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1、10申请公布号CN104046330A43申请公布日20140917CN104046330A21申请号201410296834122申请日20140628C09K3/14200601C09G1/0220060171申请人青岛宝泰新能源科技有限公司地址266000山东省青岛市李沧区郑佛路17号8室72发明人范向奎54发明名称一种半芯片制造用研磨组合物57摘要本发明公开了一种半芯片制造用研磨组合物，其特征在于，包括下列重量份数的物质亲水基表面活性剂1119份，多聚甲醛519份，多聚甲醛46份，硫酸锌68份，硫酸镁13份，硫酸银49份，硫酸铜38份，分子筛23份，硅藻土512份，硼酸钠310份，纳米。
2、有机蒙脱土410份，滑石粉46份，硬脂酸锌46份，氯化钙25份。本发明的化学机械研磨剂中包括亲水基表面洁性剂材料，可以降低化学机械研磨剂和正在水性薄膜间的表面张力，使化学机械研磨剂和琉水性薄膜更紧密贴合。51INTCL权利要求书1页说明书1页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书1页10申请公布号CN104046330ACN104046330A1/1页21一种半芯片制造用研磨组合物，其特征在于，包括下列重量份数的物质亲水基表面活性剂1119份，多聚甲醛519份，多聚甲醛46份，硫酸锌68份，硫酸镁13份，硫酸银49份，硫酸铜38份，分子筛23份，硅藻土512份，硼。
3、酸钠310份，纳米有机蒙脱土410份，滑石粉46份，硬脂酸锌46份，氯化钙25份。权利要求书CN104046330A1/1页3一种半芯片制造用研磨组合物技术领域0001本发明涉及一种半芯片制造用研磨组合物。背景技术0002在半导体制造中，化学机械研磨CMP技术可以实现整个晶圆的平坦化，成为芯片制造工艺中重要的步骤之一。在化学机械研磨中，化学机械研磨剂SLURRY是化学机械研磨技术的关键要素之一，其性能直接影响抛光后表面的质量。设计化学机械研磨剂时，希望能达到去除速率高、平面度好、膜厚均匀、无残留、缺陷少等效果。发明内容0003本发明所要解决的技术问题是提供一种半芯片制造用研磨组合物。0004为。
4、解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是一种半芯片制造用研磨组合物，其特征在于，包括下列重量份数的物质亲水基表面活性剂1119份，多聚甲醛519份，多聚甲醛46份，硫酸锌68份，硫酸镁13份，硫酸银49份，硫酸铜38份，分子筛23份，硅藻土512份，硼酸钠310份，纳米有机蒙脱土410份，滑石粉46份，硬脂酸锌46份，氯化钙25份。0005本发明的化学机械研磨剂中包括亲水基表面洁性剂材料，可以降低化学机械研磨剂和正在水性薄膜间的表面张力，使化学机械研磨剂和琉水性薄膜更紧密贴合，从而减少琉水性薄膜表面上的残留物和颗粒等缺陷，改善化学机械研磨的效果。具体实施方式0006实施例1一种半芯片制造用研磨组合物，其特征在于，包括下列重量份数的物质亲水基表面活性剂1119份，多聚甲醛519份，多聚甲醛46份，硫酸锌68份，硫酸镁13份，硫酸银49份，硫酸铜38份，分子筛23份，硅藻土512份，硼酸钠310份，纳米有机蒙脱土410份，滑石粉46份，硬脂酸锌46份，氯化钙25份。说明书CN104046330A。