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1、(10)申请公布号 CN 102881664 A (43)申请公布日 2013.01.16 C N 1 0 2 8 8 1 6 6 4 A *CN102881664A* (21)申请号 201210140788.7 (22)申请日 2012.05.09 H01L 23/31(2006.01) H01L 23/495(2006.01) H01L 21/50(2006.01) (71)申请人江苏长电科技股份有限公司 地址 214434 江苏省无锡市江阴市开发区滨 江中路275号 (72)发明人王新潮 梁志忠 李维平 (74)专利代理机构江阴市同盛专利事务所 32210 代理人唐纫兰 (54) 发明。
2、名称 多芯片倒装先封装后蚀刻无基岛封装结构及 其制造方法 (57) 摘要 本发明涉及一种多芯片倒装先封装后蚀刻无 基岛封装结构及其制造方法，所述结构包括引脚 （1）和芯片（2），所述芯片（2）有多个，所述多个芯 片（2）倒装于引脚（1）正面，所述芯片（2）底部与 引脚（1）正面之间设置有底部填充胶（13），所述 引脚（1）外围的区域、引脚（1）与引脚（1）之间的 区域均包封有塑封料（3），所述引脚（1）下部的塑 封料（3）表面上开设有小孔（4），所述小孔（4）与 引脚（1）背面相连通，所述小孔（4）内设置有金属 球（6），所述金属球（6）与引脚（1）背面相接触。本 发明的有益效果是：降低了制造。
3、成本，提高了封 装体的安全性和可靠性，减少了环境污染，能够真 正做到高密度线路的设计和制造。 (51)Int.Cl. 权利要求书2页 说明书7页 附图11页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 2 页 说明书 7 页 附图 11 页 1/2页 2 1.一种多芯片倒装先封装后蚀刻无基岛封装结构，其特征在于：它包括引脚（1）和芯 片（2），所述芯片（2）有多个，所述多个芯片（2）倒装于引脚（1）正面，所述芯片（2）底部与 引脚（1）正面之间设置有底部填充胶（13），所述引脚（1）外围的区域、引脚（1）与引脚（1） 之间的区域、引脚（1）上部和引脚（1）下部的区域。
4、以及芯片（2）外均包封有塑封料（3），所述 引脚（1）下部的塑封料（3）表面上开设有小孔（4），所述小孔（4）与引脚（1）背面相连通，所 述小孔（4）内设置有金属球（6），所述金属球（6）与引脚（1）背面相接触。 2.一种如权利要求1所述的多芯片倒装先封装后蚀刻无基岛封装结构的制造方法，其 特征在于所述方法包括以下工艺步骤： 步骤一、取金属基板 步骤二、金属基板表面预镀铜材 在金属基板表面电镀一层铜材薄膜， 步骤三、贴光阻膜作业 利用贴光阻膜设备在完成预镀铜材薄膜的金属基板正面及背面进行光阻膜的被覆， 步骤四、金属基板正面去除部分光阻膜 利用曝光显影设备在步骤三完成贴光阻膜作业的金属基板正面进。
5、行图形曝光、显影以 及开窗，以露出金属基板正面后续需要进行电镀的图形区域， 步骤五、电镀惰性金属线路层 将金属基板正面已完成开窗的图形区域电镀上惰性金属线路层， 步骤六、电镀金属线路层 在步骤五中的惰性金属线路层表面镀上金属线路层，所述金属线路层电镀完成后即在 金属基板正面相对形成引脚上部， 步骤七、去除金属基板表面光阻膜 将金属基板表面的光阻膜去除， 步骤八、装片及芯片底部填充 在步骤六相对形成的引脚上部正面倒装上多个芯片，并在芯片底部填充环氧树脂， 步骤九、包封 将完成多个芯片倒装及芯片底部填充后的金属基板正面进行包封塑封料作业， 步骤十、贴光阻膜作业 利用贴光阻膜设备在完成包封塑封料的金。
6、属基板正面及背面进行光阻膜的被覆， 步骤十一、金属基板背面去除部分光阻膜 利用曝光显影设备在步骤十完成贴膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影以及开 窗，以露出金属基板背面后续需要进行化学蚀刻的图形区域， 步骤十二、化学蚀刻 将步骤十一中金属基板背面完成开窗的图形区域进行化学蚀刻， 步骤十三、电镀金属线路层 在步骤十二完成化学蚀刻后露出的惰性金属线路层表面进行金属线路层的电镀，金属 线路层电镀完成后即在金属基板背面相对形成引脚下部， 步骤十四、去除金属基板表面光阻膜 将金属基板表面的光阻膜去除， 权 利 要 求 书CN 102881664 A 2/2页 3 步骤十五、包封 将步骤十四去除光阻膜。
7、后的金属基板背面进行塑封料的包封作业， 步骤十六、塑封料表面开孔 在步骤十五金属基板背面包封塑封料的表面进行后续要植金属球区域的开孔作业， 步骤十七、清洗 对步骤十六金属基板背面塑封料开孔处进行清洗， 步骤十八、植球 在步骤十七经过清洗的小孔内植入金属球， 步骤十九、切割成品 将步骤十八完成植球的半成品进行切割作业，使原本以阵列式集合体方式集成在一起 并含有芯片的塑封体模块一颗颗切割独立开来，制得单芯片倒装先封装后蚀刻基岛露出封 装结构成品。 3.根据权利要求2所述的一种多芯片倒装先封装后蚀刻无基岛封装结构的制造方法， 其特征在于：所述引脚（1）与引脚（1）之间跨接无源器件（7），所述无源器件。
8、（7）跨接于引 脚（1）正面与引脚（1）正面之间或跨接于引脚（1）背面与引脚（1）背面之间。 4.根据权利要求2或3所述的一种多芯片倒装先封装后蚀刻无基岛封装结构的制造方 法，其特征在于：所述引脚（1）有多圈。 5.根据权利要求2所述的一种多芯片倒装先封装后蚀刻无基岛封装结构的制造方法， 其特征在于：所述步骤十七对金属基板背面塑封料开孔处进行清洗同时进行金属保护层被 覆。 6.根据权利要求1所述的一种多芯片倒装先封装后蚀刻无基岛封装结构，其特征在 于：所述引脚（1）包括引脚上部、引脚下部和中间阻挡层，所述引脚上部和引脚下部均由单 层或多层金属电镀而成，所述中间阻挡层为镍层、钛层或铜层。 权 利。
9、 要 求 书CN 102881664 A 1/7页 4 多芯片倒装先封装后蚀刻无基岛封装结构及其制造方法 技术领域 0001 本发明涉及一种多芯片倒装先封装后蚀刻无基岛封装结构及其制造方法，属于半 导体封装技术领域。 背景技术 0002 传统的高密度基板封装结构的制造工艺流程如下所示： 步骤一、参见图24，取一玻璃纤维材料制成的基板， 步骤二、参见图25，在玻璃纤维基板上所需的位置上开孔， 步骤三、参见图26，在玻璃纤维基板的背面披覆一层铜箔， 步骤四、参见图27，在玻璃纤维基板打孔的位置填入导电物质， 步骤五、参见图28，在玻璃纤维基板的正面披覆一层铜箔， 步骤六、参见图29，在玻璃纤维基板。
10、表面披覆光阻膜， 步骤七、参见图30，将光阻膜在需要的位置进行曝光显影开窗， 步骤八、参见图31，将完成开窗的部分进行蚀刻， 步骤九、参见图32，将基板表面的光阻膜剥除， 步骤十、参见图33，在铜箔线路层的表面进行防焊漆（俗称绿漆）的披覆， 步骤十一、参见图34，在防焊漆需要进行后工序的装片以及打线键合的区域进行开窗， 步骤十二、参见图35，在步骤十一进行开窗的区域进行电镀，相对形成基岛和引脚， 步骤十三、完成后续的装片、打线、包封、切割等相关工序。 0003 上述传统高密度基板封装结构存在以下不足和缺陷： 1、多了一层的玻璃纤维材料，同样的也多了一层玻璃纤维的成本； 2、因为必须要用到玻璃纤。
11、维，所以就多了一层玻璃纤维厚度约100150m的厚度空 间； 3、玻璃纤维本身就是一种发泡物质，所以容易因为放置的时间与环境吸入水分以及湿 气，直接影响到可靠性的安全能力或是可靠性的等级； 4、玻璃纤维表面被覆了一层约50100m的铜箔金属层厚度，而金属层线路与线路的 蚀刻距离也因为蚀刻因子的特性只能做到50100m的蚀刻间隙（参见图36，最好的制作能 力是蚀刻间隙约等同于被蚀刻物体的厚度），所以无法真正的做到高密度线路的设计与制 造； 5、因为必须要使用到铜箔金属层，而铜箔金属层是采用高压粘贴的方式，所以铜箔的 厚度很难低于50m的厚度，否则就很难操作如不平整或是铜箔破损或是铜箔延展移位等 。
12、等； 6、也因为整个基板材料是采用玻璃纤维材料，所以明显的增加了玻璃纤维层的厚度 100150m，无法真正的做到超薄的封装； 7、传统玻璃纤维加贴铜箔的工艺技术因为材质特性差异很大（膨胀系数），在恶劣环境 的工序中容易造成应力变形，直接的影响到元件装载的精度以及元件与基板粘着性与可靠 说 明 书CN 102881664 A 2/7页 5 性。 发明内容 0004 本发明的目的在于克服上述不足，提供一种多芯片倒装先封装后蚀刻无基岛封装 结构及其制造方法，其工艺简单，不需使用玻璃纤维层，减少了制造成本，提高了封装体的 安全性和可靠性，减少了玻璃纤维材料带来的环境污染，而且金属基板线路层采用的是电 。
13、镀方法，能够真正做到高密度线路的设计和制造。 0005 本发明的目的是这样实现的：一种多芯片倒装先封装后蚀刻无基岛封装结构，它 包括引脚和芯片，所述芯片有多个，所述多个芯片倒装于引脚正面，所述芯片底部与引脚正 面之间设置有底部填充胶，所述引脚外围的区域、引脚与引脚之间的区域、引脚上部和引脚 下部的区域以及芯片外均包封有塑封料，所述引脚下部的塑封料表面上开设有小孔，所述 小孔与引脚背面相连通，所述小孔内设置有金属球，所述金属球与引脚背面相接触。 0006 一种多芯片倒装先封装后蚀刻无基岛封装结构的制造方法，它包括以下工艺步 骤： 步骤一、取金属基板 步骤二、金属基板表面预镀铜材 在金属基板表面电。
14、镀一层铜材薄膜， 步骤三、贴光阻膜作业 利用贴光阻膜设备在完成预镀铜材薄膜的金属基板正面及背面进行光阻膜的被覆， 步骤四、金属基板正面去除部分光阻膜 利用曝光显影设备在步骤三完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影以 及开窗，以露出金属基板正面后续需要进行电镀的图形区域， 步骤五、电镀惰性金属线路层 将金属基板正面已完成开窗的图形区域电镀上惰性金属线路层， 步骤六、电镀金属线路层 在步骤五中的惰性金属线路层表面镀上金属线路层，所述金属线路层电镀完成后即在 金属基板正面相对形成引脚上部， 步骤七、去除金属基板表面光阻膜 将金属基板表面的光阻膜去除， 步骤八、装片及芯片底部填充 在步骤六相。
15、对形成的引脚上部正面倒装上多个芯片，并在芯片底部填充环氧树脂， 步骤九、包封 将完成多个芯片倒装及芯片底部填充后的金属基板正面进行包封塑封料作业， 步骤十、贴光阻膜作业 利用贴光阻膜设备在完成包封塑封料的金属基板正面及背面进行光阻膜的被覆， 步骤十一、金属基板背面去除部分光阻膜 利用曝光显影设备在步骤十完成贴膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影以及开 窗，以露出金属基板背面后续需要进行化学蚀刻的图形区域， 步骤十二、化学蚀刻 说 明 书CN 102881664 A 3/7页 6 将步骤十一中金属基板背面完成开窗的图形区域进行化学蚀刻， 步骤十三、电镀金属线路层 在步骤十二完成化学蚀刻后露出的。
16、惰性金属线路层表面进行金属线路层的电镀，金属 线路层电镀完成后即在金属基板背面相对形成引脚下部， 步骤十四、去除金属基板表面光阻膜 将金属基板表面的光阻膜去除， 步骤十五、包封 将步骤十四去除光阻膜后的金属基板背面进行塑封料的包封作业， 步骤十六、塑封料表面开孔 在步骤十五金属基板背面包封塑封料的表面进行后续要植金属球区域的开孔作业， 步骤十七、清洗 对步骤十六金属基板背面塑封料开孔处进行清洗， 步骤十八、植球 在步骤十七经过清洗的小孔内植入金属球， 步骤十九、切割成品 将步骤十八完成植球的半成品进行切割作业，使原本以阵列式集合体方式集成在一起 并含有芯片的塑封体模块一颗颗切割独立开来，制得单。
17、芯片倒装先封装后蚀刻基岛露出封 装结构成品。 0007 所述步骤十七对金属基板背面塑封料开孔处进行清洗同时进行金属保护层被覆。 0008 所述引脚与引脚之间跨接无源器件，所述无源器件跨接于引脚正面与引脚正面之 间或跨接于引脚背面与引脚背面之间。 0009 所述引脚有多圈。 0010 所述引脚包括引脚上部、引脚下部和中间阻挡层，所述引脚上部和引脚下部均由 单层或多层金属电镀而成，所述中间阻挡层为镍层、钛层或铜层。 0011 与现有技术相比，本发明的有益效果是： 1、本发明不需要使用玻璃纤维层，所以可以减少玻璃纤维层所带来的成本； 2、本发明没有使用玻璃纤维层的发泡物质，所以可靠性的等级可以再提高。
18、，相对对封 装体的安全性就会提高； 3、本发明不需要使用玻璃纤维层物质，所以就可以减少玻璃纤维材料所带来的环境污 染； 4、本发明的二维金属基板线路层所采用的是电镀方法，而电镀层的总厚度约在 1015m，而线路与线路之间的间隙可以轻松的达到25m以下的间隙，所以可以真正地做 到高密度内引脚线路平铺的技术能力； 5、本发明的二维金属基板因采用的是金属层电镀法，所以比玻璃纤维高压铜箔金属层 的工艺来得简单，且不会有金属层因为高压产生金属层不平整、金属层破损以及金属层延 展移位的不良或困惑； 6、本发明的二维金属基板线路层是在金属基材的表面进行金属电镀，所以材质特性基 本相同，所以镀层线路与金属基材。
19、的内应力基本相同，可以轻松的进行恶劣环境的后工程 （如高温共晶装片、高温锡材焊料装片以及高温被动元件的表面贴装工作）而不容易产生应 说 明 书CN 102881664 A 4/7页 7 力变形。 附图说明 0012 图1图19为本发明多芯片倒装先封装后蚀刻无基岛封装结构实施例1制造方法 的各工序示意图。 0013 图20（A）为本发明多芯片倒装先封装后蚀刻无基岛封装结构实施例1的结构示 意图。 0014 图20（B）为图20（A）的俯视图。 0015 图21（A）为本发明多芯片倒装先封装后蚀刻无基岛封装结构实施例2的结构示 意图。 0016 图21（B）为图21（A）的俯视图。 0017 图2。
20、2（A）为本发明多芯片倒装先封装后蚀刻无基岛封装结构实施例3的结构示 意图。 0018 图22（B）为图22（A）的俯视图。 0019 图23（A）为本发明多芯片倒装先封装后蚀刻无基岛封装结构实施例4的结构示 意图。 0020 图23（B）为图23（A）的俯视图。 0021 图24图35为传统的高密度基板封装结构的制造工艺流程的各工序示意图。 0022 图36为玻璃纤维表面铜箔金属层的蚀刻状况示意图。 0023 其中： 引脚1 芯片2 塑封料3 小孔4 金属保护层5 金属球6 无源器件7 金属基板8 铜材薄膜9 光阻膜10 惰性金属线路层11 高导电金属层12 底部填充胶13。 具体实施方式 。
21、0024 本发明多芯片倒装先封装后蚀刻无基岛封装结构及其制造方法如下： 实施例1：无基岛单圈引脚 参见图20（A）和图20（B），图20（A）本发明多芯片倒装先封装后蚀刻无基岛封装结 构实施例1的结构示意图。图20（B）为图20（A）的俯视图。由图20（A）和图20（B）可 说 明 书CN 102881664 A 5/7页 8 以看出，本发明多芯片倒装先封装后蚀刻无基岛封装结构，它包括引脚1和芯片2，所述芯 片2有多个，所述多个芯片2倒装于引脚1正面，所述芯片2底部与引脚1正面之间设置有 底部填充胶13，所述引脚1外围的区域、引脚1与引脚1之间的区域、引脚1上部和引脚1 下部的区域以及芯片2外。
22、均包封有塑封料3，所述引脚1下部的塑封料3表面上开设有小孔 4，所述小孔4与引脚1背面相连通，所述小孔4内设置有金属球6，所述金属球6与引脚1 背面相接触。 0025 所述金属球6与引脚1背面之间设置有金属保护层5，所述金属保护层5为抗氧化 剂。 0026 所述金属球6材料采用锡或是锡合金。 0027 所述引脚1包括引脚上部、引脚下部和中间阻挡层，所述引脚上部和引脚下部均 由单层或多层金属电镀而成，所述中间阻挡层为镍层、钛层或铜层。 0028 其制造方法如下： 步骤一、取金属基板 参见图1，取一片厚度合适的金属基板，金属基板的材质可以依据芯片的功能与特性进 行变换，例如：铜材、铁材、镍铁材、锌。
23、铁材等。 0029 步骤二、金属基板表面预镀铜材 参见图2，在金属基板表面电镀一层铜材薄膜，目的是为后续电镀作基础，所述电镀的 方式可以采用化学镀或是电解电镀。 0030 步骤三、贴光阻膜作业 参见图3，利用贴光阻膜设备在完成预镀铜材薄膜的金属基板正面及背面进行光阻膜 的被覆，所述光阻膜可以采用湿式光阻膜或干式光阻膜。 0031 步骤四、金属基板正面去除部分光阻膜 参见图4，利用曝光显影设备在步骤三完成贴膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显 影以及开窗，以露出金属基板正面后续需要进行电镀的图形区域。 0032 步骤五、电镀惰性金属线路层 参见图5，将金属基板正面已完成开窗的图形区域电镀上惰性金。
24、属线路层，作为后续蚀 刻作业的阻挡层，所述惰性金属线路层材料采用镍、钛或铜等，所述电镀方式采用化学镀或 电解电镀方式。 0033 步骤六、电镀金属线路层 参见图6，在步骤五中的惰性金属线路层表面镀上金属线路层，所述金属线路层电镀完 成后即在金属基板正面相对形成引脚上部，所述金属线路层可以是单层或多层，所述金属 线路层材料采用银、铝、铜、镍金或镍钯金等，所述电镀方式可以是化学电镀也可以是电解 电镀的方式。 0034 步骤七、去除金属基板表面光阻膜 参见图7，将金属基板表面的光阻膜去除，去除方法采用化学药水软化并采用高压水喷 除的方式。 0035 步骤八、装片及芯片底部填充 参见图8，在步骤六相对。
25、形成的引脚上部正面倒装上多个芯片，并在芯片底部填充环氧 树脂。 说 明 书CN 102881664 A 6/7页 9 0036 步骤九、包封 参见图9，将完成多个芯片倒装及芯片底部填充后的金属基板正面进行包封塑封料作 业，塑封料的包封方式可以采用模具灌胶方式、喷涂设备喷涂方式或刷胶方式，所述塑封料 可以采用有填料物质或是无填料物质的环氧树脂。 0037 步骤十、贴光阻膜作业 参见图10，利用贴膜设备在完成包封塑封料的金属基板正面及背面进行光阻膜的被 覆，所述光阻膜可以采用湿式光阻膜或干式光阻膜。 0038 步骤十一、金属基板背面去除部分光阻膜 参见图11，利用曝光显影设备在步骤十完成贴光阻膜作。
26、业的金属基板背面进行图形曝 光、显影以及开窗，以露出金属基板背面后续需要进行化学蚀刻的图形区域。 0039 步骤十二、化学蚀刻 参见图12，将步骤十一中金属基板背面完成开窗的图形区域进行化学蚀刻，化学蚀刻 直至惰性金属线路层及包封塑封料的位置为止，蚀刻药水可以采用氯化铜或是氯化铁。 0040 步骤十三、电镀金属线路层 参见图13，在步骤十二完成化学蚀刻后露出的惰性金属线路层表面进行金属线路层的 电镀，金属线路层电镀完成后即在金属基板背面相对形成引脚下部，所述金属线路层可以 是单层或多层，所述金属线路层材料采用铜镍金、铜镍银、钯金或金等，所述电镀方法可以 是化学电镀或是电解电镀。 0041 步骤。
27、十四、去除金属基板表面光阻膜 参见图14，将金属基板表面的光阻膜去除，去除方法采用化学药水软化并采用高压水 喷除。 0042 步骤十五、包封 参见图15，将步骤十四去除光阻膜后的金属基板背面进行塑封料的包封作业，包封方 式可以采用模具灌胶方式、喷涂设备喷涂方式或是贴膜方式，所述塑封料可以采用有填料 物质或是无填料物质的环氧树脂。 0043 步骤十六、塑封料表面开孔 参见图16，在步骤十五金属基板背面包封塑封料的表面进行后续要植金属球区域的开 孔作业，所述开孔方式可以采用干式激光烧结或是湿式化学腐蚀的方法。 0044 步骤十七、清洗 参见图17，对步骤十六金属基板背面塑封料开孔处进行清洗以去除氧。
28、化物质或油脂物 质等，同时可进行金属保护层的被覆，金属保护层采用抗氧化剂。 0045 步骤十八、植球 参见图18，在步骤十七经过清洗的小孔内植入金属球，金属球与基岛或引脚的背面相 接触，所述植球方式可以采用常规的植球机或是采用金属膏印刷再经高温溶解之后即可形 成球状体，金属球的材料可以是纯锡或锡合金。 0046 步骤十九、切割成品 参见图19，将步骤十八完成植球的半成品进行切割作业，使原本以阵列式集合体方式 集成在一起并含有芯片的塑封体模块一颗颗切割独立开来，制得单芯片倒装先封装后蚀刻 基岛露出封装结构成品。 说 明 书CN 102881664 A 7/7页 10 0047 实施例2、无基岛单。
29、圈引脚无源器件 参见图21（A）和图21（B），图21（A）本发明多芯片倒装先封装后蚀刻无基岛封装结 构实施例2的结构示意图。图21（B）为图21（A）的俯视图。由图21（A）和图21（B）可 以看出，实施例2与实施例1的不同之处仅在于：所述引脚1与引脚1之间通过导电粘结物 质跨接无源器件7，所述无源器件7可以跨接于引脚1正面与引脚1正面之间，也可以跨接 于引脚1背面与引脚1背面之间。 0048 实施例3：无基岛多圈引脚 参见图22（A）和图22（B），图22（A）本发明多芯片倒装先封装后蚀刻无基岛封装结 构实施例3的结构示意图。图22（B）为图22（A）的俯视图。由图22（A）和图22（B）。
30、可 以看出，实施例3与实施例1的不同之处仅在于：所述引脚1有多圈。 0049 实施例4：无基岛多圈引脚无源器件 参见图23（A）和图23（B），图23（A）本发明多芯片倒装先封装后蚀刻无基岛封装结 构实施例4的结构示意图。图23（B）为图23（A）的俯视图。由图23（A）和图23（B）可 以看出，实施例4与实施例2的不同之处仅在于：所述引脚1有多圈。 说 明 书CN 102881664 A 10 1/11页 11 图1 图2 图3 图4 说 明 书 附 图CN 102881664 A 11 2/11页 12 图5 图6 图7 图8 说 明 书 附 图CN 102881664 A 12 3/11。
31、页 13 图9 图10 图11 说 明 书 附 图CN 102881664 A 13 4/11页 14 图12 图13 图14 图15 说 明 书 附 图CN 102881664 A 14 5/11页 15 图16 图17 图18 图19 说 明 书 附 图CN 102881664 A 15 6/11页 16 图20(A) 图20(B) 说 明 书 附 图CN 102881664 A 16 7/11页 17 图21(A) 图21(B) 图22(A) 说 明 书 附 图CN 102881664 A 17 8/11页 18 图22(B) 图23(A) 说 明 书 附 图CN 102881664 A 18 9/11页 19 图23(B) 图24 图25 图26 说 明 书 附 图CN 102881664 A 19 10/11页 20 图27 图28 图29 图30 图31 说 明 书 附 图CN 102881664 A 20 11/11页 21 图32 图33 图34 图35 图36 说 明 书 附 图CN 102881664 A 21 。