具有减小的厚度并含有金属氧化物的自支撑陶瓷材料的制 造 技术领域 本发明涉及基于锆氧化物或铈氧化物的薄的、 致密、 自支撑陶瓷的制造以及涉及 这种陶瓷在燃料电池中作为固体电解质的用途。
背景技术 由于陶瓷是未来应用的推动者和 / 或重要组成部分， 因此目前陶瓷技术受到很大 关注。例如， 陶瓷用于目前代表发电领域最有前途的技术之一的一些燃料电池中 (SOFC、 PCFC、 高温电解电池 (electrolysis cell))。
燃料电池是允许包含在燃料 ( 例如氢或氢源 ) 中的化学能转化为电能和作为副产 物的热的电化学转化系统。目前， 两种主要的燃料电池技术是固体氧化物燃料电池 (SOFC) 和质子交换膜燃料电池 (PEMFC)。由于 SOFC 的高的总能量效率 ( 其一般为约 80-90％ )， 其 比 PEMFC 更具有潜在优势。 然而， 它们需要约 750-1000℃的高操作温度， 这意味着必须使用 陶瓷电解质。有利地， 陶瓷是基于氧化锆， 任选地用金属 M 稳定化， (Zr1-xMxO2)， 其中 M 选自 钇、 钪和铈， 或基于二氧化铈， 任选地用金属 M’ 稳定化， (Ce1-xM’ 其中 M’ 选自钆、 钪、 钐 xO2)， 和钇。
由于如下原因， 通过减小这种固体电解质的厚度来提高 SOFC 性能 ：
- 电池的电效率部分地由电解质的电阻支配。这种比电阻表示为 R ＝ (r×e)/A， 其中 r 表示电解质的电阻系数， e 表示其厚度以及 A 表示其面积。电解质越薄， 电池的电效 率越好 ；
- 对于相等的能量效率， 减小电解质厚度使其可以降低电池的操作温度， 而较低的 温度使电池具有较长的寿命 ；
- 使电池的陶瓷电解质变薄使得可以减小电池的尺寸和重量 ； 以及最后
- 陶瓷非常昂贵。减少陶瓷的量使其可以获得经济上可接受的用于大量市场应用 的成本水平。
为了满足这种需要， 第三代 SOFC 已经提供第一技术方案 ： 它们包括由金属制成的 机械载体， 在该载体上沉积有薄的活性材料层。作为非常良好的热和电的导体的该金属载 体防止电池内任何温度的不均匀性以及确保电流容易收集。 通过良好的机械完整性和良好 的热传导性提高对温度循环的抗性。机械载体容易焊接或连接且其还可用于内重整甲烷。 然而该技术的缺点在于固体电解质在金属上的沉积 ： 利用常规技术如流延 (tape casting) 或丝网印刷进行沉积后， 陶瓷的致密化需要金属载体不能耐受的高温 (1600℃ ) 烧结步骤。
对于这一方案的特别有利的替代方式在于提供一种具有非常薄的、 自支撑的电解 质， 其具有足以使得可在其上沉积电池的其他成分的强度。这需要通过完全受控的致密化 作用来生产具有几个平方厘米到几十个平方厘米的面积的非常薄、 极其密集的陶瓷， 该陶 瓷可进行处理并具有足够的强度。
某些科学出版物记载了合成这种陶瓷的尝试。特别可提及 G.Bernard-Granger 和
C.Guizard 的论文 “Spark plasma sintering of a commercially available granulated zirconia powder ： I.Sintering path and hypotheses about the mechanism(s) controlling densification” Acta Materialia 55(2007)， p 第 3493-3504 页。该论文记 载了一种用于通过快速烧结制造金属 - 氧化物基陶瓷的方法。该方法中所用的粉末是含有 大平均直径 (50-70nm) 的微晶和大尺寸 (10-80μm) 的微晶团块具有仅为 16.4m2/g 的低比 表面积的可商购的氧化锆粉末。 所得陶瓷是直径为 8mm( 即表面积仅约为 0.5cm2) 和厚度为 1.6mm 的颗粒状物。这些结果对于预想的应用不够好而且需要获得对于至少 1cm2 的面积的 厚度为 200μm 以下的陶瓷。如果通过由 G.Bernard-Granger 和 C.Guizard 记载的方法获 得， 则具有这些尺寸的基片 (wafer) 不够坚固。
据本申请人知晓， 同时致密、 对气体和液体不渗透、 非常薄且具有大面积和足够的 机械稳定性的这类陶瓷至今未在文献中记载， 而且基于 Zr1-xMxO2( 其中 M 选自钇、 钪和铈 ) 或基于 Ce1-xM’ 选自钆、 钪、 钐和钇 ) 的可用作 SOFC 中的自支撑电解质的陶瓷的 xO2( 其中 M’ 制造仍然是挑战。
为此， 本申请人公司已经开发了一种用于制造这种自支撑氧化物的方法。
本发明方法的新颖性在于使用了在至今很少使用的方法 ( 即快速烧结 ) 中具有非 常独特的技术特性的纳米晶体粉末。类似于高压烧结， 所谓快速烧结或火花等离子体烧结 (SPS) 技术对于形成任何类型的材料 ( 金属、 陶瓷、 聚合物和其复合物 ) 极其有效。申请人 已经发现利用具有特定微结构 ( 特别地特征在于存在通过松散地装填的团块和高的比表 面积 ) 的纳米粉末的该技术的使用可使得能够通过快速烧结得到致密、 不渗透液体、 极薄 和具有良好强度的陶瓷。
因此， 本发明的一个主题是提供一种用于制造基于金属氧化物的陶瓷的方法， 该 方法依次包括如下步骤 ：
(a) 将包含 Zr1-xMxO2 陶瓷 ( 其中 M 选自钇、 钪和铈 ) 或 Ce1-xM’ xO2 陶瓷 ( 其中 M 选自 钆、 钪、 钐和钇 ) 的微晶和微晶团块的纳米晶体粉末插入快速烧结装置中， 其中 x 为 0-0.2， 所述粉末具有 ：
○由 X- 射线衍射测量的平均微晶尺寸为 5-50nm( 纳米 )，
○由扫描电镜 (SEM) 测量的平均微晶团块尺寸为 0.5-20μm( 微米 )，
○由氮吸附 (BET 方法 ) 测量的比表面积为 20-100m2/g ； 以及
(b) 在 850-1400℃的温度下， 通过施加 50-150MPa 的压力快速烧结所述粉末 5-30 分钟的时间。
该方法的步骤 (a) 中所用的纳米晶体粉末是主要由如下通式的陶瓷颗粒构成的 粉末 ：
Zr1-xYxO2，
Zr1-xScxO2，
Zr1-xCexO2，
Ce1-xGdxO2，
Ce1-xScxO2，
Ce1-xSmxO2， 或
Ce1-xYxO2，其中 x 为 0-0.2。
特别地根据其良好的离子传导性， 选择这些任选稳定化的锆或铈氧化物用于形成 SOFC 的良好固体电解质。
在烧结的陶瓷中所述任选稳定化的纳米晶体锆或铈颗粒的重量百分数优选大于 90％或大于 95％及甚至大于 98％。
这种纳米晶体粉末包含个体的微晶和微晶团块。其特征是其粒度分布 ：
- 由 X- 射线衍射测量的平均微晶尺寸为 5-50nm， 优选为 10-40nm 以及更优选为 15-35nm ；
- 利用扫描电镜测定的平均微晶团块尺寸为 0.5-20μm， 优选是 0.6-15μm 以及甚 至更优选为 0.7-10μm ； 以及
- 由氮吸附 (BET 方法 ) 测定的比表面积为 20-100m2/g， 优选是 30-90m2/g 以及甚 至更优选是 40-80m2/g。
由 X- 射线衍射测定微晶尺寸。
可通过在扫描电镜 (SEM) 下观察粉末来测定微晶团块的尺寸。
最后， 粉末的特征在于其比表面积。可按照 BET 方法， 通过氮吸附常规地测定该比 表面积。
如此所描述的氧化物粉末具有高比表面积， 这意味着当被置于快速烧结模具中时 其相对于压缩后的最终体积具有相对高的体积。 这一高体积使其更易于在压缩成型前均匀 地铺展粉末床以及确保最终自支持陶瓷基片具有良好的厚度均匀性， 甚至对于具有几平方 厘米数量级的样品。
另外， 粉末颗粒优选地基本是球形。这一形状使其颗粒在被压缩时容易彼此相对 滑动和形成致密和固体陶瓷。
在本发明的方法的步骤 (b) 中进行快速烧结。对于这一相对新近的技术的详细描 述， 读者可参考， 例如 Techniques de l’ Ingénieur(2006 年 9 月 ) 的 IN 56 卷。一般地讲， 将粉状形式的材料插入， 优选在没有烧结助剂的情况下， 压缩室， 例如具有使得 可在烧结的加热循环中施加单轴压力的石墨活塞的模具。 常规热压与快速烧结之间的主要 区别在于不是通过外部热源提供热量而是通过连接于模具的电极施加的直流电、 脉冲 - 直 流电或交流电提供。这一电流流过导电压缩室且也在样品也是导电性的时还通过样品。
有利的是施加单轴压力， 因为在快速烧结过程中部件的尺寸仅在施加压缩力的方 向上变化。在冷却后， 致密化的陶瓷的横向尺寸因此将与模具的尺寸相同。此外， 在烧结循 环期间施加单轴压力可以防止当利用常规技术烧结薄物体时观察到的所有不期望的变形 效应。 快速烧结步骤的控制参数是该室内的压力和温度以及该步骤的持续时间。 根据本 发明的方法 ：
- 压力为 50-150MPa， 优选为 80-120MPa， 以及特别是 90-110MPa ；
- 温度为 850-1400℃， 优选为 1000-1300℃， 以及特别是 1100-1250℃ ； 以及
- 该步骤的总持续时间为 5-30 分钟， 优选为 10-30 分钟， 以及特别是 15-25 分钟。
关于所施加的电流的量级， 必须根据所用的模具的尺寸进行调节 ： 模具越大， 需要 施加的电流越高。对于具有 5cm 直径的圆柱形模具， 作为举例， 电流可以是 1000-4000A。
快速烧结技术使其可显著提高烧结速率并因此在非常短的时间内得到高致密材 料而同时限制颗粒生长。还可以使其与各种材料结合而限制它们的反应， 以及在相对低的 温度下烧结高温下不稳定的固体。
这种无反应性特别在本发明方法的特别优选的实施方式 ( 其中同时烧结多个薄 陶瓷基片 ) 中特别有用， 该基片由分隔片彼此分隔开。该实施方式成为可能不仅由于所制 备的物体的小的厚度， 而且特别地由于相对低的烧结温度和短的烧结时间 ( 其防止或限制 待压缩的陶瓷和形成中间分隔片的材料之间的任何反应 )。
在本发明方法的这一特别有利的实施方式中， 步骤 (a) 包括将多个粉末层插入快 速烧结装置， 各个层由能够经受烧结步骤 (b) 的热和机械条件的分隔片彼此分隔开， 以在 烧结步骤 (b) 之后获得交替排列的多个陶瓷基片和分隔片的多层。
烧结后， 从模具中移除该多层， 且由致密化陶瓷的基片和由分隔片构成的该多层 进行移除分隔片的步骤。该步骤可以是该多层的热和 / 或化学处理。该处理必须使分隔片 选择性地消失但没有对陶瓷造成冲击或破坏。
分隔片优选是石墨片且移除步骤包括， 例如， 在 700-900℃的温度下在空气中处理 所烧结的多层 30-120 分钟的时间。 在这一优选实施方式中， 本发明方法因此可以在不超过几分钟的时间尺度内同时 生产多个陶瓷。相对于常规的烧结方法极短的烧结时间与同时压缩许多基片相结合， 可以 预期明显减少制造成本和平面陶瓷物体的大量生产。
具有如上所述的技术特征的纳米晶体粉末不是可商购的或还不是可商购得到的， 但可利用已知的溶胶 - 凝胶方法相对简单地制备。然而应注意本发明的方法不应以任何方 式限制为使用由下述的溶胶 - 凝胶方法或一般地由溶胶 - 凝胶途径合成的纳米晶体粉末。
因此本发明的方法可包括制备步骤 (a) 中所用的纳米晶体金属氧化物粉末需要 的步骤。
在具体实施方式中， 本发明的方法因此在烧结纳米晶体粉末的步骤 (a) 之前还包 括利用溶胶 - 凝胶技术合成所述粉末的另外的步骤。
为了获得具有本发明限定的理化性质的纳米晶体粉末， 必须明智地选择适合的合 成条件。
具有适合的和允许生产纳米晶体粉末 ( 如上述的纳米晶体粉末 ) 的两种主要的溶 胶 - 凝胶合成技术。
在第一变体方式中， 纳米微晶粉末由锆盐 ( 任选与钇、 钪或铈盐混合 ) 的酸性水溶 液， 或由铈盐 ( 任选与钆、 钪、 钐或钇盐混合 ) 的酸性水溶液合成， 所述溶液还包含六亚甲基 四胺 (HMTA) 和乙酰丙酮 (ACAC)。
在第一步骤中， 制备包含至少三种组分的酸性水溶液， 即：
a) 溶解状态的至少一种锆盐 ( 任选与钇、 钪或铈盐混合 ) 或至少一种铈盐 ( 任选 与钆、 钪、 钐或钇盐混合 ) ；
b) 六亚甲基四胺 (HMTA) 和乙酰丙酮 (ACAC) 的至少一种混合物， HMTA 与 ACAC 的 摩尔比为 0.9/1 到 1.1/1 之间 ； 以及
c) 足以获得 2-6 的 pH 的量的有机或无机酸。
该盐优选是硝酸盐或氯氧化物， 以及其以 0.05-0.5mol.L-1 的浓度加入。
优选 HMTA 和 ACAC 各自以 0.25-1.5mol.L-1 的浓度使用。
酸优选是选自乙酸、 丙酸和三氟乙酸的有机酸。
在第二个步骤中， 将该溶液加热到 50-100℃的温度， 优选为 60-90℃以及甚至更 优选为 70-80℃。然后观察到溶液成为凝胶， 凝胶作用是由于 HMTA 和 ACAC 的聚合。在该 凝胶化的整个步骤中， 金属盐是与 HMTA 和 ACAC 反应物配位络合物的形式。优选调节反应 物的初始浓度和加热条件 ( 温度和持续时间 ) 以便在凝胶化步骤结束时， 所获得的凝胶在 25℃测定时的 Brookfield 粘度为 20-80mPa.s。这通常是溶液被加热到如上所示温度下加 热 10-60 分钟时间时的情形。
所得的凝胶然后在 400℃或更高的温度下进行 6-8 小时的热处理， 以生成不含任 何有机残留物的无定形粉末。
然后在 500-1000℃的温度下煅烧所述无定形粉末至少 2 小时， 并因此转化为期望 的纳米晶体金属氧化物粉末。
允许产生可用于本发明中的纳米晶体粉末的另一种溶胶 - 凝胶合成路线不是从 锆或铈金属盐而是从这些金属的醇盐开始的更常见的路线。
如已知的， 该路线包括制备含所有反应物的溶胶， 水解烷氧基官能基并缩合由此 游离的活性金属 -OH 官能基， 以及溶液静置以形成随后被适当干燥的凝胶的步骤。 作为例子， 在此描述钇氧化锆的纳米晶体粉末的溶胶 - 凝胶合成 ：
首先制备四烷氧基锆化合物和钇盐 ( 例如硝酸钇 ) 在有机溶剂中的溶液。烷氧基 通常是 C1-6， 优选是 C3-4 的烷氧基， 后者具有特别适合的反应速率。所用的有机溶剂优选是 对应于由烷氧基的水解释放的醇。最优选使用的四 ( 正丙氧基 ) 锆的正丙醇溶液。四烷氧 基锆化合物的初始浓度一般为 0.01-1mol.L-1。在惰性气氛下制备溶液， 醇盐对于空气中的 湿气具有非常高的反应性。
溶液还包含一定量的螯合剂， 如乙酰丙酮或乙酸。该螯合剂对于形成均匀的溶胶 是关键的并主要用于防止当加水时形成固体沉淀。 存在于溶液中的螯合剂的摩尔数与锆和 钇原子的摩尔数的比 ( ＝配位比 ) 优选为 0.1-1。
接着， 将限定量的水加入到这一基本无水的有机溶液中。存在于溶液中的水的摩 尔数与锆和钇原子的总摩尔数的比 ( ＝水解程度 ) 优选为 1-30。
如此所得溶胶然后静置并观察到因溶胶中生成的物质的团聚而缓慢形成凝胶。 可 通过在烘箱中 ( 例如在 40-80℃的温度下 ) 温和加热溶胶来加速这一凝胶化步骤。
一旦达到溶胶 - 凝胶转变， 通过干燥去除液相。干燥技术可对所得粉末的密度具 有重要影响。因此， 通过在大气压下以及在室温或烘箱中简单蒸发溶剂 / 水相来干燥凝胶 导致形成干凝胶。
在优选的实施方式中， 通过在溶剂的临界温度以上的温度和临界压力以上的压力 下在高压釜中超临界干燥来去除液相。 这种类型的干燥一般通过在已超过液体的临界点后 在恒定温度下减压之前缓慢增加系统的温度和压力来进行。 以如上所述的方式制备的钇氧 化锆凝胶的超临界干燥产生称为气凝胶的高充气微结构的半透明单块体。
在机械研磨所述干凝胶或气凝胶之后， 在 300℃以上的温度下热处理所研磨的凝 胶 ( 主要用于去除残留的溶剂 ) 并任选在 500-1000℃的温度下的煅烧步骤后， 得到对应于 2 期望的纳米晶体金属氧化物粉末的比表面积大于 50m /g 的球形纳米级别晶体颗粒。
图 1 显示利用上述的合成方案和超临界干燥获得的气凝胶的球形纳米晶体颗粒 的透射电镜显微照片。
本发明的另一主题是可通过上述方法得到的基于金属氧化物的陶瓷。
通过对粉末和烧结技术的明智的选择， 本发明的方法可以生产厚度为 200μm 或 以下， 优选 150μm 或以下以及甚至更优选 80nm-100μm 以及面积可能为 1-50cm2， 优选为 2 2 2-50cm ， 以及甚至更优选为 3-50cm 的非常薄的基片。
而且， 本发明的方法可以非常容易控制所制备的陶瓷的致密化程度。为了可用作 SOFC 中的固体电解质， 所得基片必须对于气体具有极佳的非渗透性。 申请人已经观察到， 如 通过评价体积密度或由阿基米德法则确定的， 这是陶瓷的孔隙率低于 4％， 优选为 4-1％以 及特别是 3-1％的情形。因此作为本发明主题的陶瓷优选具有这样的孔隙率。
如引言中所述的， 本发明的陶瓷完全适合用作燃料电池和高温电解电池中的固体 电解质。其良好强度使得可以在其上沉积构成电池的其他组分。因此本发明的另一个主题 是包括上述定义的陶瓷的燃料电池和高温电解电池。
本发明陶瓷的另一种有利的应用是电化学传感器。孔隙率小于 4％， 优选为 1-4％ 的致密和非渗透性材料确实完全适合用作测量或检测各种化合物 ( 例如 O2、 NOx、 Cl2、 CO2、 CO、 SO2、 SH2 或 NH3) 的系统中的电化学探针或传感器。 因此本发明的另一个主题是上述的陶 瓷作为电化学传感器的用途以及包括这种陶瓷作为电化学传感器的测量和 / 或检测装置。
最后， 本发明的陶瓷非常有利地作为用于几乎任何类型的过滤的分隔膜。 具体地， 本发明的制造方法可以完全控制最终材料的孔隙率以及因此容易改变孔隙率以及由此根 据希望提供的过滤的类型改变孔的尺寸。因此， 本发明的陶瓷可用于 ：
- 大孔过滤 (macrofiltration)( 大于 2μm 的孔径 ) ；
- 交叉流动或死端微过滤 (0.05-2μm 的孔径 ) ；
- 超滤 (50-1nm 的孔径 ) ；
- 纳米过滤 (0.4-1nm 的孔径 ) ； 以及
- 反渗透 ( 小于 0.4nm 的孔径 )。
当然， 为了能够作为分隔膜， 本发明的陶瓷不是必须非渗透的， 但允许待分离的化 学物质 ( 原子、 分子、 大分子 ) 选择性渗透。
因此， 如果陶瓷用作分隔膜， 其孔隙率必须大于上述用于固体电解质或电化学传 感器应用的范围。
此外， 本发明的另一个主题因此是优选孔隙率大于 4 ％且至多 30 ％， 优选为 6-25％的本发明陶瓷作为滤膜的用途。
在后者的应用中， 陶瓷因其优异的强度 ( 这允许其用于加压过滤方法中 ) 以及其 良好的耐化学性和耐热性而特别地引人注目。因此膜的良好高温抗性使得可能有效清洁， 例如堵塞孔的有机杂质可被燃烧掉。 实施例
自支持氧化钇稳定的氧化锆陶瓷 (ZrO2-8％ Y2O3) (a) 通过溶胶 - 凝胶途径由金属盐合成氧化物粉末 ： 制备包含 1.68mol.L-1 的硝酸锆、 0.32mol.L-1 的硝酸钇、 0.94mol.L-1 的乙酰丙酮(ACAC) 和 0.94mol.L-1 的六亚甲基四胺 (HMTA) 的酸性水溶液， 该溶液的 pH 为 3.2。在 80℃ 温度下加热混合物 15 分钟直到得到 25℃时的粘度为约 40mPa.s 的凝胶化溶液。
在干燥凝胶后以及在空气流下进行 400℃降解处理 7 小时后， 在 800℃煅烧无定形 残留物 2 小时。
得到一种结晶化为具有 Fm3m 空间群的萤石结构的粉末， 其基本由平均直径为 20nm 的球形单晶颗粒构成。该基本颗粒组合为具有 10μm 平均尺寸的高充气团块。这种粉末的 比表面积为约 50m2/g。
(b) 通过快速烧结制造陶瓷 ：
将每层重为 0.36g 的五层氧化钇稳定的氧化锆粉末层插入到内径为 20nm 的圆 柱形石墨模具中， 这些层被石墨片彼此分隔开。将该组件以 50℃ /min 的升温速度加热到 1200℃并在该温度下保持 20 分钟。一旦达到温度设定点， 活塞用于将施加渐增的单轴压 力， 2 分钟后达到 100MPa， 之后将压力维持 13 分钟。然后， 在 5 分钟内逐渐降低施加的压力 直到达到常压， 同时保持温度在 1200℃。
在减压结束时， 以 20℃ /min 的速度逐渐降低温度直到达到室温。
在加热阶段中逐渐增加施加的电流， 从而当达到温度设定点 (1200℃ ) 时的压缩 开始时达到约 1600A。
将石墨片分隔的陶瓷基片的多层在空气中 700 ℃下进行热处理以分解中间石墨 片。
因此可以制造厚度小于 20μm 和直径小于 20mm 的具有小于 2％的孔隙率的五个圆 形自支持陶瓷基片。