*衍生物材料相关专利申请资料
本专利申请根据35U.S.C.§119(e)要求2009年8月13日提交的美
国临时申请61/233,592的优先权，所述文献全文以引用方式并入本文。
背景信息
公开领域
一般来讲，本公开涉及衍生物材料以及它们在有机电子器件中的应
用。
相关领域说明
有机电子器件存在于许多不同种类的电子设备中。在所有的此类器件
中，有机电活性层均被夹置在两个电接触层之间。此类器件的一个实例是
有机发光二极管(“OLED”)，其中发光层存在于电接触层之间。所述
电接触层中的至少一个是透光的以便光能够穿过该电接触层。当在整个电
接触层上施加电流时，有机活性层发射穿过该透光的电接触层的光。可在
发光层和一个或多个电接触层之间存在附加电活性层。
已知在发光二极管中将有机电致发光化合物用作活性组分。已知诸如
蒽、噻二唑衍生物和香豆素衍生物等简单有机分子显示具有电致发光性。
在某些情况下，这些小分子材料作为掺杂剂存在于基质材料中，以改善加
工特性和/或电子特性。
持续需要用于电子器件的新型材料。
发明概述
本发明提供了具有式I的衍生物
其中：
R1在每次出现时相同或不同并且选自D、烷基、烷氧基、甲硅烷基和
硅氧烷，或相邻的R1基可被接合在一起形成5元或6元脂环，
Ar1和Ar2相同或不同并且为芳基，
a为0至6的整数；
b为0至2的整数；并且
c为0至3的整数。
还提供了电活性组合物，所述组合物包含(a)具有如上所述式I的基
质材料，和(b)能够电致发光的电活性掺杂剂，所述掺杂剂具有介于380
和750nm之间的发射最大值。
还提供了有机电子器件，所述器件包括两个电接触层以及介于其间的
有机电活性层，其中所述电活性层包含上述电活性组合物。
以上综述及以下发明详述仅出于示例性和说明性的目的，并不是对本
发明进行限制，本发明受所附权利要求的限定。
附图简述
附图中示出了实施方案以增进对本文所述概念的理解。
图1包括有机电子器件的一个实例的示图。
技术人员理解，附图中的物体是以简洁明了的方式示出的并不一定按
比例绘制。例如，图中一些物体的尺寸相对于其它物体可能有所放大，以
便于更好地理解实施方案。
发明详述
许多方面和实施方案已在上文进行了描述，并且仅是示例性而非限制
性的。在阅读完本说明书后，技术人员应认识到，在不脱离本发明范围的
情况下，其它方面和实施方案也是可能的。
通过阅读以下的发明详述和权利要求，任何一个或多个实施方案的其
它特征和有益效果将变得显而易见。发明详述首先提出了术语的定义和说
明，接着是衍生物材料、电活性组合物、有机电子器件，最后是实施
例。
1.术语的定义和说明
在提出下述实施方案详情之前，先定义或阐明一些术语。
如本文所用，短语“相邻的”当用于指器件中的层时并非一定表示一
层紧接另一层。另一方面，短语“相邻的R基”用来指化学式中彼此紧接
的R基。因此，相邻的R基在被键连接的原子上，例如
术语“脂环”旨在表示无离域π电子的环状基团。在一些实施方案
中，所述脂族环非不饱和。在一些实施方案中，该环具有一个双键或三
键。
术语“烷基”旨在表示衍生自脂族烃的具有一个连结点的基团，并且
包括直链、支链、或环状的基团。该术语旨在包括杂烷基。术语“亚烷
基”旨在表示衍生自脂族烃并且具有两个或多个连结点的基团。在一些实
施方案中，烷基具有1-20个碳原子。
术语“芳基”旨在表示具有一个连结点的、衍生自芳族烃的基团。该
术语包括具有单环的基团以及具有多个可由单键结合或稠合在一起的环的
那些。该术语旨在包括杂芳基。术语“亚芳基”旨在表示衍生自具有两个
连结点的芳族烃的基团。在一些实施方案中，芳基具有3-60个碳原子。
术语“发蓝光的材料”旨在表示能够发射在约400-480nm范围内的波
长下具有发射最大值的辐射的材料。
术语“支链烷基”是指具有至少一个仲碳或叔碳的烷基。术语“仲烷
基”是指具有仲碳原子的支链烷基。术语“叔烷基”是指具有叔碳原子的
支链烷基。在一些实施方案中，支链烷基通过仲碳或叔碳连接。
术语“化合物”旨在表示由分子组成的不带电物质，所述分子又由原
子组成，其中原子不能通过物理方法分开。
术语“氘代”旨在表示至少一个H被D取代。术语“氘代类似物”是
指其中一个或多个可用氢已被氘取代的化合物或基团的结构类似物。在氘
代化合物或氘代类似物中，氘以天然丰度的至少100倍存在。
术语“掺杂剂”旨在表示包含基质材料的层内的材料，与缺乏此类材
料时所述层辐射发射、接收或过滤的一种或多种电特性或一个或多个波长
相比，所述掺杂剂改变了所述层辐射发射、接收或过滤的一种或多种电特
性或一个或多个指标波长。
当涉及层或材料时，术语“电活性”旨在表示电子促进器件运作的层
或材料。电活性材料的实例包括但不限于传导、注入、传输或阻断电荷的
材料，其中电荷可为电子或空穴，或包括但不限于接受辐射时发射辐射或
表现出电子-空穴对浓度变化的材料。非活性材料的实例包括但不限于平面
化材料、绝缘材料、以及环境防护材料。
术语“电致发光”是指由材料发光以响应于通过所述材料的电流。
“电致发光”是指材料能够电致发光。
术语“发射最大值”旨在表示发射的最高辐射强度。发射最大值具有
相应的波长。
前缀“氟代”表示一个或多个可得氢原子已被氟原子置换。
术语“发绿光的材料”旨在表示能够发射在约480-600nm范围内的波
长下具有发射最大值的辐射的材料。
前缀“杂”表示一个或多个碳原子已被不同的原子置换。在一些实施
方案中，所述不同的原子为N、O、或S。
术语“基质材料”旨在表示向其加入掺杂剂的材料。基质材料可具有
或可不具有发射、接收或过滤辐射的电子特性或能力。在一些实施方案
中，基质材料以较高的浓度存在。
术语“层”与术语“膜”可互换使用，并且是指覆盖所期望区域的涂
层。该术语不受尺寸的限制。所述区域可大如整个器件，或也可小如特定
的功能区(如实际可视显示器)，或小如单个子像素。层和膜可通过任何
常规的沉积技术形成，包括气相沉积、液相沉积(连续和不连续技术)、
以及热转移。连续沉积技术包括但不限于旋涂、凹版涂布、帘式涂布、浸
涂、槽模涂布、喷涂、以及连续喷涂。非连续沉积技术包括但不限于喷墨
印刷、凹版印刷、以及丝网印刷。
术语“有机电子器件”或有时仅为“电子器件”旨在表示包含一个或
多个有机半导体层或材料的器件。
术语“发红光的材料”旨在表示能够发射在约600-700nm范围内的波
长下具有发射最大值的辐射的材料。
术语“硅氧烷”是指基团(RO)3Si-，其中R为H、D、C1-20烷基、
或氟代烷基。
术语“甲硅烷基”是指基团R3Si-，其中R为H、D、C1-20烷基、氟
代烷基、或芳基。在一些实施方案中，R烷基中的一个或多个碳被Si替
换。在一些实施方案中，所述甲硅烷基为(己基)2Si(CH3)CH2CH2Si(CH3)2-
和[CF3(CF2)6CH2CH2]2Si(CH3)-。
所有基团可为未取代或取代的。在一些实施方案中，取代基选自D、
卤素、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基和氟代烷基。
如本文所用，术语“包含”、“包括”、“具有”或它们的任何其它
变型均旨在涵盖非排他性的包括。例如，包括要素列表的工艺、方法、制
品或设备不必仅限于那些要素，而是可包括未明确列出的或该工艺、方
法、制品或设备所固有的其他要素。此外，除非有相反的明确说明，
“或”是指包含性的“或”，而不是指排他性的“或”。例如，以下任何
一种情况均满足条件A或B：A是真实的(或存在的)且B是虚假的(或
不存在的)，A是虚假的(或不存在的)且B是真实的(或存在的)，以
及A和B都是真实的(或存在的)。
同样，使用“一个”或“一种”来描述本文所描述的要素和组分。这
样做仅仅是为了方便，并且对本发明的范围提供一般性的意义。这种描述
应被理解为包括一个或至少一个，并且该单数也包括复数，除非很明显地
另指他意。
对应于元素周期表内列的族序号的使用参见“CRC Handbook of
Chemistry and Physics”，第81版(2000-2001)中所述的“新命名法”公
约。
除非另有定义，本文所用的所有技术和科学术语的含义均与本发明所
属领域的普通技术人员通常理解的一样。尽管与本文所描述的方法和材料
类似或等同的方法和材料也可用于本发明实施方案的实施或测试中，但是
下文描述了合适的方法和材料。本文提及的所有出版物、专利申请、专利
以及其他参考文献全文均以引用方式并入本文，除非引用具体的段落。如
发生矛盾，以本说明书及其所包括的定义为准。此外，材料、方法和实施
例仅是示例性的，并不旨在进行限制。
本文未描述的有关具体材料、加工方法和电路的许多细节均是常规
的，并且可在有机发光二极管显示器、光电探测器、光伏和半导体构件领
域的教科书和其它来源中找到。
2.衍生物材料
所述衍生物材料具有式I
其中：
R1在每次出现时相同或不同并且选自D、烷基、烷氧基、甲硅烷基和
硅氧烷，或相邻的R1基可被接合在一起形成5元或6元脂环，
Ar1和Ar2相同或不同并且为芳基，
a为0至6的整数；
b为0至2的整数；并且
c为0至3的整数。
在一些实施方案中，R1为D，并且a、b和c中的至少一个大于0。在
一些实施方案中，R1为D，并且a、b和c均大于0。在一些实施方案中，
R1为D，a＝5-6，b＝1-2，并且c＝2-3。
在一些实施方案中，至少一个R1为支链烷基。在一些实施方案中，
支链烷基为2-丙基或叔丁基。
在一些实施方案中，Ar1和Ar2为具有取代基的苯基，所述取代基选自
D、烷基、甲硅烷基、苯基、萘基、N-咔唑基和芴基。
在一些实施方案中，Ar1和Ar2选自苯基、联苯基、萘基、菲基、蒽
基、4-萘基苯基、4-菲基苯基，其中前述基团中的任何一个可进一步被一
个或多个取代基取代，所述取代基选自D、烷基、甲硅烷基和苯基、以及
具有式II的基团：
其中：
R2在每次出现时相同或不同并且选自H、D、烷基、烷氧基、硅氧烷
和甲硅烷基，或相邻的R2基可被接合在一起形成芳环；并且
m在每次出现时相同或不同并且为1至6的整数。
在一些实施方案中，Ar1和Ar2选自苯基、萘基、菲基、蒽基、4-萘基
苯基、4-菲基苯基，其中前述基团中的任何一个可进一步被一个或多个取
代基取代，所述取代基选自D、烷基、甲硅烷基、苯基、以及具有式III的
基团：
其中R2和m如上文式II中所定义。在一些实施方案中，m为1至3的整
数。
如本文所用，术语联苯基、萘基、菲基、4-萘基苯基、4-菲基苯基和
N-咔唑基苯基是指以下取代基，其中虚线表示可能的氮连结点：
上述基团中的任何一个可进一步被D、烷基、甲硅烷基或苯基取代。
在一些实施方案中，Ar1和Ar2选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基苯
基、以及它们的氘代类似物。在一些实施方案中，Ar1≠Ar2。
在一些实施方案中，所述化合物选自以下化合物C1至C5。
所述衍生物可由已知的偶联和取代反应来制备。示例性制备在实施
例中给出。
3.电活性组合物
在电子器件中，存在包含电致发光材料的电活性组合物。很多情况下
存在电致发光材料以作为基质材料中的掺杂剂。铝喹啉络合物如双(2-甲
基-8-羟基喹啉基)-4-苯基苯酚铝(BAlq)很多情况下用作基质材料，尤
其是用于磷光金属络合物发射体。然而，BAlq化合物是空气和湿气敏感
的。潜在的替代物如Ga-喹啉络合物具有更好的空气和湿气稳定性，但获
得更低的器件性能。因此需要更好的基质。
本发明人已发现，式I的衍生物化合物具有增加的三重态能量，因
此适用作磷光和荧光发光材料的基质材料。在一些实施方案中，所述第一
基质材料具有大于2.0eV的三重态能级。当掺杂剂为磷光材料时，为了防
止发光淬灭，这是尤其有用的。三重态能量可由演绎法计算出来，或可采
用脉冲射解或低温发光光谱来测定。
此外，本文所述衍生物材料是空气稳定的并且对湿气不敏感。发现
空气中暴露至多20小时的溶液提供与未暴露于空气的溶液相同功效的性能
和寿命。
此外，本文所述衍生物材料具有玻璃化转变温度(“Tg”)，所述
温度是足够高的以使它们可用于液体组合物中以用于溶液加工。在一些实
施方案中，Tg大于95℃。高Tg允许形成光滑并且牢固的薄膜。有两种常
规测定Tg的主要方法：差示扫描量热法(“DSC”)和热力学分析
(“TMA”)。在一些实施方案中，由DSC测定Tg。在一些实施方案
中，Tg介于100°和150℃之间。
还应注意，可调节衍生物材料在加工溶剂中的溶解度以满足溶液加
工要求。在一些实施方案中，衍生物在甲苯和苯甲醚中的溶解度大于
20mg/mL溶剂。高溶解度允许更好的电活性器件溶液加工。
电活性组合物包含(a)具有式I的基质材料
其中：
R1在每次出现时相同或不同并且选自D、烷基、烷氧基、甲硅烷基和
硅氧烷，或相邻的R1基团可被接合在一起形成5元或6元脂环，
Ar1和Ar2相同或不同并且为芳基，
a为0至6的整数；
b为0至2的整数；并且
c为0至3的整数；和
(b)能够电致发光的电活性掺杂剂，所述掺杂剂具有介于380和750nm
之间的发射最大值。
在一些实施方案中，存在第二基质材料。在一些实施方案中，所述第
二基质材料选自菲咯啉、喹喔啉、苯基吡啶、苯并二呋喃和金属喹啉酸盐
络合物。
在一些实施方案中，存在多于一种的掺杂剂。
在一些实施方案中，所述电活性组合物基本上由以下组成：(a)具
有式I的基质材料，和(b)能够电致发光的电活性掺杂剂，所述掺杂剂具
有介于380和750nm之间的发射最大值。
在一些实施方案中，所述电活性组合物基本上由以下组成：(a)具
有式I的基质材料，(b)能够电致发光的电活性掺杂剂，所述掺杂剂具有
介于380和750nm之间的发射最大值，和(c)第二基质材料，
存在于所述电活性组合物中掺杂剂的量基于所述组合物的总重量一般
在3-20重量％范围内；在一些实施方案中在5-15重量％范围内。当存在第
二基质时，第一基质与第二基质的比率一般在1∶20至20∶1范围内；在一些
实施方案中在5∶15至15∶5范围内。在一些实施方案中，具有式I的第一基
质材料占总基质材料的至少50重量％；在一些实施方案中占至少70重量
％。
a.掺杂剂材料
掺杂剂是能够电致发光的电活性材料，所述电活性材料具有介于380
和750nm之间的发射最大值。在一些实施方案中，掺杂剂发红光、绿光或
蓝光。
发红光的材料的实例包括但不限于具有苯基喹啉或苯基异喹啉配体的
环金属铱络合物、二茚并(1，2，3-CD:1，2，3-LM)苝、荧蒽和苝类。发红光
的材料已公开于例如美国专利公开6,875,524和公布的美国专利申请2005-
0158577中。
发绿光的材料的实例包括但不限于双(二芳基胺基)蒽和聚苯乙炔聚
合物。发绿光的材料已公开于例如公布的PCT专利申请WO 2007/021117
中。
发蓝光的材料的实例包括但不限于二芳基蒽、二氨基、二氨基芘和
聚芴聚合物。发蓝光的材料已公开于例如美国专利公开6,875,524和公布的
美国专利申请2007-0292713和2007-0063638中。
在一些实施方案中，掺杂剂为有机金属络合物。在一些实施方案中，
掺杂剂为环金属铱或铂络合物。此类材料已公开于例如美国专利公开
6,670,645和公布的PCT专利申请WO 03/063555、WO 2004/016710和WO
03/040257中。
在一些实施方案中，所述掺杂剂为具有式Ir(L1)a(L2)b(L3)c的络合
物；其中
L1为通过碳和氮配位的单阴离子二齿环金属配体；
L2为不通过碳配位的单阴离子二齿配体；
L3为单齿配体；
a为1-3；
b和c独立地为0-2；并且
选择a、b和c，使得铱为六配位，并且所述络合物呈电中性。
式的一些实例包括但不限于Ir(L1)3；Ir(L1)2(L2)；和
Ir(L1)2(L3)(L3’)，其中L3为阴离子并且L3’为非离子。
L1配体的实例包括但不限于苯基吡啶、苯基喹啉、苯基嘧啶、苯基吡
唑、噻吩吡啶、噻吩喹啉和噻吩嘧啶。如本文所用，除非另外指明，术语
“喹啉”包括“异喹啉”。氟化衍生物可具有一个或多个氟取代基。在一
些实施方案中，配体非氮环上存在1-3个氟取代基。
单阴离子二齿配体L2是金属配位化学领域所熟知的。一般来讲，这
些配体具有N、O、P或S作为配位原子，并且当与铱配位时形成5元或6
元环。适宜的配位基团包括氨基、亚氨基、酰氨基、醇盐、羧酸酯、膦
基、硫醇盐等。适用于这些配体的母体化合物的实例包括β-二羧基(β-烯
醇配体)、以及它们的N和S类似物；氨基羧酸(氨基羧酸盐配体)；吡
啶羧酸(亚氨基羧酸盐配体)；水杨酸衍生物(水杨酸盐配体)；羟喹啉
(羟基喹啉配体)以及它们的S类似物；和膦基烷醇(膦基烷氧化物配
体)。
单齿配体L3可为阴离子或非离子。阴离子配体包括但不限于H-
(“氢化物”)以及具有作为配位原子的C、O或S的配体。配位基团包
括但不限于醇盐、羧酸酯、硫代羧酸酯、二硫代羧酸酯、磺酸酯、硫醇
酯、氨基甲酸酯、二硫代氨基甲酸酯、硫卡巴腙阴离子、磺酰胺阴离子
等。在一些情况下，上文列为L2的配体如β-烯醇化物和膦烷氧化物可用
作单齿配体。单齿配体也可为配位阴离子，如卤离子、氰化物、异氰化
物、硝酸根、硫酸根、六卤锑酸根等。这些配体一般是可商购获得的。
单齿L3配体还可为非离子配体如CO或单齿膦配体。
在一些实施方案中，一种或多种配体具有至少一个取代基，所述取代
基选自F和氟化烷基。
可采用例如美国专利6,670,645中所述的标准合成技术，来制备铱络
合物掺杂剂。
在一些实施方案中，所述掺杂剂为发红光的材料。红光掺杂剂的一些
非限制性实例为下文的D1至D7。
在一些实施方案中，所述掺杂剂为有机化合物。在一些实施方案中，
掺杂剂选自非聚合螺二芴化合物和荧蒽化合物。
在一些实施方案中，所述掺杂剂为具有芳胺基的化合物。在一些实施
方案中，电致发光掺杂剂选自下式：
其中：
A在每次出现时相同或不同并且为具有3-60个碳原子的芳族基；
Q为单键或具有3-60个碳原子的芳族基；
n和m独立地为1-6的整数。
在上式的一些实施方案中，各式中A和Q中的至少一者具有至少三个
稠环。在一些实施方案中，m和n等于1。
在一些实施方案中，Q为苯乙烯基或苯乙烯基苯基。
在一些实施方案中，Q为具有至少两个稠环的芳族基。在一些实施方
案中，Q选自萘、蒽、、嵌二萘、并四苯、呫吨类、苝类、香豆素、玫
瑰精、喹吖啶酮和红荧烯。
在一些实施方案中，A选自苯基、联苯基、甲苯基、萘基、萘基苯基
和蒽基。
在一些实施方案中，掺杂剂具有下式：
其中：
Y在每次出现时相同或不同并且为具有3-60个碳原子的芳族基；
Q’为芳族基、二价三苯胺残基、或单键。
在一些实施方案中，所述掺杂剂为芳基并苯。在一些实施方案中，所
述掺杂剂为非对称的芳基并苯。
在一些实施方案中，所述掺杂剂为具有式IV的蒽衍生物：
其中：
R3在每次出现时相同或不同并且选自D、烷基、烷氧基和芳基，其中
相邻的R3基可被接合在一起以形成5元或6元脂环；
Ar3至Ar6相同或不同并且选自芳基；
d在每次出现时相同或不同并且为0至4的整数；并且
在一些实施方案中，所述掺杂剂为具有式V的衍生物：
其中：
R3在每次出现时相同或不同并且选自D、烷基、烷氧基芳基、氟、氰
基、硝基、-SO2R4，其中R4为烷基或全氟烷基，其中相邻的R3
基可被接合在一起形成5元或6元脂环；
Ar3至Ar6相同或不同并且选自芳基；并且
e在每次出现时相同或不同并且为0至5的整数；
在一些实施方案中，所述掺杂剂为发绿光的材料。绿色掺杂剂的一些
非限制性实例为以下所示的化合物D8至D13。
D8：
在一些实施方案中，所述电致发光掺杂剂为发蓝光的材料。蓝色掺杂
剂的一些非限制性实例为以下示出的化合物D14至D18。
D14：
4.电子器件
通过具有一个或多个包含本文所述衍生物材料的层而可获益的有机
电子器件包括但不限于：(1)将电能转换为辐射的器件(例如发光二极
管、发光二极管显示器、照明器件、发光设备或二极管激光器)，(2)
通过电子方法探测信号的器件(例如光电探测器、光电导管、光敏电阻
器、光控继电器、光电晶体管、光电管、IR探测器、生物传感器)，
(3)将辐射转换为电能的器件(例如光伏器件或太阳能电池)，以及
(4)包括具有一个或多个有机半导体层的一个或多个电子元件的器件
(例如晶体管或二极管)。
有机电子器件结构的一个示例示出于图1。器件100具有第一电接触
层即阳极层110和第二电接触层即阴极层160、以及介于它们之间的电活
性层140。邻近阳极的是空穴注入层120，有时称为缓冲层。邻近空穴注
入层的是包含空穴传输材料的空穴传输层130。邻近阴极的可为包含电子
传输材料的电子传输层150。作为选择，该器件可使用一个或多个紧邻阳
极110的附加的空穴注入层或空穴传输层(未示出)，和/或一个或多个紧
邻阴极160的附加的电子注入层或电子传输层(未示出)。
层120至层150单独或统称为活性层。
在一个实施方案中，不同的层具有以下厚度范围：阳极110，
在一个实施方案中为空穴注入层120，
在一个实施方案中为空穴传输层130，在一个实
施方案中为电活性层140，在一个实施方案中为
电子传输层150，在一个实施方案中为
阴极160，在一个实施方案中为电子-
空穴重组区域位于所述器件中，从而器件的发射光谱可能会受每个层相对
厚度的影响。各层厚度的期望比率将取决于所用材料的确切性质。
根据器件100的应用，电活性层140可为由施加的电压激活的发光层
(如在发光二极管或发光电化学电池中)，或是响应辐射能并且在有或无
施加的偏压下产生信号的材料层(如在光电探测器或生物传感器中)。光
电探测器的实例包括光电导管、光敏电阻器、光控开关、光电晶体管和光
电管、以及光伏电池，这些术语描述于Markus，John，“Electronics and
Nucleonics Dictionary”，第470和476页(McGraw-Hill，Inc.1966)中。
生物传感器的实例包括脉冲氧饱和度仪，其通过测定输入/输出红光强度感
测与血红蛋白结合的氧的变化。
本文所述的电活性组合物可用作电活性层140。器件中的其它层可由
已知的用于此类层的任何材料制成。
阳极110是用于注入正电荷载体的尤其有效的电极。它可由例如包含
金属、混合金属、合金、金属氧化物或混合金属氧化物的材料制成，或者
它可为导电聚合物，或它们的混合物。适宜的金属包括第11族金属、第
4-6族中的金属和第8-10族的过渡金属。如果使阳极具有透光性，则一般
使用第12、13和14族金属的混合金属氧化物，例如氧化铟锡。阳极110
还能够包含有机材料如聚苯胺，所述聚苯胺描述于“Flexible light-emitting
diodes made from soluble conducting polymer”，(Nature第357卷，第
477-479页(1992年6月11日))中。期望阳极和阴极中的至少一个是至
少部分透明的以允许观察到所产生的光。
空穴注入层120包含空穴注入材料，并且可具有有机电子器件中的一
个或多个功能，包括但不限于，下层平坦化、电荷传输和/或电荷注入特
性、清除杂质如氧气或金属离子、以及其它有利于或改善有机电子器件性
能的方面。空穴注入材料可为聚合物、低聚物、或小分子。它们可为气相
沉积的，或由液体沉积，所述液体为溶液、分散体、悬浮液、乳液、胶态
混合物、或其它组合物形式。
空穴注入层可由聚合物材料形成，如聚苯胺(PANI)或聚乙烯二氧噻
吩(PEDOT)，所述聚合材料通常掺入有质子酸。质子酸可为例如聚(苯
乙烯磺酸)、聚(2-丙烯酰胺-2-甲基-1-丙磺酸)等。空穴注入层可包含电
荷转移化合物等，如铜酞菁和四硫富瓦烯-四氰基苯醌二甲烷体系(TTF-
TCNQ)。在一些实施方案中，空穴注入层包含至少一种导电聚合物和至
少一种氟化酸聚合物。此类材料描述于例如已公布的美国专利申请2004-
0102577、2004-0127637和2005/205860。
层130包含空穴传输材料。用于空穴传输层的空穴传输材料的实例已
概述于例如Y.Wang的1996年“Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical
Technology”第四版，第18卷，第837-860页中。空穴传输分子和空穴传
输聚合物均可使用。常用的空穴传输分子包括但不仅限于：4，4’，4”-三
(N，N-二苯基-氨基)-三苯胺(TDATA)；4，4’，4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯
基-氨基)-三苯胺(MTDATA)；N，N′-二苯基-N，N′-双(3-甲基苯基)-
[1，1′-联苯]-4，4′-二胺(TPD)；4，4′-双(咔唑-9-基)联苯(CBP)；1，3-双
(咔唑-9-基)苯(mCP)；1，1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷
(TAPC)；N，N′-双(4-甲基苯基)-N，N′-双(4-乙基苯基)-[1，1′-(3，3′-二
甲基)联苯基]-4，4′-二胺(ETPD)；四-(3-甲基苯基)-N，N，N′，N′-2，5-苯二
胺(PDA)；α-苯基-4-N，N-二苯基氨基苯乙烯(TPS)；对-(二乙氨基)
苯甲醛二苯腙(DEH)；三苯胺(TPA)；双[4-(N，N-二乙氨基)-2-甲基
苯基](4-甲基苯基)甲烷(MPMP)；1-苯基-3-[对(二乙基氨基)苯乙烯
基]-5-[对(二乙基氨基)苯基]吡唑啉(PPR或DEASP)；1，2-反式-双
(9H-咔唑-9-基)环丁烷(DCZB)；N，N，N′，N′-四(4-甲基苯基)-(1，1′-
联苯)-4，4′-二胺(TTB)；N，N’-双(萘-1-基)-N，N’-双-(苯基)对二氨基
联苯(α-NPB)；以及卟啉化合物例如铜酞菁。常用的空穴传输聚合物是
聚乙烯咔唑、(苯基甲基)聚硅烷、以及聚苯胺。还可通过将空穴传输分
子诸如上述那些掺入到聚合物诸如聚苯乙烯和聚碳酸酯中，来获得空穴传
输聚合物。在一些情况下，使用三芳基胺聚合物，尤其是三芳基胺-芴共
聚物。在一些情况下，所述聚合物和共聚物是可交联的。可交联空穴传输
聚合物的实例可见于例如公布的美国专利申请2005-0184287和公布的PCT
专利申请WO 2005/052027中。在一些实施方案中，空穴传输层掺入有p
型掺杂剂，如四氟四氰基喹啉并二甲烷和苝-3，4，9，10-四羧基-3，4，9，10-二酸
酐。
层140包含本文所述的新型电活性组合物。在一些实施方案中，存在
一种或多种附加基质材料。在一些实施方案中，存在一种或多种附加掺杂
剂材料。在一些实施方案中，层140基本上由以下组成：(a)具有式I的
基质材料，和(b)能够电致发光的电活性掺杂剂，所述掺杂剂具有介于
380和750nm之间的发射最大值。在一些实施方案中，层140基本上由以
下组成：(a)具有式I的基质材料，和(b)能够电致发光的电活性掺杂
剂，所述掺杂剂具有介于380和750nm之间的发射最大值，和(c)第二
基质材料。在一些实施方案中，所述第二基质材料选自菲咯啉、喹喔啉、
苯基吡啶、苯并二呋喃和金属喹啉酸盐络合物。
层150不仅可用于促进电子传输，还可用作空穴注入层或限制层，以
防止层界面处的电子空穴对淬灭。优选地，该层促进电子移动性并且减少
电子空穴对的淬灭。可用于层150中的电子传输材料的实例包括金属螯合
的8-羟基喹啉酮化合物，包括金属喹啉衍生物如三(8-羟基喹啉)铝
(AlQ)、二(2-甲基-8-羟基喹啉)(对苯基酚氧基)铝(III)
(BAlq)、四(8-羟基喹啉)铪(HfQ)和四(8-羟基喹啉)锆(ZrQ)；
以及唑化合物，如2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-二唑
(PBD)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(TAZ)
和1，3，5-三(苯基-2-苯并咪唑)苯(TPBI)；喹喔啉衍生物如2，3-二(4-
氟苯基)喹喔啉；菲咯啉如4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(DPA)和2，9-二甲基-
4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(DDPA)；以及它们的混合物。在一些实施方案
中，所述电子传输材料选自金属喹啉和菲咯啉衍生物。在一些实施方案
中，所述电子传输层还包含n型掺杂剂。N型掺杂剂材料为人们所熟知。n
型掺杂剂包括但不限于第1族和第2族金属；第1族和第2族金属盐，如
LiF、CsF和Cs2CO3；第1族和第2族金属有机化合物如锂喹啉；以及分子
n型掺杂剂，如无色染料、金属络合物，如W2(hpp)4(其中
hpp＝1，3，4，6，7，8-六氢-2H-嘧啶并-[1，2-a]-嘧啶)和二茂钴、四硫杂萘并萘、
双(亚乙基二硫基)四硫富瓦烯、杂环基团或二价基团、以及杂环基团或
二价基团的二聚体、低聚物、聚合物、二螺化合物和多环化物。
阴极160是用于注入电子或负电荷载体尤其有效的电极。阴极可为具
有功函比阳极低的任何金属或非金属。用于阴极的材料可选自第1族的碱
金属(例如锂、铯)、第2族(碱土)金属、第12族金属，包括稀土元素
和镧系元素、以及锕系元素。可使用如铝、铟、钙、钡、钐和镁、以及它
们的组合的材料。含锂的有机金属化合物LiF、Li2O，含铯的有机金属化
合物CsF、Cs2O和Cs2CO3也可沉积在有机层和阴极层之间以降低操作电
压。
已知在有机电子器件中存在其它层。例如，在阳极110和空穴注入层
120之间存在层(未示出)，以控制注入的正电荷量和/或提供层的带隙匹
配，或用作保护层。可使用本领域已知的层，例如铜酞菁、氮氧化硅、碳
氟化合物、硅烷或超薄金属层例如Pt。作为另外一种选择，阳极层110、
活性层120、130、140和150、或阴极层160中的一些或所有能够被表面
处理以增加电荷负载传输效率。优选地通过平衡发射极层中的正电荷和负
电荷来确定每个组件层的材料的选择，以提供具有高电致发光效率的器
件。
应当理解，每个功能层可由一个以上的层构成。
器件层可通过任何沉积技术或技术的组合形成，这些技术包括气相沉
积、液相沉积和热转移。可使用基板例如玻璃、塑料和金属。可使用常规
的气相沉积技术例如热蒸发、化学气相沉积等。可使用常规的涂布或印刷
技术，包括但不限于旋涂、浸涂、卷对卷技术、喷墨印刷、连续喷印、丝
网印刷、照相凹版印刷等，由适宜溶剂中的溶液或分散体来施加有机层。
在一些实施方案中，器件通过空穴注入层、空穴传输层和电致发光层
的液相沉积以及阳极、电子传输层、电子注入层和阴极的气相沉积制造。
应当理解，由本文所述的电活性组合物制造的器件的效率可通过对该
器件中的其它层进行优化而进一步提高。例如，可使用更有效的阴极例如
Ca、Ba或LiF。也可使用导致操作电压降低或量子效率增加的成型基板和
新型空穴传输材料。还可添加附加层，从而定制各种层的能级并促进电致
发光。
实施例
本文所描述的概念将在以下实施例中进一步描述，所述实施例不限制
在权利要求中描述的本发明的范围。
实施例1
该实施例示出了化合物C1的制备。
a.3-溴的制备。
(i)1-(4-溴苯乙烯基)萘的制备
烘箱干燥的两升四颈圆底烧瓶配备有磁力搅拌棒、加料漏斗、温度计
适配器和氮气入口，并且加入(1-萘甲基)三苯基氯化膦(49.87g，
113.6mmol)和无水THF(970mL)。将浆液冷却至-5℃，并且在25分钟
内，将n-BuLi(50mL，125mmol，2.5M溶液)通过加料漏斗加入。用
10mL THF洗去加料漏斗中残留的n-BuLi。形成深红色溶液，并且保持搅
拌15分钟。然后将反应混合物冷却至-75℃，并且在30分钟内滴加溶解于
无水THF(约75mL)中的4-溴苯甲醛(21.0g，113.6mmol)，保持温度
在-75℃。用20mLTHF洗去加料漏斗中残留的醛。将反应混合物放在冷浴
中以逐渐升至室温，同时搅拌过夜。第二天，用水(30mL)淬灭反应，并
且在旋转蒸发仪上移除挥发物。在500mL己烷中搅拌残留物，然后过滤。
用己烷洗涤固体。将滤液浓缩以获得粗产物，通过柱层析(0-100％CH2Cl2
的己烷溶液)纯化。产量17.7g(50％)。由1H NMR光谱证实结构。
(ii)3-溴的制备
在配备有氮气入口和搅拌棒的一升光化学器皿中，将1-(4-溴苯乙烯
基)萘(5.0g，16.2mmol)溶解于无水甲苯(1l)中。将一瓶干燥的环氧
丙烷在冰水中冷却，然后使用注射器从中抽取100mL并加入到反应混合物
中。最后加入碘(4.2g，16.5mmol)。将冷凝器连接在光化学容器的顶部
并打开卤素灯(Hanovia，450W)。当反应混合物中不再存在碘时(由其颜
色消失作为证据)，通过熄灭灯使反应停止。反应在两小时内完成。在减
压下除去甲苯和过量的环氧丙烷以得到深黄色固体。用乙醚洗涤粗产物以
获得3.4g(68％)灰白色固体状3-溴由1H NMR光谱证实结构。
b.N-([1，1′-联苯]-4-基)-[1，1′:3′，1″-三联苯基]-4-胺的制备。
在干燥箱中，将4-氨基联苯(0.542g)和4-溴-1，1′:3′，1″-三联苯
(0.89g)混合于圆底烧瓶中，并且溶解于10mL无水甲苯中。将三(叔丁
基)膦(0.022g，0.11mmol)和三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05g，
0.055mmol)溶解于10mL无水甲苯中，并且搅拌5分钟。将该催化剂溶液
加入到反应混合物中，搅拌2分钟，接着加入叔丁醇钠(0.32g，
3.3mmol)。将烧瓶盖封，并且使其在干燥箱中在室温下搅拌过夜。第二
天，将反应混合物从干燥箱中取出，并且通过顶部覆盖硅藻土的一英寸硅
胶滤塞过滤，用500mL二氯甲烷洗涤。在减压下移除挥发物获得黄色固
体。用乙醚粉化纯化粗产物以获得0.85g(73％)的白色固体。由1H NMR
光谱证实结构。
c.C1的制备。
在干燥箱中，将N-([1，1′-联苯]-4-基)-[1，1′:3′，1″-三联苯基]-4-胺
(2.02mmol)和3-溴(1.85mmol)混合于厚壁玻璃管中，并且溶解于
20mL无水甲苯中。将三(叔丁基)膦(7.5mg，0.037mmol)和三(二亚
苄基丙酮)二钯(0)(17mg，0.019mmol)溶解于10mL无水甲苯中，并
且搅拌10分钟。将催化剂溶液加入到反应混合物中，搅拌5分钟，然后加
入叔丁醇钠(0.194g，2.02mmol)和20mL无水甲苯。另一个10分钟后，
将反应烧瓶从干燥箱中取出，并且放置于80℃浴液中，搅拌过夜。第二
天，将反应混合物冷却至室温，并且通过顶部覆盖半英寸硅藻土的三英寸
硅胶滤塞过滤，用400mL氯仿洗涤。在减压下移除挥发物获得黄色固体。
用氯仿的己烷溶液，通过柱层析纯化粗产物。产量为1.05g(87.5％)的白
色固体。由1H NMR、质谱和液相色谱来确定产物本体和纯度。化合物特
性示于表1中。
实施例2
该实施例示出了化合物C3的制备。
a.3-溴的制备。
采用实施例1部分a中所述的方法，由(1-萘甲基)三苯基氯化膦和
4-溴苯甲醛制备3-溴
b.N-(联苯-4-基)-N-(4-叔丁基苯基)-3-胺，化合物C3的制备。
在干燥箱中，将3-溴(0.869g，2.83mmol)和N-(4-叔丁基苯基)
联苯-4-胺(0.9g，2.97mmol)混合于厚壁玻璃管中，并且溶解于20mL无
水邻二甲苯中。将三(叔丁基)膦(0.01g)和三(二亚苄基丙酮)二钯
(0)(0.023g)溶解于10mL无水邻二甲苯中，并且搅拌10分钟。将催
化剂溶液加入到反应混合物中，搅拌5分钟，接着加入叔丁醇钠(0.27g，
2.83mmol)和25mL无水邻二甲苯。再经过10分钟后，将反应烧瓶从干燥
箱中取出，连接到氮气管并在75℃下搅拌过夜。第二天，将反应混合物冷
却至室温，并且通过一英寸硅胶滤塞和一英寸硅藻土过滤，用二氯甲烷洗
涤。在减压下移除挥发物获得固体，所述固体用乙醚粉化。收率为1.27g
(85.2％)。由1H NMR证实产物本体。化合物特性示于表1中。
采用类似的方法制得化合物C4和C5。这些化合物的特性示于表1
中。
实施例3
该实施例示出了化合物C2的制备。
a.全氘代3-溴的制备。
采用实施例1部分a中所述的方法，由(1-萘甲基)三苯基氯化膦和
4-溴苯甲醛制备3-溴
在手套箱中，将3-溴(2g，6.5mmol)放入到烧瓶中，并且溶解于
100mL的无水C6D6中。然后加入三氯化铝(0.26g，1.95mmol)，接着加
入20mL附加的C6D6。反应混合物在五分钟内变深，并且保持搅拌30分
钟。混合物用D2O(20mL)淬灭，搅拌25分钟(深色消失)，并且转移
至分液漏斗。移出有机层，并且用水(两次)和盐水(三次)洗涤。在
MgSO4上干燥有机相，然后浓缩以获得粗产物，所述粗产物用乙醚粉化。
产量为1.8g(87％)白色固体。由1H NMR光谱相对于内标测定，产物是
95.4％氘代的。由质谱和液相色谱来确定产物本体和纯度。
b.全氘代-N-([1，1′-联苯]-4-基)-[1，1′:3′，1″-三联苯基]-4-胺的制备。
如上文全氘代-3-溴所述，完成4-溴联苯和4-溴-1，1′:3′，1″-三联苯的
氘代。由1H NMR光谱、质谱和液相色谱来确定产物本体和纯度。
(i)全氘代-4-氨基联苯的制备。
在干燥箱中，将[1，1′-联苯]-2-基二环己基膦(34.7mg，0.099
mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(37.8mg，0.041mmol)和六甲基
二硅胺化锂(1.66g，9.91mmol)放置到厚壁玻璃管中。将全氘代-4-溴联苯
溶解于19mL甲苯中，并且加入到所述混合物中。将管密封，从干燥箱中
取出，并且在80℃下加热16小时。使反应混合物冷却至室温，并且用
80mL的1M含水的HCl淬灭。将混合物搅拌五分钟，然后用2M含水的
NaOH中和至pH＝11。用CH2Cl2(2×40mL)萃取有机物，然后用盐水
(150mL)和Na2SO4干燥。在旋转蒸发仪上移除挥发物。通过快速柱层析
(70至85％CH2Cl2的己烷溶液)纯化粗产物。收率为820mg(56％)。由
1H NMR光谱相对于内标测得，产物保持其氘代度。由1H NMR光谱、质
谱和液相色谱确定产物本体和纯度。
(ii)全氘代-N-([1，1′-联苯]-4-基)-[1，1′:3′，1″-三联苯基]-4-胺的制
备。
在干燥箱中，将全氘代-4-氨基联苯(0.542g，3.04mmol)和全氘代-4-
溴-1，1′:3′，1″-三联苯(0.89g，2.76mmol)混合于圆底烧瓶中，并且溶解于
10mL无水甲苯中。将三(叔丁基)膦(0.022g，0.11mmol)和三(二亚苄
基丙酮)二钯(0)(0.05g，0.055mmol)溶解于10mL无水甲苯中，并且
搅拌5分钟。将该催化剂溶液加入到反应混合物中，搅拌2分钟，接着加
入叔丁醇钠(0.32g，3.3mmol)。将烧瓶盖封，并且使其在干燥箱中在室
温下搅拌过夜。第二天，将反应混合物从干燥箱中取出，并且过滤通过顶
部覆盖硅藻土的一英寸硅胶滤塞，用500mL二氯甲烷洗涤。在减压下除去
挥发物之后得到黄色固体。用乙醚粉化来纯化粗产物以获得0.85g(73％)
的白色固体。由1H NMR光谱相对于内标测定，产物是80％氘代的。由质
谱和液相色谱来确定产物的本体和纯度。
c.全氘代-N-([1，1′-联苯]-4-基)-N-([1，1′:3′，1″-三联苯]-4-基)-3-胺
(化合物C2)的制备。
在干燥箱中，将全氘代N-([1，1′-联苯]-4-基)-[1，1′:3′，1″-三联苯基]-4-
胺(0.849g，2.02mmol)和全氘代-3-溴(0.59g，1.85mmol)混合于厚壁
玻璃管中，并且溶解于20mL无水甲苯中。将三(叔丁基)膦(7.5mg，
0.037mmol)和三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(17mg，0.019mmol)溶解
于10mL无水甲苯中，并且搅拌10分钟。将催化剂溶液加入到反应混合物
中，搅拌5分钟，接着加入叔丁醇钠(0.194g，2.02mmol)和20mL无水
甲苯。另一个10分钟后，将反应烧瓶从干燥箱中取出，并且放置于80℃
浴液中，搅拌过夜。第二天，将反应混合物冷却至室温，并且通过顶部覆
盖半英寸硅藻土的三英寸硅胶滤塞过滤，用400mL氯仿洗涤。在减压下移
除挥发物获得黄色固体。用氯仿的己烷溶液，通过柱层析纯化粗产物。产
量为1.05g(87.5％)的白色固体。由质谱和液相色谱确定产物的本体和纯
度。化合物C2的溶解度特性与化合物C1的那些非常相似，示于表1中。
表1：化合物特性
实施例4和5
这些实施例展示了具有电活性层的器件的制造和性能，所述电活性层
具有红色掺杂剂、具有式I的第一基质和第二基质材料。
在实施例4中，第一基质为化合物C1。
在实施例5中，第一基质为化合物C2。
第二基质材料基质2为菲咯啉衍生物，其具有电子传输特性，并且也
可用作电子传输材料。结构示于下文中。
器件在玻璃基板上具有以下结构：
氧化铟锡(ITO)：50nm
空穴注入层＝HIJ-1(50nm)，其为导电聚合物和聚合的氟化磺酸的含
水分散体。此类物质已描述于例如公布的美国专利公开申请US
2004/0102577、US 2004/0127637、US 2005/0205860和公布的
PCT专利申请WO 2009/018009中。
空穴传输层＝HT-1(20nm)，其为包含三芳基胺的共聚物。此类材料
已描述于例如公布的PCT专利申请WO 2009/067419中。
电致发光层＝重量比为67∶25∶8的第一基质：基质2：D7(75nm)
电子传输层＝基质2(10nm)
阴极＝CsF/Al(0.7/100nm)
通过溶液处理和热蒸发技术的组合来制造OLED器件。使用得自Thin
Film Devices，Inc.的图案化氧化铟锡(ITO)镀膜玻璃基板。这些ITO基
板基于涂覆有ITO的Corning 1737玻璃，其具有30欧姆/平方的薄膜电阻
和80％的透光率。在含水洗涤剂溶液中超声清洁图案化ITO基板并用蒸馏
水漂洗。随后在丙酮中超声清洁图案化ITO，用异丙醇漂洗并在氮气流中
干燥。
在即将制造器件之前，用紫外臭氧将洁净的图案化ITO基板处理10
分钟。冷却后立即在ITO表面上旋涂HIJ-1的含水分散体并且加热以移除
溶剂。冷却后，然后用空穴传输材料的溶液旋涂所述基板，然后加热以移
除溶剂。冷却后，用电活性层材料的甲苯溶液旋涂所述基板，并且加热以
移除溶剂。将所述基板用掩模遮盖并放置于真空室中。通过热蒸发沉积电
子传输层，然后沉积CsF层。然后在真空下更换掩模并通过热蒸发来沉积
铝层。将室排气，并使用玻璃封盖、干燥剂和紫外可固化环氧化物来包封
所述器件。
通过测量它们的(1)电流-电压(I-V)曲线，(2)相对于电压的电
致发光辐射，和(3)相对于电压的电致发光光谱，来表征OLED样本。
所有三个测试均同时进行并由计算机控制。通过将LED的电致发光辐射除
以运行器件所需的电流密度来确定某一电压下器件的电流效率。单位是
cd/A。结果列于表2中。
表2：器件性能
*所有数据均在1000尼特下获得，C.E.＝电流效率；CIEx和CIEy是根据C.I.E.色度
(Commission Internationale de L′Eclairage，1931)的x和y颜色坐标。E.Q.E为外量
子效率；P.E.为功率效率。原T50为指定寿命测试发光性下器件达到最初发光性一半
的时间，以小时为单位。预期T50为在1000尼特下，使用加速因子1.8的预期寿
命。
实施例6和7
该实施例展示了电致发光组合物的空气稳定性和湿气不敏感性，所述
组合物具有红色掺杂剂、具有式I的第一基质和第二基质材料。第二基质
材料基质3为具有电子传输特性的菲咯啉衍生物。结构示于下文中。
实施例6和7中的器件完全相同地制得，不同的是包含基质和电致发
光掺杂剂的溶液处理。两种溶液均为甲苯溶液，具有按重量计1.35％的固
体。在器件制造前，将实施例6中的溶液储存在氩气填充的手套箱中过
夜，而将实施例7中的溶液在环境空气和湿度条件下储存过夜。
所述器件在玻璃基板上具有以下结构：
氧化铟锡(ITO)：80nm
空穴注入层＝HIJ-1(65nm)
空穴传输层＝HT-2(20nm)，其为芴-三芳基胺共聚物。此类材料已
描述于例如公布的美国专利公开申请US 2008-0071049中。
电活性层＝重量比为75∶17∶8的C3：基质3：D7(50nm)
电子传输层＝2，4，7，9-四苯基菲咯啉(20nm)
阴极＝CsF/Al(0.7/100nm)
通过溶液处理和热蒸发技术的组合来制造OLED器件。使用得自Thin
Film Devices，Inc.的图案化氧化铟锡(ITO)镀膜玻璃基板。这些ITO基
板基于涂覆有ITO的Corning 1737玻璃，其具有30欧姆/平方的薄膜电阻
和80％的透光率。在含水洗涤剂溶液中超声清洁图案化ITO基板并用蒸馏
水漂洗。随后在丙酮中超声清洁图案化ITO，用异丙醇漂洗并在氮气流中
干燥。
在即将制造器件之前，用紫外臭氧将洁净的图案化ITO基板处理10
分钟。冷却后立即在ITO表面上旋涂HIJ-1的含水分散体并且加热以移除
溶剂。冷却后，然后用空穴传输材料的溶液旋涂所述基板，然后加热以移
除溶剂。冷却后，用上述电活性溶液旋涂所述基板，然后加热以移除溶
剂。将所述基板用掩模遮盖并放置于真空室中。通过热蒸发沉积电子传输
层，然后沉积CsF层。然后在真空下更换掩模并通过热蒸发来沉积铝层。
将室排气，并使用玻璃封盖、干燥剂和紫外可固化环氧化物来包封所述器
件。
通过测量它们的(1)电流-电压(I-V)曲线，(2)相对于电压的电
致发光辐射，和(3)相对于电压的电致发光光谱，来表征OLED样本。
所有三个测试均同时进行并由计算机控制。通过将LED的电致发光辐射除
以运行器件所需的电流密度来确定某一电压下器件的电流效率。单位是
cd/A。功率效率为电流效率除以操作电压。单位是lm/W。结果示于下表3
中。
表3：器件性能
所有数据均在1000尼特下获得，C.E.＝电流效率；CIEx和CIEy是根据C.I.E.色度
(Commission Internationale de L′Eclairage，1931)的x和y颜色坐标。E.Q.E为外量子
效率；P.E.为功率效率。原T50为指定寿命测试发光性下器件达到最初发光性一半的时
间，以小时为单位。预期T50为在1000尼特下，使用加速因子1.8的预期寿命。
从上面结果可以看出，储存于空气中并且暴露于氧气和湿气下的材料
(实施例7)的行为与储存于氩气下、几乎没有暴露于氧气和湿气的材料
(实施例6)相同。许多基质材料以此方式暴露于氧气和/或湿气，造成器
件性能显著劣化，尤其是器件寿命。
应注意到，上文一般性描述或实施例中所描述的行为不是所有都是必
需的，一部分具体行为不是必需的，并除了所描述的那些以外，还可实施
一个或多个其它行为。此外，所列行为的顺序不必是实施它们的顺序。
在上述说明书中，已参考具体的实施方案描述了不同概念。然而，本
领域的普通技术人员认识到，在不脱离如下文权利要求中所述的本发明范
围的情况下，可进行各种修改和变化。因此，说明书和附图应被认为是示
例性而非限制性的，并且所有此类修改形式均旨在包括于本发明的范围
内。
上文已结合具体的实施方案描述了有益效果、其他优点以及问题的解
决方案。然而，有益效果、优点、问题的解决方案、以及可致使任何有益
效果、优点或解决方案产生或变得更显著的任何特征不可解释为是任何或
所有权利要求的关键、必需或基本特征。
应当认识到，为清楚起见，本文不同实施方案的上下文中所描述的某
些特征也可在单个实施方案中以组合方式提供。反之，为简化起见，在单
个实施方案上下文中所描述的多个特征也可分别提供，或以任何子组合的
方式提供。此外，在范围内描述的相关数值包括所述范围内的每个值。