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1、(10)申请公布号 CN 102754211 A (43)申请公布日 2012.10.24 C N 1 0 2 7 5 4 2 1 1 A *CN102754211A* (21)申请号 201080052919.5 (22)申请日 2010.11.02 200910246051.1 2009.11.19 CN H01L 29/78(2006.01) (71)申请人苏州远创达科技有限公司 地址 215123 江苏省苏州市工业园独墅湖高 教区林泉街399号东南大学苏州研究 院1号楼408室 申请人远创达科技(香港)有限公司 远创达科技(开曼)有限公司 (72)发明人马强 陈强 (74)专利代理机构。
2、苏州创元专利商标事务所有 限公司 32103 代理人范晴 (54) 发明名称 LDMOS功率器件 (57) 摘要 本发明公开了一种LDMOS功率器件，包括衬 底、衬底上的第一导电类型外延层、以及形成于第 一导电类型外延层上的源极区和漏极区，所述源 极区与衬底导电连接，所述衬底为与第一导电类 型相反的第二导电类型衬底。本发明在不用降低 其它参数指标的前提下，减小了栅极到源极的电 容Cgs和漏极到源极的电容Cds，实现了射频条件 下器件高增益和高效率的工作。 (66)本国优先权数据 (85)PCT申请进入国家阶段日 2012.05.17 (86)PCT申请的申请数据 PCT/CN2010/078346 2010.11.02 (87)PCT申请的公布数据 WO2011/060686 ZH 2011.05.26 (51)Int.Cl. (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 。