银离子扩散抑制层形成用组成物、银离子扩散抑制层用膜、配线基板、电子装置、导电膜层压体及触摸屏.pdf

本发明的目的在于提供一种可形成银离子扩散抑制层的银离子扩散抑制层形成用组成物，所述银离子扩散抑制层可抑制含有银或银合金的金属配线间的银的离子迁移，且提高金属配线间的绝缘可靠性。本发明的银离子扩散抑制层形成用组成物含有：绝缘树脂以及化合物，而所述化合物具有：选自由三唑结构、噻二唑结构及苯并咪唑结构所组成的组群中的结构；巯基；以及一个以上的可含有杂原子的烃基，且烃基中的碳原子的合计数(然而，在具有多个烃基的情形时，为各烃基中的碳原子数的合计数)为5以上。

权利要求书
1.  一种银离子扩散抑制层形成用组成物，其含有：
绝缘树脂；以及
化合物，其具有：
选自由三唑结构、噻二唑结构及苯并咪唑结构所组成的组群中的结构；
巯基；以及
一个以上的可含有杂原子的烃基，
且所述烃基中的碳原子的合计数(而且，在具有多个所述烃基的情形时，为各烃基中的碳原子数的合计数)为5以上。

2.  根据权利要求1所述的银离子扩散抑制层形成用组成物，其中所述化合物为式(1)～式(3)的任一个所表示的化合物，

(式(1)中，R1及R2分别独立地表示氢原子或可含有杂原子的烃基，R1及R2的至少一个表示所述烃基，R1及R2的各基团中所含的碳原子数的合计数为5以上；
式(2)中，R3表示可含有杂原子的烃基，R3中所含的碳原子数为5以上；
式(3)中，R4～R7分别独立地表示氢原子、卤素原子或可含有杂原子的烃基，R4～R7的至少一个表示所述烃基，R4～R7的各基团中所含的碳原子数的合计数为5以上)。

3.  根据权利要求1或2所述的银离子扩散抑制层形成用组成物，其中所述烃基为含有三级碳原子及/或四级碳原子的烃基。

4.  根据权利要求1-3中任一项所述的银离子扩散抑制层形成用组成 物，其中所述烃基为含有选自由下述式(B-1)～式(B-7)所组成的组群中的至少一种基团的烃基(而且，亦可为下述式(B-1)～式(B-7)中的多个*的一个直接键结于选自由所述三唑结构、所述噻二唑结构及所述苯并咪唑结构所组成的组群中的结构的烃基)，

(式(B-1)～式(B-7)中，Xa为选自由氧原子、硫原子、硒原子及碲原子所组成的组群中的原子；多个Xa可相同亦可不同；Xb为氧原子或硫原子；多个Xb可相同亦可不同；*表示键结位置)。

5.  根据权利要求1-4中任一项所述的银离子扩散抑制层形成用组成物，其中所述烃基为-S-Rq所表示的基团(Rq表示可具有-COO-或-CON＜的碳数1～30的烃基)。

6.  一种银离子扩散抑制层用膜，其含有：
绝缘树脂；以及
化合物，其具有：
选自由三唑结构、噻二唑结构及苯并咪唑结构所组成的组群中的结构；
巯基；以及
一个以上的可含有杂原子的烃基，
且所述烃基中的碳原子的合计数(而且，在具有多个所述烃基的情形时，为各烃基中的碳原子数的合计数)为5以上。

7.  根据权利要求6所述的银离子扩散抑制层用膜，其中所述化合物为式(1)～式(3)的任一个所表示的化合物，

(式(1)中，R1及R2分别独立地表示氢原子或可含有杂原子的烃基，R1及R2的至少一个表示所述烃基，R1及R2的各基团中所含的碳原子数的合计数为5以上；
式(2)中，R3表示可含有杂原子的烃基，R3中所含的碳原子数为5以上；
式(3)中，R4～R7分别独立地表示氢原子、卤素原子或可含有杂原子的烃基，R4～R7的至少一个表示所述烃基，R4～R7的各基团中所含的碳原子数的合计数为5以上)。

8.  根据权利要求6或7所述的银离子扩散抑制层用膜，其中所述烃基为含有三级碳原子及/或四级碳原子的烃基。

9.  根据权利要求6-8中任一项所述的银离子扩散抑制层用膜，其中所述烃基为含有选自由下述式(B-1)～式(B-7)所组成的组群中的至少一种基团的烃基(而且，亦可为下述式(B-1)～式(B-7)中的多个*的一个直接键结于选自由所述三唑结构、所述噻二唑结构及所述苯并咪唑结构所组成的组群中的结构的烃基)，

(式(B-1)～式(B-7)中，Xa为选自由氧原子、硫原子、硒原子及碲原子所组成的组群中的原子；多个Xa可相同亦可不同；Xb为氧原子或硫原子；多个Xb可相同亦可不同；*表示键结位置)。

10.  根据权利要求6-9中任一项所述的银离子扩散抑制层用膜，其中所述烃基为-S-Rq所表示的基团(Rq表示可具有-COO-或-CON＜的碳数1～30的烃基)。

11.  一种配线基板，其具备绝缘基板、配置于所述绝缘基板上的含有银或银合金的金属配线、以及配置于所述金属配线上的银离子扩散抑制层，并且
所述银离子扩散抑制层含有：绝缘树脂以及化合物，所述化合物具有：
选自由三唑结构、噻二唑结构及苯并咪唑结构所组成的组群中的结构；
巯基；以及
一个以上的键结于所述结构的可含有杂原子的烃基，
且所述烃基中的碳原子的合计数(而且，在具有多个所述烃基的情形时，为各烃基中的碳原子数的合计数)为5以上。

12.  根据权利要求11所述的配线基板，其中所述化合物为式(1)～式(3)的任一个所表示的化合物，

(式(1)中，R1及R2分别独立地表示氢原子或可含有杂原子的烃基，R1及R2的至少一个表示所述烃基，R1及R2的各基团中所含的碳原子数的合计数为5以上；
式(2)中，R3表示可含有杂原子的烃基，R3中所含的碳原子数为5以上；
式(3)中，R4～R7分别独立地表示氢原子、卤素原子或可含有杂原子的烃基，R4～R7的至少一个表示所述烃基，R4～R7的各基团中所含的碳原子数的合计数为5以上)。

13.  根据权利要求11或12所述的配线基板，其中所述烃基为含有三级碳原子及/或四级碳原子的烃基。

14.  根据权利要求11-13中任一项所述的配线基板，其中所述烃基为含有选自由下述式(B-1)～式(B-7)所组成的组群中的至少一种基团的烃基(而且，亦可为下述式(B-1)～式(B-7)中的多个*的一个直接键结于选自由所述三唑结构、所述噻二唑结构及所述苯并咪唑结构所组成的组群中的结构的烃基)，

(式(B-1)～式(B-7)中，Xa为选自由氧原子、硫原子、硒原子及碲原子所组成的组群中的原子；多个Xa可相同亦可不同；Xb为氧原子或硫原子；多个Xb可相同亦可不同；*表示键结位置)。

15.  根据权利要求11-14中任一项所述的配线基板，其中所述烃基为-S-Rq所表示的基团(Rq表示可具有-COO-或-CON＜的碳数1～30的烃基)。

16.  一种电子装置，其具备如权利要求11-15中任一项所述的配线基板。

17.  一种导电膜层压体，其具备透明基板、配置于所述透明基板上的含有银或银合金的导电膜、以及贴合于所述导电膜上的透明双面粘着片材，并且
在所述透明双面粘着片材中含有化合物，所述化合物具有：
选自由三唑结构、噻二唑结构及苯并咪唑结构所组成的组群中的结构；
巯基；以及
一个以上的可含有杂原子的烃基，
且所述烃基中的碳原子的合计数(而且，在具有多个所述烃基的情形时，为各烃基中的碳原子数的合计数)为5以上。

18.  根据权利要求17所述的导电膜层压体，其中所述化合物为式(1)～式(3)的任一个所表示的化合物，

(式(1)中，R1及R2分别独立地表示氢原子或可含有杂原子的烃基，R1及R2的至少一个表示所述烃基，R1及R2的各基团中所含的碳原子数的合计数为5以上；
式(2)中，R3表示可含有杂原子的烃基，R3中所含的碳原子数为5以上；
式(3)中，R4～R7分别独立地表示氢原子、卤素原子或可含有杂原子的烃基，R4～R7的至少一个表示所述烃基，R4～R7的各基团中所含的碳原子数的合计数为5以上)。

19.  根据权利要求17或18所述的导电膜层压体，其中所述烃基为含有三级碳原子及/或四级碳原子的烃基。

20.  根据权利要求17-19中任一项所述的导电膜层压体，其中所述烃基为含有选自由下述式(B-1)～式(B-7)所组成的组群中的至少一种基团的烃基(而且，亦可为下述式(B-1)～式(B-7)中的多个*的一个直接键结于选自由所述三唑结构、所述噻二唑结构及所述苯并咪唑结构所组成的组群中的结构的烃基)，

(式(B-1)～式(B-7)中，Xa为选自由氧原子、硫原子、硒原子及碲原子所组成的组群中的原子；多个Xa可相同亦可不同；Xb为氧原子或硫原子；多个Xb可相同亦可不同；*表示键结位置)。

21.  根据权利要求17-20中任一项所述的导电膜层压体，其中所述烃基为-S-Rq所表示的基团(Rq表示可具有-COO-或-CON＜的碳数1～30的烃基)。

22.  根据权利要求17-21中任一项所述的导电膜层压体，其中所述导电膜含有包含银或银合金的金属纳米线。

23.  根据权利要求17-22中任一项所述的导电膜层压体，其中所述透明双面粘着片材含有丙烯酸系粘着剂。

24.  一种触摸屏，其含有如权利要求17-23中任一项所述的导电膜层压体。

说明书银离子扩散抑制层形成用组成物、银离子扩散抑制层用膜、配线基板、电子装置、导电膜层压体及触摸屏
技术领域
本发明涉及一种银离子扩散抑制层形成用组成物、银离子扩散抑制层用膜、配线基板、电子装置、导电膜层压体及触摸屏。
背景技术
从前以来，在绝缘基板表面上配置有金属配线的配线基板被广泛用于电子构件、半导体组件中。作为构成金属配线的金属，常使用导电性高的银、铜，但该些金属有容易产生离子迁移(ionic migration)的问题，特别是银明显地表现出该问题。
作为防止此种金属的离子迁移的方法，已提出有一种在聚合物层中导入金属离子吸附化合物的方法(专利文献1)。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2008-192850号公报
发明内容
一方面，近年来，由于半导体集成电路或芯片零件等的小型化，正在推进金属配线的微细化。因此，配线基板中的金属配线的间隔变得更狭小，更容易产生由离子迁移所致的电路的短路。在此种状况下，要求配线基板中的含有银或银合金的金属配线间的绝缘可靠性进一步提高。
本发明者将专利文献1中揭示的导入有含硫醇化合物等与金属离子形成有机金属盐的化合物的聚合物层设置于含有银或银合金的金属配线上，并对其绝缘可靠性进行了研究。结果在金属配线间确认到配线间电阻明显减小，其离子迁移抑制效果不满足如今所要求的水平，需要进一步改良。
鉴于上述实际情况，本发明的目的在于提供一种可形成银离子扩散抑制 层的银离子扩散抑制层形成用组成物，所述银离子扩散抑制层可抑制含有银或银合金的金属配线间的银的离子迁移，且提高金属配线间的绝缘可靠性。
另外，本发明的目的在于提供一种银离子扩散抑制层用的膜及具备该银离子扩散抑制层的配线基板，所述银离子扩散抑制层可抑制含有银或银合金的金属配线间的由银的离子迁移所致的短路，而且金属配线间的绝缘可靠性更优异。
进而，本发明的目的亦在于提供一种导电膜层压体，其可抑制含有银或银合金的导电膜间的银的离子迁移，提高导电膜间的绝缘可靠性。
本发明者等人对现有技术的问题进行了专心研究，结果发现，专利文献1中揭示的含硫醇化合物等金属离子吸附化合物在聚合物层中的分散性受到影响。更具体而言，专利文献1中揭示的含硫醇化合物等金属离子吸附化合物由于其结构而分散性低。因此，即便欲将该金属离子吸附化合物导入至聚合物层(树脂层)中，亦难以使该化合物在聚合物层中均匀地分散，无法获得抑制金属离子(特别是银离子)的迁移的效果。另外，若欲将大量的该金属离子吸附化合物导入至聚合物层中，则该化合物在聚合物层中析出，引起聚合物的劣化，引起电气可靠性的劣化。进而，可能产生促进金属离子的扩散、引起配线破坏等问题。
根据上述见解，本发明者等人发现，藉由使用含有具有特定官能基的化合物的组成物来形成银离子扩散抑制层，可解决上述课题。
即，本发明者等人发现，藉由以下构成可解决上述课题。
(1)一种银离子扩散抑制层形成用组成物，其含有：
绝缘树脂；以及
化合物，其具有：
选自由三唑结构、噻二唑结构及苯并咪唑结构所组成的组群中的结构；
巯基(mercapto group)；以及
一个以上的可含有杂原子的烃基，
且所述烃基中的碳原子的合计数(而且，在具有多个所述烃基的情形时，为各烃基中的碳原子数的合计数)为5以上。
(2)如上述(1)所记载的银离子扩散抑制层形成用组成物，其中所述化合物为后述式(1)～式(3)的任一个所表示的化合物。
(3)如上述(1)或(2)所记载的银离子扩散抑制层形成用组成物，其中所述烃基为含有三级碳原子及/或四级碳原子的烃基。
(4)如上述(1)或(2)所记载的银离子扩散抑制层形成用组成物，其中所述烃基为含有选自由后述式(B-1)～式(B-7)所组成的组群中的至少一种基团的烃基(而且，亦可为后述式(B-1)～式(B-7)中的多个*的一个直接键结于选自由所述三唑结构、所述噻二唑结构及所述苯并咪唑结构所组成的组群中的结构的烃基)。
(5)如上述(1)或(2)所记载的银离子扩散抑制层形成用组成物，其中所述烃基为-S-Rq所表示的基团(Rq表示可具有-COO-或-CON＜的碳数1～30的烃基)。
(6)一种银离子扩散抑制层用膜，其含有：
绝缘树脂；以及
化合物，其具有：
选自由三唑结构、噻二唑结构及苯并咪唑结构所组成的组群中的结构；
巯基；以及
一个以上的可含有杂原子的烃基，
且所述烃基中的碳原子的合计数(而且，在具有多个所述烃基的情形时，为各烃基中的碳原子数的合计数)为5以上。
(7)如上述(6)所记载的银离子扩散抑制层用膜，其中所述化合物为后述式(1)～式(3)的任一个所表示的化合物。
(8)如上述(6)或(7)所记载的银离子扩散抑制层用膜，其中所述烃基为含有三级碳原子及/或四级碳原子的烃基。
(9)如上述(6)或(7)所记载的银离子扩散抑制层用膜，其中所述烃基为含有选自由后述式(B-1)～式(B-7)所组成的组群中的至少一种基团的烃基(而且，亦可为后述式(B-1)～式(B-7)中的多个*的一个直接键结于选自由所述三唑结构、所述噻二唑结构及所述苯并咪唑结构所组成的组群中的结构的烃基)。
(10)如上述(6)或(7)所记载的银离子扩散抑制层用膜，其中所述烃基为-S-Rq所表示的基团(Rq表示可具有-COO-或-CON＜的碳数1～30的烃基)。
(11)一种配线基板，其具备绝缘基板、配置于所述绝缘基板上的含有银或银合金的金属配线、以及配置于所述金属配线上的银离子扩散抑制层，并且
所述银离子扩散抑制层含有：绝缘树脂以及化合物，所述化合物具有：
选自由三唑结构、噻二唑结构及苯并咪唑结构所组成的组群中的结构；
巯基；以及
一个以上的键结于所述结构的可含有杂原子的烃基，
且所述烃基中的碳原子的合计数(而且，在具有多个所述烃基的情形时，为各烃基中的碳原子数的合计数)为5以上。
(12)如上述(11)所记载的配线基板，其中所述化合物为后述式(1)～式(3)的任一个所表示的化合物。
(13)如上述(11)或(12)所记载的配线基板，其中所述烃基为含有三级碳原子及/或四级碳原子的烃基。
(14)如上述(11)或(12)所记载的配线基板，其中所述烃基为含有选自由后述式(B-1)～式(B-7)所组成的组群中的至少一种基团的烃基(而且，亦可为后述式(B-1)～式(B-7)中的多个*的一个直接键结于选自由所述三唑结构、所述噻二唑结构及所述苯并咪唑结构所组成的组群中的结构的烃基)。
(15)如上述(11)或(12)所记载的配线基板，其中所述烃基为-S-Rq所表示的基团(Rq表示可具有-COO-或-CON＜的碳数1～30的烃基)。
(16)一种电子装置，其具备如上述(11)至(15)中任一项所记载的配线基板。
(17)一种导电膜层压体，其具备透明基板、配置于所述透明基板上的含有银或银合金的导电膜、以及贴合于所述导电膜上的透明双面粘着片材，并且
在所述透明双面粘着片材中含有化合物，所述化合物具有：
选自由三唑结构、噻二唑结构及苯并咪唑结构所组成的组群中的结构；
巯基；以及
一个以上的可含有杂原子的烃基，
且所述烃基中的碳原子的合计数(而且，在具有多个所述烃基的情形时， 为各烃基中的碳原子数的合计数)为5以上。
(18)如上述(17)所记载的导电膜层压体，其中所述化合物为后述式(1)～式(3)的任一个所表示的化合物。
(19)如上述(17)或(18)所记载的导电膜层压体，其中所述烃基为含有三级碳原子及/或四级碳原子的烃基。
(20)如上述(17)或(18)所记载的导电膜层压体，其中所述烃基为含有选自由后述式(B-1)～式(B-7)所组成的组群中的至少一种基团的烃基(而且，亦可为后述式(B-1)～式(B-7)中的多个*的一个直接键结于选自由所述三唑结构、所述噻二唑结构及所述苯并咪唑结构所组成的组群中的结构的烃基)。
(21)如上述(17)或(18)所记载的导电膜层压体，其中所述烃基为-S-Rq所表示的基团(Rq表示可具有-COO-或-CON＜的碳数1～30的烃基)。
(22)如上述(17)或(18)所记载的导电膜层压体，其中所述导电膜含有包含银或银合金的金属纳米线。
(23)如上述(17)或(18)所记载的导电膜层压体，其中所述透明双面粘着片材含有丙烯酸系粘着剂。
(24)一种触摸屏，其含有如上述(17)至(23)中任一项所记载的导电膜层压体。
[发明的效果]
根据本发明，可提供一种可形成银离子扩散抑制层的银离子扩散抑制层形成用组成物，所述银离子扩散抑制层可抑制含有银或银合金的金属配线间的银的迁移，且提高金属配线间的绝缘可靠性。
另外，根据本发明，亦可提供一种银离子扩散抑制层用的膜及具备该银离子扩散抑制层的配线基板，所述银离子扩散抑制层可抑制含有银或银合金的金属配线间的银的离子迁移，而且金属配线间的绝缘可靠性更优异。
进而，根据本发明，亦可提供一种导电膜层压体，该导电膜层压体可抑制含有银或银合金的导电膜间的银的离子迁移，且提高导电膜间的绝缘可靠性。
附图说明
图1为本发明的配线基板的较佳实施方式的示意性剖面图。
图2为本发明的配线基板的其他较佳实施方式的示意性剖面图。
图3为本发明的带有绝缘层的配线基板的较佳实施方式的示意性剖面图。
图4为本发明的导电膜层压体的一实施方式的示意性剖面图。
图5为本发明的导电膜层压体的其他实施方式的示意性剖面图。
图6(A)为本发明的触摸屏的一实施形态的示意性俯视图。
图6(B)为沿着图6(A)的A-B线的示意性剖面箭视图。
图7为本发明的触摸屏的其他实施方式的示意性剖面图。
图8为本发明的触摸屏的其他实施方式的示意性剖面图。
图9(A)为实施例中使用的导电膜层压体的示意性俯视图。
图9(B)为沿着图9(A)的A-B线的示意性剖面箭视图。
具体实施方式
以下，对本发明的银离子扩散抑制层形成用组成物、银离子扩散抑制层用膜、配线基板、导电膜层压体的较佳实施方式加以说明。
首先，对本发明的与现有技术相比较的特征加以详述。
如上所述，在本发明中发现：藉由控制与银离子形成有机金属盐的化合物、与该化合物分散的绝缘树脂的相溶性，可获得所需的效果。更具体而言，藉由将特定官能基导入至化合物中，而提高该化合物在绝缘树脂中的分散性，在不引起绝缘树脂的劣化等的情况下提高银配线的离子迁移抑制效果。
首先，对银离子扩散抑制层形成用组成物加以详述，然后对银离子扩散抑制层用膜及配线基板加以详述。关于导电膜层压体，将在下文的段落中加以详述。
<银离子扩散抑制层形成用组成物>
银离子扩散抑制层形成用组成物(迁移抑制层形成用组成物，以下亦简称为组成物)是用以于含有银或银合金的金属配线(以下亦简称为金属配线)上形成抑制银的离子迁移的银离子扩散抑制层(迁移抑制层)的组成物。
以下，对组成物中所含的成分加以详述。
(绝缘树脂)
组成物中含有绝缘树脂。绝缘树脂覆盖金属配线，且配置于金属配线间，藉此确保金属配线间的绝缘性。
所使用的绝缘树脂可使用公知的绝缘性树脂，就银离子扩散抑制层的层形成更容易的方面而言，较佳为使用硬化性绝缘树脂(例如热硬化性绝缘树脂及光硬化性绝缘树脂)。
热硬化性绝缘树脂例如可列举：环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸系树脂、酚树脂、三聚氰胺树脂、硅树脂、不饱和聚酯树脂、氰酸酯树脂、异氰酸酯树脂以及该等的改质树脂等。
光硬化性绝缘树脂例如可列举：不饱和聚酯树脂、聚酯丙烯酸酯树脂、丙烯酸氨基甲酸酯(urethane acrylate)树脂、硅酮丙烯酸酯树脂、环氧丙烯酸酯树脂或该等的改质树脂等。
其他绝缘树脂例如亦可列举：聚乙烯(Polyethylene，PE)、聚丙烯(Polypropene，PP)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(Ethylene Vinyl Acetate copolymer，EVA)、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物(Ethylene-Ethyl Acrylate，EEA)、聚乳酸、含氟树脂、聚醚砜树脂、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)树脂、聚醚醚酮(polyetheretherketone)树脂等热塑性树脂。
其中，就与后述化合物的相溶性更优异的方面而言，较佳为环氧树脂、丙烯酸系树脂。
另外，视需要亦可使绝缘树脂含浸于玻璃织布、玻璃无纺布、芳族聚酰胺(aramid)无纺布等芯材中而使用。具体而言，亦可使用玻璃布环氧树脂、玻璃布双马来酰亚胺三嗪树脂、玻璃布聚苯醚树脂、芳族聚酰胺无纺布-环氧树脂、芳族聚酰胺无纺布-聚酰亚胺树脂等。
进而，在绝缘树脂为硬化性树脂的情形时，视需要亦可并用硬化剂、硬化促进剂等。
而且，亦可将两种以上的绝缘树脂混合而用作绝缘树脂。
组成物中的绝缘树脂的含量并无特别限制，可适当地选择最适的量。例如在组成物含有溶剂的情形时，就操作更容易、容易控制银离子扩散抑制层的膜厚的方面而言，相对于组成物总量，绝缘树脂的含量较佳为15质量％～ 80质量％，更佳为20质量％～75质量％。
(化合物)
组成物中含有以下化合物，该化合物为具有：选自由三唑结构、噻二唑结构及苯并咪唑结构所组成的组群中的结构；巯基以及特定官能基的化合物(以下亦称为含SH基的化合物)。该含SH基的化合物主要发挥以下作用：经由SH基而与金属配线接触，抑制金属配线的腐蚀，并且分散于银离子扩散抑制层中而抑制银的离子迁移的产生。
含SH基的化合物含有选自由三唑结构、噻二唑结构及苯并咪唑结构所组成的组群中的结构。其中，就离子迁移抑制能力更优异的方面而言，较佳为三唑结构、噻二唑结构。
而且，通常已知巯基富有与银生成共价键的反应性。不含上述三唑结构、噻二唑结构及苯并咪唑结构等且含有SH基的化合物X可与该含SH基的化合物同样地经由SH基而与银离子形成盐。然而，由该化合物X与银离子所形成的盐若处于与含有银或银合金的金属配线直接接触的组成物中，则可能有溶解配线等而对金属配线造成极大的影响的担忧。另一方面，具有上述既定结构的含SH基的化合物的情况下，可抑制此种对金属配线的影响，并且银的离子迁移的抑制效果亦优异。
而且，若更具体地例示该结构，则分别可由以下的式(X)～式(Z)来表示。

含SH基的化合物中含有巯基(HS-)。巯基富有与银生成共价键的反应性。该巯基键结于上述三唑结构等结构。
含SH基的化合物中的巯基的量并无特别限制，就化合物在绝缘树脂中的分散性更良好的方面而言，相对于化合物的总分子量中，巯基的原子量总量所占的比例较佳为50％以下，特佳为40％以下。
而且，巯基亦可含有多个而非仅一个。
含SH基的化合物具有一个以上的可含有杂原子的烃基(以下亦简称为烃基)，且烃基中的碳原子的合计数(而且，在具有多个烃基的情形时，是指各烃基中的碳原子数的合计数)为5以上。藉由使该烃基含于化合物中，与绝缘树脂的相溶性变得更高，并且亦可进一步提高抑制银的离子迁移的效果。
烃基为含有碳原子及氢原子的基团。该烃基通常键结于上述三唑结构等。烃基更具体可列举：脂肪族烃基、芳香族烃基或将该等组合而成的基团。
各烃基中的碳数并无特别限制，只要后述合计碳数显示5以上则并无特别限制，就银的离子迁移抑制能力更优异的方面而言，较佳为4以上，更佳为6以上，特佳为8以上。上限并无特别限制，就银的离子迁移抑制能力更优异的方面而言，较佳为碳数62以下，更佳为碳数30以下，进而佳为24以下。
脂肪族烃基较佳为碳数4以上，更佳为碳数6以上。上限并无特别限制，就银的离子迁移抑制能力更优异的方面而言，较佳为40以下。脂肪族烃基可为直链状、分支链状、环状的任一种，就化合物在绝缘树脂中的分散性更优异的方面而言，较佳为直链状的脂肪族烃部分的碳原子数为18以下、或者含有三级碳原子或四级碳原子的分支链状。
芳香族烃基较佳为碳数6以上，更佳为二取代以上的芳香族烃基。
键结于上述结构的所有烃基中的碳原子的合计数显示5以上。若碳原子的合计数为该范围，则可抑制银的离子迁移，且金属配线间的绝缘可靠性提高。而且，就该效果更优异的方面而言，合计数较佳为6以上，更佳为8以上。而且，上限并无特别限制，就合成更容易、在绝缘树脂中的分散性更优异的方面而言，合计数较佳为36以下，更佳为24以下。
而且，在化合物中烃基的个数为1个的情形时，只要该烃基中的碳原子数为5以上即可。
另外，在化合物中含有多个烃基的情形时，只要各烃基中所含的碳原子数的合计数为5以上即可。更具体而言，在化合物中含有2个烃基(烃基A、烃基B)的情形时，只要烃基A中的碳原子数与烃基B中的碳原子数的合计数为5以上即可。
而且，上述碳原子的合计数亦可由以下的式(A)来表示。
即，该化合物只要式(A)所表示的合计碳数TC为5以上即可。
Tc=Σi=1mCi]]>式(A)
式(A)中，Ci表示化合物中所含的第i个烃基中的碳数，i表示1～m的整数。
烃基中亦可含有杂原子。即，亦可为含有杂原子的烃基。所含有的杂原子的种类并无特别限制，可列举卤素原子、氧原子、氮原子、硫原子、硒原子、碲原子等。其中，就银的离子迁移抑制能力优异的方面而言，较佳为以-X1-、-N(Ra)-、-C(＝X2)-、-CON(Rb)-、-C(＝X3)X4-、-SOn-、-SO2N(Rc)-、卤素原子或将该等组合而成的基团的态样而含有杂原子。
X1～X4分别独立地选自由氧原子、硫原子、硒原子及碲原子所组成的组群中。其中，就操作更简便的方面而言，较佳为氧原子、硫原子。
上述Ra、Rb、Rc分别独立地选自氢原子或碳数1～20的烃基中。
n表示1～3的整数。
在烃基中含有杂原子的情形时，杂原子可存在于烃基的链中，亦可存在于端部(末端部)。而且，在杂原子存在于烃基中的端部的情形时，烃基亦能以通过该杂原子直接键结于上述三唑结构等的形式而键结于三唑结构等。即，在烃基中，亦可将杂原子配置于与三唑结构等的键结位置。
在杂原子存在于烃基的键结位置的情形时，烃基的具体例例如可列举-O-Rp、-S-Rq、-SOn-Rr等。其中，较佳为-S-Rq，其原因在于银的离子迁移抑制能力更稳定地优异。
此处，Rp、Rq、Rr分别独立地为可具有-COO-或-CON＜的碳数1～30的烃基。其中，较佳为可具有-COO-或-CON＜的碳数5～20的烃基。
而且，在烃基中含有杂原子的情形时，亦能以巯基(-SH)的态样而含有杂原子。
烃基的一个较佳态样可列举含有三级碳原子及/或四级碳原子的烃基。
在烃基含有三级碳原子及/或四级碳原子的情形时，含SH基的化合物在绝缘树脂中的分散性更优异，及/或在后述溶剂(例如乙酸乙酯、甲苯、甲基乙基酮等)中的溶解性更优异。结果更均质地表现出银的离子迁移抑制能力， 另外，更不易产生诱发银的离子迁移的微晶或来源于微晶的气泡。
在烃基为含有三级碳原子及/或四级碳原子的烃基的情形时，较佳为三级碳原子及/或四级碳原子为不对称碳原子，且含SH基的化合物为镜像异构物(enantiomer)的混合物。
另外，烃基较佳为含有多个三级碳原子及/或四级碳原子的烃基。在烃基含有多个三级碳原子及/或四级碳原子的情形时，较佳为三级碳原子及/或四级碳原子为不对称碳原子，且含SH基的化合物为非镜像异构物(diastereomer)的混合物，其原因在于含SH基的化合物的分散性更优异。
含有三级碳原子及/或四级碳原子的烃基的碳数较佳为5～30，更佳为6～20。若为上述范围，则含SH基的化合物的分散性更优异，结果更均质地表现出银的离子迁移抑制能力。另外，若为上述范围，则就含SH基的化合物中的巯基的量的方面而言，银的离子迁移抑制能力更优异。
含有三级碳原子及/或四级碳原子的烃基的具体例例如可列举：含有三级碳原子及/或四级碳原子的脂肪族烃基、芳香族烃基或将该等组合而成的烃基等。
烃基(较佳为含有三级碳原子及/或四级碳原子)的具体例例如可列举含有以下基团的态样。此处，黑点表示键结位置。


烃基的其他较佳态样可列举含有选自下述式(B-1)～式(B-7)所组成的组群中的至少一种基团的烃基。
在烃基含有选自由下述式(B-1)～式(B-7)所组成的组群中的至少一种基团的情形时，与上述含有三级碳原子及/或四级碳原子的情形同样地，含SH基的化合物在绝缘树脂中的分散性更优异，及/或在后述溶剂(例如乙酸乙酯、甲苯、甲基乙基酮等)中的溶解性更优异。结果更均质地表示出银的离子迁移抑制能力，另外，更不易产生诱发银的离子迁移的微晶或来源于微晶的气泡。烃基亦可含有选自由下述式(B-1)～式(B-7)所组成的组群中的两种以上的基团。

上述式(B-1)～式(B-7)中，Xa为选自由氧原子、硫原子、硒原子及碲原子所组成的组群中的原子。其中，就操作更简便的方面而言，较佳为氧原子、硫原子。多个Xa可相同亦可不同。Xb为氧原子或硫原子。多个Xb可相同亦可不同。*表示键结位置。
亦可于*上键结碳数1～30的脂肪族烃基或碳数6～30的芳香族烃基。
含有选自由上述式(B-1)～式(B-7)所组成的组群中的至少一种基团的烃基亦可为上述式(B-1)～式(B-7)中的多个*的一个直接键结于选自由三唑结构、噻二唑结构及苯并咪唑结构所组成的组群中的结构的烃基。
烃基含有上述式(B-1)或式(B-2)所表示的基团的态样的具体例，例如可列举含有以下基团的态样。此处，黑点表示键结位置。

烃基含有上述式(B-3)～式(B-7)所表示的基团的任一个的态样的具体例例如可列举含有以下基团的态样。此处，黑点表示键结位置。

含SH基的化合物的分子量并无特别限制，就与绝缘树脂的相溶性更优异的方面而言，较佳为50～1000，更佳为100～600。
(较佳态样)
含SH基的化合物的较佳态样可列举以下的式(1)～式(3)所表示的化合物。若为该化合物，则离子迁移抑制能力更优异。特别就本发明的效果更优异的方面而言，较佳为式(1)或式(2)所表示的化合物。

式(1)中，R1及R2分别独立地表示氢原子或可含有杂原子的烃基，R1及R2的至少一个表示可含有杂原子的烃基，R1及R2的各基团中所含的碳原子数的合计数为5以上。
R1及R2的较佳态样可列举：可含有-X1-、-N(Ra)-、-C(＝X2)-、-CON(Rb)-、 -C(＝X3)X4-、-SOn-、-SO2N(Rc)-或卤素原子的烃基(例如脂肪族烃基、芳香族烃基或该等的组合)。X1～X4、Ra～Rc、n的定义如上所述。其中，就含SH基的化合物的迁移抑制能力更优异的方面而言，可列举芳基或者可含有-X1-、-N(Ra)-、-C(＝X2)-、-CON(Rb)-或-C(＝X3)X4-的烃基，更佳为R1及R2中的至少任一个为脂肪族烃基。
而且，烃基(脂肪族烃基及芳香族烃基)的较佳态样如上所述，杂原子的种类亦如上所述。
R1及R2的其他较佳态样可列举含有三级碳原子及/或四级碳原子的烃基。含有三级碳原子及/或四级碳原子的烃基的具体例如上所述。
R1及R2的其他较佳态样可列举：含有选自由上述式(B-1)～式(B-7)所组成的组群中的至少一种基团的烃基。含有上述基团的烃基的具体例如上所述。
在式(1)中，R1及R2的各基团中所含的碳原子数的合计数为5以上。换言之，只要R1中的碳原子数与R2中的碳原子数的合计数(合计碳数)为5以上即可。而且，合计数的较佳态样如上所述。
式(2)中，R3表示可含有杂原子的烃基，R3中所含的碳原子数为5以上。
该烃基的定义如上所述。而且，在式(2)中，该烃基的较佳态样可列举：可含有-X1-、-N(Ra)-、-C(＝X2)-、-CON(Rb)-、-C(＝X3)X4-、-SOn-、-SO2N(Rc)-或卤素原子的烃基(例如脂肪族烃基、芳香族烃基或该等的组合)，其中，就离子迁移抑制效果进一步提高的方面而言，较佳为含有-X1-、-N(Ra)-的烃基(特别是脂肪族烃基)。进而，就离子迁移抑制效果进一步提高的方面而言，该烃基更佳为-X1-Rq，进而佳为-S-Rq。
该烃基的其他较佳态样可列举含有三级碳原子及/或四级碳原子的烃基。含有三级碳原子及/或四级碳原子的烃基的具体例如上所述。
该烃基的其他较佳态样可列举：含有选自由上述式(B-1)～式(B-7)所组成的组群中的至少一种基团的烃基。含有上述基团的烃基的具体例如上所述。
式(3)中，R4～R7分别独立地表示氢原子、卤素原子或可含有杂原子的烃基，R4～R7的至少一个表示烃基，R4～R7的各基团中所含的碳原子数的合 计数为5以上。
该烃基的定义如上所述。而且，式(3)中的该烃基的较佳态样可列举：可含有-X1-、-N(Ra)-、-C(＝X2)-、-CON(Rb)-、-C(＝X3)X4-、-SOn-、-SO2N(Rc)-或卤素原子的烃基(例如脂肪族烃基、芳香族烃基或该等的组合)，更佳为以下的式(4)所表示的基团。若为该基团，则含SH基的化合物在绝缘树脂中的分散性更优异，离子迁移抑制效果进一步提高。
*-L1-R8   式(4)
式(4)中，L1表示单键、-O-、-NR11-、-CO-、-C(R9)(R10)-或将该等组合而成的基团。R9～R11分别独立地表示氢原子或脂肪族烃基。
R8表示脂肪族烃基、芳香族烃基或将该等组合而成的基团。脂肪族烃基及芳香族烃基的较佳态样如上所述。
而且，式(4)中，*表示键结位置。
该烃基的其他较佳态样可列举含有三级碳原子及/或四级碳原子的烃基。含有三级碳原子及/或四级碳原子的烃基的具体例如上所述。
该烃基的其他较佳态样可列举：含有选自由上述式(B-1)～式(B-7)所组成的组群中的至少一种基团的烃基。含有上述基团的烃基的具体例如上所述。
在式(3)中，R4～R7的至少一个表示可含有杂原子的烃基。其中，就迁移抑制效果更优异的方面而言，较佳为R4～R7中1个～2个为该烃基，更佳为1个为该烃基。
另外，R4～R7的各基团中所含的碳原子数的合计数为5以上。换言之，只要R4中的碳原子数、R5中的碳原子数、R6中的碳原子数以及R7中的碳原子数的合计数(合计碳数)为5以上即可。而且，合计数的较佳态样如上所述。
本发明中所用的含SH基的化合物的制造方法并无特别限定，可藉由各种方法来制造。
上述式(1)所表示的化合物可使用日本专利特公昭46-19039号、日本专利特开平9-319022号的说明书中记载的合成法，式(2)所表示的化合物可使用美国专利第3212892号的说明书中记载的合成法，式(3)所表示的化 合物可使用欧州专利第742210号的说明书中记载的合成法，但不限定于该等。
组成物中的上述绝缘树脂与上述化合物的质量关系并无特别限制，就迁移抑制能力更优异的方面而言，化合物的质量A与绝缘树脂的质量B之质量比(A/B)较佳为0.20以下，更佳为0.10以下。下限并无限制，就以少量的组成物便可获得既定效果的方面而言，较佳为0.0001以上，更佳为0.0005以上。
(任意成分)
组成物中视需要而含有溶剂。藉由在组成物中含有溶剂，组成物的可操作性提高，容易在绝缘基板上形成所需膜厚的银离子扩散抑制层。
所使用的溶剂的种类并无特别限制，可列举水或有机溶剂。
而且，所使用的有机溶剂例如可列举：醇系溶剂(例如甲醇、乙醇、异丙醇、第二丁醇、卡必醇、二乙二醇单乙醚)、酮系溶剂(例如丙酮、甲基乙基酮、环己酮)、芳香族烃溶剂(例如甲苯、二甲苯)、酰胺系溶剂(例如甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮(N-methyl pyrrolidone)、二甲基亚丙基脲(dimethyl propylene urea))、腈系溶剂(例如乙腈、丙腈)、酯系溶剂(例如乙酸甲酯、乙酸乙酯)、碳酸酯系溶剂(例如碳酸二甲酯、碳酸二乙酯)、醚系溶剂、卤素系溶剂等。亦可将该些溶剂混合使用两种以上。
在组成物中含有溶剂的情形时，其含量并无特别限制，相对于组成物总量，较佳为20质量％～80质量％，更佳为25质量％～75质量％。
就银离子扩散抑制层的离子迁移抑制能力更优异的方面而言，较佳为组成物中实质上不含银离子。若含有过剩量的银离子，则有时银离子扩散抑制层中大量含有银离子，抑制银的离子迁移的效果变差。
而且，所谓实质上不含银离子，是指组成物中的银离子的含量为1μmol/l以下，更佳为0.1μmol/l以下。最佳为0mol/l。
在组成物中，为了维持绝缘树脂的稳定性，视需要亦可含有公知的抗氧化剂等以稳定化为目的之添加剂。
<银离子扩散抑制层用膜>
本发明的银离子扩散抑制层用膜(以下亦简称为膜)为含有上述绝缘树 脂与含SH基的化合物的树脂膜。该膜藉由如后述般直接层压于带有金属配线的基板上，而作为银离子扩散抑制层发挥功能。
所使用的绝缘树脂及含SH基的化合物如上所述。
另外，膜中所含的绝缘树脂与含SH基的化合物之质量比并无特别限制，较佳为上述组成物中的绝缘树脂与含SH基的化合物之质量比。
在膜中，为了维持绝缘树脂的稳定性，视需要亦可含有公知的抗氧化剂等以稳定化为目的之添加剂。
膜的厚度并无特别限制，就确保操作性及金属配线间的绝缘性的方面而言，较佳为10μm～1000μm，更佳为15μm～500μm。
膜的制造方法并无特别限制，在上述银离子扩散抑制层形成用组成物为含有溶剂的液状体的情形时，可将该组成物涂布于基板上并将溶剂去除而制成膜状后，将该膜自基板上剥离而制造。或者亦可将含有上述绝缘树脂与含SH基的化合物的混合物直接挤出成形为膜状而制造。
<配线基板及其制造方法>
继而，对本发明的配线基板及其制造方法加以详述。首先，对配线基板的态样加以详述。
配线基板具备绝缘基板、配置于绝缘基板上的含有银或银合金的金属配线、以及配置于金属配线上且覆盖金属配线的银离子扩散抑制层，银离子扩散抑制层中含有绝缘树脂及含SH基的化合物。
更具体而言，如图所示，配线基板10具备：带有金属配线的绝缘基板16，该带有金属配线的绝缘基板16具备绝缘基板12及配置于绝缘基板12上的金属配线14；以及覆盖金属配线14的银离子扩散抑制层18。
而且，在图1中，列举金属配线14为一层的配线结构为例，但当然不限定于此。例如，亦可如图2所示，使用将多个金属配线14a、金属配线14b与绝缘基板12a、绝缘基板12b交替层压而成的带有金属配线的绝缘基板16a(多层配线基板)，藉此制成多层配线结构的配线基板100。
以下，对各构件加以详述。
[带有金属配线的绝缘基板]
该步骤中使用的带有金属配线的绝缘基板(内层基板)具有绝缘基板、及配置于绝缘基板上的含有银或银合金的金属配线(银配线、银合金配线)。 在图1中，金属配线14是仅设置于绝缘基板12的单面上，但亦可设置于两面上。即，带有金属配线的绝缘基板16可为单面基板，亦可为双面基板。
而且，在金属配线14位于绝缘基板12的两面上的情形时，银离子扩散抑制层18亦可设置于两面上。
绝缘基板只要为绝缘性且可支撑金属配线，则其种类并无特别限制。例如可使用有机基板、陶瓷基板、玻璃基板等。
另外，绝缘基板亦可为选自由有机基板、陶瓷基板及玻璃基板所组成的组群中的至少2个基板层压而成的结构。
有机基板的材料可列举树脂，例如较佳为使用热硬化性树脂、热塑性树脂或将该等混合而成的树脂。热硬化性树脂例如可列举：酚树脂、脲树脂、三聚氰胺树脂、醇酸树脂、丙烯酸系树脂、不饱和聚酯树脂、邻苯二甲酸二烯丙酯树脂、环氧树脂、硅酮树脂、呋喃树脂、酮树脂、二甲苯树脂、苯并环丁烯树脂等。热塑性树脂例如可列举：聚酰亚胺树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂、芳族聚酰胺树脂、液晶聚合物等。
而且，有机基板的材料亦可使用玻璃织布、玻璃无纺布、芳族聚酰胺织布、芳族聚酰胺无纺布、芳香族聚酰胺织布或于该等中含浸上述树脂而成的材料等。
金属配线主要包含银或银合金。在金属配线包含银合金的情形时，所含有的银以外的金属例如可列举：锡、钯、金、镍、铬等。而且，在金属配线中，亦可在不损及本发明效果的范围内含有粘合剂等树脂成分或感光性化合物等，进而视需要亦可含有其他成分。
在绝缘基板上形成金属配线的方法并无特别限制，可采用公知的方法。具代表性的方法可列举：利用蚀刻处理的减成法(subtractive process)、利用电镀的半加成法(semi-additive process)、使用银膏(例如含有银纳米粒子或银纳米线的膏)来制作金属配线的方法、日本专利特开2009-188360号中揭示的使用感光材料的方法、真空蒸镀法、溅镀成膜法或离子镀覆法(ion plating process)等。
而且，银膏是使既定粒径的银粒子分散于树脂粘合剂等适当的溶剂中所得的导电性的糊状物质(膏)，用于试样的安装或导电处理等。市售品例如可列举朋特龙(Peltron)K-3424LB(商品名，朋诺(Pelnox)股份有限公司 制造)等。
金属配线的宽度并无特别限制，就配线基板的高集成化(integration)的方面而言，较佳为0.1μm～1000μm，更佳为0.1μm～50μm，进而佳为0.1μm～20μm。
金属配线间的间隔并无特别限制，就配线基板的高集成化的方面而言，较佳为0.1μm～1000μm，更佳为0.1μm～50μm，进而佳为0.1μm～20μm。
另外，金属配线的图案形状并无特别限制，可为任意的图案。例如可列举直线状、曲线状、矩形状、圆状等。
金属配线的厚度并无特别限制，就配线基板的高集成化的方面而言，较佳为0.05μm～1000μm，更佳为0.1μm～25μm，进而佳为0.1μm～20μm。
而且，带有金属配线的绝缘基板只要为至少具有绝缘基板及金属配线的层压结构，且在最外层配置有金属配线即可，亦可于绝缘基板与金属配线之间配置其他层(例如金属配线层及层间绝缘层)。
另外，亦可于绝缘基板中形成有通孔(through hole)。在绝缘基板的两面上设有金属配线的情形时，亦可藉由在该通孔内填充金属(例如银或银合金)而将两面的金属配线导通。
[银离子扩散抑制层]
银离子扩散抑制层是配置于带有金属配线的绝缘基板的金属配线侧的表面上，覆盖金属配线表面，用以抑制金属配线间的银的离子迁移的层。
在银离子扩散抑制层中含有上述绝缘树脂及含SH基的化合物。
银离子扩散抑制层中的含SH基的化合物与绝缘树脂之质量比并无特别限制，较佳为上述膜中的含SH基的化合物与绝缘树脂之质量比。
在银离子扩散抑制层中，较佳为实质上不含银离子或金属银。若银离子扩散抑制层中含有过剩的银离子或金属银，则有时银离子迁移抑制效果降低。
在银离子扩散抑制层中，为了维持绝缘树脂的稳定性，视需要亦可含有公知的抗氧化剂等以稳定化为目的之添加剂。
银离子扩散抑制层的厚度并无特别限制，就银离子扩散抑制层的离子迁移抑制能力更优异的方面而言，较佳为5μm～1000μm，更佳为10μm～500μm。
(配线基板的制造方法)
配线基板的制造方法并无特别限制，例如在上述银离子扩散抑制层形成用组成物为含有溶剂的液状体的情形时，有以下方法：将该组成物涂布于带有金属配线的绝缘基板上，将溶剂去除，形成银离子扩散抑制层。另外，亦可列举将上述银离子扩散抑制层用膜直接层压于带有金属配线的绝缘基板上的方法。
就容易调整银离子扩散抑制层的厚度的方面而言，较佳为上述利用涂布的方法。
而且，将银离子扩散抑制层形成用组成物涂布于带有金属配线的绝缘基板上的方法并无特别限制，可采用分配法(dispense method)、丝网印刷法、帘幕式涂布法(curtain coating method)、棒涂法、旋涂法、喷墨法、浸泡式(dip)浸渍法等公知的方法。就更容易控制银离子扩散抑制层的附着量的方面而言，较佳为分配法、丝网印刷法、旋涂法、喷墨法。
另外，在绝缘树脂为硬化性树脂的情形时，亦可于涂布组成物后，视需要实施加热处理或曝光处理。
在实施加热处理的情形时，其加热温度是根据所使用的热硬化性树脂来适当选择最适的温度，通常较佳为100℃～300℃，更佳为100℃～250℃。另外，就生产性的方面而言，加热时间较佳为0.2小时～10小时，更佳为0.5小时～5小时。
进而，在实施曝光处理的情形时，曝光中所使用的光是根据所使用的光硬化性树脂来适当选择最适波长的光。例如可列举紫外线、可见光等。就生产性的方面而言，曝光时间较佳为0.2小时～10小时，更佳为0.5小时～5小时。
<绝缘层形成步骤及带有绝缘层的配线基板>
视需要亦可于上述所得的配线基板的银离子扩散抑制层侧的表面上进一步设置绝缘层。藉由在银离子扩散抑制层上进一步设置绝缘层，可于该绝缘层上进一步设置配线而制成多层配线基板。
更具体而言，带有绝缘层的配线基板200如图3所示，在银离子扩散抑制层18上配置有绝缘层20。
以下，对所使用的材料(绝缘层)加以说明，其后对制造方法的顺序加以说明。
(绝缘层)
绝缘层的材料可使用公知绝缘性的材料。例如可列举：环氧树脂、芳族聚酰胺树脂、结晶性聚烯烃树脂、非晶性聚烯烃树脂、含氟树脂(聚四氟乙烯、全氟化聚酰亚胺、全氟化非晶树脂等)、聚酰亚胺树脂、聚醚砜树脂、聚苯硫醚树脂、聚醚醚酮树脂、丙烯酸酯树脂等。
另外，亦可使用所谓的光学用透明粘着片材(光学透明胶(Optical Clear Adhesive，OCA))作为绝缘层。OCA亦可使用市售品，例如可列举3M(股)制造的8171CL系列、8146系列等。
另外，亦可使用所谓的阻焊剂(solder resist)层作为绝缘层。阻焊剂亦可使用市售品，例如可列举太阳油墨制造(股)制造的PFR800、PSR4000(商品名)，日立化成工业(股)制造的SR7200G等。
其中，绝缘层较佳为含有具有环氧基或(甲基)丙烯酸酯基的树脂。该树脂容易与上述银离子扩散抑制层键结，结果绝缘层的密接性提高，结果银的迁移抑制效果进一步提高。
该树脂较佳为绝缘层的主成分。所谓主成分，是指相对于绝缘层总量而该树脂的合计量为50质量％以上，较佳为60质量％以上。而且，上限为100质量％。
具有环氧基的树脂可使用公知的环氧树脂。例如可使用缩水甘油醚型环氧树脂、缩水甘油酯型环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂等。
具有(甲基)丙烯酸酯基的树脂可使用公知的树脂。例如可使用丙烯酸酯树脂、甲基丙烯酸酯树脂等。
(制造的顺序)
在配线基板上形成绝缘层的形成方法并无特别限制，可采用公知的方法。例如可列举以下方法：将绝缘层的膜直接层叠于配线基板上的方法、或将含有构成绝缘层的成分的绝缘层形成用组成物涂布于配线基板上的方法、或将配线基板浸渍于该绝缘层形成用组成物中的方法等。
而且，在上述绝缘层形成用组成物中，视需要亦可含有溶剂。在使用含有溶剂的绝缘层形成用组成物的情形时，亦可将该组成物配置于配线基板上后，视需要实施加热处理以去除溶剂。
另外，将绝缘层设置于配线基板上后，视需要亦可对绝缘层实施能量赋 予(例如曝光或加热处理)。
所形成的绝缘层的层厚并无特别限制，就金属配线间的绝缘可靠性的观点而言，较佳为5μm～50μm，更佳为10μm～40μm。
另外，亦可藉由钻孔加工或雷射加工将所得的带有绝缘层的配线基板中的绝缘层局部去除，安装半导体芯片，用作配线板。
例如在使用阻焊剂作为绝缘层的情形时，将既定的图案状的掩模配置于绝缘层上，赋予能量而使其硬化，将未赋予能量的区域的绝缘层去除而使金属配线露出。继而，利用公知的方法清洗所露出的金属配线的表面(例如使用硫酸、软蚀刻剂、碱、界面活性剂进行清洗)后，将半导体芯片安装于金属配线表面上。
另外，亦可在所得的绝缘层上进一步设置金属配线。形成金属配线的方法并无特别限制，可使用公知的方法(镀敷处理、溅镀处理等)。
在本发明中，可使用在所得的带有绝缘层的配线基板中的配置于最外层的绝缘层上进一步设有金属配线的基板作为新的带有金属配线的绝缘基板(内层基板)，亦可新层压若干层的绝缘层及金属配线。
(用途)
本发明的配线基板及带有绝缘层的配线基板可用于各种用途及结构。例如可列举：电浆显示面板用面板基板、太阳电池电极用基板、薄膜配线板、触摸屏电极用基板等。
另外，本发明的配线基板及带有绝缘层的配线基板较佳为含于电子装置中。所谓电子装置，是指触摸屏或薄膜开关或者搭载有该等的电视(television)/行动通讯装置/个人计算机(personal computer)/游戏机/汽车显示设备/网络通讯装置、照明/显示用发光二极管(Light Emitting Diode，LED)、与太阳电池控制有关的电子配线装置、射频识别(Radio Frequency Identification，RFID)等无线通信器件、或者由半导体配线基板或有机薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)配线基板驱动控制的装置类。
<导电膜层压体>
继而，参照图式对本发明的导电膜层压体的较佳实施方式加以详述。
图4表示导电膜层压体的一实施方式的示意性剖面图，导电膜层压体300具备透明基板302、配置于透明基板302上的含有银或银合金的导电膜304、 以及贴合于导电膜304上的透明双面粘着片材306。
以下，对各构件(透明基板302、导电膜304、透明双面粘着片材306)加以详述。
<透明基板>
透明基板只要为支撑后述导电膜及透明双面粘着片材、且对可见光为透明的基板，则其种类并无特别限制。
透明基板的材料例如除了玻璃以外可使用高分子树脂。高分子树脂例如可列举：聚乙烯或聚丙烯等聚烯烃、聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚醚砜、聚砜、聚芳酯、环状聚烯烃、聚酰亚胺等。
透明基板的形状并无特别限制，可列举板状、膜状等。
透明基板的厚度并无特别限制，在将导电膜层压体应用于触摸屏的情形时，厚度较佳为0.01mm～3.0mm，更佳为0.05mm～1.5mm。
透明基板较佳为在可见光域中具有高的透明性，较佳为全光线透射率为80％以上。
而且，透明基板亦可具有底涂层等其他功能层。其他功能层例如可列举：消光剂层(matting agent layer)、保护层、耐溶剂层、抗静电层、平滑层、密接改良层、遮光层、抗反射层、硬涂层、应力缓和层、防雾层、防污层、被印刷层、易粘接层等。该等可为单层，亦可层压多层。
<导电膜>
导电膜是配置于上述透明基板上，主要包含银或银合金。该导电膜在应用于触摸屏用途时，可用作触摸屏的透明电极或周边配线。而且，在导电膜中，亦可在不损及本发明效果的范围内含有粘合剂等树脂成分或感光性化合物等，进而视需要亦可含有其他成分。
在导电膜包含银合金的情形时，所含有的银以外的金属例如可列举锡、钯、金、镍、铬等。
导电膜的图案形状并无特别限制，可如图4所示般设置于透明基板表面上的一部分上，或亦可设置于整个面上。
导电膜的厚度并无特别限制，就将导电膜层压体应用于触摸屏的方面而言，较佳为0.05μm～100μm，更佳为0.1μm～20μm，进而佳为0.1μm～10 μm。
在应用导电膜作为触摸屏的透明电极时，较佳为在可见光域中具有高的透明性，较佳为全光线透射率为80％以上。
导电膜的形成方法并无特别限制，可列举：蒸镀法、溅镀法等物理成膜法，或化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)法等化学气相法，涂布含有银纳米粒子或银纳米线的银膏来形成导电膜的方法，日本专利特开2009-188360号中揭示的利用银盐的方法等。
而且，在应用导电膜作为触摸屏等的透明电极时，导电膜较佳为含有包含银或银合金的金属纳米线(以下亦简称为金属纳米线)。藉由使用该金属纳米线，可在低温下形成导电膜，可提供透射率高且电阻低的透明电极。
<金属纳米线>
金属纳米线包含银或银合金。银合金的种类如上所述。
所谓金属纳米线，是指具有导电性、且具有与直径(短轴方向长度)相比长轴方向长度充分长的形状者。可为实心纤维(solid fiber)，亦可为空心纤维(hollow fiber)。
就导电性优异的方面而言，金属纳米线的材料特佳为银、或银与其他金属的合金。
与银的合金中所使用的其他金属可列举：铂、锇、钯、铱(iridium)、锡、铋、镍等。该等可单独使用一种，亦可并用两种以上。
金属纳米线的平均短轴长度(有时称为“平均短轴径”、“平均直径”)为5nm～50nm，更佳为5nm～25nh，进而特佳为5nm～20nm。
若平均短轴长度小于5nm，则有时耐氧化性恶化，耐久性变差。另一方面，若平均短轴长度超过50nm，则有时金属纳米线的散射变大，导电膜的雾值变大。尤其藉由将平均短轴长度设定为25nm以下，可减少金属纳米线的散射，大幅度地改良(降低)导电膜的雾值。使用雾值小的导电膜的触摸屏可消除导电膜的图案显现(轮廓显现)，触摸屏的视认性提高。
金属纳米线的平均短轴长度是使用穿透式电子显微镜(Transmission Electron Microscopy，TEM；日本电子股份有限公司制造，JEM-2000FX)观察300个金属纳米线，根据其平均值来求出金属纳米线的平均短轴长度。而且，关于金属纳米线的剖面并非圆形的情形时的短轴长度，将最长者设定为 短轴长度。
金属纳米线的平均长轴长度(有时称为“平均长度”)较佳为5μm以上，更佳为5μm～40μm，进而佳为5μm～30μm。
若平均长轴长度小于5μm，则难以形成致密的网络，有时无法获得充分的导电性，若平均长轴长度超过40μm，则有时金属纳米线过长而在制造时缠绕，在制造过程中产生聚集体(aggregate)。
金属纳米线的平均长轴长度例如是使用穿透式电子显微镜(TEM；日本电子股份有限公司制造，JEM-2000FX)观察300个金属纳米线，根据其平均值来求出金属纳米线的平均长轴长度。而且，在金属纳米线弯曲的情形时，考虑以其为弧的圆，将根据其半径及曲率而算出的值作为长轴长度。
金属纳米线的制造方法并无特别限制，可利用任意方法来制作，较佳为藉由在溶解有卤素化合物及分散剂的溶剂中将金属离子还原来制造。另外，形成金属纳米线后，就分散性、导电膜的经时稳定性的观点而言，较佳为藉由常法来进行脱盐处理。
另外，金属纳米线的制造方法可使用：日本专利特开2009-215594号公报、日本专利特开2009-242880号公报、日本专利特开2009-299162号公报、日本专利特开2010-84173号公报、日本专利特开2010-86714号公报、日本专利特表2009-505358号公报等中记载的方法。
金属纳米线的纵横比(aspect ratio)可根据目的来适当选择，只要为10以上则并无特别限制，更佳为50以上，进而佳为100以上，进而更佳为5000以上，特佳为10,000～100,000。所谓纵横比，通常是指纤维状的物质的长边与短边之比(平均长轴长度/平均短轴长度之比)。
纵横比的测定方法并无特别限制，可根据目的来适当选择，例如可列举藉由电子显微镜等进行测定的方法等。
在利用电子显微镜来测定金属纳米线的纵横比的情形时，只要可在电子显微镜的一个视野中确认即可。另外，亦可藉由分别测定金属纳米线的平均长轴长度与平均短轴长度，来估算金属纳米线总体的纵横比。
而且，在金属纳米线为管状的情形时，使用该管的外径作为用以计算纵横比的直径。
<含有包含银或银合金的金属纳米线的导电膜>
含有包含银或银合金的金属纳米线的导电膜的形成方法并无特别限制，但较佳为与上述金属纳米线一并而使用至少含有以下物质的组成物作为基质(matrix)成分：(1)至少含有粘合剂及光聚合性组成物的感光性组成物、(2)溶胶凝胶硬化物、或(3)至少含有高分子的组成物。
而且，基质成分(导电膜中所含的除金属纳米线及溶剂以外的所有成分)的质量与金属纳米线的质量的质量比较佳为0.5～15(更佳为1.0～12，特佳为2.0～10)。若质量比小于0.5，则有时粘合剂成分少，金属纳米线对基板表面的密接性弱，膜强度变弱，若质量比超过15，则有时导电膜的表面电阻值上升。
以下，对被用作基质成分的材料加以详述。
(粘合剂)
粘合剂可自以下的碱可溶性树脂中适当选择，上述碱可溶性树脂为线性有机高分子聚合物，且在分子(较佳为以丙烯酸系共聚物、苯乙烯系共聚物作为主链的分子)中具有至少一个促进碱可溶性的基团(例如羧基、磷酸基、磺酸基等)。
该等中，较佳为可溶于有机溶剂中且可溶于碱性水溶液中者，另外，特佳为具有酸解离性基、且在酸解离性基藉由酸的作用解离时变为碱可溶者。
此处，所谓酸解离性基，表示可在酸的存在下解离的官能基。
粘合剂的制造时，例如可应用公知的利用自由基聚合法的方法。利用自由基聚合法来制造碱可溶性树脂时的温度、压力、自由基引发剂的种类及其量、溶剂的种类等聚合条件可由业者容易地设定，能以试验方式来决定条件。
线性有机高分子聚合物较佳为在侧链上具有羧酸的聚合物。
在侧链上具有羧酸的聚合物例如有：日本专利特开昭59-44615号、日本专利特公昭54-34327号、日本专利特公昭58-12577号、日本专利特公昭54-25957号、日本专利特开昭59-53836号、日本专利特开昭59-71048号的各公报中记载般的甲基丙烯酸共聚物、丙烯酸共聚物、衣康酸共聚物、丁烯酸共聚物、马来酸共聚物、部分酯化马来酸共聚物、在侧链上具有羧酸的酸性纤维素衍生物、对具有羟基的聚合物加成酸酐而成者等，进而在侧链上具有(甲基)丙烯酰基的高分子聚合物亦可列举作为较佳者。
该等中，特佳为(甲基)丙烯酸苄酯/(甲基)丙烯酸共聚物、包含(甲基)丙烯 酸苄酯/(甲基)丙烯酸/其他单体的多元共聚物。
进而，在侧链上具有(甲基)丙烯酰基的高分子聚合物或包含(甲基)丙烯酸/缩水甘油基(甲基)丙烯酸酯/其他单体的多元共聚物亦可列举作为有用者。该聚合物能以任意的量混合使用。
除了上述以外，线性有机高分子聚合物可列举：日本专利特开平7-140654号公报中记载的(甲基)丙烯酸-2-羟丙酯/聚苯乙烯巨单体/甲基丙烯酸苄酯/甲基丙烯酸共聚物、丙烯酸-2-羟基-3-苯氧基丙酯/聚甲基丙烯酸甲酯巨单体/甲基丙烯酸苄酯/甲基丙烯酸共聚物、甲基丙烯酸-2-羟乙酯/聚苯乙烯巨单体/甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸共聚物、甲基丙烯酸-2-羟乙酯/聚苯乙烯巨单体/甲基丙烯酸苄酯/甲基丙烯酸共聚物等。
碱可溶性树脂的具体结构单元较佳为(甲基)丙烯酸、及可与该(甲基)丙烯酸共聚合的其他单体。
可与(甲基)丙烯酸共聚合的其他单体例如可列举：(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯、乙烯系化合物等。该等中，烷基及芳基的氢原子亦可经取代基取代。
(甲基)丙烯酸烷基酯或(甲基)丙烯酸芳基酯例如可列举：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸甲苯酯、(甲基)丙烯酸萘酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯氧基乙酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸四氢糠酯、聚甲基丙烯酸甲酯巨单体等。该等可单独使用一种，亦可并用两种以上。
乙烯系化合物例如可列举：苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、丙烯腈、乙酸乙烯酯、N-乙烯基吡咯烷酮、聚苯乙烯巨单体(polystyrene macromonomer)、CH2＝CR8R9[其中，R8表示氢原子或碳数1～5的烷基，R9表示碳数6～10的芳香族烃环]等。该等可单独使用一种，亦可并用两种以上。
就碱溶解速度、膜物性等方面而言，粘合剂的重量平均分子量较佳为1,000～500,000，更佳为3,000～300,000，进而佳为5,000～200,000。
此处，重量平均分子量可藉由凝胶渗透层析法进行测定，并使用标准聚苯乙烯校准曲线来求出。
以上述含有金属纳米线的光聚合性组成物的固体成分总质量为基准，粘合剂的含量较佳为5质量％～90质量％，更佳为10质量％～85质量％，进而佳为20质量％～80质量％。若为上述范围，则可实现显影性与金属纳米线的导电性的并存。
(光聚合性组成物)
光聚合性组成物是指对导电膜赋予藉由曝光而形成图像的功能、或提供赋予上述功能的机会的组成物。含有(a)加成聚合性不饱和化合物、及(b)若被光照射则产生自由基的光聚合引发剂作为基本成分。
[(a)加成聚合性不饱和化合物]
成分(a)的加成聚合性不饱和化合物(以下亦称为“聚合性化合物”)是指在自由基的存在下发生加成聚合反应而高分子化的化合物，通常使用在分子末端具有至少一个、更佳为两个以上、进而佳为四个以上、进而更佳为六个以上的乙烯性不饱和双键的化合物。
该等例如具有单体、预聚物(prepolymer)(即二聚物)、三聚物或低聚物、或该等的混合物等的化学形态。
此种聚合性化合物已知有各种聚合性化合物，并且可用作成分(a)。
其中，就膜强度的观点而言，作为特佳的聚合性化合物，特佳为三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯。
以上述含有金属纳米线的光聚合性组成物的固体成分总质量为基准，成分(a)的含量较佳为2.6质量％～37.5质量％，更佳为5.0质量％～20.0质量％。
[(b)光聚合引发剂]
成分(b)的光聚合引发剂为若被光照射则产生自由基的化合物。对于此种光聚合引发剂，可列举藉由光照射而产生最终成为酸的酸自由基的化合物、或产生其他自由基的化合物等。以下，将前者称为“光酸产生剂”，将后者称为“光自由基产生剂”。
-光酸产生剂-
光酸产生剂可适当地选择使用以下物质：光阳离子聚合的光引发剂、光自由基聚合的光引发剂、色素类的光消色剂、光变色剂、或微抗蚀剂 (microresist)等中使用的藉由光化射线或放射线的照射而产生酸自由基的公知化合物及该等的混合物。
此种光酸产生剂并无特别限制，可根据目的而适当选择，例如可列举：具有至少一个二卤代甲基或三卤代甲基的三嗪、1，3，4-恶二唑、萘醌-1，2-二叠氮-4-磺酰卤、重氮鎓盐、鏻盐、锍盐、錪盐、酰亚胺磺酸酯、肟磺酸酯、重氮二砜、二砜、邻硝基苄基磺酸酯等。该等中，特佳为作为产生磺酸的化合物的酰亚胺磺酸酯、肟磺酸酯、邻硝基苄基磺酸酯。
另外，可使用将藉由光化射线或放射线的照射而产生酸自由基的基团或化合物导入至树脂的主链或侧链上而成的化合物，例如美国专利第3,849,137号说明书、德国专利第3914407号说明书、日本专利特开昭63-26653号、日本专利特开昭55-164824号、日本专利特开昭62-69263号、日本专利特开昭63-146038号、日本专利特开昭63-163452号、日本专利特开昭62-153853号、日本专利特开昭63-146029号的各公报等中记载的化合物。
进而，美国专利第3,779,778号、欧州专利第126,712号等各说明书中记载的化合物亦可用作酸自由基产生剂。
上述三嗪系化合物例如可使用日本专利特开2011-018636号公报、日本专利特开2011-254046号公报中记载的化合物。
本发明中，光酸产生剂中较佳为产生磺酸的化合物，如下所述的肟磺酸酯化合物为高感度，就此观点而言特佳。

若使用具有1，2-萘醌二叠氮基的化合物作为光酸产生剂，则感度高且显影性良好。
光酸产生剂中，下述化合物中D独立地为氢原子或1，2-萘醌二叠氮基者为高感度，就此观点而言较佳。

-光自由基产生剂-
光自由基产生剂为具有以下功能的化合物：直接吸收光或经光增感，引起分解反应或夺氢反应，产生自由基。光自由基产生剂较佳为在波长300nm～500nm的区域内具有吸收者。
此种光自由基产生剂已知有大量的化合物，例如可列举：日本专利特开2008-268884号公报中记载般的三嗪系化合物、羰基化合物、缩酮化合物、安息香化合物、吖啶化合物、有机过氧化化合物(organic peroxide compound)、偶氮化合物、香豆素化合物、叠氮化合物、茂金属化合物、六芳基联咪唑 (hexaarylbiimidazole)化合物、有机硼酸化合物、二磺酸化合物、肟酯化合物、酰基膦(氧化物)化合物。该等可根据目的而适当选择。该等中，就曝光感度的观点而言，特佳为二苯甲酮化合物、苯乙酮化合物、六芳基联咪唑化合物、肟酯化合物或酰基膦(氧化物)化合物。
光自由基产生剂例如可使用日本专利特开2011-018636号公报、日本专利特开2011-254046号公报中记载的光自由基产生剂。
光聚合引发剂可单独使用一种，亦可并用两种以上，以含有金属纳米线的光聚合性组成物的固体成分的总质量为基准，上述光聚合引发剂的含量较佳为0.1质量％～50质量％，更佳为0.5质量％～30质量％，进而佳为1质量％～20质量％。在在此种数值范围中在导电膜中形成含有后述导电性区域及非导电性区域的图案的情形时，可获得良好的感度及图案形成性。
上述成分以外的其他添加剂例如可列举：链转移剂、交联剂、分散剂、溶剂、界面活性剂、抗氧化剂、抗硫化剂、金属防蚀剂、粘度调整剂、防腐剂等各种添加剂等。
[链转移剂]
链转移剂是用于提高光聚合性组成物的曝光感度。此种链转移剂例如可列举：N，N-二甲基氨基苯甲酸乙酯等N，N-二烷基氨基苯甲酸烷基酯，2-巯基苯并噻唑、2-巯基苯并恶唑、2-巯基苯并咪唑、N-苯基巯基苯并咪唑、1，3，5-三(3-巯基丁氧基乙基)-1，3，5-三嗪-2，4，6(1H，3H，5H)-三酮等含有杂环的巯基化合物，季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)、季戊四醇四(3-巯基丁酸酯)、1，4-双(3-巯基丁酰氧基)丁烷等脂肪族多官能巯基化合物等。该等可单独使用一种，亦可并用两种以上。
以上述含有金属纳米线的光聚合性组成物的固体成分的总质量为基准，链转移剂的含量较佳为0.01质量％～15质量％，更佳为0.1质量％～10质量％，进而佳为0.5质量％～5质量％。
[交联剂]
交联剂为藉由自由基(free radical)、酸或热而形成化学键，使导电膜硬化的化合物，例如可列举：经选自羟甲基、烷氧基甲基、酰氧基甲基中的至少一个基团取代的三聚氰胺系化合物，三聚氰二胺(guanamine)系化合物，甘脲(glycoluril)系化合物，脲系化合物，酚系化合物或酚的醚化合物，环 氧系化合物，氧杂环丁烷系化合物，环硫系化合物，异氰酸酯系化合物，叠氮系化合物，具有包含甲基丙烯酰基或丙烯酰基等的乙烯性不饱和基的化合物等。该等中，就膜物性、耐热性、溶剂耐性的方面而言，特佳为环氧系化合物、氧杂环丁烷系化合物、具有乙烯性不饱和基的化合物。
另外，氧杂环丁烷树脂可单独使用一种或与环氧树脂混合使用。尤其在以与环氧树脂并用的形式使用的情形时，就反应性高、提高膜物性的观点而言较佳。
而且，在使用具有乙烯性不饱和双键基的化合物作为交联剂的情形时，应考虑该交联剂亦包含在聚合性化合物中，且其含量包含在本发明的聚合性化合物的含量中。
在将上述含有金属纳米线的光聚合性组成物的固体成分的总质量设定为100质量份时，交联剂的含量较佳为1质量份～250质量份，更佳为3质量份～200质量份。
[分散剂]
分散剂是用于防止光聚合性组成物中的上述金属纳米线聚集并且使其分散。分散剂只要可使金属纳米线分散，则并无特别限制，可根据目的而适宜选择。例如可利用作为颜料分散剂而市售的分散剂，特佳为具有吸附于金属纳米线的性质的高分子分散剂。此种高分子分散剂例如可列举：聚乙烯基吡咯烷酮、毕克(BYK)系列(毕克化学(BYK Chemie)公司制造)、索思帕(Solsperse)系列(日本路博润(Lubrizol)公司制造等)、亚级斯帕(Ajisper)系列(味之素(Ajinomoto)股份有限公司制造)等。
而且，在进一步另添加除了用于制造金属纳米线者以外的高分子分散剂作为分散剂的情形时，应考虑该高分子分散剂亦另包含在粘合剂中，且其含量包含在上述粘合剂的含量中。
相对于粘合剂100质量份，分散剂的含量较佳为0.1质量份～50质量份，更佳为0.5质量份～40质量份，特佳为1质量份～30质量份。
藉由将分散剂的含量设定为0.1质量份以上，可有效地抑制分散液中的金属纳米线的聚集；藉由将分散剂的含量设定为50质量份以下，在涂布步骤中形成稳定的液膜，可抑制涂布不均的产生，故较佳。
[溶剂]
溶剂是用于将上述含有金属纳米线及光聚合性组成物的组成物制成用以在基材表面上形成为膜状的涂布液的成分，可根据目的而适当选择。例如可列举：丙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚乙酸酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、乳酸乙酯、3-甲氧基丁醇、水、1-甲氧基-2-丙醇、乙酸异丙酯、乳酸甲酯、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、γ-丁内酯(GBL)、碳酸丙二酯(propylene carbonate)等。上述金属纳米线的分散液的溶剂的至少一部分亦可兼作该溶剂。该等可单独使用一种，亦可并用两种以上。
关于含有此种溶剂的涂布液的固体成分浓度，较佳为以0.1质量％～20质量％的范围而含有固体成分。
[金属防蚀剂]
较佳为预先含有金属纳米线的金属防蚀剂。此种金属防蚀剂并无特别限制，可根据目的而适当选择，例如较佳为硫醇类、唑类等。
藉由含有金属防蚀剂，可发挥防锈效果，可抑制导电材料的经时性的导电性及透明性降低。金属防蚀剂可藉由以下方式赋予：以溶解于适当的溶剂中的状态、或粉末的形式添加至感光性层形成用组成物中，或制作导电膜后，将其浸渍于金属防蚀剂浴中。
在添加金属防蚀剂的情形时，较佳为相对于金属纳米线而含有0.5质量％～10质量％的金属防蚀剂。
关于其他基质，可将作为制造上述金属纳米线时所使用的分散剂的高分子化合物用作构成基质的成分的至少一部分。
形成透明导电膜时，亦可与金属纳米线一并而使用至少含有溶胶凝胶硬化物的组成物作为基质成分。
以下，对溶胶凝胶硬化物加以详述。
<溶胶凝胶硬化物>
上述溶胶凝胶硬化物是使选自由Si、Ti、Zr及Al所组成的组群中的元素的烷氧化物化合物(以下亦称为“特定烷氧化物化合物”)进行水解及聚缩合，进而视需要进行加热、干燥而获得者。
[特定烷氧化物化合物]
就获取容易的方面而言，特定烷氧化物化合物较佳为下述通式(X)所表示的化合物。
M1(OR10)aR114-a   (X)
(通式(X)中，M1表示选自Si、Ti及Zr中的元素，R10、R11分别独立地表示氢原子或烃基，a表示2～4的整数)。
通式(X)中的R10及R11的各烃基较佳可列举烷基或芳基。
表示烷基的情形时的碳数较佳为1～18，更佳为1～8，进而佳为1～4。另外，表示芳基的情形时，较佳为苯基。
烷基或芳基亦可具有取代基，可导入的取代基可列举：卤素原子、氨基、烷基氨基、巯基等。
而且，通式(X)所表示的化合物为低分子化合物，较佳为分子量为1000以下。
通式(X)所表示的化合物的具体例例如是记载于日本专利特开2010-064474号公报等中。
在本发明中使用溶胶凝胶硬化物作为导电膜的基质的情形时，较佳为以特定烷氧化物化合物相对于上述金属纳米线之比率，即特定烷氧化物化合物/金属纳米线之质量比为0.25/1～30/1的范围而使用。在上述质量比小于0.25/1的情形时，形成透明性差同时耐磨损性、耐热性、耐湿热性及耐弯曲性中的至少一个差的导电膜，另一方面，在上述质量比大于30/1的情形时，形成导电性及耐弯曲性差的导电膜。
上述质量比更佳为0.5/1～20/1的范围，进而佳为1/1～15/1，最佳为2/1～8/1的范围，该情况下可稳定地获得具有高的导电性及高的透明性(全光透射率及雾值)，并且耐磨损性、耐热性及耐湿热性优异，且耐弯曲性优异的导电材料，故较佳。
另外，形成导电膜时，亦可与金属纳米线一并而使用至少含有高分子的组成物作为基质成分。
以下，对所使用的高分子加以详述。
高分子包含合成高分子或天然高分子，合成高分子可列举：聚酯、聚酰亚胺、聚丙烯酸、聚维尼纶(polyvinylon)、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、甲基丙烯酸树脂、氟系树脂、酚树脂、三聚氰胺树脂、硅酮树脂、合成橡胶或该等的乳胶(latex)等。天然高分子可列举纤维素系树脂或天然橡胶等。
视需要亦可于导电膜上设置包含保护涂材(coating material)的保护层。
关于形成保护层的保护涂材，例如可应用日本专利特开2011-167848号公报中记载者。
保护涂材亦可含有交联剂、聚合引发剂、稳定剂(例如抗氧化剂及用以使产品寿命变长的紫外线稳定剂、及用以改善保存期间的防聚合剂)、界面活性剂及具有相同效果者。另外，保护涂材亦可更含有防止金属纳米线的腐蚀的防蚀剂。
形成保护层的方法只要为公知的湿式涂布方法，则并无特别限制。具体可列举：喷雾涂布、棒涂、辊涂、模涂、喷墨涂布、丝网涂布、浸涂等。
在藉由保护层用涂料来含浸透明导电膜并且形成保护层时，涂布、干燥后的保护层的膜厚若相对于涂布前的导电膜而过薄，则耐擦伤性、耐磨损性、耐候性等作为保护层的功能降低，若过厚，则作为导体的接触电阻增加。
关于保护层用涂料的涂布，在以导电膜的膜厚为50nm～150nm的范围来形成导电膜时，涂布、干燥后的膜厚较佳为30nm～150nm，可考虑导电膜的膜厚而以表面电阻率、雾值等可实现既定的值的方式来调整。其中，更佳为40nm～175nm，特佳为50nm～150nm。保护层用涂料的干燥后的膜厚亦取决于透明导电膜的膜厚，若膜厚为30nm以上，则有保护层更良好地发挥保护功能的倾向，若膜厚为150nm以下，则有可确保更良好的导电性能的倾向。
导电膜亦可根据用途而以所需的形状图案化。
将导电膜图案化的方法并无特别限制，例如对导电膜进行曝光、显影。更具体而言，包含进行图案曝光的步骤及显影步骤，进而视需要包含其他步骤。
在导电膜的基质为非感光性的情形时，较佳为藉由下述(1)～(2)的方法来进行图案化。
(1)在导电膜上设置光阻剂层，对该光阻剂层进行所需的图案曝光及显影，形成该图案状的抗蚀剂后(蚀刻掩模材料)，藉由利用可蚀刻导电膜的蚀刻液进行处理的湿式工序、或反应性离子蚀刻般的干式工序，将未经抗蚀剂保护的区域的导电膜蚀刻而使其断线或消失的图案化方法。该方法例如是记载于日本专利特表2010-507199号公报(特别是段落0212～段落0217)中。
(2)在导电膜上的所需区域中，藉由喷墨方式或丝网印刷方式将光硬化性树脂设置于图案上，对该光硬化性树脂层进行所需的曝光，形成该图案状的抗蚀剂(蚀刻掩模材料)后，浸渍于可蚀刻导电膜的蚀刻液中，或冲淋蚀刻液，使未经抗蚀剂保护的区域的导电膜断线或消失的图案化方法。
在利用上述(1)或(2)的方法的情形时，较佳为于图案化结束后，藉由常法将导电膜上的抗蚀剂去除。
赋予蚀刻掩模材料的方法并无特别限制，例如可列举涂布法、印刷法、喷墨法等。
涂布法并无特别限制，例如可列举：辊涂法、棒涂法、浸涂法、旋涂法、浇铸法、模涂法、刮刀涂布法、棒涂法、凹版涂布法、帘幕式涂布法、喷雾涂布法、刀片(doctor coat)法等。
印刷法例如可列举：凸版(活版)印刷法、孔版(丝网)印刷法、平版(offset)印刷法、凹版(gravure)印刷法等。而且，该步骤中形成的抗蚀剂层可为正型抗蚀剂层，亦可为负型抗蚀剂层。在正型抗蚀剂层的情况下，图案状的曝光区域可溶，在未曝光区域(未溶解区域)中形成图案状的抗蚀剂层，在负型抗蚀剂层的情况下，成为曝光区域经硬化的抗蚀剂层，藉由赋予溶解液而将未曝光部、即未硬化部的抗蚀剂层去除，形成图案状的抗蚀剂层。
上述(1)的方法中使用的抗蚀剂层形成用材料的种类并无特别限制，可使用负型、正型、干膜型等的任一种。
形成抗蚀剂层时，可适当选择而使用市售的碱可溶性光阻剂。例如可使用富士胶片制造的彩色马赛克(color mosaic)系列、FILS系列、FIOS系列、FMES系列、FTENS系列、FIES系列，半导体工序用的各种正型、负型光阻剂系列，富士药品制造的富士抗蚀剂(Fuji Resist)系列，其中可较佳地使用FR系列、FPPR系列、FMR系列、FDER系列等，另外，可列举安智电子材料(AZ Electronic Materials)制造的光阻剂系列，其中可较佳地列举RFP系列、TFP系列、SZP系列、HKT系列、SFP系列、SR系列、SOP系列、SZC系列、CTP系列、ANR系列、P4000系列、TPM606、40XT、nXT系列等，JSR公司制造的各光阻剂等亦可自高分辨率类型至低分辨率类型而广泛地使用。
干膜抗蚀剂(dry film resist)可列举：日立化成工业制造的印刷配线板用 感光性膜、旭化成电子材料(Asahi Kasei E-materials)制造的感光性干膜SUNFORT系列，杜邦(Dupont)MRC干膜制造的FXG系列、FXR系列、FX900系列、JSF100系列、SA100系列、LDI系列、FRA系列、CM系列，富士胶片制造的托兰色(Transer)各系列等，可适当使用该等。
该些抗蚀剂层形成材料只要根据导电膜中形成的图案的分辨率等而适当选择即可。
在抗蚀剂层的形成时使用干膜型的抗蚀剂层形成材料的情形时，只要将预先制作的干膜抗蚀剂的感光性抗蚀剂层转印于所形成的导电膜的表面上即可。
曝光步骤中，使用含有光聚合引发剂的蚀刻掩模材料以5％以下的氧浓度进行曝光。
另外，导电膜亦可利用转印材料藉由转印而在目标基板上形成图案。
另外，如日本专利特开2011-167848号公报的[0147]～[0148]所记载般，藉由在导电膜上利用丝网印刷来图案涂布去除剂(蚀刻液)，亦可实现导电膜的图案化。
<透明双面粘着片材>
透明双面粘着片材为透明且表面及背面显示粘着性的片材。该片材是以将显示粘着性的其中一面贴附于上述导电膜上的方式层压于导电膜上。换言之，透明双面粘着片材是贴附于带有导电膜的透明基板的导电膜侧，该带有导电膜的透明基板具有透明基板及配置于其上的导电膜。
更具体而言，图4中，透明双面粘着片材306的表面306c及背面306d显示粘着性，以将表面306c贴附于导电膜304上的方式将透明双面粘着片材306配置于导电膜304上。
透明双面粘着片材只要至少具有粘着剂层即可，可为具有基材且在基材的两面上配置有粘着剂层的类型(带有基材的透明双面粘着片材)，亦可为仅包含粘着剂层而不具有基材的类型(无基材的透明双面粘着片材)。其中，就使用透明双面粘着片材的产品的薄膜化的观点而言，较佳为无基材的透明双面粘着片材。
透明双面粘着片材中含有上述含SH基的化合物。所含有的含SH基的化合物的较佳实施方式如上所述。
而且，在透明双面粘着片材为带有基材的透明双面粘着片材的情形时，含SH基的化合物可含于基材中或粘着剂层中的任一者中，亦可含于基材与粘着剂层两者中。
另外，在上述含SH基的化合物含于双面粘着片材的粘着剂层中的情形时，粘着剂中的化合物的分散性更优异，因此即便在将导电膜层压体放置于高温高湿环境下的情形时，亦未见粘着剂层的粘着力降低。
透明双面粘着片材中的含SH基的化合物的含量并无特别限制，相对于透明双面粘着片材总质量，较佳为0.01质量％～10质量％，更佳为0.02质量％～6.0质量％，进而佳为0.05质量％～5.0质量％，特佳为0.5质量％～5.0质量％。若为上述范围内，则离子迁移抑制效果以及片材的透射率及密接性优异。
透明双面粘着片材的厚度并无特别限制，就将导电膜层压体应用于触摸屏的方面而言，较佳为5μm～150μm，更佳为20μm～100μm。
藉由将透明双面粘着片材的厚度设定为20μm以上，可获得能遮盖贴附基板的阶差或凹凸的效果；藉由将透明双面粘着片材的厚度设定为100μm以下，可获得能充分确保透明双面粘着片材的透射率的效果。
在透明双面粘着片材为带有基材的透明双面粘着片材的情形时，粘着剂层是设置于基材的两面上。所使用的基材的种类并无特别限制，较佳为使用透明基材。透明基材例如可列举：聚对苯二甲酸乙二酯膜、聚对苯二甲酸丁二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、玻璃纸(cellophane)、二乙酰纤维素膜、三乙酰纤维素膜、乙酰纤维素丁酸酯膜、聚氯乙烯膜、聚偏二氯乙烯膜、聚乙烯醇膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚甲基戊烯膜、聚砜膜、聚醚醚酮膜、聚醚砜膜、聚醚酰亚胺膜、聚酰亚胺膜、氟树脂膜、尼龙膜、丙烯酸系树脂膜等。
透明双面粘着片材的粘着剂层的材料并无特别限定，可使用公知的材料。例如可使用橡胶系粘着剂、丙烯酸系粘着剂、硅酮系粘着剂、氨基甲酸酯系粘着剂等各种粘着剂，就透明性更优异且与上述含SH基的化合物的相溶性更优异的方面而言，较佳为丙烯酸系粘着剂。
丙烯酸系粘着剂为以丙烯酸系聚合物作为基础聚合物(Base Polymer)，上述丙烯酸系聚合物是以(甲基)丙烯酸烷基酯的单体单元作为主骨架。而且， (甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯。构成丙烯酸系聚合物的主骨架的(甲基)丙烯酸烷基酯的烷基的平均碳数较佳为1～12左右，(甲基)丙烯酸烷基酯的具体例可例示(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯等。
另外，透明双面粘着片材较佳为刚在60℃、90％RH的条件下静置100小时后的全光线透射率为80％以上(更佳为85％以上，进而佳为90％以上)，且雾值为1.0％以下(更佳为0.7％以下)。
另外，透明双面粘着片材的吸水率较佳为刚在60℃、90％RH的条件下静置100小时后为2.0％以下(更佳为1.25％以下，进而佳为1.0％以下)。
吸水率的测定方法是依据日本专利特开2012-11637号公报记载的方法。
上述透明双面粘着片材可藉由公知的方法来制造。例如在无基材的透明双面粘着片材的情况下，在隔离物(Separator)(剥离衬垫)上以干燥后的厚度成为既定厚度的方式涂布含有含SH的化合物的粘着剂组成物，设置粘着剂组成物的涂布层后，将该涂布层干燥，视需要进行硬化，形成粘着剂层，由此可制作透明双面粘着片材。
另外，在带有基材的透明双面粘着片材的情况下，亦可藉由将含有含SH的化合物的粘着剂组成物直接涂布于基材表面上并加以干燥而设置粘着剂层(直接涂布法)，或者与上述同样地在隔离物上形成含有含SH的化合物的粘着剂层后，与基材进行转印(贴合)，藉此在基材上设置粘着剂层(转印法)。
另外，其他制造方法例如亦可列举以下方法：在含有含SH的化合物的基材表面上涂布粘着剂组成物而设置粘着剂层，制造带有基材的透明双面粘着片材。
而且，在图4中，在透明基板302的一个表面上设有导电膜304及透明双面粘着片材306，但不限定于该实施方式。
例如，亦可如图5所示的导电膜层压体400般，在透明基板302的两面上设置导电膜304a、导电膜304b及透明双面粘着片材306a、透明双面粘着片材306b。而且，如导电膜304a与导电膜304b般，两者的图案形状亦可不同。
<导电膜层压体>
如上所述，本发明的导电膜层压体具备透明基板、配置于透明基板上的 含有银或银合金的导电膜、以及贴合于导电膜上的透明双面粘着片材。
而且，视需要亦可在上述透明双面粘着片材的所露出的显示粘着性的表面上更贴合其他构件(例如后述保护基板)。
就可进一步抑制导电膜间的离子迁移的方面而言，导电膜层压体例如可广泛地应用于触摸屏、显示器用电极、电磁波屏蔽(shield)、有机电致发光(Electroluminescence，EL)显示器用电极或无机EL显示器用电极、电子纸、可挠性显示器用电极、集成型太阳电池、显示组件、其他各种器件等。该等中，特佳为触摸屏。以下，对触摸屏的实施方式加以详述。
<触摸屏>
在将上述导电膜层压体用于触摸屏的情形时，由于透射率高故视认性优异，对画面操作的响应性优异，并且导电膜间的离子迁移进一步得到抑制，因此即便在严酷的环境下长期放置后，亦可维持其性能。
触摸屏可广泛地列举公知的触摸屏，可对作为所谓触控传感器(touch sensor)及触摸板(touch pad)而已知者应用本发明的导电膜层压体。
关于触摸屏的种类，只要具有上述导电膜层压体则并无特别限制，可根据目的而适当选择，例如可列举表面型静电电容方式触摸屏、投影型静电电容方式触摸屏、电阻膜方式触摸屏等。
以下，参照图式，对触摸屏的较佳实施方式加以详述。
在图6(A)及图6(B)中，示出含有上述导电膜层压体的触摸屏的一实施方式。图6(A)及图6(B)的触摸屏500为所谓投影型静电电容方式触摸屏，相当于在一片基材的两面上具备透明电极的方式。
在触摸屏500中，在透明基板302的一个表面上首先配置有导电膜304a，在该导电膜304a上贴合有透明双面粘着片材306a，进而在透明双面粘着片材306a的一个粘着性的表面上贴合有保护基板308a。而且，在透明基板302的另一表面上，亦与上述一个表面上同样地依序配置有导电膜304b、透明双面粘着片材306b及保护基板308b。即，该触摸屏500相当于在导电膜层压体400的透明双面粘着片材306a及透明双面粘着片材306b的表面上贴合有保护基板308a及保护基板308b的实施方式。
而且，导电膜304a及导电膜304b经由未图示的电极端子而与未图标的外部检测电路电性连接。
图6(A)为触摸屏500的示意性俯视图，导电膜304a及导电膜304b的形状分别为等间隔地排列的线状图案。另外，导电膜304a与导电膜304b是以各自的图案彼此大致正交的方式配置。
在触摸屏500中，若以手指等触摸保护基板308a，则手指等与导电膜304a或导电膜304b之间的静电电容的值发生变化。藉由外部检测电路来检测该静电电容值的变化，确定触摸点的坐标。
图6(A)及图6(B)所示的触摸屏500除了具备保护基板308a、保护基板308b以外，具有与图5所示的导电膜层压体400相同的构成，故对相同的构成要素标注相同的参照符号，省略其说明，以下主要对保护基板308a、保护基板308b加以说明。
保护基板的材料并无特别限制，例如可列举(甲基)丙烯酸系树脂、聚碳酸酯树脂、玻璃、聚对苯二甲酸乙二酯树脂等。其中，较佳为于透明性及轻量性方面优异的(甲基)丙烯酸系树脂。
而且，在图6(A)及图6(B)中示出了线状的导电膜304a及导电膜304b的图案，但导电膜304a及导电膜304b的形状及配置等不限定于该实施方式，可采用公知的实施方式。
图6(A)及图6(B)的触摸屏500相当于在一片基材的两面上具备透明电极的方式，但不限定于该构成。
例如，亦可为如图7所示般准备2片带有导电膜的透明基板，隔着透明双面粘着片材以导电膜彼此相对向的方式将该等贴合的贴合方式的触摸屏。在图7的触摸屏600中，在透明双面粘着片材306的一个面上贴合有在表面上具有导电膜304a的透明基板302a，进而在透明基板302a上隔着粘接剂层310a而层压有保护基板308a。另外，在透明双面粘着片材306的另一面上，与上述一个面同样地依序配置有导电膜304b、透明基板302b、粘接剂层310b及保护基板308b。
而且，导电膜304a及导电膜304b经由未图示的电极端子而与未图标的外部检测电路电性连接。
在触摸屏600中，若以手指等触摸保护基板308a，则手指等与导电膜304a或导电膜304b之间的静电电容的值发生变化。藉由外部检测电路来检测该静电电容值的变化，确定触摸点的坐标。
而且，粘接剂层310a及粘接剂层310b的材料可使用公知的材料，例如可例示热硬化性环氧树脂、光硬化性丙烯酸酯树脂等。
另外，亦可代替粘接剂层310a及粘接剂层310b而使用公知的粘着剂层。
另外，亦可为图8所示般藉由与图7不同的其他贴合方法所得的触摸屏。在图8的触摸屏700中，在透明基板302a的一个面上首先配置有导电膜304a，进而隔着透明双面粘着片材306a而贴合有保护基板308a。另外，在透明基板302a的另一面上，隔着透明双面粘着片材306b而贴合有于表面上配置有导电膜304b的透明基板302b，进而隔着粘接剂层310贴合有保护基板308b。
[实施例]
以下，藉由实施例对本发明加以更详细说明，但本发明不限定于该些实施例。
<实施例1>
使用覆铜层压板(copper-clad laminate)(日立化成公司制造，MCL-E-679F，基板：玻璃环氧基板)，藉由丝网印刷法来制造具有L/S＝200μm/200μm的银配线的带有金属配线的绝缘基板。带有金属配线的绝缘基板是藉由以下方法来制作。
藉由蚀刻处理将覆铜层压板的铜箔剥离后，使用丝网印刷装置通过金属掩模将导电性银膏(藤仓化成制造，FA-451)在基板上图案化。
其后，在150℃的条件下进行30分钟加热处理，使银配线硬化，获得L/S＝200μm/200μm的梳型银配线基板(带有金属配线的绝缘基板)。
继而，在所得的带有金属配线的绝缘基板上涂布含有化合物A-1、甲基丙二醇乙酸酯及甲基丙烯酸酯-丙烯酸酯共聚物(丙烯酸系树脂)的银离子扩散抑制层形成用组成物，其后，对带有金属配线的绝缘基板在100℃下实施30分钟加热处理，进而在130℃下实施60分钟加热处理，获得配线基板。
银离子扩散抑制层形成用组成物中，相对于组成物总量，化合物A-1及绝缘树脂的含量分别为0.33质量％及33质量％。

对所得的配线基板进行以下的寿命测定。
(评价方法(寿命延长效果测定)(以下亦称为高加速应力测试(Highly Accelerated Stress Test，HAST)试验)
使用所得的配线基板，在湿度为85％、温度为130度、压力为1.2atm、电压为100V的条件下进行寿命测定(使用装置：爱斯佩克(Espec)(股)公司制造，EHS-221MD)。
作为评价方法，首先使用比较配线基板在上述条件下进行寿命测定，测定银配线间的电阻值成为1×105Ω为止的时间X，上述比较配线基板是在带有金属配线的绝缘基板上形成仅将实施例1中使用的化合物A-1除外的树脂层而获得。
继而，使用实施例1中所得的具有银离子扩散抑制层的配线基板，在上述条件下进行寿命测定，测定银配线间的电阻值成为1×105Ω为止的时间Y。
使用所得的时间X及时间Y来计算寿命的改善效果(Y/X)。
将实施例1中所得的配线基板的结果示于表1中。
<实施例2>
除了将实施例1中的化合物A-1变更为化合物A-2以外，依照与实施例1相同的顺序进行配线基板的制造，并实施上述HAST试验。将结果示于表1中。

<实施例3>
除了将实施例1中的化合物A-1变更为化合物A-3以外，依照与实施例1相同的顺序进行配线基板的制造，并实施上述HAST试验。将结果示于表1中。

<实施例4>
除了将实施例1中的化合物A-1变更为化合物A-4以外，依照与实施例1相同的顺序进行配线基板的制造，并实施上述HAST试验。将结果示于表1中。

<实施例5>
除了将实施例1中的化合物A-1变更为化合物A-5以外，依照与实施例1相同的顺序进行配线基板的制造，并实施上述HAST试验。将结果示于表1中。

<实施例6>
除了将实施例1中的化合物A-1变更为化合物A-6以外，依照与实施例1相同的顺序进行配线基板的制造，并实施上述HAST试验。将结果示于表1中。

<实施例7>
除了将实施例1中的化合物A-1变更为化合物A-7以外，依照与实施例1相同的顺序进行配线基板的制造，并实施上述HAST试验。将结果示于表1中。

<实施例8>
除了将实施例1中的化合物A-1(相对于组成物总量而为0.33质量％)变更为化合物A-8(相对于组成物总量而为0.66质量％)以外，依照与实施例1相同的顺序进行配线基板的制造，并实施上述HAST试验。将结果示于表1中。

<实施例9>
除了将实施例1中的化合物A-1变更为化合物A-9以外，依照与实施例1相同的顺序进行配线基板的制造，并实施上述HAST试验。将结果示于表1中。

<实施例10>
除了将实施例1中的化合物A-1变更为化合物A-10以外，依照与实施例1相同的顺序进行配线基板的制造，并实施上述HAST试验。将结果示于表1中。

<实施例11>
除了将实施例1中的化合物A-1变更为化合物A-11以外，依照与实施例 1相同的顺序进行配线基板的制造，并实施上述HAST试验。将结果示于表1中。

<实施例12>
除了将实施例1中的化合物A-1变更为化合物A-12以外，依照与实施例1相同的顺序进行配线基板的制造，并实施上述HAST试验。将结果示于表1中。

<实施例13>
除了将实施例1中的化合物A-1变更为化合物A-13以外，依照与实施例1相同的顺序进行配线基板的制造，并实施上述HAST试验。将结果示于表1中。

<实施例14>
除了将实施例1中的化合物A-1变更为化合物A-14以外，依照与实施例1相同的顺序进行配线基板的制造，并实施上述HAST试验。将结果示于表1中。

<实施例15>
除了将实施例1中的化合物A-1变更为化合物A-15以外，依照与实施例1相同的顺序进行配线基板的制造，并实施上述HAST试验。将结果示于表1 中。

<比较例1>
除了将实施例1中的化合物A-1变更为化合物R-1以外，依照与实施例1相同的顺序进行配线基板的制造，并实施上述HAST试验。将结果示于表1中。

<比较例2>
除了将实施例1中的化合物A-1变更为化合物R-2以外，依照与实施例1相同的顺序进行配线基板的制造，并实施上述HAST试验。将结果示于表1中。

<比较例3>
除了将实施例1中的化合物A-1变更为化合物R-3以外，依照与实施例1相同的顺序进行配线基板的制造，并实施上述HAST试验。将结果示于表1中。

<比较例4>
除了将实施例1中的化合物A-1变更为化合物R-4以外，依照与实施例1相同的顺序进行配线基板的制造，并实施上述HAST试验。将结果示于表1 中。

<比较例5>
不在实施例1中使用的带有金属配线的绝缘基板上形成银离子扩散抑制层，而在金属配线侧的表面上层叠绝缘层(太阳油墨公司制造，PFR-800)，其后进行曝光、烘烤，制造带有绝缘层的配线基板(绝缘层的层厚：35μm)，并实施上述HAST试验。将结果示于表1中。
[表1]

上述表1中，所谓“无数据(NoData)”是指以下状态：在HAST试验中的通电前的恒温槽内的加热/加湿步骤中，发生了树脂破坏，因此在检测迁移的产生的评价检查装置中被认定为通电错误(error)。
如表1所示，若使用由本发明的组成物所得的含有含SH基的化合物的银离子扩散抑制层，则显示显著的寿命延长效果，且确认到离子迁移进一步得到抑制。
其中，在使用式(1)所表示的化合物的实施例1中，确认到更优异的寿命延长效果。
另外，根据实施例1及实施例4～实施例8的比较、以及实施例2及实施例9～实施例13的比较，烃基为含有三级碳原子及/或四级碳原子的烃基的实施例5、实施例7、实施例8及实施例13的情况下，确认到更优异的寿命延长效果。其中，烃基为含有多个三级碳原子及/或四级碳原子的基团的实施例8中确认到更为优异的寿命延长效果。
另外，根据实施例2及实施例9～实施例12与实施例14及实施例15的比较，烃基为含有上述式(B-1)所表示的基团的烃基的实施例14、及烃基为含有上述式(B-3)所表示的基团的烃基的实施例15的情况下，确认到更优异的寿命延长效果。
另一方面，在使用不含既定化合物的组成物的比较例1～比较例4中，无法获得所需的效果。另外，在使用阻焊剂的比较例5中，虽可见稍许的寿命延长效果，但若与实施例相比较则效果差。
(银纳米线的水分散物的制作)
-银纳米线分散液(1)的制备-
使硝酸银粉末60g溶解于丙二醇370g中，制备硝酸银溶液101。在丙二醇4.45kg中添加聚乙烯吡咯烷酮(分子量为55,000)72.0g，一面在容器的气相部分中进行氮气通气，一面升温至90℃。将该溶液作为反应溶液101。在保持氮气的通气的状态下，向剧烈搅拌的反应溶液101中添加2.50g的硝酸银溶液101，进行1分钟加热搅拌。进而，向该溶液中添加使氯化四丁基铵(tetrabutyl ammonium chloride)11.8g溶解于丙二醇100g中的溶液，制成反应溶液102。
保持于90℃，向以500rpm的搅拌速度搅拌的反应溶液102中以50cc/min的添加速度添加200g的硝酸银溶液101。使搅拌速度减慢至100rpm，停止氮气的通气，进行15小时加热搅拌。保持于90℃，向以100rpm的搅拌速度搅拌的该溶液中以0.5cc/min的添加速度添加220g的硝酸银溶液101，添加 结束后继续加热搅拌2小时。将搅拌变更为500rpm，添加蒸馏水1.0kg后，冷却至25℃为止而制作母液101。
使用截留分子量(molecular weight cutoff)为15万的超过滤模块(ultrafiltration module)，如以下般实施超过滤。重复进行蒸馏水与1-丙醇的混合溶液(体积比为1比1)向母液101中的添加与母液101的浓缩，直至最终滤液的传导度成为50μS/cm以下为止。进行浓缩，获得金属含量为0.45％的银纳米线分散液(1)。
对所得的银纳米线分散液(1)的银纳米线如上述般测定平均短轴长度、平均长轴长度。
结果，平均短轴长度为28.5nm，平均长轴长度为15.2μm。以下，在表述作“银纳米线分散液(1)”的情形时，表示利用上述方法所得的银纳米线分散液。
-银纳米线分散液(2)的制备-
预先制备下述添加液A、添加液B、添加液C及添加液D。
[添加液A]
使氯化硬脂基三甲基铵(stearyl trimethyl ammonium chloride)55mg、氢氧化硬脂基三甲基铵(stearyl trimethyl ammonium hydroxide)10％水溶液5.5g、葡萄糖1.8g溶解于蒸馏水115.0g中，制成反应溶液A-1。进而，使硝酸银粉末65mg溶解于蒸馏水1.8g中，制成硝酸银水溶液A-1。将反应溶液A-1保持于25℃，一面剧烈搅拌一面添加硝酸银水溶液A-1。添加硝酸银水溶液A-1后开始剧烈搅拌180分钟，制成添加液A。
[添加液B]
将硝酸银粉末42.0g溶解于蒸馏水958g中。
[添加液C]
将25％氨水75g与蒸馏水925g混合。
[添加液D]
将聚乙烯基吡咯烷酮(K30)400g溶解于蒸馏水1.6kg中。
然后，如以下般制备银纳米线分散液(2)。
使溴化硬脂基三甲基铵粉末1.30g、溴化钠粉末33.1g、葡萄糖粉末1,000g及硝酸(1N)115.0g溶解于80℃的蒸馏水12.7kg中。将该溶液保持于80 ℃，一面以500rpm搅拌，一面依序以250cc/min的添加速度添加添加液A，以500cc/min的添加速度添加添加液B，以500cc/min的添加速度添加添加液C。将搅拌速度调整为200rpm，在80℃下加热。将搅拌速度调整为200rpm后继续加热搅拌100分钟后，冷却至25℃。将搅拌速度变更为500rpm，以500cc/min添加添加液D。将该溶液作为母液201。继而，一面剧烈搅拌1-丙醇，一面向其中以混合比率成为体积比为1比1的方式一次性添加母液201。继续搅拌3分钟，制成母液202。
使用截留分子量为15万的超过滤模块，如以下般实施超过滤。
将母液102浓缩至4倍后，反复进行蒸馏水与1-丙醇的混合溶液(体积比为1比1)的添加与浓缩，直至最终滤液的传导度成为50μS/cm以下为止。进行浓缩，获得金属含量为0.45％的银纳米线分散液(2)。
对所得的银纳米线分散液(2)的银纳米线如所述般测定平均短轴长度、平均长轴长度。
结果，平均短轴长度为17.2nm，平均长轴长度为8.8μm。
<实施例16>
(带有导电膜的透明基板的制造)
准备包含聚对苯二甲酸乙二酯(PolyEthylene Terephthalate，PET)基板(厚度为125μm)的透明基板，按照以下顺序在透明基板上制作含有梳形电极图案(L/S＝200μm/200μm)的银的导电膜，获得导电膜层压体。
(导电膜的制作)
将下述组成的烷氧化物化合物的溶液于60℃下搅拌1小时，确认其已变均匀。利用凝胶渗透层析法(Gel Permeation Chromatography，GPC)(聚苯乙烯换算)来测定所得的溶胶凝胶液的重量平均分子量(Mw)，结果Mw为4,400。将溶胶凝胶溶液2.24份与上述所制备的银纳米线分散液(1)17.76份混合，进而利用蒸馏水及1-丙醇稀释而获得银纳米线涂布液(1)。所得的涂布液的溶剂比率为蒸馏水∶1-丙醇＝60∶40。在PET基板(厚度为125μm)上利用棒涂法以银量成为0.015g/m2、总固体成分涂布量成为0.120g/m2的方式涂布银纳米线涂布液(1)后，在120℃下干燥1分钟，形成含有银纳米线的导电膜1。
(烷氧化物化合物的溶液)
·四乙氧基硅烷    5.0份
(KBE-04，信越化学工业(股)制造)
·1％乙酸水溶液   11.0份
·蒸馏水          4.0份
(导电膜的图案化)
在导电膜1上藉由旋涂来涂布光阻剂(TMSMR-8900LB：东京应化制造)，在90℃下煅烧60秒钟。继而，使用光罩进行图案曝光(曝光量：12mW/cm2，20秒)，利用显影液(NMD-W：东京应化制造)进行显影，加以水洗、干燥后，在120℃下煅烧60秒钟，在导电膜1上形成经图案化的光阻剂。
继而，在银蚀刻液(SEA-2：关东化学制造)中浸渍30秒后，加以水洗、干燥，对银纳米线进行蚀刻，在导电膜1中形成非导电部。其后，使用中性剥离液(PK-SFR8120：帕卡(Parker Corporation)制造)将光阻剂剥离，然后加以水洗、干燥，制作经图案化为梳形电极图案(L/S＝200μm/200μm)的导电膜1。
(透明双面粘着片材的制造)
继而，在具备丙烯酸系共聚物的制备搅拌机、回流冷凝器(reflux condenser)、温度计、滴液漏斗及氮气导入口的反应容器中，将丙烯酸正丁酯91.5质量份、丙烯酸-2-羟乙酯(2-hydroxyethyl acrylate)0.5质量份、丙烯酸8.0质量份及作为聚合引发剂的2，2′-偶氮双异丁腈0.2份溶解于乙酸乙酯100质量份中，进行氮气置换后，在80℃下聚合8小时而获得质量平均分子量为80万的丙烯酸系共聚物(1)。
继而，利用乙酸乙酯将上述丙烯酸系共聚物(1)(99.1质量份)及上述化合物A-1(1.0质量份)稀释，获得树脂固体成分为30％的粘着剂组成物。
在上述粘着剂组成物100重量份中添加异氰酸酯系交联剂(日本聚胺酯公司制造，科罗讷特(Coronate)L-45，固体成分为45％)0.7重量份并搅拌15分钟后，以干燥后的厚度成为25μm的方式涂布于利用硅酮化合物对单面进行了剥离处理的厚度为50μm的聚酯膜(以下称为#75剥离膜)上，在75℃下干燥5分钟。将所得的粘着片材与利用硅酮化合物对单面进行了剥离处理的厚度为38μm的聚酯膜(以下称为#38剥离膜)贴合。其后在23℃下熟化5天，获得厚度为25μm的透明双面粘着片材(无基材的粘着片材)。该 粘着片材的全光线透射率为90.8％，雾值为0.6％，吸水率为1.24％。全光线透射率、雾值及吸水率的测定是依据日本专利特开2012-11637号公报记载的方法。更具体而言，利用以下的段落中记载的方法来实施测定。
而且，相对于透明双面粘着片材总质量，透明双面粘着片材中的化合物A-1的含量为1.0质量％。
(透明双面粘着片材的全光线透射率及雾值测定)
将透明双面粘着片材在60℃、90％RH的条件下放置100小时后，依序贴合PET膜、玻璃而制备试验样品。使用村上色彩技术研究所(股)制造的“HR-100型”，测定制备样品的全光线透射率及雾值(％)。
(透明双面粘着片材的吸水率测定)
将100mm×100mm的双面粘着片材在60℃、90％RH的条件下放置100小时后，立即剥离透明双面粘着片材的单面的剥离膜，贴合于预先秤量的150mm×150mm的铝箔上，进而将另一剥离膜剥去并进行秤量(将自该重量中去掉铝箔的重量所得的重量设定为W1)。将其在105℃的条件下干燥2小时后，进行秤量(将自该重量中去掉铝箔的重量所得的重量设定为W2)。双面粘着片材的吸水率是由下述式来算出。
双面粘着片材的吸水率(％)＝(W1-W2)/W2×100
(导电膜层压体的制造)
在配置有导电膜的透明基板上贴合上述透明双面粘着片材的显示粘着性的一个表面，获得导电膜层压体。继而，在所得的导电膜层压体的透明双面粘着片材的所露出的显示粘着性的另一表面上贴合PET膜(膜厚：50μm)。其后，将所得的导电膜层压体在45℃、0.5MPa的条件下进行20分高压釜处理。
而且，在图9(A)中示出上述所得的导电膜层压体800的示意性俯视图，在图9(B)中示出图9(A)的A-B线的示意性剖面箭视图。在图9(A)及图9(B)中，导电膜层压体800依序具备透明基板302、导电膜304、透明双面粘着片材306及保护基板308。
<实施例17>
除了将实施例16中的化合物A-1变更为化合物A-2以外，依照与实施例16相同的顺序进行导电膜层压体的制造。而且，此时的透明双面粘着片材的 全光线透射率为90.7％，雾值为0.6％，吸水率为1.24％。
<实施例18>
除了将实施例16中的化合物A-1变更为化合物A-3以外，依照与实施例16相同的顺序进行导电膜层压体的制造。而且，此时的透明双面粘着片材的全光线透射率为90.8％，雾值为0.5％，吸水率为1.26％。
<实施例19>
除了将实施例16中的化合物A-1变更为化合物A-5以外，依照与实施例16相同的顺序进行导电膜层压体的制造。而且，此时的透明双面粘着片材的全光线透射率为90.8％，雾值为0.6％，吸水率为1.24％。
<实施例20>
除了将实施例16中的化合物A-1(1.0质量份)变更为化合物A-8(2.0质量份)以外，依照与实施例16相同的顺序进行导电膜层压体的制造。而且，此时的透明双面粘着片材的全光线透射率为91.0％，雾值为0.5％，吸水率为1.23％。
而且，相对于透明双面粘着片材总质量，透明双面粘着片材中的化合物A-8的含量为2.0质量％。
<实施例21>
除了将实施例16中的化合物A-1变更为化合物A-9以外，依照与实施例16相同的顺序进行导电膜层压体的制造。而且，此时的透明双面粘着片材的全光线透射率为90.7％，雾值为0.4％，吸水率为1.20％。
<实施例22>
除了将实施例16中的化合物A-1变更为化合物A-13以外，依照与实施例16相同的顺序进行导电膜层压体的制造。而且，此时的透明双面粘着片材的全光线透射率为90.9％，雾值为0.5％，吸水率为1.21％。
<实施例23>
除了将实施例16中的化合物A-1变更为化合物A-14以外，依照与实施例16相同的顺序进行导电膜层压体的制造。而且，此时的透明双面粘着片材的全光线透射率为91.0％，雾值为0.6％，吸水率为1.22％。
<实施例24>
除了将实施例16中的透明双面粘着片材中的化合物A-1的含量1.0质量 ％变更为0.4质量％以外，依照与实施例16相同的顺序进行导电膜层压体的制造。而且，此时的透明双面粘着片材的全光线透射率为91.0％，雾值为0.5％，吸水率为1.22％。
<实施例25>
除了将实施例16中的透明双面粘着片材中的化合物A-1的含量1.0质量％变更为2.5质量％以外，依照与实施例16相同的顺序进行导电膜层压体的制造。而且，此时的透明双面粘着片材的全光线透射率为88.6％，雾值为0.7％，吸水率为1.25％。
<实施例26>
除了将实施例16中的透明双面粘着片材中的化合物A-1的含量1.0质量％变更为5.0质量％以外，依照与实施例16相同的顺序进行导电膜层压体的制造。而且，此时的透明双面粘着片材的全光线透射率为84.3％，雾值为0.9％，吸水率为1.23％。
<比较例6>
除了不使用实施例16中的化合物A-1以外，依照与实施例16相同的顺序进行导电膜层压体的制造。而且，此时的透明双面粘着片材的全光线透射率为91.2％，雾值为0.5％，吸水率为1.21％。
该实施方式中，透明双面粘着片材中不含既定的化合物。
<比较例7>
除了将实施例16中的化合物A-1变更为化合物R-1以外，依照与实施例16相同的顺序进行导电膜层压体的制造。而且，此时的透明双面粘着片材的全光线透射率为89.2％，雾值为0.8％，吸水率为1.25％。
<比较例8>
除了将实施例16中的化合物A-1变更为化合物R-2以外，依照与实施例16相同的顺序进行导电膜层压体的制造。而且，此时的透明双面粘着片材的全光线透射率为88.6％，雾值为0.8％，吸水率为1.23％。
<比较例9>
除了将实施例16中的化合物A-1变更为化合物R-3以外，依照与实施例16相同的顺序进行导电膜层压体的制造。而且，此时的透明双面粘着片材的全光线透射率为88.8％，雾值为0.8％，吸水率为1.27％。
<比较例10>
除了将实施例16中的化合物A-1变更为化合物R-4以外，依照与实施例16相同的顺序进行导电膜层压体的制造。而且，此时的透明双面粘着片材的全光线透射率为86.8％，雾值为0.9％，吸水率为1.29％。
(评价方法(寿命延长效果测定))
使用所得的导电膜层压体，在湿度为90％、温度为60度、电压为10V的条件下进行寿命测定(使用装置：爱斯佩克(股)公司制造，EHS-221MD)。
作为评价方法，首先使用比较例6中记载的导电膜层压体在上述条件下进行寿命测定，测定导电膜间的电阻值成为1×105Ω为止的时间X。
继而，使用实施例16～实施例26或比较例6～比较例10中所得的导电膜层压体在上述条件下进行寿命测定，测定银配线间的电阻值成为1×105Ω为止的时间Y。
使用所得的时间X及时间Y来计算寿命的改善效果(Y/X)。将结果汇总示于表2中。

表2中的“无数据(NoData)(剥离)”表示透明双面粘着片材在试验中剥离而无法评价。另外，“化合物添加浓度”是指相对于透明双面粘着片材总体的质量的质量％。
如表2所示，本发明的导电膜层压体显示明显的寿命延长效果，且确认到离子迁移进一步得到抑制。另外，不损及透明双面粘着片材的透明性而确认到优异的寿命延长效果。其中，在为0.5质量％～5.0质量％的情况下，确认到更优异的寿命延长效果。
另外，根据实施例16与实施例19、实施例20的比较以及实施例17、实施例21与实施例22的比较，烃基为含有三级碳原子及/或四级碳原子的烃基的实施例19、实施例20、实施例22的情况下，确认到更优异的寿命延长效果。其中，烃基为含有多个三级碳原子及/或四级碳原子的基团的实施例20确认到更为优异的寿命延长效果。
另外，根据实施例17、实施例21与实施例23的比较，烃基为含有上述式(B-1)所表示的基团的烃基的实施例23的情况下，确认到更优异的寿命延长效果。
另一方面，使用不含既定化合物的组成物的比较例6～比较例10中，无法获得所需的效果。
尤其在比较例8～比较例10中，可认为透明双面粘着片材中含有化合物，由此粘着力降低。
<实施例27>
在实施例16中的导电膜的制作中，将银纳米线分散液(1)变更为银纳米线分散液(2)，除此以外，依照与实施例16相同的顺序进行导电膜层压体的制造。
<实施例28>
在实施例17中的导电膜的制作中，将银纳米线分散液(1)变更为银纳米线分散液(2)，除此以外，依照与实施例17相同的顺序进行导电膜层压体的制造。
<实施例29>
在实施例18中的导电膜的制作中，将银纳米线分散液(1)变更为银纳米线分散液(2)，除此以外，依照与实施例18相同的顺序进行导电膜 层压体的制造。
<实施例30>
在实施例19中的导电膜的制作中，将银纳米线分散液(1)变更为银纳米线分散液(2)，除此以外，依照与实施例19相同的顺序进行导电膜层压体的制造。
<实施例31>
在实施例20中的导电膜的制作中，将银纳米线分散液(1)变更为银纳米线分散液(2)，除此以外，依照与实施例20相同的顺序进行导电膜层压体的制造。
<实施例32>
在实施例21中的导电膜的制作中，将银纳米线分散液(1)变更为银纳米线分散液(2)，除此以外，依照与实施例21相同的顺序进行导电膜层压体的制造。
<实施例33>
在实施例22中的导电膜的制作中，将银纳米线分散液(1)变更为银纳米线分散液(2)，除此以外，依照与实施例22相同的顺序进行导电膜层压体的制造。
<比较例11>
在比较例6中的导电膜的制作中，将银纳米线分散液(1)变更为银纳米线分散液(2)，除此以外，依照与比较例6相同的顺序进行导电膜层压体的制造。
<比较例12>
在比较例7中的导电膜的制作中，将银纳米线分散液(1)变更为银纳米线分散液(2)，除此以外，依照与比较例7相同的顺序进行导电膜层压体的制造。
<比较例13>
在比较例8中的导电膜的制作中，将银纳米线分散液(1)变更为银纳米线分散液(2)，除此以外，依照与比较例8相同的顺序进行导电膜层压体的制造。
<比较例14>
在比较例9中的导电膜的制作中，将银纳米线分散液(1)变更为银纳米线分散液(2)，除此以外，依照与比较例9相同的顺序进行导电膜层压体的制造。
<比较例15>
在比较例10中的导电膜的制作中，将银纳米线分散液(1)变更为银纳米线分散液(2)，除此以外，依照与比较例10相同的顺序进行导电膜层压体的制造。
(评价方法(寿命延长效果测定))
使用所得的导电膜层压体，在湿度为90％、温度为60度、电压为10V的条件下进行寿命测定(使用装置：爱斯佩克(股)公司制造，EHS-221MD)。
作为评价方法，首先使用比较例11中记载的导电膜层压体在上述条件下进行寿命测定，测定导电膜间的电阻值成为1×105Ω为止的时间X。
继而，使用实施例27～实施例33或比较例11～比较例15中所得的导电膜层压体在上述条件下进行寿命测定，测定银配线间的电阻值成为1×105Ω为止的时间Y。
使用所得的时间X及时间Y来计算寿命的改善效果(Y/X)。将结果汇总示于表3中。

表3中的“无数据(NoData)(剥离)”表示透明双面粘着片材在试验中剥离而无法评价。另外，“化合物添加浓度”是指相对于透明双面粘着片材总体质量的质量％。
由实施例27～实施例33及比较例11～比较例15表示，即便使用银纳米线的平均短轴径不同的银纳米线分散液，亦可获得与上述实施例16～实施例22相同的效果。
<实施例34>
使用实施例16中记载的方法在透明基板的两面上制作导电膜。其后，在透明基板的两面上隔着透明双面粘着片材A而贴合PET膜(厚度：50μm)，制作图6(A)及图6(B)中记载的静电电容式触摸屏。
<比较例16>
除了将实施例34中的透明双面粘着片材A变更为透明双面粘着片材I以外，依照与实施例34相同的顺序进行触摸屏的制造。
<比较例17>
除了将实施例34中的透明双面粘着片材A变更为透明双面粘着片材M以外，依照与实施例34相同的顺序进行触摸屏的制造。
(试验方法)
使所得的触摸屏在湿度为90％、温度为60度的条件下驱动240小时后，回到室温环境下(湿度为40％，温度为25度)，确认触摸屏是否正常运作。
实施例34中所得的触摸屏正常运作，但比较例16及比较例17中所得的触摸屏未运作。可认为其原因在于：在比较例16及比较例17中，在图案状的导电膜间发生了离子迁移。
【符号说明】
10、100：配线基板
12、12a、12b：绝缘基板
14、14a、14b：金属配线
16：带有金属配线的绝缘基板
18：银离子扩散抑制层
20：绝缘层
200：带有绝缘层的配线基板
300、400、800：导电膜层压体
302、302a、302b：透明基板
304、304a、304b：导电膜
306、306a、306b：透明双面粘着片材
308、308a、308b：保护基板
310、310a、310b：粘接剂层
500、600、700：触摸屏