绝缘栅型半导体元件的驱动装置.pdf

本发明的绝缘栅型半导体元件的驱动装置具备：恒流电路，该恒流电路向IGBT的栅极供给固定电流而使该IGBT进行接通动作；放电电路，该放电电路将IGBT的栅极接地而使该IGBT进行断开动作；以及切换电路，该切换电路根据控制信号而使上述恒流电路及上述放电电路中的一个进行动作，从而使上述IGBT接通或者断开。尤其具备电流检测电路和电流调整电路，上述电流检测电路用于检测上述IGBT接通时在该IGBT中流通的电流，上述电流调整电路将该电流检测电路检测出的电流反馈给上述恒流电路，以根据上述IGBT的接通特性而控制该恒流电路的输出电流。

权利要求书1.  一种绝缘栅型半导体元件的驱动装置，其具备分别驱动并联连接的多个绝缘栅型半导体元件的多个驱动电路，并根据控制信号而使各个所述驱动电路进行动作，从而并联驱动多个所述绝缘栅型半导体元件，所述绝缘栅型半导体元件的驱动装置的特征在于，各个所述驱动电路具备：恒流电路，该恒流电路向所述绝缘栅型半导体元件的栅极供给固定电流，从而使该绝缘栅型半导体元件进行接通动作；放电电路，该放电电路将所述绝缘栅型半导体元件的栅极接地，从而使该绝缘栅型半导体元件进行断开动作；切换电路，该切换电路根据控制信号而使所述恒流电路及所述放电电路中的一个进行动作，从而使所述绝缘栅型半导体元件接通或者断开；电流检测电路，该电流检测电路用于检测所述绝缘栅型半导体元件接通时该绝缘栅型半导体元件中流通的电流，以及电流调整电路，该电流调整电路将通过该电流检测电路检测出的电流反馈给所述恒流电路，从而对该恒流电路的输出电流进行控制。2.  如权利要求1所述的绝缘栅型半导体元件的驱动装置，其特征在于，所述绝缘栅型半导体元件是IGBT或者MOS-FET。3.  如权利要求1所述的绝缘栅型半导体元件的驱动装置，其特征在于，所述电流调整电路由误差放大器构成，该误差放大器求出预先设定的基准电压与所述电流检测电路的输出电压的电压差，根据该电压差而决定所述恒流电路的输出电流。4.  如权利要求1所述的绝缘栅型半导体元件的驱动装置，其特征在于，所述电流调整电路由比较器构成，该比较器对预先设定的基准电压与所述电流检测电路的输出电压进行比较，根据该比较结果而分多个阶段改变所述恒流电路的输出电流。5.  如权利要求1所述的绝缘栅型半导体元件的驱动装置，其特征在 于，所述恒流电路由电流镜像电路和恒流源构成，所述电流镜像电路安装在所述绝缘栅型半导体元件的栅极与电源电压之间，所述恒流源经由该电流镜像电路向所述绝缘栅型半导体元件供给电流。

说明书绝缘栅型半导体元件的驱动装置
技术领域
本发明涉及一种能够以固定电流均等地对并联连接的多个绝缘栅型半导体元件进行并联驱动的绝缘栅型半导体元件的驱动装置。
背景技术
在支持大功率负载的功率转换器中，将由功率控制用的IGBT或MOS-FET等构成的多个绝缘栅型半导体元件并联连接，并并联驱动这些绝缘栅型半导体元件。另外，例如在专利文献1中，提倡通过对上述绝缘栅型半导体元件的栅极供给固定电流以使其导通从而减少绝缘栅型半导体元件接通时产生的功耗及噪音的方法，以取代对上述绝缘栅型半导体元件的栅极进行电压控制。
例如如图5所示，上述功率转换器1具备多个驱动电路3a～3n，该多个驱动电路3a～3n分别驱动多个例如IGBT2a～2n这样的绝缘栅型半导体元件。另外，多个IGBT2a～2n通过将各集电极间及各发射极间相互连接而并列设置。这些IGBT2a～2n的并联连接的集电极与大功率负载4连接。
如图5中示出的驱动电路3a的简要结构那样，上述多个驱动电路3a～3n分别具备由恒流源5和电流镜像电路6构成的恒流电路7，上述恒流源5根据基准电压Vref而输出固定电流Io，上述电流镜像电路6向上述IGBT2a的栅极供给与该恒流源5的输出电流Io成比例的电流[k·Io]。进而，上述驱动电路3a具备放电电路8和切换电路9，上述放电电路8将上述IGBT2a的栅极接地从而使该IGBT2a进行断开动作，上述切换电路9根据控制信号而相辅地控制 上述电流镜像电路6和上述电流镜像电路6的接通或断开。
另外，上述恒流源5由n沟道型的FET(以下简称为“n-FET”)5a和OP放大器5c构成，上述OP放大器5c根据安装在该n-FET5a的源极与接地线之间电阻5b中产生的电压与基准电压Vref之差，来控制上述n-FET5a的栅极电压。当上述电阻5b的值为Rref时，通过上述OP放大器5c的控制而使构成该恒流源5的上述n-FET5a的输出电流Io固定为
Io＝Vref/Rref。
另外，上述电流镜像电路6由p沟道型的FET(以下简称为“p-FET”)6a和p-FET6b构成，上述p沟道型的FET与上述恒流源5连接且通过该恒流源5的输出电流Io进行驱动，上述p-FET6b与该p-FET6a成对设置。该p-FET6b发挥向上述IGBT2a的栅极提供与上述固定电流Io成比例的固定电流[k·Io]的作用。
另外，上述放电电路8由输入控制信号的缓冲器8a和n-FET8b构成，上述n-FET8b通过该缓冲器8a控制栅极而进行接通或断开动作，从而将蓄积在上述IGBT2a的栅极中的电荷释放。进而，上述切换电路9由p-FET9a和电平移位电路9b构成，上述p-FET9a与上述电流镜像电路6中的上述p-FET6b并联连接，上述电平移位电路9b通过对上述控制信号实施电平移位来控制上述p-FET9a的栅极电压，从而将上述电流镜像电路6的上述p-FET6a、6b接通或断开。
当上述控制信号为L电平时，上述切换电路9将上述放电电路8断开，并且使上述p-FET9a接通。由此，经由上述电流镜像电路6的p-FET6b向上述IGBT2a的栅极提供固定电流[k·Io]，从而将该IGBT2a接通。另外，当上述控制信号为H电平时，上述切换电路9将上述p-FET9a断开而停止经由上述电流镜像电路6向上述IGBT2a的栅极供给电流，并且接通上述放电电路8的 n-FET8b。由此，将蓄积在上述IGBT2a的栅极中的电荷释放，从而将上述IGBT2a断开。
利用如此构成的驱动电路3a，由于向上述IGBT2a的栅极供给固定电流而使该IGBT2a接通，因此，能够使蓄积在该IGBT2a的栅极中的电荷的充电速度固定不变。因此，利用上述驱动电路3a，如对IGBT的栅极电压进行控制从而接通或断开该IGBT的现有通常驱动方法那样，该IGBT的栅极的充电速度不会因取决于IGBT温度的接通电阻的变化而发生变化。因此，无论温度如何变化，该驱动电路3a都能够使上述IGBT2a的接通时间固定不变，从而能够减少该IGBT2a接通时的功耗和噪音。
然而，在如上所述通过上述驱动电路3a～3n对并联连接的多个IGBT2a～2n进行并联驱动时，即使如上所述分别向各个IGBT2a～2n供给固定电流而使其接通，电流也有可能集中流向栅极阈值电压较低的IGBT。另外，上述各IGBT2a～2n的栅极阈值电压的偏差是由IGBT的固体性而引起的。在如上述那样电流在多个IGBT2a～2n接通时集中于特定IGBT时，有可能导致该IGBT发生热破坏。
因此，在现有技术下，例如如专利文献2所公开那样，提倡预先测量出多个IGBT2a～2n的栅极电流值并加以保存，并根据这些栅极电流值而控制上述各个IGBT2a～2n的栅极电流从而使电流达到平衡。另外，例如在专利文献3中，提倡根据目标栅极阈值电压与上述IGBT2a～2n的栅极阈值电压之差而对该驱动用控制电压和该IGBT2a～2n的发射极电压施加等电位的偏置(offset)。而且，通过等电位的偏置而使上述各个IGBT2a～2n的接通时刻一致，从而使电流达到平衡。
现有技术文献
【专利文献】
专利文献1：日本专利特开2008-103895号公报
专利文献2：日本专利特开平11-235015号公报
专利文献3：日本专利特开2008-178248号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
但是，在专利文献2、3分别所示的方法中，必须预先求出多个IGBT2a～2n的栅极电流值或者栅极阈值电压。而且，必须根据预先求出的IGBT的特性数据分别控制各个上述IGBT2a～2n的栅极电流。或者，必须分别对各IGBT2a～2n的驱动用控制电压和发射极电压进行偏置控制。因此，在现有的方法中，存在调节需要花费时间，并且构成复杂化这一问题。
本发明是考虑到上述情况开发而成的，其目的在于，提供一种构成简单，且能够以固定电流均等且电流平衡良好地对并联连接的多个绝缘栅型半导体元件进行并联驱动的绝缘栅型半导体元件的驱动装置。
解决技术问题所采用的技术方案
本发明涉及一种绝缘栅型半导体元件的驱动装置，其具备分别驱动并联连接的多个绝缘栅型半导体元件的多个驱动电路，并根据控制信号而使各上述驱动电路进行动作，从而并联驱动多个上述绝缘栅型半导体元件。
尤其是，本发明涉及的绝缘栅型半导体元件的驱动装置的特征在于，用于达成上述目的的各上述驱动电路具备：
恒流电路，该恒流电路向例如由IGBT或者MOS-FET构成的上述绝缘栅型半导体元件的栅极供给固定电流，从而使该绝缘栅型半导体元件进行接通动作；
放电电路，该放电电路将上述绝缘栅型半导体元件的栅极接地，从而使该绝缘栅型半导体元件进行断开动作；
切换电路，该切换电路根据控制信号而使上述恒流电路及上述放电电路中的一个进行动作，从而使上述绝缘栅型半导体元件接通或者断开；
电流检测电路，该电流检测电路用于检测上述绝缘栅型半导体元件接通时该绝缘栅型半导体元件中流通的电流，以及
电流调整电路，该电流调整电路将通过该电流检测电路检测出的电流反馈给上述恒流电路，从而对该恒流电路的输出电流进行控制。
另外，上述电流调整电路由误差放大器构成，该误差放大器求出例如预先设定的基准电压与上述电流检测电路的输出电压的电压差，并根据该电压差而控制上述恒流电路的输出电流。或者，上述电流调整电路由比较器构成，该比较器对于例如预先设定的基准电压与上述电流检测电路的输出电压进行比较，并根据该比较结果而分多个阶段改变上述恒流电路的输出电流。
另外，上述恒流电路优选由电流镜像电路和恒流源构成，上述电流镜像电路安装在上述绝缘栅型半导体元件的栅极与电源电压之间，上述恒流源经由该电流镜像电路向上述绝缘栅型半导体元件供给电流。
发明效果
利用采用上述结构的绝缘栅型半导体元件的驱动装置中，能够根据并联连接且通过多个驱动电路分别进行驱动的多个绝缘栅型半导体元件中流通的电流，来调节分别提供给各上述绝缘栅型半导体元件的栅极从而分别接通各绝缘栅型半导体元件的固定电流的大小。因此，能够使上述多个绝缘栅型半导体元件的接通时刻一致，而无论由多个上述绝缘栅型半导体元件的固体性而引起的栅极阈值电压的偏差如何。而且，由于向各绝缘栅型半导体元件的栅极供给固定电流，因此，无论绝缘栅型半导体元件的取决于温度的接通电阻如何变化，都能够将各绝缘栅型半导体元件接通。因此，能够减少绝缘栅型半导体元件接通时的功耗和噪音。
因此，本发明中，根据绝缘栅型半导体元件中流通的电流来调整提供给该绝缘栅型半导体元件的栅极的固定电流的大小，构造简单，并能确保多个绝缘栅型半导体元件的电流平衡。因此，本发明具有很大的实用效果，包括能够防止因电流集中而导致绝缘栅型半导体元件发生热破坏等。
附图说明
图1是本发明第1实施方式涉及的绝缘栅型半导体元件的驱动装置的主要部分的简要结构图。
图2是表示图1所示驱动电路中的恒流电路的输出电流的控制特性的图。
图3是本发明第2实施方式涉及的绝缘栅型半导体元件的驱动装置的主要部分的简要结构图。
图4是表示图3所示驱动电路中的恒流电路的输出电流的控制特性的图。
图5是现有绝缘栅型半导体元件的驱动装置的简要结构图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明实施方式涉及的绝缘栅型半导体元件的驱动装置进行说明。
图1是第1实施方式涉及的绝缘栅型半导体元件的驱动装置的主要部分的简要结构图。另外，图1中代表性地表示分别驱动多个IGBT2a～2n的驱动电路3a～3n中的一个驱动电路3a的简要结构，其他的驱动电路3b～3n的结构也是相同的。另外，对于与图5所示的现有驱动电路3a相同的部分赋予相同符号进行表示。
在此，对于上述由恒流源5和电流镜像电路6构成的恒流电路7、放电电路8以及切换电路9稍微详细地进行说明。上述恒流源5由n-FET5a 和OP放大器5c构成，上述n-FET5a的源极经由电阻5b而接地，上述OP放大器5c的反相输入端子(-)与该n-FET5a的源极连接，非反相端子(+)中输入基准电压Vref而对上述n-FET5a的栅极进行控制。即，上述OP放大器5c被用作误差放大器。而且，在将上述电阻5b设为Rref时，上述n-FET5a输出固定的电流Io，其中，
Io＝Vref/Rref。
另外，上述电流镜像电路6由p-FET6a和p-FET6b构成，上述p-FET6a的源极与电源电压Vcc连接，其漏极和栅极与上述恒流源5中的n-FET5a的漏极连接，上述p-FET6b的源极与上述电源电压Vcc连接，其栅极与上述p-FET6a的栅极连接。而且，上述电流镜像电路6中的上述p-FET6a由上述恒流源5的n-FET5a中流通的电流、即上述恒流源5的输出电流Io进行驱动。另外，相对于上述p-FET6a成镜像的电流输出用的上述p-FET6b输出与上述输出电流Io成正比的固定电流[k·Io]。从上述电流镜像电路6(p-FET6b)输出的固定电流[k·Io]被供给至与上述p-FET6b的漏极相连接的上述IGBT2a的栅极。
另外，上述IGBT2a的栅极与源极接地的n-FET8b的漏极相连接。该n-FET8b通过接收到控制信号而进行动作的缓冲器8a来控制栅极，以进行接通或断开动作，构成将蓄积在上述IGBT2a的栅极中的电荷释放的上述放电电路8。而且，上述切换电路9由p-FET9a和电平移位电路9b构成，上述p-FET9a的源极与上述电源电压Vcc连接，其漏极与上述电流镜像电路6中的上述p-FET6b的漏极连接，上述电平移位电路9b对上述控制信号实施电平移位而控制上述p-FET9a的栅极，从而将该p-FET9a接通或者断开。
当上述控制信号为L电平时，上述切换电路9经由上述电平移位电路9b而使上述p-FET9a接通，从而分别使上述电流镜像电路6的上述p-FET6a、 6b接通。由此，经由上述p-FET6b向上述IGBT2a的栅极供给固定电流。此时，上述缓冲器8a将上述L电平的控制信号发送至上述n-FET8b，从而使该n-FET8b断开。其结果是，上述IGBT2a的栅极被供给固定电流从而接通。
另外，当上述控制信号为H电平时，上述切换电路9经由上述电平移位电路9b而使上述p-FET9a断开，从而分别使上述电流镜像电路6的上述p-FET6a、6b断开。由此，上述电流镜像电路6的功能停止，从而停止经由上述p-FET6b输出电流。此时，经由上述缓冲器8a将L电平的控制信号施加到上述n-FET8b的栅极，从而使该n-FET8b接通。通过将该n-FET8b接通，从而将蓄积在上述IGBT2a的栅极中的电荷释放，以将该IGBT2a断开。
在此，本实施方式涉及的驱动电路3a的特征在于，除了上述由恒流源5和电流镜像电路6构成的恒流电路7、放电电路8以及切换电路9之外，还具备电流检测电路11及电流调整电路12。上述电流检测电路11检测上述IGBT2a中流通的电流，并输出与该电流成正比的感测电压(sensevoltage)。另外，电流调整电路12根据上述感测电压而反馈控制并改变上述恒流源5的输出电流Io。
具体而言，上述电流检测电路11被构成为通过串联连接的电阻Ra、Rb进行分压并检测以下电流，即，例如经由上述IGBT2a所具备的电流检测用的感测·发射极输出的电流，即与该IGBT2a中流通的电流成比例的电流。上述电流调整电路12通过构成电压差检测器的OP放大器12a而检测感测电压Vsens与基准电压Vref的电压差ΔV，上述感测电压Vsens是由上述电流检测电路11进行检测且作为电压值被输出的电压，上述基准电压Vref是用于规定上述恒流源5的输出电流Io而预先设定的电压。而且，上述电流调整电路12构成为将上述OP放大器12a的输出电压施加到上述OP放大器5c。
具体而言，上述电流调整电路12具备OP放大器12a，上述感测电压Vsens经由输入电阻12b而输入该OP放大器12a的反相端子，上述基准电压Vref经由输入电阻12c而输入该OP放大器12a的非反相输入。进而，上述电流调整电路12具备反馈电阻12d和接地电阻12e，上述反馈电阻12d设置在上述运算放大器12a的输出端子与上述反相端子之间，上述接地电阻12e安装在上述非反相端子与接电线之间。在将上述输入电阻12b、12c的值分别设为R1、上述反馈电阻12d及接地电阻12e的值分别设为R2时，上述电流调整电路12将上述OP放大器12a的输出电压Vout
Vout＝(R2/R1)·(Vref－Vsens)
施加到上述恒流源5的OP放大器5c的非反相输入端子上。
由此，当上述电阻5b的值为Rref时，上述恒流源5的输出电流Io变为
Io＝{R2/(R1·Rref)}·(Vref－Vsens)。
换而言之，上述电流调整电路12根据感测电压Vsens与上述基准电压Vref的电压差ΔV来反馈控制上述恒流源5的输出电流Io，上述感测电压Vsens对应于上述IGBT2a中流通的电流。尤其是在上述电流检测电路11中的电阻Ra、Rb为温度特性一致的电阻时，能够不受温度变化的影响而检测出上述IGBT2a中流通的电流来作为上述感测电压Vsens。因此，能够根据因上述IGBT2a的个体特性而引起的栅极阈值电压的偏差来控制上述恒流源5的输出电流Io，由此能够控制供给至该IGBT2a的栅极的固定电流的大小。
尤其是在上述输入电阻12b、12c、上述反馈电阻12d以及上述接地电阻12e为温度特性相同的电阻时，能够抵消其电阻值的偏差。优选将上述基准电压Vref的温度特性在例如-20℃～125℃的范围内控制在标准值±3％以内，并且将上述感测电压Vsens的温度特性控制在±10％以内。由此，能够与上述电阻值的偏差抵消效果相结合，能够充分提高上述恒流源5的输 出电流特性相对于温度变化的精度。
由此，即使并联连接的多个IGBT2a～2n的栅极阈值电压存在偏差，也能够如图2所示根据上述感测电压Vsens而反馈控制供给至该IGBT2a～2n的栅极的固定电流的大小，从而使其得到优化。因此，能够保持上述IGBT2a～2n中流通的电流Ic固定不变。
在图5所示结构的驱动电路中，即使因为IGBT2a～2n的栅极阈值电压的偏差而导致该IGBT2a～2n中流通的电流发生变化、即上述感测电压Vsens发生变化，也能够如图2中的虚线所示那样保持供给各IGBT2a～2n的栅极的电流固定不变。于是，因上述栅极阈值电压的偏差而引起的电流的不平衡逐渐增大，有可能如上所述那样集中在某一个IGBT中，从而导致其发生热破坏。
关于这一点，采用图1所示结构的本装置中，能够根据图2所示的特性而使供给上述IGBT2的2a～2n的栅极的固定电流的大小与该IGBT2a～2n的接通特性相一致。而且，如上所述能够保持IGBT2a～2n中分别流通的电流Ic固定不变。其结果是，能够有效地防止并联设置的多个IGBT2a～2n中分别流通的电流变得不平衡，因而能够防止电流集中在特定的IGBT，从而能够防止该IGBT发生热破坏。
另外，图3是本发明第2实施方式涉及的绝缘栅型半导体元件的驱动装置的主要部分的简要结构图。该第2实施方式涉及的驱动电路3a被构成为：使用2个比较器12f、12g分别对上述感测电压Vsens与第1阈值电压Vref1及第2阈值电压Vref2(＞Vref1)进行比较，以代替上述OP放大器12a。而且，根据该比较结果而改变设定与上述n-FET5a的源极连接的接地电阻的值Rref。
具体而言，在上述n-FET5a的源极与接地线之间设置串联连接的3个电阻51、52、53，以代替图1的接地电阻5b。而且，使用根据上述比较器 12f、12g的输出而被控制为接通或断开的2个n-FET12h、12i来选择性地使上述电阻51、52、53短路。而且，上述OP放大器5c比较如上述那样被选择性地短路控制的电阻51、52、53构成串联电阻电路中产生的电压、与上述基准电压Vref，从而将上述n-FET5a中流通的电流控制为固定不变。
另外，上述比较器12f发挥下述作用，即：当上述感测电压Vsens小于上述第1阈值电压Vref1[Vsens＜Vref1]时，将上述n-FET12h接通，从而使上述电阻51、52短路。另外，上述比较器12g发挥下述作用，即：当上述感测电压Vsens小于上述第2阈值电压Vref2[Vsens＜Vref2]时，将上述n-FET12i接通，从而使上述电阻52短路。
因此，采用上述结构的电流调整电路12中，当上述感测电压Vsens超过上述第2阈值电压Vref2[Vsens≥Vref2＞Vref1]时，上述比较器12f、12g的输出均变为L电平，上述n-FET12h、12i均保持为断开状态。其结果是，由于上述电阻51、52、53并未短路，因此，上述恒流源5(n-FET5a)的输出电流IoH变为
IoH＝Vref/(Rref1+Rref2+Rref3)。
另外，上述Rref1、Rref2、Rref3分别表示上述电阻51、52、53的值。
另外，当上述感测电压Vsens低于上述第2阈值电压Vref2且超过上述第1阈值电压Vref1[Vref2＞Vsens≥Vref1]时，上述比较器12f的输出保持为L电平，上述比较器12g的输出反转为H电平。于是，上述n-FET12i接通而将上述电阻52短路。由此，上述恒流源5(n-FET5a)的输出电流IoM变为
IoM＝Vref/(Rref1+Rref3)。
然后，当上述感测电压Vsens进一步降低，且低于上述第1阈值电压Vref1[Vref2＞Vref1＞Vsens]时，上述比较器12f、12g的输出均变为H电 平，上述n-FET12h、12i均接通。由此，由于上述电阻51、52分别被短路，因此，上述恒流源5(n-FET5a)的输出电流IoL变为
IoL＝Vref/(Rref3)。
由此，利用具备这种电流调整电路12而构成的驱动电路3，能够如图4所示那样，根据感测电压Vsens而使恒流电路7的输出电流分阶段(3个阶段)变化。因此，虽然与上述实施方式相比其控制精度低，但是，与上述实施方式同样地，能够使提供给上述IGBT2a～2n各自的栅极的固定电流的大小与该IGBT2a～2n的接通特性相一致。而且，能够保持上述各个IGBT2a～2n中分别流通的电流Ic固定不变。由此，能够有效地防止并联设置的多个IGBT2a～2n中分别流通的电流变得不平衡。因此，能够防止电流集中于特定的IGBT，从而能够防止该IGBT热破坏。
另外，本发明并不限定于上述各实施方式。例如，当然也可以根据恒流源5的输出电流Io、上述感测电压Vsens而分更多阶段地可变设定。另外，也可以根据与各IGBT2a～2n的发射极连接的分流电阻所产生的电压而检测上述IGBT2a～2n中流通的电流。进而，在取代上述IGBT而驱动MOSF-FET时，当然也可以同样地使用本发明。此外，在不脱离本发明主旨的范围内能够实施各种变形。
符号说明
1 功率转换器
2a～2n IGBT(绝缘栅型半导体元件)
3a～3n 驱动电路
5 恒流源
5an 沟道型的FET(n-FET)
5b 电阻
5c O P放大器
6 电流镜像电路
6a、6b p沟道型的FET(p-FET)
7 恒流电路
8 放电电路
8a 缓冲器
8b n-FET
9 切换电路
9a p-FET
9b 电平移位电路
11 电流检测电路
12 电流调整电路
12a O P放大器
12b、12c 输入电阻
12d 反馈电阻
12e 接地电阻
12f、12g 比较器
12h、12i n-FET
51、52、53 电阻