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1、(10)申请公布号 CN 102800326 A (43)申请公布日 2012.11.28 C N 1 0 2 8 0 0 3 2 6 A *CN102800326A* (21)申请号 201210167148.5 (22)申请日 2012.05.25 13/115,621 2011.05.25 US G11B 5/127(2006.01) H01L 43/12(2006.01) (71)申请人西部数据（弗里蒙特）公司 地址美国加利福尼亚州 (72)发明人 W高 (74)专利代理机构北京纪凯知识产权代理有限 公司 11245 代理人赵蓉民 (54) 发明名称 用于制造磁记录头中窄线结构的方法和。
2、系统 (57) 摘要 本发明描述了一种用于制造在磁记录头中结 构的方法。在用于结构的层上提供第一和第二硬 掩膜层。在第二硬掩膜层上提供底层抗反射涂 （BARC）层和具有图案的光致抗蚀剂掩膜。该图案 包括与结构相对应的线路。利用蚀刻化学以单一 蚀刻将该图案转移到底层抗反射涂层（BARC）和 第二硬掩膜层。利用和第一蚀刻化学大致相同的 蚀刻化学修剪至少第二硬掩膜层。形成包括与线 路相对应的硬掩膜线路以及宽度少于三十纳米的 掩膜。第二硬掩膜的图案转移到第一硬掩膜层。 第一硬掩膜层的图案转移到使得结构具有大致宽 度的层。 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 权利要求书2页 说明书6页 附图7页。
3、 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 2 页 说明书 6 页 附图 7 页 1/2页 2 1.一种从至少一个与一结构相对应的层形成在磁记录头中的所述结构的方法，该方法 包括： 在至少一个层上提供第一硬掩膜层； 在第一掩膜层上提供第二硬掩膜层； 在第二硬掩膜层上提供底层抗反射涂层，即BARC层； 在第二硬掩膜层上提供具有图案的光致抗蚀剂掩膜，所述图案包括与所述结构相对应 的线路； 利用第一蚀刻化学以单一蚀刻转移图案到所述底层抗反射涂层； 利用与第一蚀刻化学大致相同的第二蚀刻化学修剪至少所述第二硬掩膜层，以提供包 括与线路相对应的硬掩膜线路和宽度小于三十纳米的掩。
4、膜； 转移所述第二硬掩膜的图案到所述第一硬掩膜层；以及转移所述第一硬掩膜层的图案 到至少一个使得结构具有大致相同宽度的层。 2.根据权利要求1所述的方法，其中转移图案到所述底层抗反射涂层和所述第二硬掩 膜层的步骤进一步包括： 执行反应离子蚀刻（RIE）。 3.根据权利要求2所述的方法，其中所述反应离子蚀刻（RIE）是垂直的反应离子蚀刻 （RIE）。 4.根据权利要求3所述的方法，其中执行所述反应离子蚀刻（RIE）的步骤进一步包 括： 基于终点检测终止垂直反应离子蚀刻（RIE）。 5.根据权利要求1所述的方法，其中修剪所述第二硬掩膜的步骤进一步包括： 执行所述反应离子蚀刻（RIE）。 6.根据权。
5、利要求5所述的方法，其中所述反应离子蚀刻（RIE）是横向的反应离子蚀刻 （RIE） 7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一化学和第二化学中的每个包括氧和氯。 8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一化学和所述第二化学中的每个包括额外 的稀释气体。 9.根据权利要求8所述的方法，其中所述稀释气体至少是氦气，氮气和氩气中的一个。 10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二硬掩膜包括铬。 11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第二硬掩膜至少由铬，铬，氧化铬和铬氮氧 化物之一组成。 12.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二硬掩膜厚度不超过两百埃。 13.根据权利要求12所述的方法，其中。
6、所述厚度不超过五十埃。 14.根据权利要求1所述的方法，其中所述结构包括至少磁阻传感器和近场换能器中 的一个。 15.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一化学相当于所述第二化学。 16.一种从至少一个与一结构相对应的层形成在磁记录头中的所述结构的方法，该方 法包括： 在至少一个层上提供第一硬掩膜层； 权 利 要 求 书CN 102800326 A 2/2页 3 在第一硬掩膜层上提供铬层，铬层厚度不超过五十埃； 在铬层上提供底层抗反射涂层（BARC）； 在第二硬掩膜层上提供具有图案的光致抗蚀剂掩膜，所述图案包括与所述结构相对应 的线路； 利用包括氯和氧的第一蚀刻化学以第一非均质的反应离子蚀刻（。
7、RIE）转移图案到底层 抗反射涂层（BARC）和铬层，单一非均质反应离子蚀刻（RIE）以和铬层平面垂直的方向比铬 层平面消除更多的铬层； 利用具有和第一蚀刻化学大致相同的第二蚀刻化学的第二垂直反应离子蚀刻（RIE）修 剪铬层和底层抗反射涂层（BARC），第二垂直反应离子蚀刻（RIE）以铬层平面比在方向消除 更多的铬层，因此提供包括与线路相对应的硬掩膜线路和具有少于三十纳米宽度的掩膜； 转移第二硬掩膜的图案到第一硬掩膜层；以及转移第一硬掩膜层的图案到至少一个使 得结构大致具有所述宽度的层。 权 利 要 求 书CN 102800326 A 1/6页 4 用于制造磁记录头中窄线结构的方法和系统 技术。
8、领域 背景技术 0001 图1示出在磁记录技术应用中制造结构的传统方法10。图2-3示出利用方法10 在制造期间的传统换能器50。图2-3不是按比例的。方法10通常在用于结构的材料已经 布置好后开始。例如，方法10可用于制造读取换能器中的传统磁阻读取传感器。可选地， 传统方法10可用于制造在能源辅助磁记录写换能器中的（EAMR）传统近场换能器（NFT）的 引线部分。 0002 传统方法10通过提供传统硬掩模层，传统底层抗反射涂层（BARC），以及通过步骤 12的光致抗蚀剂掩模来开始。传统底层抗反射涂层（BARC）辅助制造传统光致抗蚀剂掩模 的布线图案。传统光致抗蚀剂掩模具有渴望的图案。对于像传。
9、统磁阻传感器或近场换能器 （NFT）引线部分这样的结构，光致抗蚀剂掩模包括线路。 0003 在传统光致抗蚀剂掩膜中的光致抗蚀剂线路通过步骤14修剪。氧等离子体反应 离子蚀刻（RIE）或其他类似的方法通常用于减少光致抗蚀剂线路的宽度。接着光致抗蚀剂 掩膜的图案通过步骤16转移到底层抗反射涂层（BARC）。步骤16通常利用和底层抗反射涂 层（BARC）相适应的蚀刻化学来转移。图2示出在执行步骤16后的传统换能器50。示出用 于装置52，硬掩膜54，底层抗反射涂层（BARC）56以及光致抗蚀剂掩膜58的层52。若要形 成传统的磁阻结构，层52的层叠通常包括抗铁磁性（AFM）层，引线层，非磁性间隔层，。
10、以及 自由层。另外，可使用种子（seed）和/或封盖层（capping layer）。传统层52驻留在底基 层（underlayer）之上（未显示），底基层可是衬底。传统硬掩膜层54通常是碳化硅或类金 刚石碳（DLC）这样的材料。底层抗反射涂层（BARC）56通常是有机的底层抗反射涂层，例如 AR3。还示出光致抗蚀剂掩膜58。示出光致抗蚀剂掩膜58的线路部分。因为已执行步骤 16，底层抗反射涂层（BARC）56具有和光致抗蚀剂掩膜58线路相同的宽度。 0004 传统硬掩膜由硬掩膜层54通过步骤18来定义。换句话说，传统光致抗蚀剂掩膜 58的线路/图案和底层抗反射涂层（BARC）56转移到硬掩膜。
11、层54。步骤18通常包括执行 与用于硬掩膜层54的材料相称的RIE。图3示出在步骤18执行后的换能器50。因此，传 统硬掩膜54具有光致抗蚀剂掩膜58和底层抗反射涂层（BARC）56的图案。传统硬掩膜 54因此具有和底层抗反射涂层（BARC）56和光致抗蚀剂掩膜线路58相同的宽度，w。正 如图3所见，在执行步骤18后，保留部分光致抗蚀剂58。 0005 结构通过步骤20来定义。步骤20通常包括离子铣换能器50或执行反应离子蚀 刻（RIE）。因此，消除了布置的磁阻层叠部分或近场换能器层（NFT）52。光致抗蚀剂58在 步骤18辅助执行步骤20后保留。特别地，光致抗蚀剂58辅助确保下卧层设备层的期。
12、望 部分保留覆盖。会在步骤20消耗某些或全部光致抗蚀剂58。接着可完成传统换能器50 的制造。 0006 虽然传统方法10允许传统换能器50以线路宽度低于一百纳米来制造，但是存在 几个缺点。当前的趋势是更高记录密度以及更小轨迹宽度。因此有望减少待制成的结构宽 说 明 书CN 102800326 A 2/6页 5 度。这样做，也有望减少掩膜54,56和58的宽度，w。例如，在某些应用中，期望由硬掩 膜54来制造的结构宽度可低于五十纳米。传统方法10不能制造如此小宽度的线路。例 如，光致抗蚀剂58通常是很厚的-大约是0.2微米或更多。当如此厚的防蚀涂层线具有 如此窄的宽度，制造时会弯曲或倒下。可选。
13、地，光致抗蚀剂58可具有大的落脚点。因此， 由层52制成的结构宽度会有大的变异以及大的晶片-晶片变异。这样的变异不是所期望 的。产量也会受到不好的影响。 0007 因此，所需要的是在磁记录换能器中改善结构制造的系统和方法。 发明内容 0008 本发明描述了与磁记录头结构对应的结构制造方法。该方法包括提供在层上的第 一硬掩膜层和在第一硬掩膜层上的第二硬掩膜层。在第二硬掩膜层上提供底层抗反射涂层 （BARC）。在第二硬掩膜层上提供具有图案的光致抗蚀剂掩膜。该图案包括与结构相对应的 线路。利用第一蚀刻化学在单一蚀刻中将图案转移到底层抗反射涂层（BARC）和第二硬掩 膜层。利用和第一蚀刻化学大致相同的。
14、第一蚀刻化学修剪至少第二硬掩膜层以提供包括与 线路相对应的硬掩膜线路以及宽度小于三十纳米的掩膜。第二硬掩膜的图案还转移到第一 硬掩膜层。第一硬掩膜层的图案转移到层中使得结构具有大致相同的宽度。 附图说明 0009 图1示出制造磁记录换能器传统方法的流程图。 0010 图2示出在制造期间的磁记录换能器。 0011 图3示出在制造期间的磁记录换能器。 0012 图4示出用于在磁记录换能器中制造结构的方法示范性实施例的流程图。 0013 图5示出用于在磁记录换能器中制造结构的方法示范性实施例的流程图。 0014 图6-11示出在制造期间的磁记录换能器的示范性实施例。 具体实施方式 0015 图4示出。
15、用于提供磁记录换能器的方法的示范性实施例。为简化起见，省略某些 步骤。在提供单一记录换能器的上下文中，还描述了方法100。不过方法100可在大致相 同的时间用于制造多个换能器。在特定层中的上下文中还描述了方法100。特定层可包括 多个材料和/或多个子层。方法100还可在磁记录换能器的其他部分形成后开始。例如， 方法100在期望结构从其形成的层布置好后开始。例如，若要形成磁阻传感器，接着方法 100在用于磁阻层叠的层已经布置好后开始。磁阻层可包括钉扎层（pinning layer），固定 层（pinned layer），非磁性间隔层，以及自由层。另外，可使用种子和/或封盖层。钉扎层 可是抗铁磁性。
16、（AFM）层或经配置用于固定或钉住固定层磁化的其他层。固定层可是包括磁 耦合被非磁层隔离的铁磁层的合成的抗铁磁（SAF）层。铁磁层可称为固定及参考子层。对 于巨大磁阻结构来说，非磁性隔离层可是导体层，对于隧道磁阻结构来说可是绝缘体，或可 是另一个结构。自由层是铁磁的并具有随着外部磁场改变而随意改变的磁化，例如从介质。 自由层可具有多个子层，如可是固定和参考子层。若要形成近场换能器（NFT）然后在近场 换能器（NFT）的材料，例如金（Au）已经布置好后，方法100开始。 说 明 书CN 102800326 A 3/6页 6 0016 通过步骤102在层上为结构提供第一硬掩膜层。硬掩膜层的形成物可。
17、包括至少碳 化硅，氧化铝，非晶质硅。氧化硅，以及氧化钽中的一个的布置。不过，在其他实施例中，可 采用其他材料。在步骤102提供的硬掩膜层可是厚的。例如，碳化硅硬掩膜可是大约五百 埃厚。在其他实施例中，可使用包括厚度大于五百埃的其他厚度。通过步骤104在第一硬 掩膜层上提供第二硬掩膜层。第二硬掩膜层可包括材料例如铬，氧化铬，和/或铬氮氧化 物。在某些实施例中，布置的第二硬氧化层明显薄于第一硬硬化层。在某些实施例中，第二 硬氧化层的厚度不超过两百埃。在某些实施例中，第二硬氧化层的厚度不超过一百埃。在 某些实施例中，第二硬氧化层的厚度不超过五十埃。第二硬氧化层的厚度还可至少是四十 埃。不过，其他厚度。
18、是可能的。 0017 通过步骤106在第二硬氧化层提供底层抗反射涂层（BARC）。在光致抗蚀剂掩膜制 造期间，底层抗反射涂层（BA RC）减少或消除反射，如下所述。在某些实施例中，底层抗反射 涂层（BARC）可是如AR3的抗反射涂层。在步骤106提供的底层抗反射涂层（BARC）厚度取 决于下面提到的照相平版印刷（photolithography）中用到的光波长。 0018 通过步骤108在第二硬掩膜层上提供具有图案的光致抗蚀剂掩膜。在某些实施 例中，通过传统的照相平版印刷执行步骤108。正在制造与结构对应的光致抗蚀剂掩膜图 案。因此，图案包括与结构对应的线路。例如，若正在制造的结构是近场换能器。
19、（NFT），光 致抗蚀剂掩膜可具有与近场换能器（NFT）圆盘相对应的圆盘形部分以及具有与近场换能器 （NFT）引线部分相对应的线路。类似地，若正在制造的结构是磁阻传感器，接着光致抗蚀剂 掩膜具有与传感器相对应的线路。可利用传统的照相平版印刷制造在步骤108提供的光致 抗蚀剂掩膜。例如，光致抗蚀剂层可放置，选择的部分暴露到期望波长的光中，接着在显影 剂（developer）中浸泡以消除曝光的部分。不过，在其他实施例中，光致抗蚀剂掩膜以其他 方式提供。 0019 通过步骤110光致抗蚀剂掩膜的图案在单一蚀刻中不但转移到底层抗反射涂层 （BARC），而且转移到第二硬掩膜层。在步骤110执行的蚀刻，其。
20、利用能够消除抗反射涂层 （BARC）和第二硬掩膜层的第一蚀刻化学。在某些实施例中，蚀刻化学包括氧气和氯气。还 可采用稀释气体例如氦气，氮气，和/或氩气。在步骤110执行的蚀刻是非均质的反应离子 腐蚀（RIE）。因此，步骤10的蚀刻不在所有方向以相同速率从底层抗反射涂层（BARC）和第 二硬掩膜。反而，步骤110的反应离子腐蚀（RIE）可是垂直的反应离子腐蚀（RIE），其以比 另外一个方向更高速率的垂直方向来消除底层抗反射涂层（BARC）和第二硬掩膜层。因此， 在底层抗反射涂层（BARC）和第二硬掩膜层中形成的线路宽度和光致抗蚀剂掩膜中的线路 宽度大致相同。在某些实施例中，在步骤110执行的蚀刻。
21、基于终点检测终止。当检测到下 卧层时，垂直反应离子腐蚀（RIE）停止。 0020 通过步骤112，利用和第一蚀刻化学大致相同的第二蚀刻化学修剪至少第二硬掩 膜层，仍然在步骤112，在第二硬掩膜层之上的层，例如底层抗反射涂层（BARC）和光致抗蚀 剂层也可被修剪。因为在步骤112和步骤110使用相同的蚀刻化学，可在步骤112使用氧 气和氯气。进一步地，还可使用稀释气体例如氩气，氮气，和/或氦气。在某些实施例中，第 二蚀刻也是非均质的反应离子腐蚀（RIE）。不过，这样的非均质蚀刻是横向的反应离子腐蚀 （RIE）。因此，横向地消除材料比其他方向明显地快一些（水平地或平行于换能器的表面）从 垂直到横向。
22、的改变使用相同化学，可通过对蚀刻的其他方面改变来实现。例如，可调节衬底 说 明 书CN 102800326 A 4/6页 7 偏离率和/或气体流速度。包括与该线路相对应的硬掩膜线路的掩膜就这样形成了。硬掩 膜线路具有少于三十纳米的宽度。在某些实施例中，线路宽度可不超过二十纳米。在某些 这样的实施例中，线路宽度可是10个纳米或更少。 0021 在步骤112的修剪以可预知的方式减少了光致抗蚀剂掩膜线路部分、底层抗反射 涂层（BARC）、以及第二硬掩膜层的宽度。换句话说，在步骤112很好控制后，第二硬掩膜层 的宽度保留。例如，一旦校准，横向的反应离子腐蚀（RIE）可具有不超过一到两个纳米的总 和。这。
23、样的校准可包括在相同条件下在步骤112执行的蚀刻随着时间的推移，样本结构宽 度改变的测量。在某些实施例中，随着时间改变而在宽度上的改变是可重复的且线性的，而 这允许步骤112中的蚀刻消除众所周知的材料。因此，保留第二硬掩膜已知宽度。 0022 通过步骤114第二硬掩膜的图案转移到第一硬掩膜层。在某些实施例中，与第一 硬掩膜层相称的反应离子腐蚀（RIE）用于步骤114。期望在第一硬掩膜层和第二硬掩膜层 之间的选择性很高。例如，第二硬掩膜层可是铬，而第一硬掩膜层可是碳化硅。在某些实施 例中，限制性可至少是三十对一（第一硬掩膜层对第二硬掩膜层）。在其他实施例中，选择性 可至少是一百对一。因此，没有耗。
24、用显著数量的第二硬掩膜层且基本没有改变第二硬掩膜 层宽度，第二硬掩膜层的线路图案可转移到第一硬掩膜层。 0023 通过步骤116第一硬掩膜层的图案转移到用于结构的下卧层。因此，结构具有和 修剪的第一硬掩膜层大致相同的宽度。接着通过步骤118可完成换能器的制造。 0024 利用方法100，可以可靠取得更小宽度的结构。例如，可制成宽度小于三十纳米的 结构。在某些实施例中，可形成亚十纳米的宽度。因为防蚀涂层和第二硬掩膜层都可在步 骤112修剪，可减少或消除由于防蚀涂层弯曲和落脚点产生的问题。因此，在步骤112执行 的修剪过程会是可重复的且很好控制的。在某些实施例中，宽度的标准偏差不超过两个纳 米。在。
25、某些这样的实施例中，宽度中的偏差标准是一到两个纳米或更少。因此，更小宽度结 构的制造会是便利的。光致抗蚀剂消耗可少于如硬掩膜层消耗的作为问题的消耗量。进一 步地，方法100包括比传统方法10更少的过程步骤。而且，化学蚀刻（例如，RIEs）可用于 制造结构，化学蚀刻可减少再沉淀问题并消除光致抗蚀剂带状物的需要。因此，这样小宽度 结构可简化制造过程并提高产量。 0025 图5示出用于在磁记录换能器中制造结构的方法150的另一个示范性实施例的流 程图。图6-11示出在制造期间的磁记录换能器200的另一个示范性实施例的ABS示图。 为明晰起见，图6-11不按比例。在换能器200的上下文中描述了方法15。
26、0。为简化起见， 省略了方法150的某些步骤。提供单一记录换能器200的上下文中也描述了方法150。不 过，在大致相同的时间内方法150可用于制造多个换能器。在特定层的上下文中也描述了 方法150和换能器200特定层可包括多个材料和/或多个子层。方法150还可在磁记录换 能器200的其他部分形成后开始。方法150在用于正在制造的结构的层形成后开始。例如， 若结构是磁阻传感器，接着方法150在磁阻层叠布置完成后开始。磁阻层可包括钉扎层，固 定层，非磁性间隔层，以及自由层。另外，可使用种子和/或封盖层。若结构是近场换能器 （NFT），接着方法可在用于近场换能器（NFT）的材料布置好后开始。例如，材。
27、料可包括金或 金合金。 0026 首先，通过步骤152在磁阻层叠上提供碳化硅硬掩膜层。步骤152类似于步骤102。 碳化硅硬掩膜厚度至少是五百埃。第二，通过步骤154在碳化硅硬掩膜层上提供铬硬掩膜 说 明 书CN 102800326 A 5/6页 8 层。步骤154类似于步骤104。在某些这样的实施例中，铬硬掩膜层厚度至少是四十埃不超 过五十埃。通过步骤156在铬硬掩膜层上提供底层抗反射涂层（BARC）。步骤156类似于步 骤106。利用相同的蚀刻化学，底层抗反射涂层（BARC）和铬硬掩膜层是可移动的。图6示 出在步骤156完成后的换能器200。因此，示出用于正在制造的结构层202。在某些实施。
28、例 中，层202是磁阻传感器层叠的层。在其他实施例中，层202是金属的或金属合金的，近场 换能器（NFT）从其形成。还示出碳化硅硬掩膜层210，铬硬掩膜层220，以及底层抗反射涂 层（BARC）230。 0027 通过步骤158具有图案的光致抗蚀剂掩膜包括在底层抗反射涂层（BARC）230上提 供的线路。步骤158类似于步骤108从而可包括传统照相平板印刷的使用。图7示出在步 骤158完成后的换能器200。因此，示出是光致抗蚀剂掩膜240一部分的光致抗蚀剂线路 242。线路242与机构相对应并驻留在换能器200上的部分。若近场换能器（NFT）正在形 成，若近场换能器（NFT）正在形成，光致抗蚀。
29、剂掩膜240可具有与近场换能器（NFT）圆盘相 对应的圆盘形状部分（未显示）以及与近场换能器（NFT）引线部分相对应的线路242。类似 地，若磁阻传感器正在形成，则线路与传感器相对应。 0028 通过步骤160光致抗蚀剂掩膜240的图案转移以单一的、垂直反应离子腐蚀（RIE） 到底层抗反射涂层（BARC）230和铬硬掩膜层220。步骤160类似于步骤110。在步骤160 执行的垂直反应离子腐蚀（RIE）采用包括氧气和氯气的蚀刻化学。因此，化学消除全部铬硬 掩膜220和底层抗反射涂层（BARC）230。还可使用稀释气体例如氦气，氮气，和/或氩气。 进一步地，利用终点检测终止垂直反应离子腐蚀（RI。
30、E）。图8示出在执行步骤160后的换能 器200。因此，底层抗反射涂层（BARC）线路230和铬硬掩膜线路220在保留的光致抗蚀 剂线路242下面。底层抗反射涂层（BARC）和第二硬掩膜层形成的线路宽度，w1，和在光致 抗蚀剂掩膜240上的线路242的宽度大致相同。应当注意的是光致抗蚀剂线路242的 某些已经消耗在反应离子腐蚀（RIE）中。在步骤160执行的反应离子腐蚀（RIE）基于终点 检测终止。当检测到下卧层碳化硅硬掩膜层210时，垂直反应离子腐蚀（RIE）停止。 0029 通过步骤162修剪铬硬掩膜层220和在铬硬掩膜层上的任何层，230以及242。 在步骤162使用的蚀刻化学包括氧气和。
31、氯气并和在步骤160的蚀刻化学大致相同。进一步 地，还可使用稀释气体例如氩气，氮气，和/或氦气。在某些实施例中，第二蚀刻也可是非均 质的反应离子腐蚀（RIE）。图9示出在执行步骤162后的换能器200。因此，修剪了铬硬掩 膜层220”，底层抗反射涂层（BARC）230”，以及光致抗蚀剂线路240。在步骤162的修剪以 可预见的方式减少了这些层220”，230”和242”的宽度到w。硬掩膜线路宽度少于三十纳 米。在某些实施例中，宽度w可不超过二十纳米。在某些这样的实施例中，w可是十纳米或 更少。在步骤162很好控制后第二硬掩膜层的宽度保留。例如，一旦校准，横向的反应离子 腐蚀（RIE）可具有不超。
32、过一到二纳米的总和。虽然未示出，步骤162的横向反应离子腐蚀 （RIE）可不以相同速率修剪所有层220”，230”和242”/240”。例如，层220”和/或230”可 有轻微的底切。不过，这样的底切可能不会有害影响方法150。 0030 通过步骤164利用碳化硅反应离子腐蚀（RIE），铬硬掩膜的图案转移到碳化硅硬 掩膜层。在铬层220”和碳化硅硬掩膜层210之间的选择性很高。因此，没有消耗明显数量 铬硬掩膜层230”和没有改变铬硬掩膜层230”的宽度，铬硬掩膜层220”的线路图案可转移 到碳化硅硬掩膜层220。图10示出在步骤164执行后的换能器200。这样，示出具有宽度 说 明 书CN 1。
33、02800326 A 6/6页 9 w的碳化硅硬掩膜层210。在示出的实施例中，不是消耗光致抗蚀剂掩膜240”所有的线 路242”。不过，在其他的实施例中，在步骤164完成后没有光致抗蚀剂会保留。 0031 通过步骤166碳化硅硬掩膜层230的图案转移到用于结构的下卧层202。图11 示出在步骤166执行后的换能器200。因此，示出具有宽度2的结构202。因此，结构具有 和修剪的碳化硅硬掩膜层大致相同的宽度。进一步地，已经消耗光致抗蚀剂掩膜的线路。接 着通过步骤168完成换能器的制造。 0032 利用方法150可形成换能器200。因此可实现上述关于方法100的优点。例如，具 有相对低错误的较低。
34、轨道宽度的结构可以可靠实现。因此，可改善换能器100的性能和制 造。 说 明 书CN 102800326 A 1/7页 10 图1 图2 说 明 书 附 图CN 102800326 A 10 2/7页 11 图3 说 明 书 附 图CN 102800326 A 11 3/7页 12 图4 说 明 书 附 图CN 102800326 A 12 4/7页 13 图5 说 明 书 附 图CN 102800326 A 13 5/7页 14 图6 图7 说 明 书 附 图CN 102800326 A 14 6/7页 15 图8 图9 说 明 书 附 图CN 102800326 A 15 7/7页 16 图10 图11 说 明 书 附 图CN 102800326 A 16 。