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1、(10)申请公布号 CN 102881746 A (43)申请公布日 2013.01.16 C N 1 0 2 8 8 1 7 4 6 A *CN102881746A* (21)申请号 201210386933.X (22)申请日 2012.10.15 H01L 31/042(2006.01) H01L 31/052(2006.01) H01L 31/0216(2006.01) H01L 31/0352(2006.01) H02N 6/00(2006.01) (71)申请人衢州逗号工业设计有限公司 地址 324000 浙江省衢州市柯城区凯旋南路 6号2幢1-301室 (72)发明人杨远锋 (5。
2、4) 发明名称 一种单晶硅光伏发电装置 (57) 摘要 一种单晶硅光伏发电装置，包括：晶体硅载 体、晶体硅电池板、底座和单晶体硅集能球，其特 征在于：晶体硅载体由三个以上由下至上逐渐缩 小的面构成，为上小下大的金字塔形结构，在晶体 硅载体的顶端设有一个镂空状的单晶体硅集能 球，晶体硅电池板和单晶体硅集能球通过导线连 接，然后将导线经设置在底座上的控制器依次与 蓄电池和逆变器相连接；以在相同光照环境下获 得同样电量作为参照值，与现有背景技术相比较， 则：本发明所需的占地面积更少，而以同样占地 面积相比，则：本发明的发电效率更高；本发明实 现了以更少占地面积获得更高发电效率的目的。 (51)Int。
3、.Cl. 权利要求书1页 说明书2页 附图1页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 2 页 附图 1 页 1/1页 2 1.一种单晶硅光伏发电装置，包括：晶体硅载体（1）、晶体硅电池板（2）、底座（3）和单 晶体硅集能球（10），其特征在于：晶体硅载体（1）由三个以上由下至上逐渐缩小的面构成， 为上小下大的金字塔形结构，在晶体硅载体（1）的顶端设有一个镂空状的单晶体硅集能球 （10），在晶体硅载体（1）内部的下端设有一个底座（3），在底座（3）上面设有蓄电池（5）和 控制器（6）及逆变器（7），在底座（3）的下面设有三个以上的支架（9），所述。
4、的底座（3）和支 架（9）的表面分别设有一层保护涂层，在底座（3）的上面或下面设有一个以上的电源插板 （8），电源插板（8）通过导线与逆变器（7）相连接；晶体硅电池板（2）设置在晶体硅载体（1） 的外表面，晶体硅电池板（2）上设有一个以上直径3毫米-20毫米的孔洞（4），孔洞（4）贯穿 晶体硅电池板（2）的正反两面，晶体硅电池板（2）的外表面设有一层透明的光触媒涂层；晶 体硅电池板（2）和单晶体硅集能球（10）通过导线分别与底座（3）上的控制器（6）相连接， 再将控制器（6）依次与蓄电池（5）和逆变器（7）相连接。 2.如权利要求1所述的一种单晶硅光伏发电装置，其特征在于：晶体硅载体（1）上设。
5、 有一个以上凸起的支点，晶体硅电池板（2）用防锈螺丝钉固定在晶体硅载体（1）的支点上， 在晶体硅载体（1）和晶体硅电池板（2）之间设有一层晶体硅薄膜电池层，晶体硅电池板（2） 与晶体硅薄膜电池层距离0.5-2厘米，晶体硅薄膜电池层和晶体硅电池板（2）通过导线分 别与底座（3）上的控制器（6）相连接，再将控制器（6）依次与蓄电池（5）和逆变器（7）相连 接。 权 利 要 求 书CN 102881746 A 1/2页 3 一种单晶硅光伏发电装置 0001 技术领域 0002 本发明属于一种发电装置,具体涉及一种单晶硅光伏发电装置。 0003 背景技术 0004 现有的光伏发电装置是单面平板的，无法。
6、保证全天候正对着太阳，占地面积大，发 电效率低。 0005 发明内容 为克服现有技术的上述缺陷，向社会提供一种单晶硅光伏发电装置。 0006 为达到预期效果,本发明采取了如下技术方案,一种单晶硅光伏发电装置，包括： 晶体硅载体、晶体硅电池板、底座和单晶体硅集能球，其特征在于：晶体硅载体由三个以上 由下至上逐渐缩小的面构成，为上小下大的金字塔形结构，在晶体硅载体的顶端设有一个 镂空状的单晶体硅集能球，在晶体硅载体内部的下端设有一个底座，在底座上面设有蓄电 池和控制器及逆变器，在底座的下面设有三个以上的支架，所述的底座和支架的表面分别 设有一层保护涂层，在底座的上面或下面设有一个以上的电源插板，电。
7、源插板通过导线与 逆变器相连接；晶体硅电池板设置在晶体硅载体的外表面，晶体硅电池板上设有一个以上 直径3毫米-20毫米的孔洞，孔洞贯穿晶体硅电池板的正反两面，晶体硅电池板的外表面设 有一层透明的光触媒涂层；晶体硅电池板和单晶体硅集能球通过导线分别与底座上的控制 器相连接，再将控制器依次与蓄电池和逆变器相连接。 0007 具体实施制作时，晶体硅载体上设有一个以上凸起的支点，晶体硅电池板用防锈 螺丝钉固定在晶体硅载体的支点上，在晶体硅载体和晶体硅电池板之间设有一层晶体硅薄 膜电池层（晶体硅薄膜电池层复合在晶体硅载体的表面）， 晶体硅电池板与晶体硅薄膜电 池层距离0.5-2厘米（阳光通过晶体硅电池板。
8、上的孔洞照射到晶体硅薄膜电池层上），晶体 硅薄膜电池层和晶体硅电池板通过导线分别与底座上的控制器相连接，再将控制器依次与 蓄电池和逆变器相连接。 0008 上述的控制器与蓄电池和逆变器及光感开关的电路均为现有技术,在此就不再 赘述。 0009 有益效果：本发明一种单晶硅光伏发电装置，将现有平板单面的太阳能集能装置 改为金字塔结构，并在塔顶设置了晶体硅集能球，无论太阳在东或在西都能够确保光直照 正对着本光伏发电装置的其中一面，实现全天候日光直照,以最少的占地面积获得最多的 电力，其次本发明在晶体硅电池板的外表面设有一层透明的光触媒涂层，可以帮助晶体硅 电池板分解污渍、杀菌防霉实现自洁的功能，减少。
9、灰尘或者细菌对晶体硅太阳能电池的影 响，另外，通过在太阳能晶体硅电池板上设置孔洞,不但节约了晶体硅材料，还增大了太阳 说 明 书CN 102881746 A 2/2页 4 能晶体硅电池板与光的接触面，充分利用光能，集能效率更高；以在相同光照环境下获得同 样电量作为参照值，与现有背景技术相比较，则：本发明一种单晶硅光伏发电装置所需的占 地面积更少，而以同样占地面积相比，则：本发明的发电效率更高；本发明以更少占地面积 获得更高发电效率。 附图说明 0010 附图1：为本发明实施例的结构示意图。 具体实施方式 0011 附图1中的序号分别表示:晶体硅载体1、晶体硅电池板2、底座3、孔洞4、蓄电池 5。
10、、控制器6、逆变器7、电源插板8、支架9、晶体硅集能球10。 0012 实施例1：参见附图1，一种单晶硅光伏发电装置，包括：晶体硅载体1、晶体硅电池 板2、底座3和单晶体硅集能球10，其特征在于：晶体硅载体1由三个以上由下至上逐渐缩 小的面构成，为上小下大的金字塔形结构，在晶体硅载体1的顶端设有一个镂空状的单晶 体硅集能球10，在晶体硅载体1内部的下端设有一个底座3，在底座3上面设有蓄电池5和 控制器6及逆变器7，在底座3的下面设有三个以上的支架9，所述的底座3和支架9的表 面分别设有一层保护涂层，在底座3的上面或下面设有一个以上的电源插板8，电源插板8 通过导线与逆变器7相连接；晶体硅电池板。
11、2设置在晶体硅载体1的外表面，晶体硅电池板 2上设有一个以上直径3毫米-20毫米的孔洞4，孔洞4贯穿晶体硅电池板2的正反两面； 晶体硅电池板2和单晶体硅集能球10通过不同的导线分别与底座3上的控制器6相连接， 再将控制器6依次与蓄电池5和逆变器7相连接。 0013 实施例2：参见附图1，结合实施例1，一种单晶硅光伏发电装置，包括：晶体硅载体 1、晶体硅电池板2、底座3和单晶体硅集能球10，其特征在于：晶体硅载体1由三个以上由 下至上逐渐缩小的面构成，为上小下大的金字塔形结构，在晶体硅载体1的顶端设有一个 镂空状的单晶体硅集能球10，在晶体硅载体1的表面设有一个以上凸起的支点，在晶体硅 载体1内。
12、部的下端设有一个底座3，在底座3上面设有蓄电池5和控制器6及逆变器7，在 底座3的下面设有三个以上的支架9，所述的底座3和支架9的表面分别设有一层保护涂 层，在底座3的上面或下面设有一个以上的电源插板8，电源插板8通过导线与逆变器7相 连接；晶体硅电池板2设置在晶体硅载体1的外表面，用防锈螺丝钉固定在晶体硅载体1的 支点上，在晶体硅载体1和晶体硅电池板2之间设有一层晶体硅薄膜电池层（晶体硅薄膜电 池层复合在晶体硅载体1的表面）， 晶体硅电池板2与晶体硅薄膜电池层距离0.5-2厘米， 在晶体硅电池板2上设有一个以上直径3毫米-20毫米的孔洞4，孔洞4贯穿晶体硅电池板 2的正反两面，便于阳光通过晶体硅电池板2上的孔洞4照射到晶体硅薄膜电池层上，晶体 硅电池板2的外表面设有一层光触媒涂层；晶体硅薄膜电池层和晶体硅电池板2通过导线 分别与底座3上的控制器6相连接，再将控制器6依次与蓄电池5和逆变器7相连接。 说 明 书CN 102881746 A 1/1页 5 图1 说 明 书 附 图CN 102881746 A 。