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1、(10)申请公布号 CN 102841513 A (43)申请公布日 2012.12.26 C N 1 0 2 8 4 1 5 1 3 A *CN102841513A* (21)申请号 201210282310.8 (22)申请日 2008.11.18 61/004,772 2007.11.30 US 200880117150.3 2008.11.18 G03F 7/20(2006.01) (71)申请人 ASML荷兰有限公司 地址荷兰维德霍温 (72)发明人 YJG范德维基沃尔 JHJ莫尔斯 WJM沃斯蒂格 PG约克斯 (74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任 公司 11021 代理人王。
2、波波 (54) 发明名称 光刻设备、投影系统和器件制造方法 (57) 摘要 本发明公开了一种光刻设备(1)，包括：投影 系统(7)，其配置成将所述图案化的辐射束(9)投 影到衬底的目标部分上；真空室(8)，在使用期间 所述图案化的辐射束(9)被投影通过真空室；和 净化系统(13、16、17)，其配置成在所述室(8)内 提供净化气体流。 (30)优先权数据 (62)分案原申请数据 (51)Int.Cl. 权利要求书1页 说明书8页 附图4页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 8 页 附图 4 页 1/1页 2 1.一种光刻设备，包括： 照射系。
3、统，其配置成调节辐射束； 支撑结构，其构造成支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在所述辐射束 的横截面上赋予所述辐射束以形成图案化的辐射束； 衬底台，其构造成保持衬底； 投影系统，其配置成将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上； 真空室，在使用期间所述图案化的辐射束被投影通过所述真空室；和 净化系统，其配置成沿所述室内光学装置的表面提供净化气体流路径，其中在离开所 述表面为污染物颗粒的平均扩散长度至少两倍的间隔提供所述净化气体流路径。 2.如权利要求1所述的光刻设备，其中净化系统布置成提供大于10m/s的净化气体流 速度。 3.如权利要求1或2所述的光刻设备，其中沿光学装置的表。
4、面提供的净化气体流的温 度低于光学装置表面的温度。 4.如权利要求1-3中任一项所述的光刻设备，其中净化系统包括净化入口，所述净化 入口配置成供给净化气体流到真空室。 5.如权利要求4所述的光刻设备，其中净化入口布置在对污染物颗粒重要的区域附 近。 6.如权利要求1-5中任一项所述的光刻设备，其中净化系统还包括配置成接收净化气 体流的泵。 7.一种投影系统，配置成将图案化辐射束投影到光刻设备中的衬底的目标部分上，其 中： 所述投影系统包括真空室，在使用期间在真空室内投影所述图案化的辐射束，以及其 中投影系统还包括净化系统，所述净化系统配置成在所述室内沿光学装置的表面提供净化 气体流路径，其中在。
5、离开所述表面为污染物颗粒的平均扩散长度至少两倍的间隔提供所述 净化气体流路径。 8.如权利要求7所述的投影系统，其中净化系统布置成提供大于10m/s的净化气体流 流速。 9.一种器件制造方法，包括将图案化辐射束投影到衬底上，所述方法包括在投影图案 化辐射束并沿真空室内的光学装置的表面引导图案化辐射束的真空室内提供净化气体流， 其中在离开所述表面为污染物颗粒的平均扩散长度至少两倍的间隔提供净化气体流的流 动路径。 10.如权利要求9所述的方法，还包括步骤：提供净化气体流动路径，所述净化气体流 动路径沿图案化辐射束但是在图案化辐射束的外侧并且方向为离开图案化辐射束。 11.如权利要求9或10所述的。
6、方法，其中净化气体流是氢气净化气体流。 12.如权利要求9-11中任一项所述的方法，其中以大于10m/s的净化气体流速度提供 净化气体流。 13.如权利要求9-12中任一项所述的方法，其中沿光学装置的表面提供的净化气体流 的温度低于光学装置表面的温度。 权 利 要 求 书CN 102841513 A 1/8页 3 光刻设备、 投影系统和器件制造方法 0001 本申请是2010年5月20日进入国家阶段的申请号为200880117150.3(国际申请 号PCT/NL2008/050731，国际申请日2008年11月18日)、名称为“光刻设备、投影系统和器 件制造方法”的分案申请。 0002 相关领。
7、域交叉引用 0003 本申请要求于2007年11月30日递交的美国临时申请61/004772的优先权，并且 这里以参考的方式全文并入。 技术领域 0004 本发明涉及一种光刻设备、一种投影系统以及一种器件制造方法。 背景技术 0005 光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例 如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模 或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案 转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。 通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬。
8、底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行 的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包 括：所谓的步进机，在步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个 目标部分；和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描 所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标 部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移 到衬底上。 0006 在已知的光刻系统中，投影系统包括其中投影图案化的辐射束的真空室。这样，投 影束穿过真空室的至少一个区域。在真空室中，具有颗粒。
9、的污染物，例如源自衬底结构的碳 羟基(carbon hydroxyl)颗粒，可能损伤光学元件，例如反射镜。此外，污染物颗粒可能影 响投影束的光学透射率。具体地，极紫外(EUV)光刻系统可能会遭受这种气体污染。 0007 在美国专利申请出版物第US6714279号中，真空室设置有惰性气体源。通过在真 空室中供给惰性气体可以抑制光学部件的污染。 发明内容 0008 期望例如实现一种光刻设备，其中能够进一步地抑制在真空室内产生污染物颗 粒。 0009 根据本发明的一方面，提供一种光刻设备，包括：配置成调节辐射束的照射系统； 构造成支撑图案形成装置的支撑结构，所述图案形成装置能够将图案在所述辐射束的横。
10、截 面上赋予所述辐射束以形成图案化的辐射束；构造成保持衬底的衬底台，配置成将所述图 案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上的投影系统；真空室，在使用期间所述图案化 说 明 书CN 102841513 A 2/8页 4 的辐射束被投影通过真空室；和净化系统，配置成在所述室内提供净化气体流。 0010 根据本发明的一方面，提供一种投影系统，配置成在光刻设备中将图案化辐射束 投影到衬底的目标部分上，其中所述投影系统包括真空室，其中在使用期间所述图案化的 辐射束被投影，并且其中所述投影系统还包括净化系统，所述净化系统配置成在所述室内 提供净化气体流。 0011 根据本发明的一方面，还提供一种器件制造方。
11、法，包括将图案化的辐射束投影到 衬底上，其中在真空室中应用净化气体流，所述图案化辐射束被投影通过所述真空室。 附图说明 0012 现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本发明的实施例，其中，在附 图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中： 0013 图1示出了根据本发明实施例的光刻设备； 0014 图2示出光刻设备的示意图； 0015 图3示出根据本发明实施例的光刻设备的示意图； 0016 图4示出施加在颗粒上的拖曳力和重力的图； 0017 图5示出沿表面行进的污染物颗粒的示意图。 具体实施方式 0018 图1示意地示出了根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括： 0019 。
12、-照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或可见 光辐射)； 0020 -支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与 用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连； 0021 -衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W， 并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连；和 0022 -投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置用于将由图案形成装置MA赋 予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。 0023 照射系统可以包括各种类。
13、型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静 电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。 0024 支撑结构MT以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成 装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用 机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或 台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位 于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都 可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。 0025 这里所使用的术语。
14、“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在 辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意， 被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图 案包括相移特征或所谓的辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的 说 明 书CN 102841513 A 3/8页 5 器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。 0026 图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编 程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如 二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减。
15、型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩 模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地 倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜 矩阵反射的辐射束。 0027 这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，投影系 统的类型可以包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任 意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其 他因素所适合的。这里使用的术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同 义。 0028 如这里所示的，所述设备是反射型的。
16、(例如，采用反射式掩模)。替代地，所述设备 可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。 0029 光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的图案形成 装置支撑结构)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台和/或支撑结构， 或可以在一个或更多个台和/或支撑结构上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台 和/或支撑结构用于曝光。 0030 所述光刻设备还可以是这种类型，其中衬底的至少一部分可以由具有相对高的折 射率的液体覆盖(例如水)，以便填满投影系统和衬底之间的空间。浸没液体还可以施加到 光刻设备的其他空间中，例如掩模和投影系统之间的空间。浸没技术在本领域是熟知的用。
17、 于提高投影系统的数值孔径。这里使用的术语“浸没”并不意味着必须将结构(例如衬底) 浸入到液体中，而仅意味着在曝光过程中液体位于投影系统和该衬底之间。 0031 参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源和所述光刻设备可 以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源看成形成光 刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮 助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器。在其它情况下，所述源可以是所述光刻设 备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需 要时设置的所述束传递系统BD一起。
18、称作辐射系统。 0032 所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器。通常，可以 对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称 为-外部和-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积 分器和聚光器。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀 性和强度分布。 0033 所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置 (例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经穿过图案形成装置MA之 后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统将辐射束聚焦到所述衬底W的目标。
19、部分 C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感 器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐 说 明 书CN 102841513 A 4/8页 6 射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第 一定位装置PM和另一个位置传感器IF1用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案 形成装置MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位) 和短行程模块(精定位)的帮助来实现支撑结构MT的移动。类似地，可以采用形成所述第 二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程。
20、模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进 机的情况下(与扫描器相反)，支撑结构MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。 可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和 衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的 空间(这些公知为划线对齐标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案形成装置 MA上的情况下，所述图案形成装置对准标记可以位于所述管芯之间。 0034 可以将所示的设备用于以下模式中的至少一种中： 0035 1.在步进模式中，在将支撑结构MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所 述辐射束B的整个图。
21、案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底 台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的 最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。 0036 2.在扫描模式中，在对支撑结构MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所 述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构 MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在 扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中所述目标部分C的宽度(沿非扫描 方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述。
22、扫描方向)。 0037 3.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构MT保持为基本 静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目 标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之 后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作 模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列) 的无掩模光刻术中。 0038 也可以附加地或可选地采用上述使用模式的组合和/或变体或完全不同的使用 模式。 0039 图2示意地示出光刻设备1。光刻设备包括照射系统2，例如包括。
23、EUV源，其配置 用以调节辐射束。此外，所述设备1包括支撑结构(为了清楚没有示出)，其配置用以保持 图案形成装置3，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图 案化辐射束。所述设备1还包括衬底台4，其配置成保持衬底。衬底可以通过衬底处理装 置5移动，以便沿衬底交换路径6移动衬底用于下一处理。光刻设备1还包括配置成投影 图案化辐射束的投影系统7和真空室8，在所述真空室中投影所述图案化辐射束。在光刻设 备1运行期间，投影的图案化束9在到达由衬底台4保持的衬底之前穿过真空室8的一区 域。所述设备1还包括泵10，其配置成接收存在于真空室8内的污染物颗粒。在图1中，示 意地示出了示例。
24、性的污染物颗粒11。在被接收于泵10内之前，污染物颗粒11在真空室8 内沿准任意路径(quasi arbitrary path)12移动。 0040 图3示出根据本发明实施例的光刻设备1的示意图。类似于图2中示出的设备1， 说 明 书CN 102841513 A 5/8页 7 根据本发明实施例的光刻设备1包括照射系统2、配置成保持图案形成装置3的支撑结构、 衬底台4、投影系统7以及真空室8。此外，图2中示出的设备1的投影系统7设置有配置 用以在真空室8内提供净化气体流的净化系统。通过在其中投影图案化辐射束的真空室8 内提供净化气体流，可以减少在投影束9穿过室8的区域内的污染物颗粒的数量，因而有。
25、助 于改善投影系统7的光学性能。当污染物颗粒的数量减少，光学透射率可以改善。此外，光 学部件的使用寿命可以延长。 0041 在图3中示出的实施例中，净化系统包括净化入口13，其配置成提供净化气体流 进入真空室8。净化气体基本上沿着特定流动路径15流动，沿所述流动路径15收集污染物 颗粒。此外，净化系统包括两个泵16、17，分别布置在真空室8的相对于投影束9穿过的部 分的相对侧处的侧壁上。净化入口13和泵16、17的位置设计成使得净化气体基本上沿着 净化气体流动路径15、18流动。作为示例，气体流动路径15穿过由投影束9穿过的真空室 8的所述部分。这种气体流动路径15的一部分从由投影束9穿过的区。
26、域朝向辐射束的外侧 延伸，使得从该区域去除污染物颗粒，从而改善所述设备1的光学性能。另一气体流动路径 18沿着投影束9穿过的区域但是在该区域外侧、并且方向是离开投影束9，以使污染物颗粒 排出离开投影束9。在图3中，示出沿方向朝向泵17的路径14行进的污染物颗粒11的示 例。与图1中示出的情形相反，污染物颗粒被泵17收集，而不会穿过投影束9，使得设备1 的光学退化被抵消。此外，因为可以在污染物颗粒跨过衬底交换路径6之前去除污染物颗 粒，将有利于消除污染物颗粒粘附到衬底台4。 0042 可以提供一个或更多个其他净化气体流动路径以从真空室8去除污染物颗粒11。 作为示例，可以提供从真空室8内投影束9。
27、穿过的区域的部分朝向投影束9的外侧的另一 净化气体流动路径，或提供沿投影束9区域但在投影束9区域外侧并且方向为离开投影束 的另一净化气体流动路径。原则上，还可以仅设计一种类型的净化气体流动路径，例如基本 上相对于投影束9横穿地延伸的净化气体流动路径。类似地，可以布置一个或更多个净化 入口和/或一个或更多个泵，用于基本上确定所需的净化气体流动路径。 0043 根据本发明的一方面，一个或更多个净化入口布置在对污染物颗粒重要的区域附 近，使得污染物颗粒更容易地被去除掉，因此消除所谓的死区的存在，即消除污染物颗粒在 被去除之前可以存在相对长时间的区域。 0044 根据本发明的另一方面，一个或更多个泵根。
28、据需要设置在污染物颗粒源的附近。 结果，可以在污染物颗粒穿过投影束9之前从真空室8相对快速地去除污染物颗粒。 0045 根据本发明的一方面，可以根据需要在所述室的由图案化辐射束穿过的区域内应 用氢气净化气体流。有利地，氢气对于EUV辐射具有相对高的透射率，使得投影束可以以最 小程度被氢气干扰。此外，可以在所述室的图案化辐射束的外部区域应用卤素净化气体流， 以改善泵的泵送效率。根据本发明的另一方面，可以沿光学装置的表面提供净化气体流，以 减小污染物颗粒到达这种光学装置表面的机会。 0046 下面描述分别施加在污染物颗粒上的拖曳力和重力的计算。施加在气体流中一般 质量颗粒上的拖曳力以及施加在该质量。
29、颗粒上的重力分别由以下公式给出： 0047 说 明 书CN 102841513 A 6/8页 8 0048 0049 其中F d 表示施加在颗粒中的拖曳力N，M表示气体的摩尔质量kg/mol，R 0 表 示气体常数J/mol.K，T表示温度K，r表示颗粒的半径m，P表示压强Pa，而表 示颗粒在真空室内的相对速度m/s。此外，F g 表示施加在颗粒上的重力N，而表示颗 粒的密度kg/m 3 。 0050 作为示例，在295K和10Pa的条件下，10m/s氢气流中的具有100nm半径的钢颗粒 表现出具有远大于重力的拖曳力。作为计算示例，根据等式(1)和(2)的拖曳力和重力是： 0051 0052 。
30、0053 图4示出作为颗粒的颗粒直径25的函数的、作用在颗粒上的拖曳力和重力26的 示图。具体地，图4示出颗粒的相对速度分别为10m/s、1m/s以及0.1m/s情况下的拖曳力 F d 19，20，21。类似地，图4分别示出钢材料、玻璃材料和尼龙材料的颗粒的重力F g 22，23， 24。从数字结果可以得出，作用在相对小的颗粒上的拖曳力远大于作用于其上的重力。结 果，这种相对小的颗粒基本上是“空气传播”的并且将容易被气流移动。另一方面，相对重 并且大的颗粒在缓慢气流中受到的重力大于拖曳力，使得这种颗粒对所应用的净化气体流 较不敏感。在实际使用情形中，气体流速可以选择成使得可以通过净化气体流去除。
31、存在于 真空室内的污染物颗粒。 0054 被净化气体流去除的污染物颗粒可以沿气流方向的横向方向扩散。为了消除污染 物颗粒离开净化气体流动路径，沿重要表面使气体流动的时间应该比用于跨过流动路径的 扩散时间短。图5示出污染物颗粒32沿表面30在净化气体流动路径31中行进的示意图。 颗粒32可以沿着相对于表面30延伸的方向Y至少部分地横向的扩散路径33行进。污 染物颗粒的扩散路径长度可以采用下面关系式进行计算： 0055 0056 0057 0058 0059 其中X表示在时间ts内的扩散路径长度m，D表示扩散速度m/s，Cc表示 说 明 书CN 102841513 A 7/8页 9 坎宁安滑动常数。
32、，k表示波特曼常数J/K，T表示温度K，表示粘滞度Pa.s，Dp表示 颗粒直径m，表示平均自由路径m，表示气体分子截面，而p表示压强Pa。 0060 作为示例，沿相对于扩散长度X的横向方向Y、沿20cm长度的表面20的10m/ s的气流中的直径为60rm的污染物颗粒平均停留时间为大约0.02s。在0.02s的时间段 内，在10Pa、295K的条件下，氢的平均扩散长度大约为1mm。由此，在实际应用示例中，通过 提供具有速度10ms/s、具有层流行为的净化气体，意味着雷诺数小于大约2300，由于速 度受限于音速并且流动是层流，因此，这种条件符合分子流和粘滞流之间的过渡区域，在净 化气体流动路径中的。
33、至少偏离开重要表面1cm的污染物颗粒原则上不会通过扩散达到重 要表面。通过应用这种至少是平均扩散长度两倍的偏离，可以消除由于扩散污染物颗粒达 到重要表面。此外，为了获得粘滞流，怒森(Knudson)参数Kn小于1，期望远小于1。要注 意的是，平均扩散长度和自由路径长度依赖于压强。作为示例，在10Pa和1Pa的条件下，平 均扩散长度分别为1mm和3mm。类似地，在10Pa和1Pa的条件下，自由路径长度分别为1mm 和10mm，这意味着在1Pa条件下净化流不能被看作粘滞流。 0061 根据本发明另一方面，净化气体流的温度相对低。在一个实施例中，净化气体流的 温度比净化气体流所沿着的光学装置表面的温。
34、度低。由于热泳(thermophoretic)效应，污 染物颗粒会较容易地与光学装置表面保持离开。 0062 虽然本说明书详述了光刻设备在制造ICs中的应用，应该理解到，这里描述的光 刻设备可以有其它的应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显 示器、液晶显示器(LCDs)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该看到，在这种替代应用的情况 中，可以将其中使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目 标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地 将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、测量工具和/或检验。
35、工 具中。在可应用的情况下，可以将这里公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外， 所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以 表示已经包含多个已处理层的衬底。 0063 尽管以上已经做出了具体的参考，在光学光刻术的情况中使用本发明的实施例， 但应该理解的是，本发明可以用于其它应用中，例如压印光刻术，并且只要情况允许，不局 限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可 以将所述图案形成装置的拓扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁 辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图。
36、案形成装置 从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。 0064 这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外辐射(UV) (例如具有或约为365、355、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如波 长范围在5-20nm)，以及粒子束，例如离子束或电子束。 0065 在上下文允许的情况下，所述术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何 一种或它们的组合，包括折射式、反射式、磁性式、电磁式和静电式的光学部件。 0066 尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明可以以与上述 不同的方式来实现。例如，本发明可以采用包含用于描述一。
37、种如上面公开的方法的一个或 更多个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或具有存储其中的所述计算机程序的数据 说 明 书CN 102841513 A 8/8页 10 存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。 0067 上面描述的内容是例证性的，而不是限定的。因而，应该认识到，本领域的技术人 员在不脱离以下所述权利要求的范围的情况下，可以对上述本发明进行更改。 说 明 书CN 102841513 A 10 1/4页 11 图1 图2 说 明 书 附 图CN 102841513 A 11 2/4页 12 图3 说 明 书 附 图CN 102841513 A 12 3/4页 13 图4 说 明 书 附 图CN 102841513 A 13 4/4页 14 图5 说 明 书 附 图CN 102841513 A 14 。