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1、(10)申请公布号 CN 102500569 A (43)申请公布日 2012.06.20 C N 1 0 2 5 0 0 5 6 9 A *CN102500569A* (21)申请号 201110321842.3 (22)申请日 2011.10.20 B08B 3/08(2006.01) B08B 3/10(2006.01) H01L 31/18(2006.01) (71)申请人高佳太阳能股份有限公司 地址 214174 江苏省无锡市惠山区堰桥镇堰 丰路168号 (72)发明人刘宏华 王欣 杨风彦 袁仲明 (74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司 11332 代理人陈慧珍 (54) 发明。
2、名称 甲基磺酸水溶液脱胶工艺 (57) 摘要 本发明公开一种甲基磺酸水溶液脱胶工艺， 包括如下步骤：a、在脱胶机酸浸泡槽中加入一定 量的水，设定加热温度，打开开关进行加热；b、在 脱胶机酸浸泡槽中加入一定量配制好浓度的甲基 磺酸；c、将经冲洗和超声洗过的硅片与切割基板 一并放入酸浸泡槽中浸泡一段时间；d、将切割基 板通过专用工具升起，将少量未脱落的硅片取下。 该工艺在酸浸泡过程中采用甲基磺酸水溶液，具 有能够缩短脱胶时间、硅片脱离充分、无刺激性气 味的气体产生、成本更低的优点。 (51)Int.Cl. 权利要求书1页 说明书2页 附图1页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利。
3、申请 权利要求书 1 页 说明书 2 页 附图 1 页 1/1页 2 1.一种甲基磺酸水溶液脱胶工艺，其特征在于，包括如下步骤：a、在脱胶机酸浸泡槽 中加入一定量的水，设定加热温度，打开开关进行加热；b、在脱胶机酸浸泡槽中加入一定量 配制好浓度的甲基磺酸；c、将经冲洗和超声洗过的硅片与切割基板一并放入酸浸泡槽中浸 泡一段时间；d、将切割基板通过专用工具升起，将少量未脱落的硅片取下。 2.根据权利要求1所述的甲基磺酸水溶液脱胶工艺，其特征在于，所述的步骤a中，设 定的加热温度一般不超过70。 3.根据权利要求1所述的甲基磺酸水溶液脱胶工艺，其特征在于，所述的步骤c中，浸 泡时间为100400秒。。
4、 4.根据权利要求1所述的甲基磺酸水溶液脱胶工艺，其特征在于，所述脱胶机酸浸泡 槽中加入的甲基磺酸浓度为1时，其加热温度设定为60，浸泡时间为300秒。 5.根据权利要求1所述的甲基磺酸水溶液脱胶工艺，其特征在于，所述脱胶机酸浸泡 槽中加入的甲基磺酸浓度为10时，其加热温度设定为55，浸泡时间为200秒。 6.根据权利要求1所述的甲基磺酸水溶液脱胶工艺，其特征在于，所述脱胶机酸浸泡 槽中加入的甲基磺酸浓度为99时，其加热温度设定为40，浸泡时间为150秒。 权 利 要 求 书CN 102500569 A 1/2页 3 甲基磺酸水溶液脱胶工艺 技术领域 0001 本发明涉及一种单、多晶硅片的脱胶。
5、工艺，尤其涉及一种采用甲基磺酸水溶液对 单、多晶硅片进行脱胶的工艺。 背景技术 0002 单晶硅和多晶硅在太阳能电池领域发挥着重要作用，生产过程中，需要将硅材料 进行多线切割，首先将单晶硅棒或者多晶硅锭通过环氧树脂胶粘接在玻璃板或树脂板基材 上，待单晶硅棒或者多晶硅锭切割完成后，通过专用工具将切割夹具、切割基材和完成切割 的硅片一起转移至脱胶机内进行冲洗和脱胶，一般分为三个步骤：冲洗、超声洗和酸浸泡脱 胶，在酸浸泡过程中存在下述缺点：(一)、硅片不能充分脱离，脱胶时间较长，当配制的乳 酸浓度为1060，温度为3075的条件下浸泡时间为200600秒，时间相对较 长；(二)、胶条过分脱离，胶条脱。
6、落后夹在硅片中间，难以清理；(三)、乳酸脱胶或者柠檬 酸脱胶过程中均会产生刺激性气味；(四)、脱胶成本较高，以DS271机型为例，单刀去胶用 乳酸约2.0kg，成本约为2025元，成本相对较高。 发明内容 0003 本发明的目的在于解决上述问题，提供一种甲基磺酸水溶液脱胶工艺，其在酸浸 泡过程中采用甲基磺酸水溶液，具有能够缩短脱胶时间、硅片脱离充分、无刺激性气味的气 体产生、成本更低的优点。 0004 本发明的目的是通过以下技术方案来实现： 0005 一种甲基磺酸水溶液脱胶工艺，包括如下步骤：a、在脱胶机酸浸泡槽中加入一定 量的水，设定加热温度，打开开关进行加热；b、在脱胶机酸浸泡槽中加入一定。
7、量配制好浓度 的甲基磺酸；c、将经冲洗和超声洗过的硅片与切割基板一并放入酸浸泡槽中浸泡一段时 间；d、将切割基板通过专用工具升起，将少量未脱落的硅片取下。 0006 所述的步骤a中，设定的加热温度一般不超过70。 0007 所述的步骤c中，浸泡时间为100400秒。 0008 所述脱胶机酸浸泡槽中加入的甲基磺酸浓度为1时，其加热温度设定为60， 浸泡时间为300秒。 0009 所述脱胶机酸浸泡槽中加入的甲基磺酸浓度为10时，其加热温度设定为55， 浸泡时间为200秒。 0010 所述脱胶机酸浸泡槽中加入的甲基磺酸浓度为99时，其加热温度设定为40， 浸泡时间为150秒。 0011 本发明的有益。
8、效果为：该工艺采用浓度为199甲基磺酸水溶液，脱胶时间 为100400秒，硅片脱落比例均大于90，在150200升的甲基磺酸水溶液槽中进行脱 胶，8寸多晶片可连续脱胶3000040000片，6寸单晶片可连续脱胶3000060000片，8 寸单晶片可连续脱胶3000050000片，对比现有技术，该工艺具有能够缩短脱胶时间、硅 说 明 书CN 102500569 A 2/2页 4 片脱离充分、无刺激性气味的气体产生、成本更低的优点。 附图说明 0012 下面根据附图和实施例对本发明作进一步详细说明。 0013 图1为本发明所述的脱胶过程的状态示意图； 0014 图2为图1中所示的基板与硅片的粘接示。
9、意图。 0015 图中： 0016 1、硅片；2、基板。 具体实施方式 0017 如图12所示，于实施例1中，本发明所述的甲基磺酸水溶液脱胶工艺，包括如 下步骤：a、在脱胶机酸浸泡槽中加入一定量的水，设定加热温度为60，打开开关进行加 热；b、在脱胶机酸浸泡槽中加入一定量浓度为1的甲基磺酸；c、将经冲洗和超声洗过的 硅片1与切割基板2一并放入酸浸泡槽中浸泡300秒；d、将基板2通过专用工具升起，将少 量未脱落的硅片1取下，硅片1脱落比例大于90。 0018 于实施例2中，本发明所述的甲基磺酸水溶液脱胶工艺，包括如下步骤：a、在脱胶 机酸浸泡槽中加入一定量的水，设定加热温度为55，打开开关进行加。
10、热；b、在脱胶机酸 浸泡槽中加入一定量浓度为10的甲基磺酸；c、将经冲洗和超声洗过的硅片1与切割基板 2一并放入酸浸泡槽中浸泡200秒；d、将基板2通过专用工具升起，将少量未脱落的硅片1 取下，硅片1脱落比例大于90。 0019 于实施例3中，本发明所述的甲基磺酸水溶液脱胶工艺，包括如下步骤：a、在脱胶 机酸浸泡槽中加入一定量的水，设定加热温度为40，打开开关进行加热；b、在脱胶机酸 浸泡槽中加入一定量浓度为99的甲基磺酸；c、将经冲洗和超声洗过的硅片1与切割基板 2一并放入酸浸泡槽中浸泡150秒；d、将基板2通过专用工具升起，将少量未脱落的硅片1 取下，硅片1脱落比例大于90。 说 明 书CN 102500569 A 1/1页 5 图1 图2 说 明 书 附 图CN 102500569 A 。