厚膜光刻胶清洗剂.pdf

摘要
申请专利号：	CN200880011333.7	申请日：	2008.04.03
公开号：	CN101652718A	公开日：	2010.02.17
当前法律状态：	驳回	有效性：	无权
法律详情：	发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):G03F 7/42申请公布日:20100217\|\|\|实质审查的生效IPC(主分类):G03F 7/42申请日:20080403\|\|\|公开
IPC分类号：	G03F7/42; H01L21/02; C23G1/06; C11D1/83	主分类号：	G03F7/42
申请人：	安集微电子（上海）有限公司
发明人：	史永涛; 彭洪修; 刘兵
地址：	中国上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室
优先权：	2007.4.13 CN 200710039482.1
专利代理机构：	上海翰鸿律师事务所	代理人：	李佳铭
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内容摘要

一种厚膜光刻胶清洗剂，其含有：二甲基亚砜、氢氧化钾、苯甲醇和/或其衍生物、季铵氢氧化物和烷基醇胺。该清洗剂可以除去金属、金属合金和电介质基材上的100μm以上厚度的厚膜光刻胶(光阻)。

权利要求书

1： PCT国内申请，权利要求书已公开。

说明书

��内申请，说明书已公开。

资源描述

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一种厚膜光刻胶清洗剂，其含有：二甲基亚砜、氢氧化钾、苯甲醇和/或其衍生物、季铵氢氧化物和烷基醇胺。该清洗剂可以除去金属、金属合金和电介质基材上的100m以上厚度的厚膜光刻胶(光阻)。。

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