部电极形成工序：在上述层叠绝缘膜上
形成上部电极，所述上部电极以将上述基础绝缘膜和上述层叠绝缘膜夹
在中间的方式与上述下部电极对置。
其次，本发明中，技术方案6中记载的发明根据技术方案5中记载
的发明，其特征在于，用湿法形成上述层叠绝缘膜和上述上部电极中的
至少一方。
其次，本发明中，技术方案7中记载的发明的特征在于，是具备形
成在基板上的下部电极和在上述基板上形成于上述下部电极上且覆盖
下部电极的基础绝缘膜的层叠体，其中，上述下部电极具有如下的膜厚
减少部：上述下部电极中的未被上述基础绝缘膜覆盖的部分的上述下部
电极的膜厚比被上述基础绝缘膜覆盖的部分的上述下部电极的膜厚薄。
其次，本发明中，技术方案8中记载的发明根据技术方案7中记载
的发明，其特征在于，上述层叠体具备如下的层叠绝缘膜：形成在上述
基础绝缘膜上，覆盖基础绝缘膜和上述膜厚减少部。
其次，本发明中，技术方案9中记载的发明根据技术方案8中记载
的发明，其特征在于，上述基础绝缘膜和上述层叠绝缘膜由相同材料形
成。
其次，本发明中，技术方案10中记载的发明根据技术方案8或9
中记载的发明，其特征在于，上述层叠体具备如下的上部电极：形成在
上述层叠绝缘膜上，以将上述基础绝缘膜和上述层叠绝缘膜夹在中间的
方式与上述下部电极对置。
其次，本发明中，技术方案11中记载的发明根据技术方案7～10
中任一项中记载的发明，其特征在于，上述下部电极由金属或金属氧化
物形成。
其次，本发明中，技术方案12中记载的发明根据技术方案7～11
中任一项中记载的发明，其特征在于，上述层叠体用于薄膜晶体管。
其次，本发明中，技术方案13中记载的发明根据技术方案12中记
载的发明，其特征在于，上述薄膜晶体管的半导体层由有机半导体形成。
其次，本发明中，技术方案14中记载的发明根据技术方案7～11
中任一项中记载的发明，其特征在于，上述层叠体用于电容器。
其次，本发明中，技术方案15中记载的发明根据技术方案7～11
中任一项中记载的发明，其特征在于，上述层叠体用于配线间的交叉部。
其次，本发明中，技术方案16中记载的发明根据技术方案7～15
中任一项中记载的发明，其特征在于，上述基板具有挠性。
其次，本发明中，技术方案17中记载的发明根据技术方案16中记
载的发明，其特征在于，上述具有挠性的基板由塑料形成。
根据本发明，在下部电极形成膜厚减少部时，能够除去形成于下部
电极上的突起部和存在于下部电极上的异物等，能够通过形成于基础绝
缘膜上并配置在下部电极与上部电极之间的绝缘膜来覆盖在基础绝缘
膜形成的小孔。
因此，能够防止下部电极与上部电极的接触，能够提供可抑制在下
部电极与上部电极之间发生短路、漏电的层叠体的制造方法和层叠体。
技术方案1中记载的发明的效果是通过在下部电极上形成由微细的
孔等形成的膜厚减少部，从而能够除去形成于下部电极的突起部和存在
于下部电极上的异物等。
因此，能够在下部电极与上部电极之间形成由膜厚减少部产生的空
隙，能够抑制下部电极与上部电极的接触或接近，所以能够抑制在下部
电极与上部电极之间发生短路、漏电。
技术方案2中记载的发明的效果是通过在膜厚减少部的形成中使用
蚀刻，从而能够在下部电极容易地形成膜厚减少部。
技术方案3中记载的发明的效果是通过在形成基础绝缘膜的至少一
部分之后，以基础绝缘膜作为掩模进行蚀刻，从而能够对形成于下部电
极的突起部、存在于下部电极上的异物等进行选择性蚀刻。
技术方案4中记载的发明的效果是通过利用湿法形成下部电极和基
础绝缘膜中的至少一方，从而能够降低层叠体的成本。
技术方案5中记载的发明的效果是通过在基础绝缘膜上形成的层叠
绝缘膜能够抑制下部电极与上部电极的接触，能够形成可抑制在下部电
极与上部电极之间发生短路、漏电的层叠体。
技术方案6中记载的发明的效果是通过利用湿法形成层叠绝缘膜和
上部电极中的至少一方，从而能够降低层叠体的成本。
技术方案7中记载的发明的效果是通过使下部电极具有由微细的孔
等形成的膜厚减少部，从而能够将层叠体的构成制成除去了形成于下部
电极的突起部和存在于下部电极上的异物等的构成。
因此，能够抑制下部电极与上部电极的接触或接近，能够抑制在下
部电极与上部电极之间发生短路、漏电。
技术方案8中记载的发明的效果是通过层叠基础绝缘膜和层叠绝缘
膜，从而在下部电极的蚀刻时等中，能够将基础绝缘膜作为掩模使用，
能够提高层叠绝缘膜的绝缘性。
技术方案9中记载的发明的效果是通过由相同材料形成基础绝缘膜
和层叠绝缘膜，从而在将基础绝缘膜作为掩模进行蚀刻等而在下部电极
形成膜厚减少部后对层叠绝缘膜进行层叠时，即便在膜厚减少部上也能
够高效率地形成层叠绝缘膜。
技术方案10中记载的发明的效果是通过在基础绝缘膜上形成的层
叠绝缘膜，能够抑制下部电极与上部电极的接触，能够形成可抑制在下
部电极与上部电极之间发生短路、漏电的层叠体。
技术方案11中记载的发明的效果是通过用金属或金属氧化物形成
下部电极，从而能够利用以往的蚀刻法在下部电极容易地形成膜厚减少
部。
技术方案12中记载的发明的效果是通过将层叠体用于薄膜晶体管，
从而能够得到抑制了在下部电极与上部电极之间发生短路、漏电的可靠
性高的薄膜晶体管。
技术方案13中记载的发明的效果是通过用有机半导体形成半导体
层，从而能够利用印刷法形成薄膜晶体管的全部构成部件，所以能够降
低薄膜晶体管的成本。
技术方案14中记载的发明的效果是通过将层叠体用于电容器，从
而能够得到抑制了在下部电极与上部电极之间发生短路、漏电的可靠性
高的电容器。
技术方案15中记载的发明的效果是通过将层叠体用于配线间的交
叉部，从而能够得到抑制了在下部电极与上部电极之间发生短路、漏电
的可靠性高的配线。
技术方案16中记载的发明的效果是通过基板具有挠性，从而能够
使层叠体的构成成为具有挠性的构成。
另外，与由玻璃等硬的材料形成的基板相比，通常，具有挠性的基
板中，更有可能因突起物等而表面粗糙度变大，即使形成下部电极的情
况下也因表面粗糙度所致的凹凸而引起下部电极与上部电极接触或接
近，进而增加下部电极与上部电极之间的短路、漏电。
然而，本发明中，由于能够将由具有挠性的基板的突起物等所引起
的下部电极的突起部，通过蚀刻制成膜厚减少部，所以，通过膜厚减少
部能够抑制下部电极与上部电极的接触，能够增强抑制在下部电极与上
部电极之间发生短路、漏电的效果。
技术方案17中记载的发明的效果是通过具有挠性的基板由塑料形
成，由此能够以低成本得到具有挠性的层叠体。
附图说明
图1是表示本发明第一实施方式中的层叠体的示意构成的图。
图2是图1的II-II线剖面图。
图3是表示本发明第一实施方式中的膜厚减少部和基础绝缘膜的形
成工序的示意图。
图4是表示本发明第一实施方式中的膜厚减少部和基础绝缘膜的形
成工序的示意图。
图5是表示本发明第二实施方式中的层叠体的示意构成的剖面图。
图6是表示本发明第三实施方式中的层叠体的示意构成的剖面图。
图7是表示本发明第四实施方式中的使用了层叠体的薄膜晶体管的
概略构成的图。
图8是图7的VIII-VIII线剖面图。
图9是表示本发明第四实施方式的变形例中的使用了层叠体的薄膜
晶体管的示意构成的图。
图10是图9的X-X线剖面图。
图11是表示本发明第四实施方式的变形例中的使用了层叠体的薄
膜晶体管阵列的示意构成的图。
图12是表示图11中所示的薄膜晶体管阵列的一个像元区的示意构
成的图，图12（a）是仅表示层叠体的图，图12（b）是表示薄膜晶体
管阵列整体的图。
图13是图12（b）的XIII-XIII线剖面图。
图14是表示比较例的使用了层叠体的薄膜晶体管阵列的示意构成
的图。
具体实施方式
（第一实施方式）
以下，参照附图对本发明的第一实施方式（以下，记载为“本实施
方式”）进行说明。
（构成）
首先，使用图1和图2说明本实施方式的层叠体1的构成。
图1是表示本实施方式中的层叠体1的示意构成的图。另外，图2
是图1的II-II线剖面图。
如图1和图2中所示，本实施方式的层叠体1具备基板2、下部电
极4和基础绝缘膜6。
基板2为以塑料为材料形成的板状部件，具有挠性。
下部电极4以金属或金属氧化物作为材料形成在基板2上，具有膜
厚减少部8。其中，关于膜厚减少部8的说明如后述。
在此，将下部电极4的材料为金属或金属氧化物的理由是为了通过
后述的蚀刻在下部电极4容易地形成膜厚减少部8。
另外，作为金属、金属氧化物的具体例，可举出金、银、铝、铜、
铂、镍、铬、铟锡氧化物等。
另外，利用湿法形成下部电极4时，使用将银、金、钯等的粒子分
散而成的溶液作为下部电极4的材料。
基础绝缘膜6在下部电极4上形成，覆盖下部电极4。
在此，对形成基础绝缘膜6的材料没有特别限定，但对下部电极4
进行蚀刻而设置膜厚减少部8时，优选使用有耐性的材料。
因此，作为形成基础绝缘膜6的材料的具体例，可举出通常使用的
聚乙烯基苯酚、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、聚乙烯醇、环氧树脂等
高分子溶液，使氧化铝、二氧化硅凝胶等粒子分散而成的溶液等。
另外，作为形成基础绝缘膜6的材料的具体例，也可举出氧化硅、
氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化钇、氧化铪、铪铝酸盐、氧
化锆、氧化钛等无机材料等。
除使用上述材料形成基础绝缘膜6以外，还可以使用PET、PEN、
PES等薄膜作为基础绝缘膜6。
另外，对基础绝缘膜6的形成方法没有特别限定，可以适当地使用
真空蒸镀法、溅射法、CVD等的干法，旋涂、狭缝模头涂布（slit die）
等的湿法，或者层压等方法。
膜厚减少部8在下部电极4中的未被基础绝缘膜6覆盖的部分形成。
关于在下部电极4上形成膜厚减少部8的方法如后述。
另外，膜厚减少部8例如为在厚度方向贯通下部电极4（图2中为
上下方向）的贯通孔、或在下部电极4的与基础绝缘膜6相对的面（图
2中为上面）上开口的凹部。应予说明，在图2中显示了膜厚减少部8
为贯通孔的状态。
即，膜厚减少部8如下地形成：下部电极4中的未被基础绝缘膜6
覆盖的部分的下部电极4的膜厚比被基础绝缘膜6覆盖的部分的下部电
极4的膜厚薄。
另外，与膜厚减少部8为贯通孔的情况相比，膜厚减少部8为凹部
的情况下，膜厚减少部8的对具有层叠体1的构成的电容器和薄膜晶体
管中的保持的电荷、晶体管部的电压等的影响变小。
对膜厚减少部8的大小（开口面积）没有特别限定，但优选尽量小，
例如，优选50［nm］～5［μm］左右。这是由于以下原因：在具有层
叠体1的构成的薄膜晶体管和电容器中，膜厚减少部8的大小影响保持
的电荷、晶体管部的电压等。
应予说明，在基础绝缘膜6中，膜厚减少部8的上方开口有在厚度
方向贯通基础绝缘膜6的小孔10。该小孔10是因下部电极4上的突起
部、异物等而在对基础绝缘膜6进行成膜时产生的。
（层叠体的制造方法）
以下，参照图1和图2，使用图3和图4，说明本实施方式中的层
叠体1的制造方法。
图3和图4是表示本实施方式中的基础绝缘膜6和膜厚减少部8的
形成工序的示意图。
本实施方式的层叠体的制造方法具有膜厚减少部形成工序，其在下
部电极4中的未被基础绝缘膜6覆盖的部分形成如下的膜厚减少部8：
该部分的下部电极4的膜厚比被基础绝缘膜6覆盖的部分的下部电极4
的膜厚薄。
另外，对本实施方式的层叠体的制造方法中利用湿法形成下部电极
4和基础绝缘膜6的情况进行说明。
在此，下部电极4中的未被基础绝缘膜6覆盖的部分在如下情况下
产生：例如，如图3（a）中所示，在形成于基板2上的下部电极4上形
成有比其他部分突出的突起部12的情况。
除此之外，下部电极4中的未被基础绝缘膜6覆盖的部分在如下情
况下产生：例如，如图4（a）中所示，在形成于基板2上的下部电极4
上存在有微小的尘埃等异物14的情况。
在形成于基板2上的下部电极4上形成有突起部12的状态下，在
下部电极4上形成基础绝缘膜6时，例如，如图3（b）中所示，在下
部电极4中的形成有突起部12的部分上将不形成基础绝缘膜6。因此，
下部电极4中的形成有突起部12的部分成为未被基础绝缘膜6覆盖的
部分。
另外，在下部电极4中的形成突起部12的部分中，由于突起部12，
基础绝缘膜6的形成受到阻碍。因此，在基础绝缘膜6中的没覆盖下部
电极4的部分形成小孔10。特别是在如本实施方式这样用湿法形成基础
绝缘膜6的情况下，由于均化作用，突起部12有可能不被基础绝缘膜6
覆盖，形成小孔10。
另外，在形成于基板2上的下部电极4上存在异物14的状态下，
在下部电极4上形成基础绝缘膜6时，例如，如图4（b）中所示，在
下部电极4中的存在异物14的部分上不形成基础绝缘膜6。因此，下部
电极4中的存在异物14的部分成为未被基础绝缘膜6覆盖的部分。
另外，在下部电极4中的存在异物14的部分中，由于异物14，基
础绝缘膜6的形成受到阻碍。因此，在基础绝缘膜6中的没覆盖下部电
极4的部分形成小孔10。
如图3（b）和图4（b）中所示，在基础绝缘膜6上形成有小孔10，
在下部电极4上形成有未被基础绝缘膜6覆盖的部分的状态下，在基础
绝缘膜6上形成上部电极（未图示），则有可能因下部电极4与上部电
极的接触或接近，在下部电极4与上部电极之间发生短路、漏电。
因此，本实施方式中的层叠体1的制造方法中，在膜厚减少部形成
工序中，在形成基础绝缘膜6之后，通过将基础绝缘膜6作为掩模的蚀
刻来除去突起部12（参照图3）或异物14（参照图4）的同时在下部电
极4上形成膜厚减少部8（参照图2）。此时，随着突起部12、异物14
的除去，小孔10在基础绝缘膜6中在膜厚减少部8的上方开口（参照
图2）。
在此，作为在下部电极4上形成膜厚减少部8的方法，例如，优选
使用湿式蚀刻法、干式蚀刻法等。本实施方式中，将在下部电极4上形
成膜厚减少部8的方法为湿式蚀刻法的情况，作为一个例子进行说明。
另外，本实施方式中，说明在膜厚减少部形成工序中，以形成了全
部基础绝缘膜6的状态下通过将基础绝缘膜6作为掩模进行蚀刻来形成
膜厚减少部8的情况。
应予说明，在下部电极4上形成膜厚减少部8的方法为湿式蚀刻法
的情况下，蚀刻不仅在下部电极4的膜厚方向，还在与基板2的表面平
行方向微观地进行（边缘蚀刻）。因此，下部电极4上形成膜厚减少部8
的方法为湿式蚀刻法时，如图2中所示，有时在侧视图中，与在成为掩
模的基础绝缘膜6上开口的小孔10相比，膜厚减少部8变大。
如上所述，通过以基础绝缘膜6作为掩模的蚀刻来除去突起部12、
异物14的同时在下部电极4上形成膜厚减少部8，则与以在下部电极4
没形成膜厚减少部8的状态下在基础绝缘膜6上形成上部电极的情况相
比，能够抑制在下部电极4与上部电极之间发生短路、漏电的可能性。
这是由以下记载的理由导致的。
在基础绝缘膜6上形成上部电极时，首先，在基础绝缘膜6上形成
层叠绝缘膜之后，在层叠绝缘膜上形成上部电极。
在此，对于用本实施方式中的层叠体1的制造方法制造的层叠体1
而言，在下部电极4上形成有膜厚减少部8，除去了突起部12、异物14。
因此，在基础绝缘膜6上形成的层叠绝缘膜在覆盖基础绝缘膜6和膜厚
减少部8的同时覆盖在基础绝缘膜6上开口的小孔10。
因此，本实施方式中的层叠体1的制造方法中，能够在由基础绝缘
膜6和层叠绝缘膜构成的绝缘膜上不形成小孔10，在下部电极4上不存
在未被绝缘膜（基础绝缘膜6和层叠绝缘膜）覆盖的部分的状态下，在
绝缘膜上形成上部电极。
因此，能够抑制下部电极4与上部电极的接触或接近，能够抑制在
下部电极4与上部电极之间发生短路、漏电。
（第一实施方式的效果）
以下，列举本实施方式的效果。
（1）本实施方式的层叠体1中，下部电极4具有下部电极4中的
未被基础绝缘膜6覆盖的部分的下部电极4的膜厚比被基础绝缘膜6覆
盖的部分的下部电极4的膜厚薄的膜厚减少部8。
因此，在下部电极4上形成膜厚减少部8之际，能够除去形成于下
部电极上的突起部12和存在于下部电极4上的异物14等。
其结果，由于在下部电极4与上部电极之间，能够形成由膜厚减少
部8产生的空隙，能够抑制下部电极4与上部电极的接触或接近，所以
能够抑制在下部电极4与上部电极之间发生短路、漏电。
（2）本实施方式的层叠体1中，下部电极4由金属或金属氧化物
形成。
因此，能够通过现有的蚀刻法在下部电极4上容易地形成膜厚减少
部8。
其结果，能够提高层叠体1的制造效率。另外，能够降低层叠体1
的制造成本。
（3）本实施方式的层叠体1中，由于基板2具有挠性，所以能够
使层叠体1的构成成为具有挠性的构成。
另外，与由玻璃等硬材料形成的基板相比，具有挠性的基板2虽然
因基板变形而特别容易产生短路、漏电，但通过蚀刻能够将由基板2的
突起物等导致的下部电极4的突起部12成为膜厚减少部8。
其结果，通过膜厚减少部8能够抑制下部电极4与上部电极的接触，
所以能够增强抑制在下部电极4与上部电极之间发生短路、漏电的效果。
（4）本实施方式的层叠体1中，由于具有挠性的基板2由塑料形
成，所以能够以低成本得到具有挠性的层叠体。
（5）本实施方式的层叠体的制造方法中，具有如下的膜厚减少部
形成工序，即，在下部电极4中的未被基础绝缘膜6覆盖的部分上形成
该部分的下部电极4的膜厚比被基础绝缘膜6覆盖的部分的下部电极4
的膜厚薄的膜厚减少部8。
因此，在下部电极4上形成膜厚减少部8之际，能够除去形成于下
部电极上的突起部12和存在于下部电极4上的异物14等。
其结果，由于在下部电极4与上部电极之间不存在突起部、异物，
所以能够抑制下部电极4与上部电极的接触或接近，能够抑制在下部电
极4与上部电极之间发生短路、漏电。
（6）本实施方式的层叠体的制造方法中，在膜厚减少部形成工序
中，通过将基础绝缘膜6作为掩模的蚀刻来形成膜厚减少部8。
因此，能够在下部电极4上容易地形成膜厚减少部8。
其结果，能够提高层叠体1的制造效率。另外，能够降低层叠体1
的制造成本。
（7）本实施方式的层叠体的制造方法中，用湿法形成下部电极4
和基础绝缘膜6中的至少一方。
其结果，能够降低层叠体1的成本。
（应用例）
以下，列举本实施方式的应用例。
（1）本实施方式的层叠体1中，用金属或金属氧化物形成下部电
极4，但并不限定于此，也可以用金属和金属氧化物以外的材料形成下
部电极4。
（2）本实施方式的层叠体1中，将基板2制成具有挠性的构成，
但并不限定于此，也可以将基板2制成不具有挠性的构成。
此时，例如可以使用玻璃、石英的基板，也可以使用不锈钢等金属
基板。
（3）本实施方式的层叠体1中，用塑料形成具有挠性的基板2，但
并不限定于此，也可以用塑料以外的材料形成具有挠性的基板2。
（4）本实施方式的层叠体的制造方法中，通过将基础绝缘膜6作
为掩模的蚀刻来形成膜厚减少部8，但并不限定于此，也可以通过将基
础绝缘膜6作为掩模的蚀刻以外的方法来形成膜厚减少部8。
（5）本实施方式的层叠体的制造方法中，在膜厚减少部形成工序
中，在形成了全部基础绝缘膜6的状态下通过将基础绝缘膜6作为掩模
的蚀刻来形成膜厚减少部8，但并不限定于此。即，在膜厚减少部形成
工序中，也可以在仅形成了一部分的基础绝缘膜6的状态下，通过将基
础绝缘膜6作为掩模的蚀刻来形成膜厚减少部8。
此时，能够对形成于下部电极4的突起部和存在于下部电极4上的
异物等进行选择性蚀刻。
（6）本实施方式的层叠体的制造方法中，用湿法形成下部电极4
和基础绝缘膜6中的至少一方，但并不限定于此，也可以利用湿法以外
的方法形成下部电极4和基础绝缘膜6中的至少一方。
（7）本实施方式的层叠体的制造方法和通过该制造方法制造的层
叠体1中，在基础绝缘膜6上形成上部电极时，在形成于基础绝缘膜6
上的层叠绝缘膜上形成上部电极，但并不限定于此，也可以不形成层叠
绝缘膜，在基础绝缘膜6上直接形成上部电极。即便这种情况下，也能
够在下部电极4与上部电极之间形成由膜厚减少部8产生的空隙。因此，
与下部电极4不具有膜厚减少部8的情况相比，能够抑制下部电极4与
上部电极的接触或接近，能够抑制在下部电极4与上部电极之间发生短
路、漏电。
（第二实施方式）
以下，参照附图对本发明的第二实施方式（以下，记载为“本实施
方式”）进行说明。
（构成）
首先，参照图1～图4的同时使用图5，说明本实施方式的层叠体1
的构成。
图5是表示本实施方式中的层叠体1的示意构成的剖面图。
如图1和图2中所示，本实施方式的层叠体1具备基板2、下部电
极4、基础绝缘膜6以及层叠绝缘膜16。
由于基板2、下部电极4以及基础绝缘膜6的构成与上述第一实施
方式同样，因此省略其说明。
层叠绝缘膜16形成在基础绝缘膜6上，覆盖基础绝缘膜6和膜厚
减少部8。由此，层叠绝缘膜16的与基础绝缘膜6相反的一侧的面（图
5中为上面）成为不存在突出部分的均匀平面。
另外，层叠绝缘膜16由与基础绝缘膜6相同的材料形成。
其他构成与上述第一实施方式同样。
（层叠体的制造方法）
以下，参照图1～图5，说明本实施方式中的层叠体1的制造方法。
本实施方式的层叠体的制造方法如下：在形成基础绝缘膜6后，在
除去突起部12（参照图3）或异物14（参照图4）的同时在下部电极4
上形成膜厚减少部8（参照图2），之后在基础绝缘膜6上形成层叠绝缘
膜16。
应予说明，本实施方式中，对基础绝缘膜6上形成层叠绝缘膜16
的方法为湿法的情况进行说明。
在基础绝缘膜6上形成层叠绝缘膜16，则该层叠绝缘膜16在覆盖
基础绝缘膜6和膜厚减少部8的同时覆盖在基础绝缘膜6上开口的小孔
10。
即，本实施方式的层叠体的制造方法作为膜厚减少部形成工序的后
续工序具有层叠绝缘膜形成工序，其在基础绝缘膜6上形成覆盖基础绝
缘膜6和膜厚减少部8的层叠绝缘膜16。
因此，本实施方式中的层叠体1的制造方法中，能够与上述第一实
施方式同样地，在由基础绝缘膜6和层叠绝缘膜16构成的绝缘膜上不
形成小孔10，在下部电极4上不存在未被绝缘膜（基础绝缘膜6和层叠
绝缘膜16）覆盖的部分的状态下，在层叠绝缘膜16上形成上部电极。
因此，能够抑制下部电极4与上部电极的接触或接近，能够抑制在
下部电极4与上部电极之间发生短路、漏电。
其他制造工序与上述第一实施方式同样。
（第二实施方式的效果）
以下，列举本实施方式的效果。
（1）本实施方式的层叠体1中，层叠体1具备在基础绝缘膜6上
形成的、覆盖基础绝缘膜6和膜厚减少部8的层叠绝缘膜16。
其结果，通过层叠基础绝缘膜6和层叠绝缘膜16，从而在对下部电
极4进行蚀刻时等中，可以将基础绝缘膜6作为掩模使用，能够提高层
叠绝缘膜16的绝缘性。
（2）本实施方式的层叠体1中，由相同材料形成基础绝缘膜6和
层叠绝缘膜16。
其结果，通过将基础绝缘膜6作为掩模，进行蚀刻等而在下部电极
4上形成膜厚减少部8后对层叠绝缘膜16进行层叠时，对膜厚减少部8
也能够高效率地形成层叠绝缘膜16。
（3）本实施方式的层叠体的制造方法中，用湿法形成层叠绝缘膜
16。
其结果，能够降低层叠体1的成本。
（应用例）
以下，记载本实施方式的应用例。
（1）本实施方式的层叠体1中，由相同材料形成基础绝缘膜6和
层叠绝缘膜16，但并不限定于此，也可以用不同的材料形成基础绝缘膜
6和层叠绝缘膜16。
（第三实施方式）
以下，参照附图，说明本发明的第三实施方式（以下，记载为“本
实施方式”）。
（构成）
首先，参照图1～图5的同时使用图6说明本实施方式的层叠体1
的构成。
图6是表示本实施方式中的层叠体1的示意构成的剖面图。
如图1和图2中所示，本实施方式的层叠体1具备基板2、下部电
极4、基础绝缘膜6、层叠绝缘膜16以及上部电极18。
由于基板2、下部电极4、基础绝缘膜6以及层叠绝缘膜16的构成
与上述第二实施方式同样，因此省略其说明。
上部电极18在层叠绝缘膜16上形成，以将基础绝缘膜6和层叠绝
缘膜16夹在中间的方式与下部电极4对置。
其他构成与上述第二实施方式同样。
（层叠体的制造方法）
以下，参照图1～图6，说明本实施方式中的层叠体1的制造方法。
本实施方式的层叠体的制造方法如下：在基础绝缘膜6上形成层叠
绝缘膜16（参照图5）后，在层叠绝缘膜16上，以将基础绝缘膜6和
层叠绝缘膜16夹在中间的方式与下部电极4对置地形成上部电极18。
即，本实施方式的层叠体的制造方法具有层叠绝缘膜形成工序和上
部电极形成工序，该上部电极形成工序作为层叠绝缘膜形成工序的后续
工序，在层叠绝缘膜16上形成以将基础绝缘膜6和层叠绝缘膜16夹在
中间的方式与下部电极4对置的上部电极18。
应予说明，本实施方式中，对层叠绝缘膜16上形成上部电极18的
方法为湿法的情况进行说明。
在此，在基础绝缘膜6上形成的层叠绝缘膜16，覆盖基础绝缘膜6
和膜厚减少部8的同时覆盖在基础绝缘膜6上开口的小孔10。
因此，本实施方式中的层叠体1的制造方法中，能够与上述第一实
施方式同样地，在由基础绝缘膜6和层叠绝缘膜16构成的绝缘膜上不
形成小孔10，在下部电极4上不存在未被绝缘膜（基础绝缘膜6和层叠
绝缘膜16）覆盖的部分的状态下，在层叠绝缘膜16上形成上部电极18。
因此，能够抑制下部电极4与上部电极18的接触或接近，能够抑
制在下部电极4与上部电极18之间发生短路、漏电。
其他制造工序与上述第二实施方式同样。
（第三实施方式的效果）
以下，列举本实施方式的效果。
（1）本实施方式的层叠体1中，层叠体1具备上部电极18，其在
层叠绝缘膜16上形成，以将基础绝缘膜6和层叠绝缘膜16夹在中间的
方式与下部电极4对置。
其结果，通过在基础绝缘膜6上形成的层叠绝缘膜16，能够抑制下
部电极4与上部电极18的接触，能够形成可抑制在下部电极4与上部
电极18之间发生短路、漏电的层叠体1。
（2）本实施方式的层叠体的制造方法中，具有层叠绝缘膜形成工
序，其作为膜厚减少部形成工序的后续工序，在基础绝缘膜6上形成覆
盖基础绝缘膜6和膜厚减少部8的层叠绝缘膜16。加之，作为层叠绝缘
膜形成工序的后续工序具有上部电极形成工序，其在层叠绝缘膜16上
形成以将基础绝缘膜6和层叠绝缘膜8夹在中间的方式与下部电极4对
置的上部电极18。
其结果，通过在基础绝缘膜6上形成的层叠绝缘膜16，能够抑制下
部电极4与上部电极18的接触，能够形成可抑制在下部电极4与上部
电极18之间发生短路、漏电的层叠体1。
（3）本实施方式的层叠体的制造方法中，用湿法形成上部电极18。
其结果，能够降低层叠体1的成本。
（应用例）
以下，记载本实施方式的应用例。
（1）本实施方式的层叠体的制造方法中，用湿法形成上部电极18，
但并不限定于此，也可以用湿法以外的方法形成上部电极18。
（第四实施方式）
以下，参照附图，说明本发明的第四实施方式（以下，记载为“本
实施方式”）。
（构成）
首先，参照图1～图6的同时使用图7和图8说明本实施方式的使
用了层叠体1的薄膜晶体管20的构成。
图7是表示本实施方式中的使用了层叠体1的薄膜晶体管20的示
意构成的图。另外，图8是图7的VIII-VIII线剖面图。
如图7和图8中所示，使用了层叠体1的薄膜晶体管20具备层叠
体1和半导体层22。即，将本实施方式的层叠体1用于薄膜晶体管20。
层叠体1具备基板2、下部电极4、基础绝缘膜6、层叠绝缘膜16
以及上部电极18。应予说明，由于基板2、基础绝缘膜6、层叠绝缘膜
16的构成与上述第三实施方式同样，因此省略其说明。
下部电极4构成栅电极或电容器电极。即，本实施方式的层叠体1
成为底栅构造。由于下部电极4的其他构成与上述第三实施方式同样，
因此省略其说明。
上部电极18由源电极18a和漏电极18b构成。由于上部电极18的
其他构成与上述第三实施方式同样，因此省略其说明。
使用湿法在层叠绝缘膜16上形成半导体层22，覆盖整个上部电极
18。
另外，半导体层22以有机半导体为材料形成。这是由于以下原因：
由于使用了具有挠性的软性基板2，作为半导体层22的材料优选使用有
机半导体的材料、氧化物半导体的材料，另外，在使用湿法形成半导体
层22时，优选将有机半导体作为材料。
在此，作为有机半导体的材料，可以使用聚噻吩、聚烯丙胺、芴-
并噻吩聚合物以及它们的衍生物这种高分子有机半导体材料；并五苯、
并四苯、铜酞菁、苝以及它们的衍生物这种低分子有机半导体材料。
另外，作为有机半导体的材料，碳纳米管、或者富勒烯等碳化合物、
半导体纳米粒子分散液等也可以用作半导体层的材料。
作为有机半导体的印刷方法，可以使用凹版印刷、胶版印刷、丝网
印刷以及喷墨法等公知的方法。
通常，作为以如上所述的有机半导体为材料的半导体层22的形成
方法，由于有机半导体对溶剂的溶解度低，所以优选使用适合低粘度溶
液的印刷的柔版印刷、转印胶版印刷、喷墨法、点胶法（dispenser）。
特别是由于柔版印刷的印刷时间短，油墨使用量少，所以最优选。
另外，作为氧化物半导体的材料，例如，可以使用含锌、铟、锡、
钨、镁、镓中的一种以上的元素的氧化物。
可以进一步使用氧化锌、氧化铟、氧化铟锌、氧化锡、氧化钨、氧
化锌镓铟（In-Ga-Zn-O）等公知的材料。
上述氧化物半导体的材料的构造可以为单晶、多晶、微晶、结晶/
非晶质的混晶、散在有纳米结晶的非晶质、非晶质中的任一种。
另外，作为以氧化物半导体为材料的半导体层22的形成方法，可
以使用如下方法：使用溅射法、脉冲激光沉积法、真空蒸镀法、CVD
法、溶胶凝胶法等方法进行成膜之后，使用光刻法、剥离法等形成图案。
其他构成与上述第三实施方式同样。
（第四实施方式的效果）
以下，列举本实施方式的效果。
（1）本实施方式的层叠体1中，将层叠体1用于薄膜晶体管20。
其结果，能够得到抑制了在下部电极4与上部电极18之间发生短
路、漏电的可靠性高的薄膜晶体管20。
（2）本实施方式的层叠体的制造方法中，薄膜晶体管20的半导体
层22由有机半导体形成。
其结果，由于能够利用印刷法形成薄膜晶体管20的全部构成部件，
所以能够降低薄膜晶体管20的成本。
（应用例）
以下，列举本实施方式的应用例。
（1）本实施方式的层叠体的制造方法中，下部电极4构成栅电极
或电容器电极，但并不限定于此，例如，如图9和图10中所示，下部
电极4也可以构成源电极4a和漏电极4b。即，也可以使层叠体1成为
顶栅构造。应予说明，图9是表示本实施方式的变形例中的使用了层叠
体1的薄膜晶体管20的示意构成的图。另外，图10是图9的X-X线剖
面图。
为了不给半导体层22带来蚀刻等的影响，最优选使层叠体1成为
底栅·底接触（Bottom Contact）构造。
（2）本实施方式的层叠体的制造方法中，将层叠体1用于薄膜晶
体管20，但并不限定于此，可以将层叠体1用于电容器、配线的交叉部。
此时，如果将层叠体1用于电容器，则能够得到抑制了在下部电极
4与上部电极18之间发生短路、漏电的可靠性高的电容器。
同样地，如果将层叠体1用于配线间的交叉部，则能够得到抑制了
在下部电极4与上部电极18之间发生短路、漏电的可靠性高的配线间
的交叉部。
（3）本实施方式的层叠体的制造方法中，将层叠体1用于薄膜晶
体管20，但并不限定于此，例如，如图11～图13中所示，也可以将层
叠体1用于组合了薄膜晶体管20、电容器、配线的交叉部的薄膜晶体管
阵列24。
应予说明，图11是表示本实施方式的变形例中的使用了层叠体1
的薄膜晶体管阵列24的示意构成的图。另外，图12是表示图11中所
示的薄膜晶体管阵列24的一个像元区的示意构成的图，图12（a）是仅
表示层叠体1的图，图12（b）是表示薄膜晶体管阵列24整体的图。
另外，图13是图12（b）的XIII-XIII线剖面图。
应予说明，在图11～图13中，作为下部电极4，分别示出了栅电
极4c、栅配线4d、电容器电极4e、电容器配线4f。同样地，在图11～
图13中，作为上部电极18，分别示出了源电极18a、漏电极18b、源
配线18c、像素电极18d。
（第一实施例）
以下，参照图7和图8，对使用了层叠体1的薄膜晶体管20的制造
方法的实施例进行说明。
基板2使用钠石灰玻璃形成。
下部电极4（栅电极）使用铬作为材料，通过EB蒸镀法以膜厚50nm
进行成膜，在基板2上形成。
下部电极4使用铬作为材料，通过光刻法图案化为所希望的形状。
基础绝缘膜6使用聚乙烯基苯酚（Aldrich公司制）作为材料，通
过旋涂法以膜厚100nm形成。
膜厚减少部8是通过使用以“硝酸铈铵:高氯酸:水＝34:16:150”的
比例混合而成的水溶液作为蚀刻液，将形成了下部电极4和基础绝缘膜
6的基板2浸渍在该水溶液中15分钟而形成的。
应予说明，图7和图8中所示的膜厚减少部8的位置、大小为示
意性绘制的位置、大小，与实际的位置、大小不同。
层叠绝缘膜16使用聚乙烯基苯酚（Aldrich公司制）作为材料，通
过旋涂法以膜厚500nm形成。
上部电极18（源电极18a、漏电极18b）使用纳米银油墨（住友电
工公司制纳米银:Aldrich公司制聚乙二醇＃200＝8:1（质量比））作为材
料，通过转印胶印法进行印刷后，在180℃烘烤1小时而形成。
半导体层22使用将LisiconSP200（Merck公司制）用四氢化萘（关
东化学公司制）以成为1.0质量%的方式溶解而成的溶液作为材料，通
过旋涂法进行成膜而形成。
使用以上的材料和制造方法制造薄膜晶体管20的结果，制造出了
在下部电极4与上部电极18之间不发生短路、漏电的薄膜晶体管20。
（第二实施例）
以下，参照图7和图8，对使用了层叠体1的薄膜晶体管20的制造
方法的实施例进行说明。
基板2使用聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）膜（Teijin DuPont公司
制）作为材料而形成。
下部电极4（栅电极）使用铝作为材料，通过EB蒸镀法以膜厚50nm
进行成膜，将铝通过光刻法图案化为所希望的形状。
基础绝缘膜6使用聚酰亚胺（Mitsubishi Gas Chemical公司制
Neopulim）作为材料，通过旋涂法以膜厚100nm形成。
膜厚减少部8是通过使用以“磷酸:硝酸:乙酸:水＝85:5:5:5”的比
例混合而成的水溶液作为蚀刻液，在该水溶液中，将形成了下部电极4
和基础绝缘膜6的基板2浸渍在水溶液中60分钟而形成。
应予说明，如同上述第一实施例，图7和图8中所示的膜厚减少
部8的位置、大小为示意性绘制的位置、大小，与实际的位置、大小不
同。
层叠绝缘膜16使用聚乙烯基苯酚（Aldrich公司制）作为材料，通
过旋涂法以膜厚500nm形成。
上部电极18（源电极18a，漏电极18b）使用纳米银油墨（住友电
工公司制纳米银:Aldrich公司制聚乙二醇＃200＝8:1（质量比））作为材
料，通过转印胶印法进行印刷后，在180℃烘烤1小时而形成。
半导体层22使用将LisiconSP200（Merck公司制）用四氢化萘（关
东化学公司制）以成为1.0质量%的方式溶解而成的溶液作为材料，通
过旋涂法进行成膜而形成。
使用以上的材料和制造方法制造薄膜晶体管20的结果，如同第一
实施例，制造出了在下部电极4与上部电极18之间不发生短路、漏电
的薄膜晶体管20。
（第三实施例）
以下，参照图11～图13，对使用了层叠体1的薄膜晶体管阵列24
的制造方法的实施例进行说明。
基板2使用聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）膜（Teijin DuPont公司
制）作为材料而形成。
下部电极4（栅电极4c、栅配线4d、电容器电极4e、电容器配线
4f）使用纳米银油墨（住友电工公司制纳米银:Aldrich公司制聚乙二醇
＃200＝8:1（质量比））作为材料，通过转印胶印法进行印刷，在180
℃烘烤1小时而形成。
基础绝缘膜6使用聚乙烯基苯酚（Aldrich公司制）作为材料，通
过旋涂法以膜厚100nm来形成。
膜厚减少部8使用以“磷酸:硝酸:乙酸:水＝85:5:5:5”的比例混合
而成的水溶液作为蚀刻液，将形成了下部电极4和基础绝缘膜6的基板
2浸渍在水溶液中60分钟而形成。
应予说明，如同上述第一实施例，图11～图13中所示的膜厚减
少部8的位置、大小为示意性绘制的位置、大小，与实际的位置、大小
不同。
层叠绝缘膜16使用聚乙烯基苯酚（Aldrich公司制）作为材料，通
过旋涂法以膜厚500nm形成。
上部电极18（源电极18a、漏电极18b、源配线18c、像素电极
18d）使用纳米银油墨（住友电工公司制纳米银:Aldrich公司制聚乙二
醇＃200＝8:1（质量比））作为材料，通过转印胶印法进行印刷后，在
180℃烘烤1小时而形成。
半导体层22使用将LisiconSP200（Merck公司制）用四氢化萘（关
东化学公司制）以成为1.0质量%的方式溶解而成的溶液作为材料，通
过柔版印刷对半导体图案进行印刷后，在100℃干燥60分钟而形成。
密封层26使用CYTOP（旭硝子公司制）作为材料，通过柔版印刷
对密封图案进行印刷后，在100℃干燥90分钟而形成。
使用以上的材料和制造方法制造薄膜晶体管阵列24的结果，制造
出了下部电极4与上部电极18之间不发生短路、漏电的薄膜晶体管阵
列24。
（比较例）
以下，使用图14，对使用了层叠体1的薄膜晶体管阵列24的比较
例进行说明。应予说明，图14是表示比较例的使用了层叠体1的薄膜
晶体管阵列24的示意构成的图。
比较例中，如图14中所示，在下部电极4（栅电极4c、栅配线4d、
电容器电极4e、电容器配线4f）上不形成膜厚减少部8，除此以外，使
用与上述第三实施例同样的材料和制造方法制造薄膜晶体管阵列24。
在下部电极4上不形成膜厚减少部8，使用与上述第三实施例同
样的材料和制造方法制造了薄膜晶体管阵列24的结果，出现了在下部
电极4与上部电极18之间发生短路的地方。
（各实施例与比较例的对比）
因此，确认到了在上述第一和第二实施例的薄膜晶体管20以及第
三实施例的薄膜晶体管阵列24中，由于在下部电极4上形成有膜厚减
少部8，所以在下部电极4与上部电极18之间不发生短路、漏电，与此
相对，在比较例的薄膜晶体管阵列24中，由于在下部电极4上没形成
膜厚减少部8，所以在下部电极4与上部电极18之间发生短路。
即，确认到了通过使用本发明的层叠体1，能够制造在下部电极4
与上部电极18之间不发生短路、漏电的薄膜晶体管20、薄膜晶体管阵
列24等。
附图说明
1…层叠体，2…基板，4…下部电极，4a…源电极，4b…漏电极，
4c…栅电极，4d…栅配线，4e…电容器电极，4f…电容器配线，6…基础
绝缘膜，8…膜厚减少部，10…小孔，12…突起部，14…异物，16…层
叠绝缘膜，18…上部电极，18a…源电极，18b…漏电极，18c…源配线，
18d…像素电极，20…薄膜晶体管，22…半导体层，24…薄膜晶体管阵
列，26…密封层。