有机电致发光元件及其制备方法.pdf

第一电极形成于基材之上，有机材料层形成于第一电极之上，第二电极形成于有机材料层之上。在有机材料层中，至少两层具有电子或空穴穿越的界面，而且是通过在一定温度下热处理该层而形成的，所述温度等于或高于构成各有机材料层的材料的玻璃化转变点，且等于或低于材料的熔点。

1.  一种有机EL元件，包括：
基材；
形成于基材之上的第一电极；
堆叠于第一电极之上且至少包含一层发光层的多层有机材料层；及
形成于有机材料之上的第二电极，
其中，至少两层有机材料层在一定的温度下进行热处理，所述温度等于或高于构成各有机材料层的材料的玻璃化转变点，且等于或低于材料的熔点，所述至少两层有机材料层具有电子或空穴穿越的界面。

2.  根据权利要求1的有机EL元件，其中构成有机材料层中任意一层的材料的玻璃化转变点，低于构成这样有机材料层的材料的玻璃化转变点，该有机材料层，相对于所述任意一层有机材料层，位于基材一侧的上面。

3.  根据权利要求1的有机EL元件，其中所述有机材料层按构成各有机材料层的材料的玻璃化转变点下降的顺序，堆叠在基材之上。

4.  根据权利要求1的有机EL元件，其中至少两层有机材料层中的每一层在一定的温度下进行热处理，所述温度等于或高于构成该有机材料层的材料的玻璃化转变点，且等于或低于该材料的熔点，所述至少两层有机材料层相邻地堆叠。

5.  一种制备有机EL元件的方法，在该有机EL元件中，第一电极形成于基材之上，至少包含一层发光层的多层有机材料层堆叠于第一电极之上，第二电极形成于有机材料层之上，该方法包括下列步骤：
生成至少两层有机材料层，所述至少两层有机材料层具有电子或空穴穿越的界面；及
在一定的温度下热处理所生成的有机材料层，所述温度等于或高于构成各有机材料层的材料的玻璃化转变点，且等于或低于材料的熔点。

6.  根据权利要求5的制备有机EL的方法，其中构成有机材料层中任意一层的材料的玻璃化转变点，低于构成这样有机材料层的材料的玻璃化转变点，该有机材料层，相对于所述任意一层有机材料层，位于基材一侧的上面。

7.  根据权利要求5的制备有机EL的方法，其中所述有机材料层按构成各有机材料层的材料的玻璃化转变点下降的顺序，堆叠在基材之上。

8.  根据权利要求5的制备有机EL的方法，其中至少两层有机材料层中的每一层在一定的温度下进行热处理，所述温度等于或高于构成该有机材料层的材料的玻璃化转变点，且等于或低于该材料的熔点，所述至少两层有机材料层相邻地堆叠。

有机电致发光元件及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机EL(电致发光)元件，也涉及它的制备方法。
背景技术
有机EL元件是一种表面发射装置，其构造是使单位面积的电极相对地布置在基材上，电极之一用作施加正电压的阳极，另一电极用作施加负电压的阴极，包含发光层的有机材料层布置在电极之间。当电极之间施加电压时，电子从阴极注入发光层，空穴从阳极注入发光层，且在发光层中发生电子-空穴复合，由此导致发光。当多个这种有机EL元件在基材上形成阵列，作为单位表面发射元件，然后按点阵系统进行驱动时，可以形成自发光的平板显示器，其可以显示高清晰度图像。
这种有机EL元件的特征在于，发光层是由有机材料形成的。为了注入电子或空穴并提高电子-空穴复合效率，通常在发光层与电极之间选择性地设置空穴注入层、空穴迁移层、电子注入层、电子迁移层，且每一层均是通过约30～200nm的薄层形成的。如上所述，有机EL元件的有机材料层是通过堆叠薄膜构建的。当杂质在成层(growing of layer)过程中进入有机材料层时，或者当电极凸凹不平时，容易在成层步骤中产生局部未成层的部分。结果在所形成的结构中，这种未成层部分往往导致电极间局部短路，以及因漏电流的存在而导致的异常发射和暗斑的形成等。
作为上述问题的对策，JP-A-2001-68272和JP-A-2000-91067中公开了一种技术。在该技术中，在一定的温度下，对阳极(空穴注入电极)之上的空穴注入和迁移材料进行热处理，所述温度等于或高于材料的玻璃化转变温度，而且上述未成层部分利用热熔材料与周围材料合并的现象得以覆盖。
在常规技术中，仅对形成于阳极之上并且由空穴注入和迁移材料制成的一层实施热处理，以覆盖局部未成层部分。通常，与各有机材料层的薄膜厚度相比，诸如灰尘等杂质，或者导致上述问题的凸凹不平的尺寸都是很大的。因此，即使要进行热处理的一层的未成层部分可以通过热处理该层而覆盖，但是也可能在堆叠于杂质上或凸凹不平处的另一层中形成未成层部分。对于在另一层中形成未成层部分的情形，会出现与前述情形相同的问题，即漏电流的存在会导致异常发射和暗斑的形成。
在要堆叠的多层有机材料层中，根据各层的功能使用不同的材料。然而，这些材料并不总是具有令人满意的界面接合性(junction propety)。因此，依据所选定的材料，电荷不能顺利地穿越界面，进而不能获得良好的伏安特性。
相反，当形成于电极之上的有机材料层进行热处理时，表面状态会发生轻微的变性。因此，当另一有机材料层堆叠在该层之上时，会损害这些堆叠的有机材料层之间的界面接合性，并妨碍电子或空穴通过界面的穿越。此外，在这种情况下，还可能对所得有机EL元件的伏安特性带来不良影响，并降低发光特性。
发明内容
本发明的目的是解决上述问题。换言之，本发明的目的使得，通过堆叠多层有机材料层形成有机EL元件时，在堆叠的各层中不形成局部未成层部分，并防止电极间局部短路以及因漏电流的存在而导致的异常发射和暗斑的形成等；使得电荷通过堆叠有机材料层间的界面的穿越性良好；确保有机EL元件的发光特性令人满意。
为了实现这些目的，根据本发明的有机EL元件及其制备方法至少包括下列特征。
一种有机EL元件，在该有机EL元件中，第一电极形成于基材之上，至少包含一层发光层的多层有机材料层堆叠于第一电极之上，第二电极形成于有机材料层之上，其中至少两层有机材料层在一定的温度下进行热处理，所述温度等于或高于构成各有机材料层的材料的玻璃化转变点，且等于或低于材料的熔点，所述至少两层有机材料层具有电子或空穴穿越的界面。
一种制备有机EL元件的方法，在该有机EL元件中，第一电极形成于基材之上，至少包含一层发光层的多层有机材料层堆叠于第一电极之上，第二电极形成于有机材料层之上，其中该方法包括如下步骤：生成至少两层有机材料层，所述至少两层有机材料层具有电子或空穴穿越的界面；及在一定的温度下热处理所生成的有机材料层，所述温度等于或高于构成各有机材料层的材料地玻璃化转变点，且等于或低于材料的熔点。
通过下面的详细说明并结合附图，本发明的这些及其它目的和优点将会更加显而易见，在附图中：
图1是根据本发明的实施方案的有机EL元件图；
图2是根据本发明的实施方案的有机EL元件图；及
图3A和图3B图示了根据本发明实施方案的制备有机EL元件的方法。
现将参照附图更详细地说明本发明的优选实施方案。
下文中将援引附图说明本发明的实施方案。图1和图2图示了根据本发明实施方案的有机EL元件。有机EL元件的基本构造是，其中第一电极2形成于基材1之上，有机材料层3堆叠于第一电极2之上，第二电极4形成于有机材料层3之上。
作为第一特征，如图1所示，在有机材料层3中，至少有两层有机材料层3A和3B具有电子或空穴穿越的界面3A1，3A2，3B1，3B2。这两层有机材料层3A和3B是通过在一定的温度下热处理该层而形成的，所述温度等于或高于构成各有机材料层的材料的玻璃化转变点，且等于或低于材料的熔点。
根据该构造，即使杂质(如灰尘)或凸凹不平存在于第一电极2或某一有机材料层之上，堆叠于电极或该层上的至少两层有机材料层3A和3B也进行热处理。因此，与在一层上进行热处理的情形相比，各层中形成局部未成层部分的比例显著地降低，结果可以有效地防止漏电流所导致的异常发射和暗斑形成的问题的发生。即使在杂质尺寸大于各层的厚度的情形，由于多层进行热处理而熔化，使得杂质可以被两倍或多倍于仅在一层上进行热处理的常规情形的厚度所包进(enfold)，并且可以确保避免未成层部分。因此，可以提高成品收率，并降低生产成本。
由于生长于另一有机材料层的表面上有机材料层实施了热处理，生长于其它有机材料层的表面上有机材料层熔化并与该表面一致，所以可以使层间界面的接合性优于仅凭薄膜生长方式堆叠各层的情形。因此，与仅凭气相沉积等薄膜生长方式来堆叠各层的情形相比，电荷可以顺利和均匀地穿越界面，确保预置伏安特性下具有令人满意的发光特性，并提高热稳定性。
作为第二特征，除了前述的特征之外，本发明的实施方案的特征还在于，构成有机材料层3的任意一层或者有机材料层3B的材料的玻璃化转变点，低于构成有机材料层3A的材料的玻璃化转变点，相对于有机材料层3B，所述有机材料层3A位于基材1一侧的上面。也就是说，在具有支撑性基材/第一电极2/有机材料层(1)/.../有机材料层(m)/.../有机材料层(n)/.../第二电极4的有机EL元件中，所采用的材料使得构成有机材料层(m)的材料的玻璃化转变点Tg_m大于构成有机材料层(n)的材料的玻璃化转变点Tg_n，或者Tg_m＞Tg_n，且各层均在接近于该层的玻璃化转变点的温度下进行热处理。
根据该构造，当要对形成于已经进行一次热处理的有机材料层3A上的有机材料层3B进行热处理时，热处理在接近于构成该层材料的玻璃化转变点的温度下进行，从而使得热处理可以熔化有机材料层3B而不熔化其下面的有机材料层3A。因此，各层可以熔化而不改变形成于该层下面的有机材料层的物理性质，从而可以防止形成未成层部分。
作为第三特征，除了前述的特征之外，本发明的实施方案的特征还在于，有机材料层3以构成各层材料的玻璃化转变点递降的顺序堆叠在基材1上。根据该结构，当要对有机材料层3中的一层进行热处理时，热处理温度设置在构成该层的材料的玻璃化转变点附近，从而使得热处理在该层之上进行，而不会对位于该层下面的层产生不利的影响。
作为第四特征，除了前述的特征之外，本发明的实施方案的特征还在于，相邻堆叠的至少两层有机材料层3C和3D中的每一层在一定的温度下进行热处理，所述温度等于或高于构成有机材料层3C或3D的材料的玻璃化转变点，且等于或低于该材料的熔点(见图2)。根据该构造，热处理还可以施加于堆叠在已经实施一次热处理的有机材料层上的有机材料层。因此，即使实施一次热处理的有机材料层的表面变性，堆叠于该表面上有机材料层也可以熔化并与该表面一致，所以使得各层间的界面的接合性优异。结果，电荷可以顺利而均匀地穿越界面，可以确保预置伏安特性下发光特性令人满意，并且可以提高热稳定性。
下文中将描述具有这些特征的有机EL元件的各组成部分。
a.基材
根据欲用有机EL元件形成的显示器面板的形状，基材1的形状可以是平板状、薄膜状及球形中的任一形状。基材可以由玻璃、塑料、石英或金属等材料制成。当要形成从基材一侧发光的底发射显示器面板时，使用透明材料。相反，如果要形成从与基材相对一侧发光的顶发射显示器面板，可以使用具有任何透明度的材料。对于底发射显示器面板，优选使用的材料的实例是透明玻璃和透明塑料。
b.电极
形成于基材之上的第一电极2或者形成于有机材料层3之上的第二电极4均可用作阳极或阴极。阳极是由功函大于阴极功函的材料制成的，或者是由铬(Cr)、钼(Mo)、镍(Ni)或铂(Pt)等的金属薄膜构成，或者由透明的导体如氧化铟(In₂O₃)、ITO或IZO薄膜构成。相反，阴极是由功函小于阳极功函的材料制成的，或者由铝(Al)或镁(Mg)等金属薄膜构成的，或者由无定形的半导体如掺杂的聚苯胺或掺杂的聚亚乙烯基苯构成的，或者由氧化物如Cr₂O₃、NiO或Mn₂O₅构成的。一般地，通过其发光的电极形成透明电极。作为选择，也可以使用这样的构造，其中第一电极2和第二电极4均由透明材料制成，且在与发光一侧相反的一侧放置反射膜，这里反射膜放置在第一电极2的一侧上，形成顶发射元件；反射膜放置在第二电极4一侧上，形成底发射元件。
作为在基材1上的点阵中形成多个有机EL元件的电极结构，可以采用下列系统中的任意一种：被动驱动系统，其中形成多个第二电极4，以与多个以条状形成的第一电极2正交，有机EL元件形成于第一电极2与第二电极4的各交叉面中，且有机EL元件是通过施加电压于所选定第一和第二电极来驱动的；主动驱动系统，其中各显示单元的单元电极(像素电极)在基材1上形成第一电极2，包含(covering)单元电极的公共电极形成第二电极4，且显示单元是通过各自的活性元件如薄膜晶体管驱动的。第一电极2可以通过薄膜生长法如气相沉积或溅射法形成，并通过掩膜法、光刻法等形成图案。第二电极4可以通过薄膜生长法如气相沉积或溅射法形成，并通过掩膜法、电极光栏法等形成图案。
c.有机材料层
通常，有机材料层3紧邻有机发光功能层形成，包括空穴迁移层、发光层和电子迁移层。在本发明中，可以形成一层发光层，也可以形成多层发光层。作为选择，发光层、空穴迁移层和电子迁移层可以代替单层堆叠来堆叠。空穴迁移层和电子迁移层之一或二者可以省略。有机功能层如空穴迁移层和电子迁移层可以根据显示面板的用途而嵌入。
有机材料层的堆叠可以如下方法形成：湿法，包括涂布法(如旋涂法和浸涂法)，及印刷法(如喷墨法和丝网印刷法)；干法，如气相沉积法或激光转印法。
如果将位于基材1一侧之上的第一电极2设为阳极，将第二电极4设为阴极，且有机材料层3按构成各层的材料的电离电势升高的顺序堆叠，则电荷可以顺利地在各层间迁移，并可以延长元件的寿命。
尽管下文中给出了形成空穴注入层和空穴迁移层的空穴注入与迁移材料，形成发光层的发光材料，及形成电子注入层和电子迁移层的电子注入与迁移材料的具体实例，但是本发明的实施方案并不限于这些材料，可以根据功能充分地选择其它材料。
空穴注入与迁移材料：在用于构建空穴注入层的材料中，低电离电势(5.0ev或更低)是重要的。仅要求空穴迁移材料具有高的空穴迁移率。作为空穴迁移层的材料，可以选择公知化合物中的任意一种。
这些材料的具体实例包括：卟啉化合物如铜酞菁(Cu-Pc)；枝聚胺(starburst amine)如m-MTDATA；芳香性叔胺如联苯胺聚合物，4，4′-二[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]-联苯(NPB)，及N-苯基对苯二胺(PPD)；二苯乙烯化合物如4-(二对甲苯基氨基)-4′-[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]苯(stilbenzene)；以及有机材料如三唑衍生物，及苯乙烯基胺化合物。还可以使用聚合物分散材料，其中低分子量的空穴注入与迁移材料分散于聚合物(如聚碳酸酯)中。
发光材料：发光材料的具体实例包括：二次甲基(dimethylidine)化合物，如4，4′-双(2，2′-二苯基乙烯基)-联苯(DPVBi)；苯乙烯基苯化合物，如1，4-双(2-甲基苯乙烯基)苯；三唑衍生物，如3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑(TAZ)；荧光有机材料，如蒽醌衍生物，及芴酮衍生物；荧光有机金属化合物，如(8-羟基喹啉)合铝络合物(Alq₃)；聚合材料，如聚亚乙烯基对苯(PPV)，聚烯烃，及聚乙烯基吡唑(PVK)；以及有机材料，如铂络合物和铱络合物，其中使用源于三重激子的磷光发光。发光材料可以仅由这种发光材料构成，作为选择，也可以包含空穴迁移材料、电子迁移材料、添加剂(施主，受体等)、发光掺杂剂等。这些材料可以分散于聚合材料或无机材料中。
电子注入和迁移材料：电子注入层介于电子迁移层与阴极之间。可以使用电子亲合力大、促进电子从阴极注入的材料作为电子注入层。要求电子迁移层仅具有将从阴极注入的电子迁移至发光层的功能。作为电子迁移层的材料，可以选择公知化合物中的任意一种。
这种材料的具体实例包括：硅杂环戊二烯(硅唑，silole)衍生物，如PyPySPyPy；有机材料，如硝基取代的芴酮衍生物，及蒽醌二甲烷(anthraquinodimethane)衍生物；8-喹啉醇的金属络合物衍生物，如三(8-羟基喹啉)合铝(Alq₃)；三唑化合物，如金属酞菁，及3-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-1，2，4-三唑(TAZ)；噁二唑化合物，如2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)-1，3，4-噁二唑(PBD)；以及金属氧化物如LiO₂。
图3A和图3B图示了制备有机EL的方法。图3A是该制备方法的流程示意图，图3B是该方法中形成有机材料层各步骤的流程图。在基本的制备步骤中，如图3A所示，第一电极2形成于基材1上(S1)，至少包含一层发光层的多层有机材料层3堆叠在第一电极2上(S2)，第二电极4形成于有机材料层3上(S3)。
该制备方法具有下列特征步骤：步骤(S22)，其中在生长至少两层具有电子或空穴穿越的界面的有机材料层3A和3B的步骤(S21)之后，有机材料层3A和3B在一定的温度下进行热处理，所述温度等于或高于构成有机材料层3A和3B各层的材料的玻璃化转变点，并且等于或低于该材料的熔点。现将参照图3B，说明上述实施方案之有机EL元件中的所有有机材料层3均将实施热处理的情形。当利用各种方法之一生长一层有机材料层的生长步骤(S21)结束时，控制转移至立即对该层实施热处理的加热步骤(S22)。对每一有机材料层重复这些步骤。在处理最上层的有机材料层时，当有机材料形成步骤(S2)结束后，控制转移至后续的第二电极形成步骤(S3)。作为选择，在生长多层有机材料层的步骤(S21)结束后，可以对已经在生长步骤(S21)中生长的一堆多层有机材料层实施加热步骤(S22)。
加热步骤(S22)可以按下列方式进行。将加热单元放置在将要生长有机材料层的薄膜生长室中，并在薄膜生长结束后，根据需要进行加热处理。作为选择，可以另行设置加热室，其上生长了有机材料层的基材1可以由各自的薄膜生长室转移至加热室中，然后在加热室中进行加热处理。作为加热单元，可以使用加热器加热、红外辐射等。尽管省略了说明，但是与上述有机EL元件之实施方案分别对应的制备方法，可以在采用相似加热步骤的同时进行。
实施例
下文中将进一步描述具体的实施例。
实施例1
首先，作为以预定间隔排列以便彼此平行的第一电极，通过气相沉积或溅射法，在玻璃基材上形成ITO薄膜，然后通过光刻法形成具有所需形状的图案。
其次，作为空穴注入层，通过气相沉积法形成厚度为45nm的铜酞菁(Cu-Pc)层。作为第一空穴迁移层，通过气相沉积法在空穴注入层上形成厚度为40nm的PPD层。
通过放置在薄膜加热室中的加热单元(其中已经生长了第一空穴迁移层)，设置加热温度等于或大于PPD的玻璃化转变点Tg＝130℃，特别是130～180℃，优选140～150℃，并在减压或真空状态下，于薄膜加热室中热处理第一空穴迁移层，使之熔化。加热时间约5分钟，作为加热单元，可以采用加热器加热或卤灯。
再次，作为第二空穴迁移层，通过气相沉积法形成厚度40nm的NPB层。类似地，第二空穴迁移层在等于或高于NPB的玻璃化转变点Tg＝98℃，特别是100～130℃的温度范围进行热处理，以使之熔化。此时，加热过程在等于或低于第一空穴迁移层的Tg的温度下进行，因而第一空穴迁移层不熔化。
最后，作为电子迁移层及至少一层发光层，通过气相沉积法形成厚度为80nm的Alq₃层。此外，作为电子注入层，气相沉积厚度为10nm的LiO₂层，并在电子注入层上堆叠Al作为第二电极。
实施例2
作为以预定间隔排列以便彼此平行的第一电极，通过气相沉积或溅射法，在玻璃基材上形成ITO薄膜，然后通过光刻法形成具有所需形状的图案。
其次，作为空穴注入层，通过气相沉积法形成厚度为45nm的枝聚化合物2-TNATA层。按与前述实施例相似的方式，在等于或大于2-TNATA的玻璃化转变点Tg＝110℃，特别是110～160℃，优选115～135℃的温度范围，对空穴注入层实施热处理，使之熔化。作为空穴迁移层，通过气相沉积法在空穴注入层上形成厚度为40nm的NPB层。按与前述相似的方式，在等于或高于NPB的玻璃化转变点Tg＝98℃，特别是100～110℃的温度范围，对空穴迁移层进行热处理，以使之熔化。此时，空穴迁移层在等于或低于空穴注入层的Tg的温度下进行加热，所以空穴注入层不熔化。
再次，按类似于实施例1的方式，通过气相沉积法依次堆叠至少一层发光层，电子注入层，及阴极。这种情况下，2-TNATA的电离电势为Ip＝5.1eV，NPB的电离电势为Ip＝5.4eV。因此，在通过该实施例制备有机EL元件中，可以获得优异的耐久性。
实施例3
作为以预定间隔排列以便彼此平行的第一电极，通过气相沉积或溅射法，在玻璃基材上形成ITO薄膜，然后通过光刻法形成具有所需形状的图案。
其次，作为空穴迁移层，通过气相沉积法形成厚度为40nm的PPD层。按与前述相似的方式，在等于或大于PPD的玻璃化转变点Tg＝130℃，特别是130～180℃，优选140～150℃的温度范围，对空穴迁移层实施热处理，使之熔化。
再次，作为发光层，通过气相沉积法形成厚度为50nm的Alq₃(Tg＝175℃，Ip＝6.1eV)层。通过气相沉积法在发光层上形成PyPySPyPy(Tg＝90℃，Ip＝6.1eV)层，作为电子迁移层。其后，按与上述类似的方式，在等于或高于PyPySPyPy的玻璃化转变点Tg，特别是90～130℃，优选100～120℃的温度范围，对电子迁移层进行热处理，以使之熔化。此时，由于电子迁移层是在等于或低于堆叠在其下面的空穴迁移层和发光层材料的Tg的温度下进行热处理，所以空穴迁移层和发光层不熔化。其后，按与实施例1相似的方式，堆叠电子注入层和阴极。
实施例4
作为以预定间隔排列以便彼此平行的第一电极，在基材上气相沉积阴极材料Al，然后形成图案。作为电子迁移层，通过气相沉积在第一电极上形成厚度为50nm的Alq₃层。
其次，作为发光层，通过气相沉积形成厚度为40nm的二苯乙烯基芳撑衍生物(IDE120，Idemitsu Kosan有限公司产品，Tg＝106℃)层。其后，在等于或高于IDE120的玻璃化转变点Tg，特别是120～170℃，优选130～150℃的温度范围，对发光层进行热处理，以使之熔化。
再次，作为空穴迁移层，通过气相沉积法形成厚度为40nm的NPB(Tg＝98℃)层。其后，在等于或高于NPB的玻璃化转变点Tg，特别是100～130℃，优选110～120℃的温度范围，对空穴迁移层进行热处理，以使之熔化。之后，作为空穴注入层，通过气相沉积法形成厚度为40nm的m-MTDATA(Tg＝75℃)层。然后，在等于或高于m-MTDATA的玻璃化转变点Tg，特别是75～105℃，优选80～100℃的温度范围，对空穴注入层进行热处理，以使之熔化。作为阳极，通过气相沉积法在空穴注入层上形成ITO。
根据上述实施方案和实验，至少两层形成有机EL元件的有机材料层在一定的温度下进行热处理，所述温度等于或高于构成各有机材料层的材料的玻璃化转变点，且等于或低于材料的熔点，所述至少两层有机材料层具有电子或空穴穿越的界面。因此，在堆叠的层中不形成局部未成层的部分，及电极间的局部短路，并且可以防止因漏电流的存在而导致的异常发射和暗斑的形成。此外，还使电荷经过堆叠有机材料层间界面的穿越性良好，确保有机EL元件的发光特性令人满意，并获得足够的热稳定性和延长了的寿命。
为了解释和说明，前面已经给出了本发明的优选实施方案。但目的不是穷举，也不是将本发明限于所公开的具体形式，根据前述教导或从本发明的实施中获得的教导，可以对其作出修改和替换。所选择并说明的实施方案，是为了解释本发明的原理及其实际应用，使得本领域的技术人员能够以适于具体应用的各种实施方案及各种修改的方式利用本发明。本发明的范围由所附的权利要求书或其等价物确定。