一种晶圆级封装VDRDL重新布局技术.pdf

摘要
申请专利号：	CN201010281597.3	申请日：	2010.09.15
公开号：	CN102403235A	公开日：	2012.04.04
当前法律状态：	撤回	有效性：	无权
法律详情：	发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):H01L 21/50申请公布日:20120404\|\|\|公开
IPC分类号：	H01L21/50; H01L21/60	主分类号：	H01L21/50
申请人：	涂嘉晋; 李应煌
发明人：	涂嘉晋; 李应煌
地址：	中国台湾台北县板桥市东丘里7邻中山路二段90巷1号五楼
优先权：
专利代理机构：	北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246	代理人：	龚燮英
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内容摘要

一种晶圆级封装VDRDL重新布局技术，它涉及一种晶圆封装技术。它的工艺流程为：1)介电层镀膜；2)Die Pad保护并以光罩将回路形成；3)将金属液体倒入晶圆，并使其均匀分布，并形成纳米金属粉末沉积，液体飘在沉积物表面；4)真空下，液体升华为气体，并加温使纳米金属粉末融化并固化；5)磨除多余介电层，保护回路，并钝化处理；6)殖球。它能克服不连续和气孔产生的问题，而金属粉末已被烧结成为连续固体，因此不会有破碎和剥离的可能。

权利要求书

1：一种晶圆级封装 VDRDL 重新布局技术，其特征在于它的工艺流程为： 1) 介电层镀膜； 2)Die Pad 保护并以光罩将回路形成； 3) 将金属液体倒入晶圆，并使其均匀分布，并形成纳米金属粉末沉积，液体飘在沉积物表面； 4) 真空下，液体升华为气体，并加温使纳米金属粉末融化并固化； 5) 磨除多余介电层，保护回路，并钝化处理； 6) 殖球。

说明书

一种晶圆级封装 VDRDL 重新布局技术
    技术领域：
     本发明涉及一种晶圆封装技术，尤其涉及一种晶圆级封装 VDRDL 重新布局技术。背景技术：
     终端产品的发展趋势和规格需求，始终是组件技术发展的驱动力。若分别以三大信息产品类别 - 信息、通讯和消费性产品的发展以及其对组件的主要需求来看，始终仍不脱离小型化、高速 / 高效能、低成本、高容量、同 / 异质性整合等几个构面区追求。在整个 WLCSP 或者是 3D IC 成本中， Bumping 或者是 RDL 占总成本 33％，是非常重要的一环。
     晶圆级封装中，可将原始的晶圆上回路 Pad 以重新布局方式移动位置，或者是增加回路布线，以达到 WLCSP(Wafer Level Chip Scale(Size)Package) 的要求。目前做法有 Sputter 电镀制程和挤压涂布制程。
     Sputter 即是用传统电镀方式处理，因此在成本和污染程度肯定提高。
     挤压涂布法虽然是一个用导电胶方便的做法，有下列问题无法克服： 1. 挤压过程中气孔和不连续面的产生； 2. 在 PCBA 过程中会有破碎和剥离 Peeling 的可能； 3. 纳米金属颗粒是绝缘的，只有在聚合下才会导电，因此导电胶金属粉末比例愈高，导电率愈高，相对固化碎裂的机会愈大。发明内容：
     本发明的目的是提供一种晶圆级封装 VDRDL 重新布局技术，它能克服不连续和气孔产生的问题，而金属粉末已被烧结成为连续固体，因此不会有破碎和剥离的可能。
     为了解决背景技术所存在的问题，本发明是采用以下技术方案：它的工艺流程为： 1) 介电层镀膜； 2)Die Pad 保护并以光罩将回路形成； 3) 将金属液体倒入晶圆，并使其均匀分布，并形成纳米金属粉末沉积，液体飘在沉积物表面； 4) 真空下，液体升华为气体，并加温使纳米金属粉末融化并固化； 5) 磨除多余介电层，保护回路，并钝化处理； 6) 殖球。
     本发明的优点是：它能克服不连续和气孔产生的问题，而金属粉末已被烧结成为连续固体，因此不会有破碎和剥离的可能。具体实施方式：
     本具体实施方式采用以下技术方案：它的工艺流程为： 1) 介电层镀膜； 2)Die Pad 保护并以光罩将回路形成； 3) 将金属液体倒入晶圆，并使其均匀分布，并形成纳米金属粉末沉积，液体飘在沉积物表面； 4) 真空下，液体升华为气体，并加温使纳米金属粉末融化并固化； 5) 磨除多余介电层，保护回路，并钝化处理； 6) 殖球。
     本具体实施方式的优点是：它能克服不连续和气孔产生的问题，而金属粉末已被烧结成为连续固体，因此不会有破碎和剥离的可能。3

资源描述

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1、(10)申请公布号 CN 102403235 A (43)申请公布日 2012.04.04 C N 1 0 2 4 0 3 2 3 5 A *CN102403235A* (21)申请号 201010281597.3 (22)申请日 2010.09.15 H01L 21/50(2006.01) H01L 21/60(2006.01) (71)申请人涂嘉晋地址中国台湾台北县板桥市东丘里7邻中山路二段90巷1号五楼申请人李应煌 (72)发明人涂嘉晋李应煌 (74)专利代理机构北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人龚燮英 (54) 发明名称一种晶圆级封装VDRDL重新布局技术。

2、 (57) 摘要一种晶圆级封装VDRDL重新布局技术，它涉及一种晶圆封装技术。它的工艺流程为：1)介电层镀膜；2)Die Pad保护并以光罩将回路形成；3) 将金属液体倒入晶圆，并使其均匀分布，并形成纳米金属粉末沉积，液体飘在沉积物表面；4)真空下，液体升华为气体，并加温使纳米金属粉末融化并固化；5)磨除多余介电层，保护回路，并钝化处理；6)殖球。它能克服不连续和气孔产生的问题，而金属粉末已被烧结成为连续固体，因此不会有破碎和剥离的可能。 (51)Int.Cl. (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请权利要求书 1 页说明书 1 页 CN 102403。

3、238 A 1/1页 2 1.一种晶圆级封装VDRDL重新布局技术，其特征在于它的工艺流程为：1)介电层镀膜； 2)Die Pad保护并以光罩将回路形成；3)将金属液体倒入晶圆，并使其均匀分布，并形成纳米金属粉末沉积，液体飘在沉积物表面；4)真空下，液体升华为气体，并加温使纳米金属粉末融化并固化；5)磨除多余介电层，保护回路，并钝化处理；6)殖球。权利要求书CN 102403235 A CN 102403238 A 1/1页 3 一种晶圆级封装 VDRDL 重新布局技术技术领域： 0001 本发明涉及一种晶圆封装技术，尤其涉及一种晶圆级封装VDRDL重新布局技术。背景技术。

4、： 0002 终端产品的发展趋势和规格需求，始终是组件技术发展的驱动力。若分别以三大信息产品类别-信息、通讯和消费性产品的发展以及其对组件的主要需求来看，始终仍不脱离小型化、高速/高效能、低成本、高容量、同/异质性整合等几个构面区追求。在整个 WLCSP或者是3D IC成本中，Bumping或者是RDL占总成本33，是非常重要的一环。 0003 晶圆级封装中，可将原始的晶圆上回路Pad以重新布局方式移动位置，或者是增加回路布线，以达到WLCSP(Wafer Level Chip Scale(Size)Package)的要求。目前做法有 Sputter电镀制程和挤压涂布制程。 0004 S。

5、putter即是用传统电镀方式处理，因此在成本和污染程度肯定提高。 0005 挤压涂布法虽然是一个用导电胶方便的做法，有下列问题无法克服：1.挤压过程中气孔和不连续面的产生；2.在PCBA过程中会有破碎和剥离Peeling的可能；3.纳米金属颗粒是绝缘的，只有在聚合下才会导电，因此导电胶金属粉末比例愈高，导电率愈高，相对固化碎裂的机会愈大。发明内容： 0006 本发明的目的是提供一种晶圆级封装VDRDL重新布局技术，它能克服不连续和气孔产生的问题，而金属粉末已被烧结成为连续固体，因此不会有破碎和剥离的可能。 0007 为了解决背景技术所存在的问题，本发明是采用以下技术方案：它的工艺。

6、流程为： 1)介电层镀膜；2)Die Pad保护并以光罩将回路形成；3)将金属液体倒入晶圆，并使其均匀分布，并形成纳米金属粉末沉积，液体飘在沉积物表面；4)真空下，液体升华为气体，并加温使纳米金属粉末融化并固化；5)磨除多余介电层，保护回路，并钝化处理；6)殖球。 0008 本发明的优点是：它能克服不连续和气孔产生的问题，而金属粉末已被烧结成为连续固体，因此不会有破碎和剥离的可能。具体实施方式： 0009 本具体实施方式采用以下技术方案：它的工艺流程为：1)介电层镀膜；2)Die Pad 保护并以光罩将回路形成；3)将金属液体倒入晶圆，并使其均匀分布，并形成纳米金属粉末沉积，液体飘在沉积物表面；4)真空下，液体升华为气体，并加温使纳米金属粉末融化并固化；5)磨除多余介电层，保护回路，并钝化处理；6)殖球。 0010 本具体实施方式的优点是：它能克服不连续和气孔产生的问题，而金属粉末已被烧结成为连续固体，因此不会有破碎和剥离的可能。说明书CN 102403235 A 。

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