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1、(10)申请公布号 CN 102937764 A (43)申请公布日 2013.02.20 C N 1 0 2 9 3 7 7 6 4 A *CN102937764A* (21)申请号 201210395272.7 (22)申请日 2012.10.17 G02F 1/1362(2006.01) G02F 1/1345(2006.01) G02F 1/133(2006.01) H01L 21/77(2006.01) G09G 3/36(2006.01) (71)申请人京东方科技集团股份有限公司 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 申请人北京京东方显示技术有限公司 (72)发明人郤玉生。
2、 胡海琛 刘家荣 张春兵 (74)专利代理机构北京中博世达专利商标代理 有限公司 11274 代理人申健 (54) 发明名称 阵列基板及其制造方法、显示装置及其驱动 方法 (57) 摘要 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、 显示装置及其驱动方法，涉及显示领域，无需公共 电极线布线，也不需要公共电压输入信号，因此不 仅可增加像素开口率，提高显示效果，还可大大降 低面板功耗。本发明所述阵列基板，包括：第一 栅线和与所述第一栅线相连的像素单元，还包括： 正温度系数热敏电阻，所述像素单元的公共电极 通过所述正温度系数热敏电阻连接至第二栅线， 所述第二栅线为任一不与所述第一栅线同时输出 开启电压的栅。
3、线。 (51)Int.Cl. 权利要求书2页 说明书7页 附图5页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 2 页 说明书 7 页 附图 5 页 1/2页 2 1.一种阵列基板，包括：多个像素单元，所述像素单元与第一栅线相连，其特征在于， 还包括： 正温度系数热敏电阻，所述像素单元的公共电极通过所述正温度系数热敏电阻连接至 第二栅线，所述第二栅线为任一不与所述第一栅线同时输出开启电压的栅线。 2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于， 所述第二栅线与所述第一栅线相邻，为所述第一栅线的上一行栅线或下一行栅线。 3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于， 所。
4、述正温度系数热敏电阻至少有部分区域重叠设置在所述公共电极上； 所述第二栅线设置在所述正温度系数热敏电阻之上，所述公共电极通过所述正温度系 数热敏电阻与所述第二栅线相连接。 4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于， 所述正温度系数热敏电阻设置在所述第二栅线上； 所述公共电极至少有部分区域重叠设置在所述正温度系数热敏电阻之上，所述公共电 极通过所述正温度系数热敏电阻与所述第二栅线相连接。 5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于， 所述正温度系数热敏电阻与所述第二栅线具有相同的图形。 6.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于， 所述正温度系数热敏电阻的材质为有机高。
5、分子正温度系数导电材料。 7.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1-6任一项所述的阵列基板。 8.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 沉积透明导电层，采用构图工艺形成公共电极； 沉积正温度系数热敏电阻层，采用构图工艺在所述公共电极上形成正温度系数热敏电 阻，且保证所述正温度系数热敏电阻至少有部分区域重叠设置在对应的所述公共电极上； 沉积栅金属层，采用构图工艺形成栅线，且保证每一行所述栅线通过所述正温度系数 热敏电阻与一相邻行的所述公共电极相连接； 然后依次形成栅绝缘层、半导体层、数据线层、表面保护层和像素电极层；或者， 沉积栅金属层，采用构图工艺形成栅线； 沉积正温度系数。
6、热敏电阻层，采用构图工艺在栅线上形成正温度系数热敏电阻； 沉积透明导电层，采用构图工艺在预设位置形成公共电极，且保证每一行所述公共电 极至少有部分区域重叠设置在所述正温度系数热敏电阻之上，所述公共电极通过所述正温 度系数热敏电阻与一相邻行栅线相连接； 然后依次形成栅绝缘层、半导体层、数据线层、表面保护层和像素电极层。 9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于， 所述正温度系数热敏电阻与所述栅线具有相同的图形。 10.一种显示装置的驱动方法，其特征在于，包括： 所述第一栅线输出开启电压时，与所述第一栅线相连的像素单元打开，同时所述第二 栅线输出关闭电压，所述第二栅线通过所述正温度系数热敏电阻。
7、，向所述公共电极提供关 闭电压作为所述公共电极的公共电压； 所述第一栅线输出关闭电压时，与所述第一栅线相连的像素单元关闭，同时所述第二 权 利 要 求 书CN 102937764 A 2/2页 3 栅线输出开启电压，所述正温度系数热敏电阻随温度剧增，使所述第二栅线和所述公共电 极断开。 权 利 要 求 书CN 102937764 A 1/7页 4 阵列基板及其制造方法、 显示装置及其驱动方法 技术领域 0001 本发明涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置及其驱动 方法。 背景技术 0002 在液晶显示领域，目前随着技术的不断更新，液晶显示面板正向大型化、高质量化 发展，但液。
8、晶面板的大型化容易造成阵列基板的布线电阻增加，尤其当公共电极线布线电 阻太大时，容易造成显示屏偏绿、闪烁及残像等显示不良。 0003 如图1所示，为一种典型的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列基板的 结构示意图。公共电极线11与栅线12相互平行排列，经同一工序制备而成。由于在垂直 基板方向存在栅线，为了实现公共电极线11垂直方向的导通从而形成图中所示的矩阵结 构，就需设置过孔，公共电极线11在垂直方向经过孔，经透明导电(ITO)层14与各公共电 极161相连接。 0004 现有阵列基板的结构设计存在如下问题：现有公共电极线布线繁琐，一方面降低 了像素开口率，影响。
9、显示效果，另一方面布线电阻大，增加了液晶面板，尤其是大尺寸的液 晶面板的功耗。 发明内容 0005 本发明所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置及其 驱动方法，不仅可增加像素开口率，提高显示效果，还可大大降低面板功耗。 0006 为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案： 0007 一方面，本发明提供一种阵列基板，包括：第一栅线和与所述第一栅线相连的像素 单元，还包括： 0008 正温度系数热敏电阻，所述像素单元的公共电极通过所述正温度系数热敏电阻连 接至第二栅线，所述第二栅线为任一不与所述第一栅线同时输出开启电压的栅线。 0009 优选地，所述第二栅线与所述第一栅。
10、线相邻，为所述第一栅线的上一行栅线或下 一行栅线。 0010 可选地，所述正温度系数热敏电阻至少有部分区域重叠设置在所述公共电极上； 0011 所述第二栅线设置在所述正温度系数热敏电阻之上，所述公共电极通过所述正温 度系数热敏电阻与所述第二栅线相连接。 0012 可选地，所述正温度系数热敏电阻设置在所述第二栅线上； 0013 所述公共电极至少有部分区域重叠设置在所述正温度系数热敏电阻之上，所述公 共电极通过所述正温度系数热敏电阻与所述第二栅线相连接。 0014 优选地，所述正温度系数热敏电阻与所述栅线具有相同的图形。 0015 优选地，所述正温度系数热敏电阻的材质为有机高分子正温度系数导电材料。
11、。 0016 本发明还提供一种显示装置，包括：所述的任一阵列基板。 说 明 书CN 102937764 A 2/7页 5 0017 另一方面，本发明还提供一种阵列基板的制造方法，适用于平面场模式的阵列基 板，所述方法包括： 0018 沉积透明导电层，采用构图工艺形成公共电极， 0019 沉积正温度系数热敏电阻层，采用构图工艺在所述公共电极上形成一正温度系数 热敏电阻，且保证所述正温度系数热敏电阻至少有部分区域重叠设置在对应的所述公共电 极上， 0020 沉积栅金属层，采用构图工艺形成栅线，且保证每一行所述栅线通过所述正温度 系数热敏电阻与一相邻行的所述公共电极相连接； 0021 然后依次形成栅。
12、绝缘层、半导体层、数据线层、表面保护层和像素电极层；或者， 0022 沉积栅金属层，采用构图工艺形成栅线， 0023 沉积正温度系数热敏电阻层，采用构图工艺在栅线上形成正温度系数热敏电阻； 0024 沉积透明导电层，采用构图工艺在预设位置形成公共电极，且保证每一行所述公 共电极至少有部分区域重叠设置在所述正温度系数热敏电阻之上，所述公共电极均通过所 述正温度系数热敏电阻与一相邻行栅线相连接； 0025 然后依次形成栅绝缘层、半导体层、数据线层、表面保护层和像素电极层。 0026 可选地，所述正温度系数热敏电阻与所述栅线具有相同的图形。 0027 另一方面，本发明还提供一种所述阵列基板的驱动方法。
13、，包括： 0028 所述第一栅线输出开启电压时，与所述第一栅线相连的像素单元打开，同时所述 第二栅线输出关闭电压，所述第二栅线通过所述正温度系数热敏电阻，向所述公共电极提 供关闭电压作为所述公共电极的公共电压； 0029 所述第一栅线输出关闭电压时，与所述第一栅线相连的像素单元关闭，同时所述 第二栅线输出开启电压，所述正温度系数热敏电阻随温度剧增，使所述第二栅线和所述公 共电极断开。 0030 本发明提供的阵列基板及其制造方法、显示装置及其驱动方法中，任一行像素单 元的公共电极均通过正温度系数热敏电阻连接至另一行栅线，当某一行像素单元打开时， 与该行像素单元的公共电极相连的另一行栅线处于低压状。
14、态(输出关闭电压)，正温度系 数热敏电阻导通，另一行栅线输出的关闭电压作为公共电压输入该行像素单元的公共电 极；当另一行栅线处于高压状态(输出开启电压)时，正温度系数热敏电阻随温度剧增，使 第二栅线与像素单元的公共电极断开，所以无需公共电极线布线，也不需要公共电压输入 信号，从而不仅可增加像素开口率，提高显示效果，还可大大降低面板功耗。 附图说明 0031 图1为现有阵列基板的结构示意图； 0032 图2本发明实施例一提供的阵列基板的结构正视示意图； 0033 图3为本发明实施例一阵列基板沿a-a方向的一结构示意图； 0034 图4为本发明实施例一阵列基板沿a-a方向的另一结构示意图； 003。
15、5 图5为本发明实施例二阵列基板制造方法流程图； 0036 图6(a)和(b)为本发明实施例二中公共电极的截面结构示意图和正视示意图； 0037 图7(a)和(b)为本发明实施例二中正温度系数热敏电阻的截面结构示意图和正 说 明 书CN 102937764 A 3/7页 6 视示意图； 0038 图8(a)和(b)为本发明实施例二中栅线的截面结构示意图和正视示意图； 0039 图9为本发明实施例二中另一阵列基板制造方法的示意图； 0040 图10为本发明实施例三中阵列基板的驱动方法的示意图。 0041 附图标记说明 0042 11-公共电极线，12-栅线，122-第二栅线，121-第一栅线， 。
16、0043 13-数据线层，14-透明导电层，15-正温度系数热敏电阻， 0044 16-像素单元，161-公共电极，17-栅绝缘层，18-半导体层， 0045 19-像素电极层，20-表面保护层。 具体实施方式 0046 本发明实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置及其驱动方法，不仅可 增加像素开口率，提高显示效果，还可大大降低面板功耗。 0047 现有显示装置大多采用逐行扫描的方式，以下以薄膜晶体管显示器(TFT-LCD)为 例进行说明。在一帧的时间内，驱动电路向第一行栅线输出高压(即开启电压，为便于理解 以下叙述中也称高压)，向其它行则输出低压(即关闭电压)，从而控制第一行TFT打开。
17、，通 过数据线向第一行像素单元加载显示数据；随后，关闭第一行，向第二行栅线输出高压打开 第二行TFT，此时包括第一行在内的其它行则输入低压，处于关闭状态，数据线向第二行像 素单元加载显示数据；以此类推，逐行打开并加载显示数据完成一帧图像的显示，这个过程 时间很短，由于视觉暂留特性，人眼看到的是完整图像。 0048 每一行TFT只有在打开以便向像素单元加载显示数据时，该行栅线才输出高压， 而其余时间处于低压状态，因此，本发明设计思想是：当栅线输出关闭电压时，将关闭电压 作为公共电压输入像素单元中的公共电极。这样，即可省去公共电极线，也不再需要公共电 压输入信号。 0049 下面结合附图对本发明实。
18、施例进行详细描述。此处所描述的具体实施方式仅仅用 以解释本发明，并不用于限定本发明。 0050 实施例一 0051 本发明实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括：多个像素单元，像素单元与第 一栅线相连，还包括： 0052 正温度系数热敏电阻，像素单元的公共电极通过正温度系数热敏电阻连接至第二 栅线，第二栅线为任一不与第一栅线同时输出开启电压的栅线。 0053 本实施例中的第一栅线，用于泛指阵列基板上的某条栅线，并不用于限定；所述像 素单元为与第一栅线相连，受第一栅线控制的所有像素单元；而所述第二栅线特指不与第 一栅线同时输出开启电压的任一栅线。 0054 具体地，本发明在栅线与公共电极之间沉积。
19、正温度系数热敏电阻(Positive Temperature Coefficient，PTC)，作为控制栅线与公共电极接通或断开的介质。 0055 本发明实施例中的正温度系数热敏电阻(PTC)，泛指正温度系数很大的半导体材 料或元器件(以下简称PTC热敏电阻)，是一种典型具有温度敏感性的半导体电阻，超过一 定的温度(居里温度)时，它的电阻值随着温度的升高呈阶跃性的增高。PTC热敏电阻的可 说 明 书CN 102937764 A 4/7页 7 设计性好，具体实施中可通过改变自身的开关温度(Ts)来调节其对温度的敏感程度，从而 控制栅线与公共电极低压时接通，高压时断开。 0056 第二栅线输出关闭。
20、电压(低压)时，热敏电阻温度与室温相近，PTC热敏电阻阻值 很小，串联在电路中不会阻碍电流通过，第二栅线通过PTC热敏电阻与像素单元的公共电 极导通；当第二栅线输出开启电压(高压)时，PTC热敏电阻由于发热功率增加导致温度上 升，当温度超过开关温度(居里温度)时，PTC热敏电阻的电阻随温度瞬间剧增，使得第二 栅线与像素单元的公共电极断开。 0057 具体实施中，根据栅线输出的开启电压和关闭电压的具体大小，选择合适的PTC 热敏电阻，开启电压和关闭电压一般相差二十伏左右，现有正温度系数热敏导电材料即可 满足低压时接通，高压时断开的要求。例如，可选地，具体实施中可选择自恢复保险丝的材 料制备本发明。
21、实施例中的PTC热敏电阻。 0058 PTC热敏电阻的材料一般有：有机高分子正温度系数导电材料和无机陶瓷钛酸钡 导电材料，但优选地，采用便于成膜的有机高分子正温度系数导电材料。 0059 本发明实施例所述的阵列基板，当栅线处于低压时，栅线与公共电极之间的PTC 热敏电阻阻值较小，可以实现良好的导通；当栅线处于高压时，栅线与公共电极之间的PTC 热敏电阻阻值较大，可以阻止栅线的高压信号对公共电极的输入，合理利用同一帧时间内 处于非导通状态栅线输出的关闭电压作为公共电压，因此，本实施例所述阵列基板，无需公 共电极线布线，也不需要公共电压输入信号，因此不仅可增加像素开口率，提高显示效果， 还可大大降。
22、低面板功耗。 0060 优选地，第二栅线与第一栅线相邻，为第一栅线的上一行栅线或下一行栅线。 0061 对于采用逐行扫描方式的显示装置，某一时刻，只有一条栅线输出开启电压，其余 栅线均输出关闭电压，但出于制备工艺方面的考虑，第一栅线控制的像素单元的公共电极， 通过正温度系数热敏电阻连接至与第一栅线相邻的栅线，即第二栅线为与第一栅线相邻 的，第一栅线的上一行栅线或下一行栅线。这样，只要将现有制备工艺稍作改动即可制备本 发明实施例中的阵列基板，具体见实施例二中所述。 0062 如图2和图3所示，为符合本实施例阵列基板的第一种具体结构，其中，正温度系 数热敏电阻15至少有部分区域重叠设置在公共电极1。
23、61上，第二栅线122设置在正温度系 数热敏电阻15之上，公共电极161通过正温度系数热敏电阻15与第二栅线122相连接。除 此之外，还包括：栅绝缘层17、半导体层18、数据线层13、像素电极层19及表面保护层20。 0063 需要说明的是，图3所示为平面场模式的阵列基板，仅为符合本实施例的一种示 例性具体实施方式，并不用于限定本实施例。 0064 其中，图中所示的第一栅线121用于泛指阵列基板上的某条栅线，而第二栅线122 特指与第一栅线121相邻的下一行栅线。具体实施中，第一条栅线不设置正温度系数热敏 电阻15，也不与任何公共电极161相连，最下端还需要增加一条设置有热敏电阻的冗余栅 线；。
24、每一行像素单元16的公共电极161都通过正温度系数热敏电阻15与下一行栅线相连， 最后一行像素单元16的公共电极161通过正温度系数热敏电阻15与冗余栅线相连。 0065 当然，第二栅线122也可为与第一栅线121相邻的上一行栅线，这时，最上端需增 加一条设置有热敏电阻的冗余栅线；每一行像素单元16的公共电极161都通过正温度系数 热敏电阻15与上一行栅线相连，第一行像素单元的公共电极161都通过正温度系数热敏电 说 明 书CN 102937764 A 5/7页 8 阻15与冗余栅线相连，最后一行栅线不设置正温度系数热敏电阻15。 0066 优选地，正温度系数热敏电阻与栅线具有相同的图形，制备。
25、时可通过一次光刻过 程完成，无需额外增加制备工艺步骤。如图4所示，为符合本实施例阵列基板的第二种具体 结构，与图3所示第一种具体结构的不同之处在于：正温度系数热敏电阻15设置在第二栅 线122上；公共电极161至少有部分区域重叠设置在正温度系数热敏电阻15之上，公共电 极161同样可通过正温度系数热敏电阻15与第二栅线122相连接。 0067 本实施例所述阵列基板，无需设置公共电极线布线，也不需要公共电压输入信号， 因而不仅可增加像素开口率，还可大大降低面板功耗；并且正温度系数热敏电阻与栅线具 有相同的图形，制备时可通过一次光刻过程完成，不会增加现有的制备工艺步骤。 0068 本发明实施例叙述。
26、中以多维电场(Advanced Super Dimension Switch，AD-SDS， 简称ADS)模式阵列基板为例，多维电场技术根据改进有高透过率I-ADS技术、高开口率 H-ADS和高分辨率S-ADS技术等。其中，I-ADS模式和S-ADS模式的阵列基板如本发明实施 例中所述，而H-ADS模式的阵列基板与本发明实施例中的阵列基板的不同之处在于：本发 明的阵列基板的公共电极是做在玻璃基板上，而HADS模式的阵列基板的公共电极做在像 素电极上，因此，对于HADS模式阵列基板中，正温度系数热敏电阻设置在栅线上，公共电极 通过过孔连接至正温度系数热敏电阻上，除此之外阵列基板的具体结构、制备工。
27、艺大致相 同。 0069 但实际上本发明的应用不限于此，本发明同样可应用于IPS(In-PlaneSwitching， 平面转换)模式的阵列基板。 0070 对于IPS模式的阵列基板中，其公共电极和像素电极是同层设置，除此之外阵列 基板的具体结构、制备工艺也大致相同，在此不再赘述。 0071 本发明实施例还提供了一种显示装置，其包括上述任意一种阵列基板。所述显示 装置可以为：液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、 数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。 0072 本发明实施例提供的显示装置，采用了无需设置公共电压线的阵列基板，因而具 有更高的透过。
28、率，更低的功耗，同时还可避免公共电压线布线电阻太大导致的显示屏偏绿、 闪烁及残像等显示不良，提高显示效果。 0073 实施例二 0074 本发明实施例还提供一种阵列基板的制造方法，适用于平面场模式的阵列基板， 如图5所示，该方法包括： 0075 步骤101、在玻璃基板上沉积透明导电层，采用构图工艺形成公共电极161，其剖 面和正面俯视图分别如图6(a)和(b)所示。本步骤与现有制备过程一样，在此不再详述。 0076 步骤102、沉积正温度系数热敏电阻层，采用构图工艺在公共电极161上形成正温 度系数热敏电阻15，且保证正温度系数热敏电阻15至少有部分区域重叠设置在对应的公 共电极161上，具体。
29、图形如图7(a)和(b)所示。 0077 步骤103、沉积栅金属层，采用构图工艺形成栅线12，且保证每一行栅线12通过正 温度系数热敏电阻15与一相邻行的公共电极161相连接，具体图形如图8(a)和(b)所示。 0078 现有技术中，栅线直接位于阵列基板的任意两个公共电极间的基板上，而本发明 实施例中，先在任一公共电极161的边缘形成一正温度系数热敏电阻15，且保证每一正温 说 明 书CN 102937764 A 6/7页 9 度系数热敏电阻15至少有部分区域重叠设置在对应的公共电极161上；再在正温度系数热 敏电阻15上形成栅线12，栅线12的位置向下一行(或上一行)栅线偏移。如图7所示，栅。
30、 线12隔着正温度系数热敏电阻15设置在公共电极161的边缘，最终使某一栅线12控制的 像素单元16中的公共电极161，通过正温度系数热敏电阻15，与该栅线的下一行(或上一 行)栅线12相连。 0079 其中，优选地，正温度系数热敏电阻15与栅线12具有相同的图形，制备时可通过 一次光刻过程完成，不会因此额外增加制备工艺步骤。 0080 或者，如图9所示，上述过程也可以先形成栅线12，再制备正温度系数热敏电阻 15，最后形成公共电极161，具体如下： 0081 步骤201、沉积栅金属层，采用构图工艺形成栅线12； 0082 步骤202、沉积正温度系数热敏电阻层，采用构图工艺在栅线12上形成正温。
31、度系 数热敏电阻15； 0083 步骤203、沉积透明导电层，采用构图工艺在预设位置形成公共电极161，且保证 每一行所述公共电极161至少有部分区域重叠设置在所述正温度系数热敏电阻15之上，所 述公共电极161通过所述正温度系数热敏电阻15与一相邻行栅线12相连接。 0084 其中，优选地，正温度系数热敏电阻15与栅线12具有相同的图形，制备时可通过 一次光刻过程完成，无需另外增加额外的制备工序。 0085 然后按制造平面场模式的阵列基板的常规流程，形成栅绝缘层17、半导体层18、 数据线层13、像素电极层19及表面保护层20，完成阵列基板的制造。 0086 本发明实施例所述的阵列基板制造方。
32、法，在栅线与公共电极之间沉积正温度系数 热敏电阻，作为控制栅线与公共电极接通或断开的介质。当栅线处于低压时，栅线与公共电 极之间的PTC阻值较小，可以实现良好的导通；当栅线处于高压时，栅线与公共电极之间的 PTC阻值较大，可以阻止栅线的高压信号对公共电极的输入，合理利用同一帧时间内处于 非导通状态栅线输出的关闭电压作为公共电压，因此，本实施例所述阵列基板制造方法，无 需公共电极线布线，也不需要公共电压输入信号，因此不仅可增加像素开口率，提高显示效 果，还可大大降低面板功耗，并且不会因此增加额外工序。 0087 实施例三 0088 本发明实施例提供一种阵列基板的驱动方法，适用于实施例一所述的任一。
33、阵列基 板，如图10所示，该驱动方法包括： 0089 步骤301、第一栅线输出开启电压时，与第一栅线相连的像素单元打开，同时第二 栅线输出关闭电压，第二栅线通过正温度系数热敏电阻，向公共电极提供关闭电压作为公 共电极的公共电压； 0090 步骤302、第一栅线输出关闭电压时，与第一栅线相连的像素单元关闭，同时第二 栅线输出开启电压，正温度系数热敏电阻随温度剧增，使第二栅线和公共电极断开。 0091 具体地，以采用逐行扫描方式，且第二栅线为第一栅线的下一行栅线的阵列基板 为例，则具体的所述阵列基板驱动方法如下： 0092 第一行栅线输出开启电压控制第一行像素单元打开时，第二行的栅线处于关闭状 态。
34、，第二行栅线与第一行的公共电极通过PCT热敏电阻相接触，由于PCT热敏电阻在低压时 电阻较小，第二行栅线和第一行公共电极导通，此时由第二行栅线的低压(关闭电压)为第 说 明 书CN 102937764 A 7/7页 10 一行的公共电极提供公共电压，数据线为第一行像素单元加载显示数据；当第二行栅线打 开时，由于PCT热敏电阻在高压时电阻较大，处于高压状态的栅线和与公共电极断开，不影 响上一行的正常显示，同时由第三行栅线的低压(关闭电压)为第二行的公共电极提供公 共电压，数据线为第二行像素单元加载显示数据；以此类推依次进行直至最后一行，完成一 帧的扫描画面。 0093 需要说明的是，数据线上的代。
35、表显示数据的数据线电压是相对公共电压而言的， 由于本发明实施例利用栅线输出的关闭电压作为公共电压，因此数据线电压与现有技术相 比较也需要调整。假设栅线输出的关闭电压为-8V，公共电极电压也为8V，数据线电压为 016V，则采用本发明所述的驱动方法，公共电压相应的变为-8V，数据线电压需相应的调 整为0-16V。 0094 另外，对于图2中第N行而言，当该行扫描完毕，处于关闭状态时，此时栅线处于低 压状态，通过PTC热敏电阻与公共电极接通，为公共电极提供电压。但对于TFT而言，按上 述假设，由于此时数据线电压为0-16V之间，所以TFT的源极为0-16V之间的某一 值，栅极为-8V，则栅极与源漏。
36、极之间的电压差为：+8V-8V之间，而现有技术使用的TFT 开启电压Vth在03V之间，所以此时的TFT可能处于打开状态，影响正常显示。因此，在 上述假设电压下，本发明实施例中应选用开启电压Vth大于8V的TFT，才能保证正常显示。 综上所述，本发明实施例中的TFT开启电压Vth必须大于数据线电压的最高电压和栅极的 低压之差，而TFT开启电压Vth的大小可以通过TFT的制备工艺和材料来调整。 0095 本发明实施例所述的阵列基板驱动方法，合理利用同一帧时间内处于非导通状态 栅线输出的关闭电压作为公共电压，无需公共电压输入信号，因而也无需公共电极线布线， 所以不仅可增加像素开口率，提高显示效果，。
37、还可大大降低面板功耗。 0096 本发明实施例中虽然以LCD显示屏为例，但实际上本发明的应用不限于此，本发 明同样可应用于LED显示屏，这时栅线应理解为控制像素单元打开的线路，公共电极理解 为LED灯的不输入显示数据的另一端，一般为低压端或接地端。 0097 本发明实施例所述的技术特征，在不冲突的情况下，可任意相互组合使用。 0098 以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何 熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵 盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。 说 明 书CN 102937764 A 10 1/5页 11 图1 图2 图3 说 明 书 附 图CN 102937764 A 11 2/5页 12 图4 图5 图6(a) 说 明 书 附 图CN 102937764 A 12 3/5页 13 图6(b) 图7(a) 图7(b) 说 明 书 附 图CN 102937764 A 13 4/5页 14 图8(a) 图8(b) 图9 说 明 书 附 图CN 102937764 A 14 5/5页 15 图10 说 明 书 附 图CN 102937764 A 15 。