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1、(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201310443170.2(22)申请日 2013.09.25C09K 11/62(2006.01)C23C 14/28(2006.01)C23C 14/06(2006.01)H05B 33/14(2006.01)H05B 33/10(2006.01)(71)申请人海洋王照明科技股份有限公司地址 518100 广东省深圳市南山区南海大道海王大厦A座22层申请人深圳市海洋王照明技术有限公司深圳市海洋王照明工程有限公司(72)发明人周明杰 陈吉星 王平 钟铁涛(74)专利代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司 44224代理人生启 何平(。
2、54) 发明名称铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜、制备方法及其应用(57) 摘要一种铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜，所述铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me1-xIn2F8：xEu3+；其中，Me1-xIn2F8是基质，且0.01x0.05，Me为Zn、Mg、Ca、Sr或Ba。该铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在580nm波长区有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本发明还提供该铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜的制备方法及其应用。(51)Int.Cl.(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书2页 说明书8页 附图2页(10)申请公布号 CN 。
3、104449688 A(43)申请公布日 2015.03.25CN 104449688 A1/2页21.一种铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜，其特征在于，所述铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me1-xIn2F8：xEu3+；其中，Me1-xIn2F8是基质，且0.01x0.05，Me为Zn、Mg、Ca、Sr或Ba。2.如权利要求1所述的铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜，其特征在于，所述铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜的厚度为30nm250nm。3.一种铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：根据Me1-xIn2F8：xEu3+各元素的化学计量比称取MeF2，InF3和EuF3。
4、粉体并混合均匀在9001300下烧结制成靶材，其中，0.01x0.05，Me为Zn、Mg、Ca、Sr或Ba；将衬底及所述靶材装入脉冲激光沉积设备的真空腔体，并调整所述真空腔体的真空度为1.010-3Pa1.010-5Pa；及调整所述靶材与所述衬底的间距为45mm95mm，所述衬底的温度为250750，激光的能量为80300mJ，在所述衬底上沉积得到铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜，所述铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me1-xIn2F8：xEu3+，其中，0.01x0.05，Me为Zn、Mg、Ca、Sr或Ba。4.根据权利要求3所述的铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，烧结。
5、制成靶材的操作中，烧结的温度为1250，制成的靶材的直径为50mm，厚度为2mm。5.根据权利要求3所述的铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述靶材与所述衬底的间距为60mm，所述衬底的温度为500，所述激光的能量为150mJ。6.根据权利要求3所述的铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底为ITO衬底。7.根据权利要求3所述的铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，沉积的操作中，通过控制沉积的时间为10min30min，得到厚度为30nm250nm的铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜。8.一种薄膜电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极层、发光层以及阴极层，。
6、其特征在于，所述发光层为铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜，所述铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me1-xIn2F8：xEu3+；其中，Me1-xIn2F8是基质，且0.01x0.05，Me为Zn、Mg、Ca、Sr或Ba。9.一种薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底包括层叠的基底和阳极层；在所述阳极层上形成发光层，所述发光层为铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜，所述铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me1-xIn2F8：xEu3+，其中，Me1-xIn2F8是基质，且0.01x0.05，Me为Zn、Mg、Ca、Sr或Ba；在所述发光层上形成阴极层。10。
7、.根据权利要求9所述的薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光层的制备包括以下步骤：根据Me1-xIn2F8：xEu3+各元素的化学计量比称取MeF2，InF3和EuF3粉体并混合均匀在9001300下烧结制成靶材，其中，0.01x0.05，Me为Zn、Mg、Ca、Sr或Ba；将所述衬底及所述靶材装入脉冲激光沉积设备的真空腔体，并调整所述真空腔体的真空度为1.010-3Pa1.010-5Pa；及权 利 要 求 书CN 104449688 A2/2页3调整所述靶材与所述衬底的间距为45mm95mm，所述衬底的温度为250750，激光的能量为80300mJ，在所述衬底上沉积得到铕掺杂碱土氟。
8、铟酸盐发光薄膜，所述铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me1-xIn2F8：xEu3+，其中，0.01x0.05，Me为Zn、Mg、Ca、Sr或Ba。权 利 要 求 书CN 104449688 A1/8页4铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜、 制备方法及其应用技术领域0001 本发明涉及发光材料领域，尤其涉及一种铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜、其制备方法、薄膜电致发光器件及其制备方法。背景技术0002 薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，开发多波段发光的材料。
9、，是该课题的发展方向。但是，可应用于薄膜电致发光显示器的铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜，仍未见报道。发明内容0003 基于此，有必要提供一种可应用于薄膜电致发光器件的铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜、其制备方法、使用该铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜的薄膜电致发光器件及其制备方法。0004 一种铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜，所述铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me1-xIn2F8：xEu3+；0005 其中，Me1-xIn2F8是基质，且0.01x0.05，Me为Zn、Mg、Ca、Sr或Ba。0006 在优选的实施例中，所述铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜的厚度为30nm250nm。0007 一种铕掺杂碱。
10、土氟铟酸盐发光薄膜的制备方法，包括以下步骤：0008 根据Me1-xIn2F8：xEu3+各元素的化学计量比称取MeF2，InF3和EuF3粉体并混合均匀在9001300下烧结制成靶材，其中，0.01x0.05，Me为Zn、Mg、Ca、Sr或Ba；0009 将衬底及所述靶材装入脉冲激光沉积设备的真空腔体，并调整所述真空腔体的真空度为1.010-3Pa1.010-5Pa；及0010 调整所述靶材与所述衬底的间距为45mm95mm，所述衬底的温度为250750，激光的能量为80300mJ，在所述衬底上沉积得到铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜，所述铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me1-xIn。
11、2F8：xEu3+，其中，0.01x0.05，Me为Zn、Mg、Ca、Sr或Ba。0011 在优选的实施例中，烧结制成靶材的操作中，烧结的温度为1250，制成的靶材的直径为50mm，厚度为2mm。0012 在优选的实施例中，所述靶材与所述衬底的间距为60mm，所述衬底的温度为500，所述激光的能量为150mJ。0013 在优选的实施例中，所述衬底为ITO衬底。0014 在优选的实施例中，沉积的操作中，通过控制沉积的时间为10min30min，得到厚度为30nm250nm的铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜。0015 一种薄膜电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极层、发光层以及阴极层，所述发光层为铕掺杂。
12、碱土氟铟酸盐发光薄膜，所述铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜的材料的化学说 明 书CN 104449688 A2/8页5通式为Me1-xIn2F8：xEu3+；0016 其中，Me1-xIn2F8是基质，且0.01x0.05，Me为Zn、Mg、Ca、Sr或Ba。0017 一种薄膜电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：0018 提供衬底，所述衬底包括层叠的基底和阳极层；0019 在所述阳极层上形成发光层，所述发光层为铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜，所述铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me1-xIn2F8：xEu3+，其中，Me1-xIn2F8是基质，且0.01x0.05，Me为Zn、Mg、Ca、。
13、Sr或Ba；0020 在所述发光层上形成阴极层。0021 在优选的实施例中，所述发光层的制备包括以下步骤：0022 根据Me1-xIn2F8：xEu3+各元素的化学计量比称取MeF2，InF3和EuF3粉体并混合均匀在9001300下烧结制成靶材，其中，0.01x0.05，Me为Zn、Mg、Ca、Sr或Ba；0023 将所述衬底及所述靶材装入脉冲激光沉积设备的真空腔体，并调整所述真空腔体的真空度为1.010-3Pa1.010-5Pa；及0024 调整所述靶材与所述衬底的间距为45mm95mm，所述衬底的温度为250750，激光的能量为80300mJ，在所述衬底上沉积得到铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄。
14、膜，所述铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me1-xIn2F8：xEu3+，其中，0.01x0.05，Me为Zn、Mg、Ca、Sr或Ba。0025 上述铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜（Me1-xIn2F8：xEu3+），Me1-xIn2F8是基质，Eu3+是激活元素，在薄膜中充当主要的发光中心，铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在580nm波长区有很强的发光峰，这种铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜能够应用于薄膜电致发光器件。附图说明0026 图1为一实施方式的薄膜电致发光器件的结构示意图；0027 图2为实施例1得到薄膜电致发光器件的EL光谱图；0028 图3为实施例1得到铕。
15、掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜的XRD图。具体实施方式0029 为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。0030 一实施方式的铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜，该铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me1-xIn2F8：xEu3+。0031 其中，Me1-xIn2F8是基质，且0.01x0.05，Me为Zn、Mg、Ca、Sr或Ba。0032 。
16、铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜中，Eu是掺杂元素，Eu是发光体系中的激活元素。0033 优选的，x为0.02。0034 优选的，铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜的厚度为30nm250nm。0035 上述铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜（Me1-xIn2F8：xEu3+）的电致发光光谱（EL）中，在说 明 书CN 104449688 A3/8页6580nm波长区有很强的发光峰，这种铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜能够应用于薄膜电致发光器件。0036 上述铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜的制备方法，包括如下步骤：0037 S11、根据Me1-xIn2F8：xEu3+各元素的化学计量比称取MeF2，InF3和EuF3粉体并混合。
17、均匀在9001300下烧结制成靶材。0038 其中，0.01x0.05，Me为Zn、Mg、Ca、Sr或Ba。优选的，x为0.02。0039 当然，也可以按照摩尔比1-x：2：x称取MeF2，InF3和EuF3粉体。0040 优选的，将MeF2，InF3和EuF3粉体混合均匀在1250下烧结制成靶材。0041 优选的，制成的靶材为圆柱形，直径为50mm，厚度为2mm。0042 S12、将靶材与衬底装入脉冲激光沉积设备的真空腔体，并调整真空腔体的真空度为1.010-3Pa1.010-5Pa。0043 优选的，衬底为氧化铟锡（ITO）玻璃，玻璃层作为基层，ITO层作为导电层。0044 优选的，衬底在。
18、使用前先进行预处理，预处理的操作为：用丙酮、无水乙醇和去离子水依次超声清洗衬底，接着对衬底进行氧等离子处理。0045 优选的，真空腔体的真空度为5.010-4Pa。0046 优选的，依次使用机械泵和分子泵将真空腔体的真空度抽至1.010-3Pa1.010-5Pa。0047 S13、调整靶材与衬底的间距为45mm95mm，衬底的温度为250750，激光的能量为80300mJ，在衬底上沉积得到铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜。0048 铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me1-xIn2F8：xEu3+。其中，Me1-xIn2F8是基质，且0.01x0.05，Me为Zn、Mg、Ca、Sr或Ba。。
19、Eu是掺杂元素，是发光体系中的激活元素。0049 优选的，沉积的操作中，靶材与衬底的间距为60mm，衬底的温度为500，激光的能量为150mJ。0050 优选的，通过控制沉积的时间为10min30min，得到厚度为30nm250nm的铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜。0051 需要说明的是，还可以将铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜从衬底上剥离。0052 上述铈铽共掺杂硼磷酸盐发光薄膜的制备方法制备得到的铈铽共掺杂硼磷酸盐发光薄膜可以应用于多种发光器件，下面仅以其应用于薄膜电致发光器件进行简单介绍。0053 请参阅图1，一实施方式的薄膜电致发光器件100，该薄膜电致发光器件100包括依次层叠的基底10、阳极。
20、层20、发光层30以及阴极层40。0054 基底10的材料为玻璃。阳极层20的材质为氧化铟锡（ITO）。这样，基底10和阳极层20形成ITO玻璃。0055 发光层30为铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜。铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me1-xIn2F8：xEu3+。其中，Me1-xIn2F8是基质，Eu是掺杂元素，是发光体系中的激活元素，且0.01x0.05，Me为Zn、Mg、Ca、Sr或Ba。0056 优选的，x为0.02。0057 优选的，发光层30的厚度为30nm250nm。0058 阴极层40的材质为银（Ag）。说 明 书CN 104449688 A4/8页70059 上述薄膜。
21、电致发光器件100的制备方法，包括以下步骤：0060 步骤S21、提供衬底。0061 衬底包括层叠的基底10和阳极层20。0062 衬底为ITO玻璃，玻璃层作为基底10，ITO层作为阳极层20。0063 步骤S22、在阳极层20上形成发光层30，发光层20为铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜，铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me1-xIn2F8：xEu3+，其中，Me1-xIn2F8是基质，Eu是掺杂元素，是发光体系中的激活元素，且0.01x0.05，Me为Zn、Mg、Ca、Sr或Ba。0064 制备发光层30的步骤为：0065 根据Me1-xIn2F8：xEu3+各元素的化学计量比称取M。
22、eF2，InF3和EuF3粉体并混合均匀在9001300下烧结制成靶材；将靶材与衬底装入脉冲激光沉积设备的真空腔体，并调整真空腔体的真空度为1.010-3Pa1.010-5Pa；调整工靶材与衬底的间距为45mm95mm，衬底的温度为250750，激光的能量为80300mJ，在衬底的阳极层20上沉积得到铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜。0066 其中，0.01x0.05，Me为Zn、Mg、Ca、Sr或Ba。优选的，x为0.02。0067 优选的，将MeF2，InF3和EuF3粉体混合均匀在1250下烧结制成靶材。0068 优选的，制成的靶材的直径为50mm，厚度为2mm。0069 优选的，衬底在使用前。
23、先进行预处理，预处理的操作为：用丙酮、无水乙醇和去离子水依次超声清洗衬底，接着对衬底进行氧等离子处理。0070 优选的，真空腔体的真空度为5.010-4Pa。0071 优选的，沉积的操作中，靶材与衬底的间距为60mm，衬底的温度为500，激光的能量为150mJ。0072 优选的，通过控制沉积的时间为10min30min，得到厚度为30nm250nm的铕掺杂碱土氟铟酸盐发光薄膜。0073 通过对衬底进行预处理，可以提高衬底的阳极层20的功函数。0074 步骤S23、在发光层30上形成阴极层40。0075 本实施方式中，通过蒸镀的方式，在发光层30上形成材料为银的阴极层40，得到薄膜电致发光器件1。
24、00。0076 下面为具体实施例。0077 实施例10078 选用ZnF2，InF3和EuF3粉体，其摩尔比为0.98：2：0.02，经过均匀混合后，在1250下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为60mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到5.010-4Pa，衬底温度为500，激光能量为150J，通过控制沉积的时间为20min，得到厚度为210nm的发光薄膜，化学式为Zn0.98In2F8：0.02Eu3+。然后在发光薄膜上面蒸镀一。
25、层Ag，作为阴极，得到薄膜电致发光器件。0079 请参阅图2，图2为本实施例得到的薄膜电致发光器件（玻璃/ITO/Zn0.98In2F8：0.02Eu3+/Ag）的电致发光谱（EL）。由图2可以看出，本实施例得到的器件在580nm波长区说 明 书CN 104449688 A5/8页8有很强的发光峰。0080 请参阅图3，图3为实施1制备的铕掺杂碱土氟铟酸盐材料的XRD图谱，对照标准PDF卡片，是碱土氟铟酸盐的结晶峰，没有出现掺杂元素以及其它杂质的衍射峰，证明铕是进入了碱土氟铟酸盐的晶格，没有出现分相。0081 实施例20082 选用ZnF2，InF3和EuF3粉体，其摩尔比为0.99：2：0.。
26、01，经过均匀混合后，在900下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为45mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.010-3Pa，衬底温度为250，激光能量为80J，通过控制沉积的时间为30min，得到厚度为240nm的发光薄膜，化学式为Zn0.99In2F8：0.01Eu3+。然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极，得到薄膜电致发光器件。0083 实施例30084 选用ZnF2，InF3和EuF3粉体，其摩尔比为0.95：2：0。
27、.05，经过均匀混合后，在1300下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为95mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.010-5Pa，衬底温度为750，激光能量为300J，通过控制沉积的时间为15min，得到厚度为80nm的发光薄膜，化学式为Zn0.95In2F8：0.05Eu3+。然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极，得到薄膜电致发光器件。0085 实施例40086 选用MgF2，InF3和EuF3粉体，其摩尔比为0.98：2。
28、：0.02，经过均匀混合后，在1250下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为60mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到5.010-4Pa，衬底温度为500，激光能量为150J，通过控制沉积的时间为10min，得到厚度为35nm的发光薄膜，化学式为Mg0.98In2F8：0.02Eu3+。然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极，得到薄膜电致发光器件。0087 实施例50088 选用MgF2，InF3和EuF3粉体，其摩尔比为0.99。
29、：2：0.01，经过均匀混合后，在900下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为45mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.010-3Pa，衬底温度为250，激光能量为80J，通过控制沉积的时间为25min，得到厚度为220nm的发光薄膜，化学式为Mg0.99In2F8：0.01Eu3+。然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极，得到薄膜电致发光器件。0089 实施例60090 选用MgF2，InF3和EuF3粉体，其摩尔比为0.9。
30、5：2：0.05，经过均匀混合后，在1300下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先说 明 书CN 104449688 A6/8页9后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为95mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.010-5Pa，衬底温度为750，激光能量为300J，通过控制沉积的时间为20min，得到厚度为150nm的发光薄膜，化学式为Mg0.95In2F8：0.05Eu3+。然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极，得到薄膜电致发光器件。0091 实施例70092 。
31、选用CaF2，InF3和EuF3粉体，其摩尔比为0.98：2：0.02，经过均匀混合后，在1250下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为60mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到5.010-4Pa，衬底温度为500，激光能量为150J，通过控制沉积的时间为15min，得到厚度为120nm的发光薄膜，化学式为Ca0.98In2F8：0.02Eu3+。然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极，得到薄膜电致发光器件。0093 实施例800。
32、94 选用CaF2，InF3和EuF3粉体，其摩尔比为0.99：2：0.01，经过均匀混合后，在900下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为45mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.010-3Pa，衬底温度为250，激光能量为80J，通过控制沉积的时间为10min，得到厚度为30nm的发光薄膜，化学式为Ca0.99In2F8：0.01Eu3+。然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极，得到薄膜电致发光器件。0095 实施例900。
33、96 选用CaF2，InF3和EuF3粉体，其摩尔比为0.95：2：0.05，经过均匀混合后，在1300下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为95mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.010-5Pa，衬底温度为750，激光能量为300J，通过控制沉积的时间为30min，得到厚度为250nm的发光薄膜，化学式为Ca0.95In2F8：0.05Eu3+。然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极，得到薄膜电致发光器件。0097 实施例。
34、100098 选用SrF2，InF3和EuF3粉体，其摩尔比为0.98：2：0.02，经过均匀混合后，在1250下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为60mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到5.010-4Pa，衬底温度为500，激光能量为150J，通过控制沉积的时间为15min，得到厚度为100nm的发光薄膜，化学式为Sr0.98In2F8：0.02Eu3+。然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极，得到薄膜电致发光器件。0099。
35、 实施例110100 选用SrF2，InF3和EuF3粉体，其摩尔比为0.99：2：0.01，经过均匀混合后，在900说 明 书CN 104449688 A7/8页10下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为45mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.010-3Pa，衬底温度为250，激光能量为80J，通过控制沉积的时间为15min，得到厚度为110nm的发光薄膜，化学式为Sr0.99In2F8：0.01Eu3+。然后在发光薄膜上面。
36、蒸镀一层Ag，作为阴极，得到薄膜电致发光器件。0101 实施例120102 选用SrF2，InF3和EuF3粉体，其摩尔比为0.95：2：0.05，经过均匀混合后，在1300下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为95mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.010-5Pa，衬底温度为750，激光能量为300J，通过控制沉积的时间为25min，得到厚度为230nm的发光薄膜，化学式为Sr0.95In2F8：0.05Eu3+。然后在发光。
37、薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极，得到薄膜电致发光器件。0103 实施例130104 选用BaF2，InF3和EuF3粉体，其摩尔比为0.98：2：0.02，经过均匀混合后，在1250下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为60mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到5.010-4Pa，衬底温度为500，激光能量为150J，通过控制沉积的时间为25min，得到厚度为180nm的发光薄膜，化学式为Ba0.98In2F8：0.02Eu3+。然。
38、后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极，得到薄膜电致发光器件。0105 实施例140106 选用BaF2，InF3和EuF3粉体，其摩尔比为0.99：2：0.01，经过均匀混合后，在900下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为45mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.010-3Pa，衬底温度为250，激光能量为80J，通过控制沉积的时间为30min，得到厚度为250nm的发光薄膜，化学式为Ba0.99In2F8：0.01Eu3+。
39、。然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极，得到薄膜电致发光器件。0107 实施例150108 选用BaF2，InF3和EuF3粉体，其摩尔比为0.95：2：0.05，经过均匀混合后，在1300下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为95mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.010-5Pa，衬底温度为750，激光能量为300J，通过控制沉积的时间为20min，得到厚度为200nm的发光薄膜，化学式为Ba0.95In2F8：0.05Eu3+。然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极，得到薄膜电致发光器件。0109 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并说 明 书CN 104449688 A10。