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摘要
申请专利号:

CN201310518649.8

申请日:

2013.10.29

公开号:

CN104576412A

公开日:

2015.04.29

当前法律状态:

撤回

有效性:

无权

法律详情:

发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):H01L 21/56申请公布日:20150429|||公开

IPC分类号:

H01L21/56

主分类号:

H01L21/56

申请人:

李玉俊

发明人:

不公告发明人

地址:

224700江苏省盐城市建湖县近湖镇塘河路178号

优先权:

专利代理机构:

代理人:

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内容摘要

本发明涉及一种LED封装技术,其步骤是:(1)将uv胶与磁化纳米碳管粉末按照100:5~100:10的重量比混合,常温下搅拌均匀后置真空状态保存5-l0min;(2)用上述调配好的原料注入模具进行封胶,将注入上述原料的模具置于磁场强度10-15特斯拉磁场中l0min-20min;然后用紫外灯照射固化;(3)将上述经过紫外灯照射固化的半成品LED放入60℃~80℃烘箱中l0min-20min,取出即可完成固化工艺过程。本发明能提高LED生产效率,并能改善LED潜在的缺陷问题,提高LED产品质量。

权利要求书

权利要求书1.  一种LED封装技术,其步骤是: (1)将UV胶与磁化纳米碳管粉末按照100:5~100:10的重量比混合,常温下搅拌均匀后置真空状态保存5-l0min;(2)用上述调配好的原料注入模具进行封胶,将注入上述原料的模具置于磁场强度10-15特斯拉磁场中l0min-20min;然后用紫外灯照射固化;(3)将上述经过紫外灯照射固化的半成品LED放入60℃-80℃烘箱中l0min-20min,取出即可完成固化工艺过程; 其特征在于:所述磁场的磁力线与LAMP式LED灯脚平行。 2.  根据权利要求l所述固化工艺,其特征是:在进行紫外灯照射固化时,紫外光光强为80mW/cm2-150mW/cm2时,照射时间为1-5秒。

说明书

说明书LED封装技术
技术领域
本发明涉及一种LED封装技术。属于电光源产品的制造技术。
背景技术
 LED(发光二极管)的结构包括,P-型半导体、N-型半导体及两者之间所形成的PN结,当电流通过二极管时,在上述PN结处,便产生电荷载子,即电子与空穴,电子与空穴结合并以光子的形式释放出能量。在PN结处加入特定的化学物,则可使二极管发出特定颜色的光,如加入氮化铟镓(InGaN)可产生蓝光,加入氮化镓(GaN)可产生绿光等。LED具有寿命长、省电、耐用、牢靠、反应快、低废热和适合于批量生产等优点,所以自发光二极管的发明以来,该产业迅速膨胀发展,逐步取代灯饰行业中的传统钨丝灯和荧光灯。
现有LED内部结构一般包括有透镜、内引线、绝缘成型材料、外引线(即安装引脚)、固晶胶、LED晶片、透镜填充胶、导热柱、散热基板、荧光粉层这十个部份。在现有技术的LED封装中,如何在LED封装过程中进行散热及机械化成批量生产成为一个技术难题。在LED的封装过程中的散热直接影响到LED成品的发光亮度和寿命;如何提高批量生产的效率则关系到生产成本和生产周期。所以,在大功率LED的生产过程中如何快速散热和批量生产至关重要。因而在对固定发光晶片的材料选用和工艺控制上有严格的要求,以尽可能地提高发光效率,降低衰减和减小生产周期;传统的大功率LED -般使用一种金属和树脂
的混合物来绑定LED晶片,但是,树脂在高温条件下容易老化,而且导热性能不好,一般导热系数不到7W/(m. K);并且,使用此类固晶方式至少需要1.5小时来烘考;生产效率低。在LED透镜的封装上,传统的大功率LED封装模式是在透镜中填充硅树脂,这种产生模式操作复杂并且生产效率低下,无法进行机械化操作,面对越来越大的LED市场需求,这种生产模式已显得非常落后。现有技术中LED的封装方法存在着在封装过程中散热效果差、封装的生产效率低的技术缺陷,因而,电光源产品的制造技术领域迫切希望一种LED封装技术能够克服上述缺陷。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种LED封装工艺,能提高LED生产效率,并能改善LED潜在的缺陷问题,提高LED产品质量。
   本发明解决现有技术问题的技术方案是:一种LED封装工艺,其步骤是:(1)将UV胶与磁化纳米碳管粉末按照100:5、100:10的重量比混合,常温下搅拌均匀后置真空状态保存5-l0min;(2)用上述调配好的原料注入模具进行封胶,将注入上述原料的模具置于磁场强度10-15特斯拉磁场中lOmin-20min;然后用紫外灯照射固化;(3)将上述经过紫外灯照射固化的半成品LED放入60℃-80℃烘箱中lOmin-20min,取出即可完成固化工艺过程。
本发明进一步的改进是:所述的固化工艺中,其磁场的磁力线与LAMP式LED灯脚平行。控制纳米碳管方向一致及与LED灯脚平行,从而成为在烘烤过程中芯片热能的有效传输管道,有效为芯片散热;并在日后使用中同样为LED芯片提供良好的散热环境,保证了LED芯片不会因过热而老化衰减。
本发明更进一步的改进是:所述的固化工艺在进行紫外灯照射固化时,紫外光光强为80mW/cm2-150mW/cm2时,照射时间为1-5秒。
上述所的UV胶的参数范围如下:固化光波长为250-350nm、固化光出力为1200-2500微瓦、顺电压典型值3.0-4.5伏、顺电压最大值3.5-5.0伏。
本发明由于采用添加了磁化纳米碳管粉末的UV胶作为封胶材料,因而可通过紫外光照射进行固化,不仅简化了固化过程,并且其固化时间仅需1-5秒,大大提高了生产效率;此外,最重要的是,由于添加了纳米碳管粉末材料,使封胶材料具有良好热能的疏导,有效防止因芯片热量积聚而导致局部过热所影响芯片工作,减少LED芯片因过热而产生的衰减,如此能提高LED的质量及寿命。并能能适应生产更高功率的LED并保证其质量。
具体实施方式:
本发明LED封装工艺的实施例如下:
先将UV胶与磁化纳米碳管粉末按照100:6的重量比混合配料,上述混合物在常温下搅拌均匀后置真空状态保存8min;然后用上述调配好的原料注入模具进行封胶工序,将注入上述原料的模具置于磁场强度12特斯拉磁场中15min;然后用波长为260nm、光强为l00mW/cm2的紫外灯照射2秒钟使其初步固化;再将上述经过紫外灯照射固化的半成品LED放入70℃烘箱中14min,取出即可完成固化工艺过程。

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资源描述

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本发明涉及一种LED封装技术,其步骤是:(1)将uv胶与磁化纳米碳管粉末按照100:5100:10的重量比混合,常温下搅拌均匀后置真空状态保存5-l0min;(2)用上述调配好的原料注入模具进行封胶,将注入上述原料的模具置于磁场强度10-15特斯拉磁场中l0min-20min;然后用紫外灯照射固化;(3)将上述经过紫外灯照射固化的半成品LED放入6080烘箱中l0min-20min,取出即可完成固。

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