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1、(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201410436003.X (22)申请日 2014.08.29 14/015353 2013.08.30 US H01L 21/683(2006.01) H01L 21/66(2006.01) (71)申请人英飞凌科技股份有限公司 地址德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂112号 (72)发明人 G.鲁尔 M.沃佩尔 (74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公 司 72001 代理人申屠伟进 徐红燕 (54) 发明名称 具有带有不同反射率的相对侧的半导体管芯 (57) 摘要 本发明涉及具有带有不同反射率的相对侧的 半导体管芯。提供加工半导体管。
2、芯的方法。每个半 导体管芯具有带有一个或多个端子的第一侧、与 第一侧相对的第二侧以及在第一和第二侧之间延 伸的侧墙。通过在支撑衬底上放置该半导体管芯 来加工半导体管芯以便每个半导体管芯的第一侧 面向该支撑衬底并且第二侧背对该支撑衬底。施 加涂层到放置在支撑衬底上的半导体管芯。该涂 层具有比半导体管芯的第一侧更低的反射率。该 涂层覆盖第二侧以及最接近每个半导体管芯的第 二侧的侧墙的至少一个区。在施加该涂层之后从 该支撑衬底去除半导体管芯用于进一步加工作为 散装的管芯诸如编带。 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 。
3、说明书5页 附图4页 (10)申请公布号 CN 104425336 A (43)申请公布日 2015.03.18 CN 104425336 A 1/2页 2 1.一种加工半导体管芯的方法，所述半导体管芯每个具有带有一个或多个端子的第一 侧、与第一侧相对的第二侧以及在第一和第二侧之间延伸的侧墙，所述方法包括： 在支撑衬底上放置所述半导体管芯以便每个半导体管芯的第一侧面向所述支撑衬底 并且第二侧背对所述支撑衬底； 施加涂层到放置在支撑衬底上的半导体管芯，所述涂层具有比半导体管芯的第一侧更 低的反射率并且覆盖第二侧以及最接近每个半导体管芯的第二侧的侧墙的至少一个区；并 且 在施加所述涂层之后从支撑衬。
4、底去除半导体管芯。 2.权利要求1的所述方法，进一步包括在施加所述涂层之前减薄所述半导体管芯的第 二侧。 3.权利要求2的所述方法，进一步包括通过减薄所述半导体管芯的第二侧并且在施加 所述涂层之前从共同的半导体衬底分离所述半导体管芯。 4.权利要求1的所述方法，其中所述涂层在所述半导体管芯的第二侧上比在侧墙上更 厚。 5.权利要求1的所述方法，其中所述涂层从包括无定形碳、Al 2 O 3 、HfO 2 、ZrO 2 、氧化硅、 氮化硅和聚酰亚胺的组中选择。 6.权利要求1的所述方法，其中所述支撑衬底是箔并且在小于200的温度下施加所 述涂层以保护箔免受破坏性的温度。 7.权利要求1的所述方法，。
5、其中所述涂层是抗划伤的。 8.权利要求1的所述方法，其中所述涂层是电绝缘的。 9.一种固定半导体管芯到粘性薄膜的方法，每个半导体管芯具有带有一个或多个端子 的第一侧、与第一侧相对的第二侧以及在第一和第二侧之间延伸的侧墙，所述方法包括： 处理所述半导体管芯的第二侧以便经处理的每个半导体管芯的第二侧具有比第一侧 更低的反射率； 在第二侧处被处理之后放置半导体管芯到馈送器中，其中每个半导体管芯的第一或第 二侧中的一个面向所述馈送器并且另一侧背对所述馈送器； 测量背对所述馈送器的半导体管芯的侧的反射率； 基于测量的反射率，确定在馈送器中放置的半导体管芯的任何一个是否应当被翻转以 便相对的侧面向所述馈送。
6、器并且每个半导体管芯的第一侧面向相同的方向；并且 在每个半导体管芯的第一侧在馈送器中面向相同的方向之后在承载带上放置所述半 导体管芯。 10.权利要求9的所述方法，其中处理所述半导体管芯的第二侧包括： 施加涂层到每个半导体管芯的第二侧，所述涂层具有比所述半导体管芯的第一侧更低 的反射率。 11.权利要求10的所述方法，其中所述涂层覆盖第二侧以及最接近每个半导体管芯的 第二侧的侧墙的至少一个区。 12.权利要求10的所述方法，其中所述涂层在所述半导体管芯的第二侧上比在侧墙上 更厚。 13.权利要求10的所述方法，其中所述涂层从包括无定形碳、Al 2 O 3 、HfO 2 、ZrO 2 、氧化硅、。
7、 权 利 要 求 书CN 104425336 A 2/2页 3 氮化硅和聚酰亚胺的组中选择。 14.权利要求10的所述方法，其中所述涂层是电绝缘的。 15.权利要求9的所述方法，其中所述半导体管芯包括硅并且处理所述半导体管芯的 第二侧包括： 修改每个半导体管芯的第二侧以包含包括单晶硅针的针形表面结构，所述针形表面结 构具有比所述半导体管芯的第一侧更低的反射率。 16.权利要求9的所述方法，其中所述半导体管芯包括硅并且处理所述半导体管芯的 第二侧包括： 粗糙化每个半导体管芯的第二侧以减小第二侧的反射率。 17.一种半导体管芯，包括： 半导体本体，具有第一侧、与所述第一侧相对的第二侧以及在第一和第。
8、二侧之间延伸 的侧墙； 在所述半导体本体的第一侧处的一个或多个端子； 电绝缘涂层，所述涂层覆盖半导体本体的第二侧以及最接近第二侧的半导体本体的侧 墙的至少一个区，所述涂层具有比半导体本体更低的电导率。 18.权利要求17的所述半导体管芯，其中所述涂层包括无定形碳或聚酰亚胺。 19.权利要求17的所述半导体管芯，其中所述涂层具有比所述半导体本体的第一侧更 低的反射率。 20.权利要求17的所述半导体管芯，进一步包括侧墙钝化，所述侧墙钝化从所述半导 体本体的第一侧沿着侧墙延伸并且在所述半导体本体的第二侧之前终止，其中电绝缘涂层 覆盖所述侧墙钝化的至少部分。 21.权利要求17的所述半导体管芯，其中。
9、所述涂层在所述半导体本体的第二侧上比在 所述半导体本体的侧墙和侧墙钝化上更厚。 22.一种半导体管芯编带设备，包括： 馈送器，用于接收多个半导体管芯，每个半导体管芯具有带有一个或多个端子的第一 侧和与第一侧相对的第二侧，每个半导体管芯的第二侧具有比第一侧更低的反射率； 传感器，能操作以测量面向所述传感器的半导体管芯的侧的反射率； 控制模块，能操作以基于测量的反射率来确定在所述馈送器中放置的半导体管芯的任 何一个是否应当被翻转以便相对的侧面向所述馈送器并且每个半导体管芯的第一侧面向 相同的方向； 调节机构，能操作以响应于从所述控制模块接收的输入而致动在馈送器中放置的半导 体管芯；以及 编带机构，。
10、能操作以在每个半导体管芯的第一侧在馈送器中面向相同的方向之后在承 载带上放置所述半导体管芯。 权 利 要 求 书CN 104425336 A 1/5页 4 具有带有不同反射率的相对侧的半导体管芯 技术领域 0001 本申请涉及非模制的半导体管芯（芯片），特别涉及非模制的半导体管芯的编带 （taping）。 背景技术 0002 用于非模制的半导体管芯的一些卷带（tape and reel）系统包含馈送器或滚筒 用于接收散装的管芯，线性的馈送器用于布置管芯成一直线，以及编带设备用于粘附管芯 到粘性薄膜。在编带之前，散装的管芯必须在馈送器中对齐以致每个管芯的顶侧面向相同 的方向并且每个管芯的底侧面向。
11、相对的方向以确保可靠的对管芯的编带后的加工，诸如测 试、拾取与放置等。为了这个目的，常规的用于散装的非模制的管芯的卷带系统典型包含用 于视觉上检查被放置在编带系统的馈送器中的个别管芯的取向的照相机。能够使该馈送器 振动来改变散装的管芯的取向或能够迫使缓和的气流越过管芯。能够在馈送器中重新装载 管芯以进一步尝试适当地定向管芯。在所有的散装的管芯在馈送器中被适当地定向之后， 对齐的管芯被放入承载带。在常规的用于散装的非模制的管芯的卷带系统中所使用的照相 机系统限制能够被加工的管芯数，从而减少生产吞吐量。 发明内容 0003 根据加工半导体管芯的方法的实施例，所述半导体管芯每个具有带有一个或多个 端。
12、子的第一侧、与第一侧相对的第二侧以及在第一和第二侧之间延伸的侧墙，该方法包括： 在支撑衬底上放置半导体管芯以便每个半导体管芯的第一侧面向该支撑衬底并且第二侧 背对该支撑衬底；施加涂层到放置在支撑衬底上的半导体管芯，该涂层具有比半导体管芯 的第一侧更低的反射率并且覆盖第二侧以及最接近每个半导体管芯的第二侧的侧墙的至 少一个区；并且在施加该涂层之后从支撑衬底中去除半导体管芯。 0004 根据固定半导体管芯到粘性薄膜的方法的实施例，每个半导体管芯具有带有一个 或多个端子的第一侧、与第一侧相对的第二侧以及在第一和第二侧之间延伸的侧墙，该方 法包括：处理半导体管芯的第二侧以便经处理的每个半导体管芯的第二。
13、侧具有比第一侧更 低的反射率；在第二侧处被处理之后放置半导体管芯到馈送器中，其中每个半导体管芯的 第一或第二侧中的一个面向该馈送器并且另一侧背对该馈送器；测量背对该馈送器的半导 体管芯的侧的反射率；基于测量的反射率，确定在馈送器中放置的半导体管芯的任何一个 是否应当被翻转以便相对的侧面向馈送器并且每个半导体管芯的第一侧面向相同的方向； 并且在每个半导体管芯的第一侧在馈送器中面向相同的方向之后在承载带上放置半导体 管芯。 0005 根据半导体管芯的实施例，该半导体管芯包括：半导体本体，具有第一侧、与第一 侧相对的第二侧以及在第一和第二侧之间延伸的侧墙；以及在半导体本体的第一侧处的一 个或多个端子。
14、。半导体管芯进一步包括电绝缘涂层，该涂层覆盖半导体本体的第二侧以及 最接近第二侧的半导体本体的侧墙的至少一个区。该涂层具有比半导体本体更低的电导 说 明 书CN 104425336 A 2/5页 5 率。 0006 根据半导体管芯编带设备的实施例，该设备包括馈送器、传感器、控制模块、调节 机构和编带机构。馈送器用于接收多个散装的半导体管芯，每个半导体管芯具有带有一个 或多个端子的第一侧和与第一侧相对的第二侧，每个半导体管芯的第二侧具有比第一侧更 低的反射率。传感器是可操作的以测量面向传感器的散装的半导体管芯的侧的反射率。控 制模块是可操作的以基于测量的反射率确定在馈送器中放置的散装的半导体管芯。
15、的任何 一个是否应当被翻转以便相对的侧面向馈送器并且每个散装的半导体管芯的第一侧面向 相同的方向。调节机构是可操作的以响应于从控制模块接收的输入而致动在馈送器中放置 的散装的半导体管芯。在每个半导体管芯的第一侧在馈送器中面向相同的方向之后，编带 机构是可操作的以在承载带上放置器件。 0007 通过阅读下面的详细描述以及通过观看附图，本领域技术人员将认识到附加的特 征和优点。 附图说明 0008 附图中的元件不必相对彼此按比例。相似的参考数字指定相应类似的部分。各种 图示的实施例的特征能够被结合，除非它们彼此排斥。实施例被描绘在附图中并且在以下 的描述中被详述。 0009 包含图1A至1C的图1。
16、图示加工非模制的半导体管芯以便管芯的相对的主侧具有 不同的反射率的方法的不同阶段。 0010 包含图2A至2C的图2图示卷带系统的不同部件和使用卷带系统在承载带上放置 半导体管芯的方法的相应阶段。 0011 图3图示具有带有不同的反射率的相对的主侧的非模制的半导体管芯的横截面 视图。 具体实施方式 0012 在这里所描述的实施例提供加工非模制的半导体管芯以便每个管芯的相对的主 侧具有不同的反射率的方法。设备和相应的方法还被提供用于在承载带上放置具有带有不 同的反射率的相对侧的散装的半导体管芯。由于在半导体管芯的两个主侧处的反射率差， 能够使用传感器代替使用照相机来确定在编带设备内所有的半导体管。
17、芯是否被适当地定 向。能够包含单个传感器器件或传感器器件阵列的传感器测量面向该传感器的管芯的侧的 反射率。如果管芯中的一个或多个被不适当地定向，能够基于测量的反射率数据检测到这 个条件。例如，在硅管芯的情况下，没有端子的管芯的主侧能够例如通过在这个侧处施加涂 层或形成黑硅而被处理。经处理的侧具有比在相对侧处的硅和金属端子更低的反射率。基 于反射回到传感器的光（例如，UV、VIS或IR）量，传感器能够检测被不适当地定向的管芯。 与如果相对侧面向传感器相比，如果管芯中的一个或多个的经处理的侧面向传感器，则更 少的光被传感器检测到。如果一个或多个管芯被确定为被不适当地定向，能够做出一个或 多个尝试来。
18、翻转这些管芯以便每个管芯的相同侧在编带之前面向相同的方向。与在常规的 卷带系统中所使用的照相机相比，该传感器具有快很多的反应时间，从而将吞吐量显著地 增加了大约100或更多。 说 明 书CN 104425336 A 3/5页 6 0013 包含图1A至1C的图1图示加工非模制的半导体管芯100的方法的实施例，所述 半导体管芯100每个具有带有一个或多个端子104的第一侧102、与第一侧102相对的第二 侧106以及在第一和第二侧102、106之间延伸的侧墙108。图1A示出在其中制作半导体管 芯100的半导体衬底110的横截面视图。管芯100通过沿着分离通道112切割或蚀刻而已 被部分地彼此分。
19、离，但在图1A中保持附接到半导体衬底110。图1B示出在支撑衬底114诸 如箔或薄膜被附接到带有（一个或多个）端子104的管芯100的第一侧102并且剩余的半导 体衬底110通过减薄（例如通过化学蚀刻和/或研磨）被去除以暴露管芯100的第二侧106 之后的半导体管芯100。该箔/薄膜114能够是粘性薄膜，该薄膜在随后的加工步骤期间保 持和保护半导体结构。图1C示出在管芯100的第二侧106被处理以便每个半导体管芯100 的经处理的第二侧106具有比第一侧102更低的反射率之后的半导体管芯100。用这种方 式处理半导体管芯100允许随后使用传感器而不是照相机来基于管芯100的测量的反射率 而检测。
20、管芯100在编带设备中的取向，以便在编带之前确保所有的管芯100被适当地定向。 0014 在相对低的温度下处理管芯100的第二侧106以保护切割的箔/薄膜114免受破 坏性的温度。例如，对于标准的切割的箔/薄膜114，能够在大约200以下的温度下处理 半导体管芯100以降低在管芯100的第二侧106处的反射率。如果切割的箔/薄膜114对 温度不太敏感，则能够在更高的温度下处理管芯100的第二侧106。 0015 在一个实施例中，通过施加涂层116到每个半导体管芯100的第二侧106来处理 半导体管芯100。涂层116具有比管芯100的第一侧102更低的反射率。例如，在硅管芯 100的情况下，归。
21、因于管芯100的半导体材料和在管芯100的第一侧102处安置的（一个或 多个）金属端子104，每个管芯100的第一侧102具有一定的反射率。施加到管芯100的第 二侧104的涂层116的反射率比硅材料和（一个或多个）金属端子104的反射率更低。 0016 涂层116能够覆盖第二侧106和最接近每个半导体管芯100的第二侧106的侧墙 108的至少一个区，如在图1C中所示出。在一个实施例中，涂层116通过等离子体淀积被施 加并且在半导体管芯100的第二侧106上比在侧墙108上更厚。通过修改淀积参数诸如加 工压力，能够按要求调节涂层116的侧墙厚度与背侧（第二侧）厚度的比率。在另一个实施 例中，。
22、涂层116通过ALD（原子层淀积）被施加并且具有均匀的厚度。在又一个实施例中， 涂层116通过喷涂被施加。在每种情况下，涂层116优选地不引起对管芯100的电干扰，具 有好的粘合力和高的硬度（即在随后的加工期间很少或没有因摩擦而去除）、在特别的波长 处的低反射率以便在管芯100的第一和第二侧102、106之间的反射率差能够被调谐到那个 波长的传感器检测、以及低的电导率（即足够的电绝缘行为）。 0017 能够通过改变涂层116的折射率和/或厚度来调节半导体管芯100的第二侧106 的反射率。例如，依赖于所采用的材料的类型，涂层116的折射率范围能够从1.3到2.0并 且涂层116的厚度范围能够从。
23、50nm到2000nm。折射率和/或厚度的其他范围对于涂层116 来说是可能的，其再次依赖于用来检测反射率的传感器和所采用的涂层材料的类型。在一 个实施例中，涂层116包括无定形碳（aC：H）、Al 2 O 3 、HfO 2 、ZrO 2 、氧化硅、氮化硅和聚酰亚胺 中的至少一个。通过等离子体增强化学汽相淀积（PECVD）能够在管芯100的第二侧106上 淀积无定形碳、Si 3 N 4 和SiO 2 。通过原子层淀积（ALD）能够在管芯100的第二侧106上淀积 Al 2 O 3 、HfO 2 、ZrO 2 。通过喷射、旋压或浸涂能够在管芯100的第二侧106上淀积聚酰亚胺和 其他类似的聚合物。
24、。能够采用标准的加工来淀积这些材料中的任何一个，并且因而在这点 说 明 书CN 104425336 A 4/5页 7 上不给出进一步的解释。在无定形碳和其他合适硬的及低反射的材料被施加到半导体管芯 100的第二侧106的情况下，涂层116是抗划伤的，其以后在当管芯100被放置在编带系统 的馈送器中并且被到处推挤以尝试在适当的方向上定向所有管芯时是有益的。 0018 在另一个实施例中，半导体管芯100包括硅并且通过在每个管芯100的第二侧106 处形成所谓的黑硅来处理管芯100的第二侧106。黑硅通过反应离子蚀刻（RIE）来形成，并 且导致包括单晶硅针的针形表面结构。黑硅是具有可见（和红外）光的。
25、非常低的反射率和相 应地高的吸收的硅的表面修改。单晶硅针典型地具有10m以上的高度和小于1m的直 径。黑硅的一个主要特征是入射光的增加的吸收。硅的高反射率，其通常对于准法向入射 是20-30，用黑硅被减小到大约5。这是由于通过针形成所谓的有效介质。在这个介质 内，不存在明显的界面，而是存在减小菲涅耳反射的折射率的连续改变。当渐变层的深度粗 略等于在硅中的光波长（大约在真空中的波长的四分之一）时，反射被减小到5。更深的 坡度（grade）产生甚至更黑的硅。对于低反射率，产生折射率渐变层的纳米尺度特征必须 小于入射光的波长以避免散射。在一些情况下，能够通过粗糙化来处理管芯100的第二侧 106以减。
26、小反射率，例如通过蚀刻第二侧106。 0019 不管半导体管芯100的第二侧是具有黑硅、涂层还是被粗糙化以减小反射率，适 当设计的传感器能够检测管芯100的第一和第二侧102、106之间的反射率差。为了确保所 有的管芯100在适当的方向上被定向，这在管芯100的随后的编带期间是特别有用的。 0020 包含图2A至2C的图2图示管芯编带设备和管芯编带的相应方法的实施例。散装 的半导体管芯100被放置在编带设备的馈送器200中，如在图2A中所示出。散装的管芯100 的第一侧102应当面向相同的方向并且第二侧106应当面向相对的方向以确保管芯100的 适当的随后加工。然而，散装的管芯100的一些可能。
27、在馈送器200中被不适当地定向。照 此，在馈送器200中放置之后，不是所有的散装的管芯100可以面向适当的方向。例如，在 图2A中四个散装的管芯100面向正确的方向，即具有（一个或多个）端子104的管芯100的 第一侧102背对馈送器200。在图2A中两个散装的管芯100面向错误的方向，即管芯100 的第二（处理的）侧106背对馈送器200。被不适当地定向的管芯100必须在编带之前被纠 正。 0021 为此，管芯编带设备进一步包含用于测量面向传感器202的散装的半导体管芯 100的侧102/106的反射率的传感器202。设计传感器202来测量在特别波长处的光。散装 的管芯100的第二侧106被。
28、处理以反射很少或不反射在那个波长处的光。散装的管芯100 的第一侧102反射在传感器202的波长处的光。这样，如果散装的管芯100的一个或多个 面向错误的方向，传感器202将检测由在编带设备的馈送器200中被不正确地定向的每个 管芯100的第一侧102所反射的光。如果在馈送器200中所有散装的管芯100被适当地定 向，每个管芯100的第二侧106面向传感器202并且很少或没有反射光被传感器202检测， 从而指示所有管芯100被适当地定位。能够使用任何标准的被调谐到特别波长的传感器， 该特别波长被散装的半导体管芯100的经处理的侧106充分地吸收。 0022 该编带设备还包含用于控制编带设备的操。
29、作的控制模块204。这包含基于传感器 202所测量的反射率来确定在编带设备的馈送器200中放置的散装的半导体管芯100的任 何一个是否应当被翻转以便相对的侧面向馈送器200并且每个管芯100的第一侧102面向 相同的方向。如果需要对散装的管芯100的一个或多个的位置纠正，控制模块204发送命 说 明 书CN 104425336 A 5/5页 8 令到编带系统的调节机构206。调节机构206响应于从控制模块204接收的输入来致动在 馈送器200中放置的散装的半导体管芯100。这能够包含振动馈送器200和/或朝向散装 的管芯100引导轻轻的一阵气以尝试翻转那些被不适当地定向的管芯100。控制模块2。
30、04 能够包含用于控制编带设备的操作的任何标准的控制器、定制逻辑、存储器、输入/输出电 路、固件等。给定这样的标准部件，本领域普通技术人员能够容易地实现在这里所描述的控 制模块功能并且因而在这点上不给出进一步的解释。 0023 编带设备还包含线性馈送器208，该线性馈送器208用于在所有管芯100在馈送器 200中被适当地定位之后将散装的半导体管芯100布置成一直线，如在图2B中所示出。编 带设备还包含编带机构210，如在图2C中所示出。编带机构210能够包含用于在每个管芯 100的第一侧102面向相同的方向之后固定散装的半导体管芯100到粘性薄膜214的滚轮 212和/或其他部件。 0024。
31、 图3图示半导体管芯300的另一个实施例，该半导体管芯300具有带有一个或多 个端子304的第一侧302和与第一侧302相对的第二侧306，所述第二侧306利用具有比管 芯300的半导体本体314更低的电导率的电绝缘涂层308来处理。施加到管芯300的第二 侧306的电绝缘涂层308还能够在侧墙310上延伸。这样的配置增加沿着管芯300的侧墙 310的隔离，从而限制漏电流。在一个实施例中，电绝缘涂层308包括诸如碳或聚酰亚胺的 材料，该材料能够在相对低的温度（例如小于200）下通过等离子体CVD（化学汽相淀积） 被淀积以保护管芯300被安置在其上的切割的箔/薄膜312。在这种情况下，涂层308。
32、具有 比半导体本体314更低的电导率（如上面所描述）以提供电隔离，并且还具有比管芯300的 第一侧302更低的反射率（如在这里先前所描述）。用于硅本体314的钝化层316诸如SiOx 能够被淀积在管芯300的第一侧302上，并且能够提供侧墙钝化318，该侧墙钝化318从第 一侧302沿着侧墙310延伸并且在第二侧306之前终止。对于硅本体314，任何标准的侧墙 钝化能够被使用，诸如SiN 320和/或SiOx 322。施加到管芯300的第二侧306的电绝缘 涂层308还能够在侧墙钝化318上延伸。例如，在等离子体淀积的情况下，电绝缘涂层308 能够在管芯300的第二侧306上比在管芯300的侧。
33、墙310和侧墙钝化318上更厚。 0025 为了易于描述，使用空间相对术语（诸如“在.之下”、“在.以下”、“下”、“在 上方”、“上”等等）来解释一个元件相对于第二个元件的定位。这些术语旨在涵盖除了与在 附图中所描绘的那些取向不同的取向以外的器件的不同取向。此外，诸如“第一”、“第二” 等等的术语也用来描述各种元件、区、片段等，且也不旨在限制。贯穿本描述，相似的术语指 代相似的元件。 0026 如在这里所使用的，术语“具有”、“含有”、“包含”、“包括”等等是开放式术语，其指 示所声明的元件或特征的存在，而不排除附加的元件或特征。冠词“一”、“一个”和“该”旨 在包含复数以及单数，除非上下文另外清楚地指示。 0027 考虑到变型和应用的上述范围，应当理解的是，本发明不是由前面的描述限制的， 也不是由附图限制的。取而代之，本发明仅由所附的权利要求书以及它们的法律等同物限 制。 说 明 书CN 104425336 A 1/4页 9 图 1A图 1B图 1C 说 明 书 附 图CN 104425336 A 2/4页 10 图 2A图 2B 说 明 书 附 图CN 104425336 A 10 3/4页 11 图 2C 说 明 书 附 图CN 104425336 A 11 4/4页 12 图 3 说 明 书 附 图CN 104425336 A 12 。